深圳市亿金电子有限公司

   X1G0035610010晶振X1G0044410093贴片晶振X1G0041310013贴片晶振X1G0039010203晶振X1G0038410034温度补偿晶振X1G0038410010贴片晶振X1G0038310034石英晶体振荡器X1G0035610090温度补偿晶振X1G0035610048石英晶振X1G0044410097温补晶振X1G0038310035晶振X1G0035610091爱普生进口晶振X1G0035610049贴片晶振X1G0044410101温度补偿晶振X1G0044310102温度补偿晶振X1G0041310004贴片晶振X1G0038410048石英晶体振荡器X1G0038410015温度补偿晶振X1G0038310038石英晶振X1G0035610093石英晶体振荡器X1G0044310101温补晶振X1G0039010204石英晶振X1G0038410040爱普生进口晶振X1G0038410011温补晶振X1G0035610050温补晶振X1G0050610093爱普生进口晶振X1G0044310103爱普生进口晶振X1G0041310006晶振X1G0038410052晶振X1G0038410017爱普生进口晶振

   X1G0038310047贴片晶振X1G0035610094晶振X1G0035610059温度补偿晶振X1G0038310051温补晶振X1G0035610097石英晶振X1G0041310011石英晶振X1G0039010201爱普生进口晶振X1G0035610066爱普生进口晶振X1G0050610101石英晶体X1G0044410086晶振X1G0041310008爱普生进口晶振X1G0038510014贴片晶振X1G0038410027晶振X1G0038310053温度补偿晶振X1G0035610098贴片晶振X1G0035610067石英晶体振荡器X1G0050610102有源晶振X1G0044410088石英晶振X1G0041310009石英晶体振荡器X1G0038510016温补晶振X1G0038410029石英晶振X1G0038310055爱普生进口晶振X1G0035610101温补晶振X1G0035610083晶振X1G0035610102温度补偿晶振X1G0050610097石英晶体振荡器X1G0044310104石英晶体振荡器X1G0041310007温度补偿晶振X1G0038410054石英晶振X1G0038410026石英晶体振荡器X1G0035610085石英晶振X1G0038410004石英晶振X1G0035610089温补晶振X1G0050610103有源晶振X1G0041310010晶振X1G0039010200温度补偿晶振X1G0038410030贴片晶振X1G0038310056石英晶体振荡器X1G0038410033温补晶振X1G0038410002晶振X1G0035610103爱普生进口晶振X1G0035610087贴片晶振X1G0039010202石英晶体振荡器

    ABLS-12.000MHZ-B4-T晶振ASTX-H11-B-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASCO2-27.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASE2-25.000MHZ-ET晶振ASFL1-25.000MHZ-EK-T有源贴片晶振ASE3-25.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ABM3-18.432MHZ-D2Y-T石英晶体谐振器ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T美国晶振ABM3B-16.000MHZ-B2-T进口石英晶振ABLS-6.144MHZ-B4-T艾博康晶振ABLS-10.000MHZ-B2-T石英晶体ASTX-H11-B-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ53-T-20.000MHZ-5-C温补晶振ASA-16.000MHZ-L-T有源晶振ASFL1-4.000MHZ-EK-T美国进口晶振ASFL1-12.288MHZ-EC-T带电压晶振ABMM-6.000MHZ-B2-T美国晶振ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3艾博康贴片晶振ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-4.500MHZ-B4-T无源晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ABS06-32.768KHZ-T美国晶振ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM3C-12.000MHZ-D4Y-T艾博康贴片晶振ABLS-13.000MHZ-B4-T晶振ABLS-8.000MHZ-T插件晶振ASTX-H11-B-19.680MHZ-I25-T温度补偿晶振ASA-26.000MHZ-L-T石英晶体振荡器ASFL1-50.000MHZ-EK-T艾博康有源晶振ASFL1-24.000MHZ-EC-T低功耗晶振ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T贴片晶振ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T进口石英晶振ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T美国SMD晶振ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T石英晶体ABLS-8.000MHZ-D-T无源晶振ASTX-H11-B-20.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-26.000MHZ-1温补晶振ASA-12.000MHZ-L-T有源贴片晶振ASFL1-48.000MHZ-EK-T进口SMD晶振ASFL1-66.666MHZ-EC-T晶振ABLS7M-16.000MHZ-B-2-T进口石英晶振ABM3B-10.000MHZ-10-1-U-T艾博康贴片晶振ABM2-8.000MHZ-D4Y-T无源晶振

    ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T插件晶振ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ASTX-H11-B-24.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-T-25.000MHZ-50-C温补晶振ASA-40.000MHZ-L-T美国进口晶振ASFL3-24.000MHZ-EK-T带电压晶振ASE-12.000MHZ-ET有源晶振ABM3B-155-12.800MHZ-T艾博康贴片晶振ABM3-10.0000MHZ-D2Y-T美国SMD晶振ABM3-12.000MHZ-D2Y-T石英晶体ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T无源晶振ABLS-7.3728MHZ-T美国进口晶振ASTX-H11-B-26.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL1-27.000MHZ-L-T有源晶振ASE2-22.000MHZ-ET美国进口晶振ABM8-24.000MHZ-B2-T石英晶体ABM8-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABS06-107-32.768KHZ-T美国晶振ASE-25.000MHZ-ET艾博康有源晶振ASEK2-32.768KHZ-LRT低功耗晶振ASE3-25.000MHZ-EK-T有源晶振ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T艾博康贴片晶振ABM8AIG-27.000MHZ-12-2Z-T3无源晶振ABM3-24.000MHZ-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3进口石英晶振ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-20.000MHZ-B4-T插件晶振ASTX-H11-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-40.000MHZ-5温补晶振ASTXR-12-38.400MHZ-514054-T温补晶振ASA-60.000MHZ-L-T艾博康有源晶振ASFL1-16.384MHZ-EC-T低功耗晶振ASE-24.000MHZ-ET石英晶体振荡器ABM10-16.000MHZ-E20-T美国SMD晶振ABM3B-20.000MHZ-10-1-U-T无源晶振ABM3-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ABLS-3.6864MHZ-DT艾博康晶振ASTX-H12-20.000MHZ-T温补晶振ASA-19.200MHZ-L-T进口SMD晶振ASFL1-27.000MHZ-EC-T晶振ASE-50.000MHZ-ET有源贴片晶振ABMM-7.3728MHZ-B2-T无源晶振ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T石英晶体ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3美国晶振ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-TD-106.250MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ASTX-H12-44.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO2-19.200MHZ-EK-T3欧美进口晶振ABLS-6.000MHZ-B4-T美国进口晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器美国进口晶振ABLS-14.7456MHZ-B4H-T晶振ASTX-H11-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASTXR-12-26.000MHZ-512883温补晶振ASA-20.000MHZ-L-T带电压晶振ASCO2-20.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASFL1-11.0592MHZ-L-T有源贴片晶振ASCO-8.000MHZ-EK-T3进口SMD晶振ASTX-H12-40.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO-25.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-4.000MHZ-EC-T美国进口晶振ASFL3-16.000MHZ-EK-T带电压晶振ABMM-8.000MHZ-B2-T晶振ABM2-13.000MHZ-D4Y-T进口石英晶振ABM8AIG-26.000MHZ-12-2Z-T3美国SMD晶振ABM3B-24.000MHZ-10-1-U-T石英晶体谐振器ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3贴片晶振AST3TQ53-T-24.576MHZ-5-C温补晶振ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T艾博康晶振ABLS-3.6864MHZ-B4-T石英晶体ASTX-H11-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-10.00MHZ-1温补晶振ASCO2-10.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-3.6864MHZ-L-T石英晶体振荡器ASEK-32.768KHZ-LRT艾博康有源晶振ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-5.000MHZ-B4-T晶体谐振器ASTMHTASTX-H11-B-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL3-20.000MHZ-EK-T低功耗晶振ASE-40.000MHZ-ET进口SMD晶振ASFL1-14.7456MHZ-EK-T晶振ASV-50.000MHZ-EJ-T石英晶体振荡器ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T美国SMD晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3无源晶振ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T石英晶体谐振器ASE2-30.000MHZ-ET低功耗晶振ASDK2-32.768KHZ-LRT石英晶体振荡器ASV-50.000MHZ-E-T美国进口晶振ABM10AIG-32.000MHZ-4Z-T3石英晶体ASV-3.6864MHZ-E-T艾博康有源晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ASTX-H11-B-32.000MHZ-I25-T温度补偿晶振

   随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

   XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

   亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.

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日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC进口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶体谐振器CX3225SB12000D0GZJC1贴片晶振CX3225SB24576H0KESZZ贴片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷贴片晶振CX2520DB19200D0FLJC2无源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器CX2016DB48000D0GPSC1贴片晶振CX3225SB49152F0HELC1无源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1无源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1进口贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC进口晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振CX3225SB32000D0GPSCC进口晶振CX3225SB32000D0PSTC1进口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1进口晶振CX3225SB48000D0WPTC1贴片晶振CX3225GB16000P0HPQCC进口SMD晶体ST3215SB32768H5HSZA1进口贴片晶振CX3225GB54000P0HPQCC贴片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1进口SMD晶体CX2520DB30000D0GEJCC进口贴片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷贴片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷贴片晶振ST3215SB32768C0HSZA1无源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC进口SMD晶体CX2520DB12000D0FLJC1进口SMD晶体CX2520DB32000D0FLJCC京瓷贴片晶振

当前市场上投放的摩拜和ofo品牌的共享单车数量均达千万级别,摩拜单车采用电子锁,ofo第一代产品采用机械锁后续产品改用电子锁,其他品牌的单车也都以电子锁为主.共享单车智能电子锁内部所使用到的元件包括晶振,电池,IC,贴片晶振等.

共享单车层出不穷,从机械锁到电子锁,再升级到NB-IoT物联网锁,为了带给用户更好的出行体验,一代比一代强.大家都知道共享单车包括GPS导航定位,蓝牙开锁,计时等功能.那你知道实现这些功能的都有晶振的功劳吗？这些共享单车可以通过导航定位告诉你附近哪里有自行车,这里面用到的是温补晶振,因其具有温度补偿功能,高精密的特点能够在任何环境中快速的接收信号实现精准定位,而为了节省成本可以选择3225贴片晶振会比较2520贴片晶振更合适,体积越小价格会更高.

共享单车蓝牙开锁,这里用无源晶振,5032晶振,3225晶振,2520晶振都是不错的选择.自行车计时用到的是32.768K晶振,在智能锁中大部分会选择3215,7015封装,市场最通用的晶振型号,价格也相对比较优势,当然每个品牌有根据自己需求选择不同品牌型号.比如大真空DST310S晶振,精工SC-32S晶振,爱普生FC-135晶振,精工SSP-T7晶振,爱普生MC-146晶振等.

2023年苹果零售店预计将增加至600家说白了跟晶振厂家没有半毛钱关系.但是说到手机不由的就让人想到了手机贴片晶振.特别是苹果手机,让人好奇里面用几颗晶振,所用到的贴片晶振都有哪些？像苹果手机这样的高端智能手机都用哪些品牌的晶振呢？

智能手机中都会用到32.768K贴片晶振,为时间数字显示所用,而最为常用的当属7015和3215封装.7015晶振可选择精工SSP-T7-F晶振,爱普生MC-146晶振.3215晶振可选择大真空DST310S晶振,爱普生FC-135晶振,精工SC-32S晶振等.

EPSON晶振国际知名频率元件制造商,自发展成立以来一直不断推出高性能晶振产品,以满足市场发展.爱普生晶振除了在晶体行业享有盛名,在打印机,传感器等方面也做的非常出色.亿金电子深圳爱普生晶振代理商下面对EPSON晶振之HFF晶体单元/HFF晶体振荡器技术讲解.

HFF晶体单元/HFF晶体振荡器

石英芯片的厚度越薄,石英晶体单元就能在越高频率下振荡.但使用机械加工使厚度变薄存在局限性.

石英芯片的厚度与频率的关系

使用光刻加工,通过只将晶体芯片的激励部加工成数微米的极薄的构造（反向台构造）,可以在保持石英晶振芯片的强度的同时,将高频中的基波振荡变为可能.

运用不同的工艺方法,对石英晶振进行频率微调,以不同参数的激光产生不同的微调量和微调效果。通过拍摄SEM照片,来研究在不同的激光参数和条件下,激光对于石英晶振表面及内部的改变和损伤情况。共分五种情况对激光刻蚀损伤进行研究。

1.直接刻蚀石英晶振片表面。

2.以大电流刻蚀石英晶振表面银电极层,使其产生肉眼可见的大面积刻蚀痕迹,至使频率计无法读出刻蚀后的频率值。

3.以适当的激光参数刻蚀石英晶振表面银电极层,并无明显的刻蚀痕迹,频率微调量在50ppm,其他电性能参数改变量均小。

4.以刻蚀图形的方法对石英晶振表面银电极层进行刻蚀,刻蚀图形为银电极层外层圆环,频率微调量达l000pm。

5.以刻蚀图形的方法对石英晶振表面银电极层进行刻蚀,刻蚀图形为银电极层半边圆,频率微调量达2300ppm。

以下为石英晶振实验结果分析

1.直接刻蚀石英晶振片表面

在电流为11A,激光频率为10KHLz,Q脉冲宽度为10s的条件下,直接对石英晶振片进行环状刻蚀。刻蚀示意图如图4.7所示。

图中虚线所示为激光刻蚀的轨迹,可见激光全部作用在石英晶振片本身,而不是其表面的银电极层上。经刻蚀,贴片晶振,石英晶振片的频率从10.0268376MHz,上升为10.0268780MHz,频率微调量为404pm。这样做的目的,是为了观察当激光直接作用于晶片本身的时候,会对晶片产生怎样的影响。

通过电镜观察,刻蚀后的石英晶振片断面如图4.8所示。

从图中可见,被激光刻蚀后的区域,石英片表面平整,形貌良好,并未对下面石英晶体产生损伤。部分晶体被激光刻蚀掉后由于大气中分子的散射作用,重新落回到晶片表面,覆盖在原晶片上。

2.以大电流刻蚀贴片晶振,石英晶振表面银电极层,使其产生肉眼可见的大面积刻蚀痕迹,至使频率计无法读出刻蚀后的频率值。

在电流为14A,激光频率为10KHz,Q脉冲宽度为10ys的条件下,对石英晶振片表面银电极层进行刻蚀。刻蚀图形及示意图分别如图4.9、4.10所示。

在14A的激光电流刻蚀下,晶片表面刻蚀区域的电极层被损坏,出现了肉眼可见的较大范围内明显剥落痕迹。至使频率计无法读出其谐振频率,石英晶片停振。

通过电镜观察,刻蚀后的石英晶振片断面如图4.11所示。

如图所示,图中左半边银电极层清晰可见,均匀的覆盖在石英表面。而右半边银电极层被激光刻蚀剥落,被剥落处银电极层与贴片晶振,石英晶振混在一起,界线模糊。并且剥落已经损伤到石英晶振本身。损伤延伸至2000m深度。

从石英晶体谐振器的等效电路可知,它有两个谐振频率,即(1)当L、C R支路发生串联谐振时,石英晶体谐振器的等效阻抗最小(等于R)。串联揩振频率用fs表示,石英晶体对于串联揩振频率fs呈纯阻性;(2)当频率高于fs时,L、C、R支路呈感性,可与电容C0发生并联谐振,其并联频率用fd表示。工程技术中石英谐振器就工作在fs到fd范围内或这两个频率的奇次谐频上。

根据石英晶振的等效电路,可定性画出它的电抗一频率特性曲线如图2.3所示。可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联揩振频率fd时,石英晶体呈容性。仅在fs极窄的范围内,石英晶体呈感性。石英晶体表面附着电极层后的膜系结构示意图如图24所示。

Sauerbrey方程用于描述石英晶体谐振频率与晶体表面附着物质(此处为上、下两面的银电极层)之间的变化关系,该方程如下:

其中f0为石英晶振原始谐振频率(单位为Hz),△f为晶振的频率变化量(单位为Hz),△m为晶体变化的质量(单位为gcm-2),A是晶体有效面积(即电极面积,单位为cm2),pμ是石英晶体的密度,μφ为晶体剪切弹性模量。

对于指定晶振晶片,fo、A、pμ、qμ均为常数,因而, △f与△m的绝对值成正比,负号表示表面银电极层质量的增加,会引起石英晶振谐振频率的减少;而表面银电极层质量的减少,会引起石英晶振谐振频率的增加。即:增加银层质量和减少银层质量两种方法都可以改变石英晶振的谐振频率。

可见,附加的银电极层会对石英晶振器的谐振频率产生影响。因而工业生产中,一般先制作出与目标频率接近的石英晶片并附加表面电极,再通过改变表面电极厚度方法,来微调晶振频率以达到目标频率。

采用离子刻蚀进行晶振频率微调,在刻蚀后晶振的频率会发生偏移。这会使频率调整精度低于真空蒸着频率调整法。如图4-4所示,离子刻蚀后石英晶振频率会产生偏移,纵轴表示与目标频率的偏差,单位是pm。在刻蚀前,石英晶振的频率相对于目标频率是负的。在调整时,一边用测频系统测定石英晶振的频率,一边用离子束照射石英晶振的电极膜, 电极膜被刻蚀,频率随之升高。当刻蚀停止后,会出现频率下降的现象。刻蚀刚停止的几秒内,频率下降较快,随后下降会渐渐变缓,最后趋于稳定,不再变化。这种离子刻蚀后频率偏移的原因比较复杂,其原因之一是因为离子刻蚀时对晶振晶片产生的热应力。其理论依据比较深奥,在此不做讨论。本文主要通过实验,找出频率偏移的规律,对石英晶振进行离子刻蚀加工时设定合适的参数,使得这种偏移在实际应用中产生尽可能小的影响。

现在用AT方向切割的石英晶片做成的石英晶振进行实验,用离子束对晶片进行刻蚀,统计出蚀刻速度与频率偏移的联系。

实验对象:A品种的石英晶振使用的晶片是长方形,尺寸为长1996u±3u,宽1276u±2a,晶片厚度为62.04u。目标频率为26.998380MHz。晶片先用昭和真空生产的磁控溅射镀膜机SPH-2500进行镀膜,为了提高镀层密着性,先镀少量的铬膜, 然后按频率要求镀银膜,总膜厚约为1.73u。使得在离子束刻蚀加工前的频率与目标频率的差为2000ppm~300ppm之间。

实验设备:离子束刻蚀频率微调机使用昭和真空生产的SFE-6430T。离子枪的加速钼片到晶片表面的距离为25mm,氩气流量为0.35SCCM。

首先,进行较大刻蚀速度对石英晶振,贴片晶振进行刻蚀的实验,测得偏移量。如表4和图4÷5所示当刻蚀速度在1000ppm/s到2000ppm/s的范围,离子刻蚀后的偏移量随着刻蚀速度的增加而有很大的升高。如当刻蚀量为2000ppm时,频率偏移量山刻蚀速度为1000ppm/s的35.8ppm快速增长到刻蚀速度为2000ppm/s的89.8ppm。当刻蚀量为3000ppm时,频率偏移量便会超过100pm。此外,从图4-5中可以看出,在同一刻蚀速度下,刻蚀后的频率偏移量还会随刻蚀量的增加呈线性升高。

其次,进行较低刻蚀速度对石英晶体,石英晶体谐振器进行刻蚀的实验,测得偏移量。如表4-2和图4-6所示,与高速时的情况类似,刻蚀速度增加时,刻蚀后的偏移量也会随之增加。并且,在同一刻蚀速度时,刻蚀后的偏移量也随刻蚀量的增加而线性增大。从图表中可以看出,刻蚀速度减小后,刻蚀后的偏移量也会减小很多。当刻蚀速度减小到80ppm/s时,刻蚀量为200pm时,刻蚀后偏移量仅为2.5pm。如果进一步控制刻蚀量,当刻蚀量降到100ppm时,刻蚀后偏移量仅为0.2ppm,基本接近于0。因此在实际生产时,如果能将刻蚀速度控制到80pm/s,刻蚀量控制在100pm以下, 晶振的离子束刻蚀后的频率偏差较大,且公差范围较小,为了减少离子束刻蚀后频率偏移产生的影响,提高产品的精度,可以采用3段加工模式,但是生产效率会有所降低)。

晶振离子刻蚀两段加工模式如图4-7所示,首先进行H段加工,用高的刻蚀速度和大的刻蚀量,从加工前频率开始加工,等加工到设定的中间目标频率后停止刻蚀,一段时间后,由于离子刻蚀后的晶振频率偏移的影响,使频率下降,回到L段加工前频率。接着进行L段加工,用低刻蚀速度和小刻蚀量,从L段加工前频率开始加工,等加工到设定的最终目标频率后停止刻蚀,一段时间后,出于离子刻蚀后频率偏移的影响, 使频率下降,回到实际最终频率,当实际最终频率在公差范围内就为良品,加工就结束。如果实际最终频率低于公差范围可以作为F-不良重新加工一次。如果实际最终频率大于公差范围,则只能作为F+不良而报废。

而在实际生产过程中,由于操作员缺乏相关理论知识,不能精确的对加工参数进行设定。使得加工的产品会因为刻蚀速度过快,产生较大的频率偏移,或直接产生F+。而刻蚀速度太低不仅会降低加工的效率,当时间超过设备的监控时间后,就会直接出现F-不良。

例如,在实际应用中,因为操作员没有系统的理解以上理论知识,当A品种的石英晶振在进行离子刻蚀微调时,发现频率分布整体偏低,接近20ppm。因为担心现F-不良,希望将整体颏率调鬲。此时应该确认是否是因为H段加工时的速度太慢, 导致L段加工前的频率过低。使得在进行L段加工时,时间过长,超过了设备的监控时间,而强制停止L段加工。

而操作员没有经过确认就主观的将最终日标频率调高, 发现频率略有上升,但仍然偏低。就调高L段的刻蚀速度,刚开始有一定效果,但是没有达到理想状态,就继续调高L段刻蚀速度,此时不但没有效果,反而因为速度太高,刻蚀后的频率偏移使得频率有略微的下降。并且出现因刻蚀速度的太高而产生的F+不良(如图4-8)。因为没有专业技术继续调整,并且认为不良品数量不多,为了赶快完成当日产量,就继续加工制品。此时,因为H段的刻蚀速度低,影响加工效率, 并由于F+的出现,增加了产品的不良数。

图4-8各参数设置不良时离子刻蚀后频率偏移的频率分布表

为了解决这一问题,本文通过前几节的知识和实验数据,制定标准的参数。首先将最终晶振频率设定在0pm。然后为了将L段加工的频率偏移尽可能减少,就将L段的刻蚀速度设定为80ppm/s。为了控制L段的刻蚀量在100pm左右,将中间目标频率设定在-45pm,H段加工速度设定为1600ppm/s,这是H段加工后的结果在50ppm~-0ppm之间,加上刻蚀后的频率偏移使得L段加工的刻蚀量在-100pm120ppm之间。

按这样的设定既可以保证L段加工的效率,也可以控制L段加工后的频率偏移。使得最终实际频率以晶振频率为中心分布。将上述方法设定的参数作成作业标准书如图4-9所示,让作业员遵照执行。图4-10是按此作业标准操作,对制品加L后的频率分布。山图中可以看出频率是以日标频率为中心分布的,并且分布比以前集中,也没有不良出现。因此,本论文提出的方法可以提高产品的合格率。

关于晶振的信息亿金电子在前面的文章中已经提到过很多次了,大家有不懂的可以到亿金新闻动态中了解.下面我们要说的是关于石英晶振晶片的由来以及石英晶振晶片的工作原理.

石英晶振晶片的由来

科学家最早发现一些晶体材料,如石英,经挤压就象电池可产生电流(俗称压电性),相反,如果一个电池接到压电晶体上,石英晶体就会压缩或伸展,如果将电流连续不断的快速开「关,晶体就会振动。

在1950年,德国科学家 GEORGE SAUERBREY研究发现,如果在石英晶体,石英晶体谐振器的表面上镀一层薄膜,则石英晶体的振动就会减弱,而且还发现这种振动或频率的减少,是由薄膜的厚度和密度决定的,利用非常精密的电子设备,每秒钟可能多次测试振动, 从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时监控。从此,膜厚控制仪就诞生了。

薄薄圆圆的晶振片,来源于多面体石英棒,先被切成闪闪发光的六面体棒,再经过反复的切割和研磨,石英棒最终被做成一堆薄薄的(厚0.23mm,直径1398mm)圆片,每个圆片经切边,抛光和清洗,最后镀上金属电极(正面全镀,背面镀上钥匙孔形),经过检测,包装后就是我们常用的晶振片了。

用于石英膜厚监控用的石英芯片采用AT切割,对于旋光率为右旋晶体,所谓AT切割即为切割面通过或平行于电轴且与光轴成顺时针的特定夹角。AT切割的晶体片振动频率对质量的变化极其灵敏,但却不敏感干温度的变化。这些特性使AT切的石英晶体片更适合于薄膜淀积中的膜厚监控。

石英晶振晶片的原理

石英晶体是离子型的石英晶体,由于结晶点阵的有规则分布,当发生机械变形时,例如拉伸或压缩时能产生电极化现象,称为压电现象。例石英晶振晶体在9.8×104Pa的压强下承受压力的两个表面上出现正负电荷约0.5V的电位差。压电现象有逆现象,即石英晶体在电场中晶体的大小会发生变化,伸长或缩短,这种现象称为电致伸缩。

石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸,切割类型而且还取决于芯片的厚度。当芯片上镀了某种膜层,使芯片的厚度增大,则芯片的固有频率会相应的衰减。石英晶振,石英晶体的这个效应是质量负荷效应。石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。

石英晶体法监控膜厚,主要是利用了石英晶体,石英晶体振荡器的压电效应和质量负荷效应。

石英晶体的固有频率f不仅取决于几何尺寸和切割类型,而且还取决于厚度d,即f=N/d,N是取决与石英晶振晶体的几何尺寸和切割类型的频率常数对于AT切割的石英晶体,N=f·d=1670Kcmm。

物理意义是:若厚度为d的石英晶体厚度改变△d,则石英贴片晶振频率变化△f, 式中的负号表示晶体的频率随着膜增加而降低然而在实际镀膜时，沉积的是各种膜料,而不都是石英晶体材料,所以需要把石英晶振厚度增量△d通过质量变换转换成膜层厚度增量△dM,即

A是受镀面积,pM为膜层密度,p。为石英密度等于265g/cm3。于是△d=(pM/pa)"△dM,所以

式中S称为变换灵敏度。

对于一种确定的镀膜材料,为常数,在膜层很薄即沉积的膜层质量远小于石英芯片质量时,固有频率变化不会很大这样我们可以近似的把S看成常数,于是上式表达的石英晶振晶体频率的变化人行与沉积薄膜厚度△dM有个线性关系因此我们可以借助检测石英晶体固有频率的变化,实现对膜厚的监控。

显然这里有一个明显的好处,随着镀膜时膜层厚度的增加,晶振频率单调地线性下降,不会出现光学监控系统中控制信号的起伏,并且很容易进行微分得到沉积速率的信号。因此,在光学监控膜厚时,还得用石英晶振,石英晶体法来监控沉积速率,我们知道沉积速率稳定队膜材折射率的稳定性、产的均匀性重复性等是很有好处和有力的保证。

石英晶体膜厚控制仪有非常高的灵敏度,可以做到埃数量级,显然石英晶体的基频越高,控制的灵敏度也越高,但基频过高时晶体片会做得太薄,太薄的芯片易碎。

所以一般选用的石英晶振,贴片晶振片的频率范围为5~10MHz。在淀积过程中,基频最大下降允许2~3%,大约几百千赫。基频下降太多振荡器不能稳定工作,产生跳频现象。如果此时继续淀积膜层,就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度体上膜层镀到一定厚度后,就应该更换新的晶振片。

此图为膜系镀制过程中部分频率与厚度关系图。

晶振作为测量元件时的重要性能参数

石英晶振本身具有很多性能参数,除了前面所提及的串联谐振频率、并联谐振频率外,还有制造公差、拐点温度等,已经有很多文献对此作了论述但对于测量来说,选用石英晶体的重要原因是因为它的高频稳定性和极小的振幅。所以本文只对晶体的品质因数、频率一电流特性、频率一温度特性进行了论述。

  晶体的品质因数Q是晶体的最重要参数。在一定程度上,当其他条件相同时,Q值越高晶体振荡器的频率稳定度越高,石英晶振晶体的品质因数Q是由晶体的动态参数决定的,即：

其中ω为测试系数。

晶振的品质因数通常不作规定,对于标准部件,Q值通常在20000-200000之间,精密晶体可高达5×10°,这比传统的微悬臂的Q值要高100-1000倍。

石英晶体谐振器的频率一电流特性,就是激励电平和谐振频率的关系,它是由石英晶振的物理特性决定的。激励电平通常以晶振的耗散的功率、流过晶振的电流以及晶振两端的电压来量度,晶振电流的变化使其串联谐振频率发生交化。石英晶振的谐振频率相对变化与晶振电流的关系,可以用下面的近似关系表示：

其中D是振的电流常数

从上述关系式可以看出,当激励电平增大时,产生了以下影响:(1)频率产生了漂移,长期稳定性变坏。石英晶振晶振的弹性常数发生了变化,因此引起了频率的漂移,随着晶振的激励电流增高,晶振的频率稳定性显著下降。(2)晶振温度增加。当晶振的激励电平过高时,使得石英贴片晶振被加热到热平衡的温度也引起了频率变化。(3)产生了寄生振荡。(4)等效电阻加大。内部分子运动加剧,使得等效电阻加大,Q值下降。

在实际测量中,当激励电流过大时,石英贴片晶振振荡的幅值过大,导致测量的精度下降,同时不易控制样品表面与针尖之间的距离,所以一般不能采用较高的激励电流。但是激励电平也不能过小,否则由于噪声电平的限制,使瞬态稳定性变坏,这样获得的图像质量就比较差。

晶振的另外一个值得注意的参数是晶振的频率一温度特性,所谓晶振的频率一温度特性就是石英晶振的谐振器的频率随温度变化而变化的特性。晶振的工作温度变化时,晶格变形,从而使得其串联谐振电路发生变化。石英晶体谐振器在温度较窄的范围中,具有较小的温度系数,这就是说频率受温度的变化的影响比较小。但随着温度变得较低(<50°C)和变得较大时(>80°C)时,石英谐振器的频率随着温度的变化有较大的变化。在国外的文献中已经有报道将晶振放在真空、低温、强磁场的环境下进行测量,这时晶振的频率将与常温时有

明显的不同,而且石英晶体谐振器切型不同,晶振频率的变化方向也不同,所以在实验室应该对测试温度和环境加以控制。同时由于测试环境的变化,如何保持仪器的稳定性, 也是一个值得注意的问题。

亿金电子从事石英晶体行业十几年,多年来诚信经营,精益求精,为广大用户提供小尺寸,高精度,低价格晶振产品,并且免费提供晶振技术资料下载.亿金电子晶振厂家同时代理日本台湾欧美进口晶振品牌,KDS晶振,爱普生精工晶体,京瓷贴片晶振,TXC晶体,CTS晶振,IDT晶振,鸿星石英晶振,（SPXO晶振）普通晶体振荡器,(TCXO晶振)温补晶体振荡器,(OCXO晶振)恒温晶体振荡器等.亿金电子为品胜,奇瑞汽车,联想电脑,中兴华为等国内多家知名企业频率部件指定供应商,产品广泛用于航空,家居,机械,安防,电子,网络,通信等各种领域.

恒温晶振(OCXO)介绍

恒温晶体振荡器OCXO( Oven Controlled Crystal Oscillator),是目前频率稳定度和精确度最高的石英晶体振荡器。它在老化率、温度稳定性、长期稳定度和短期稳定度等方面的性能都非常好,作为精密的时频信号源被广泛用于全球定位系统通信、计量、频谱及网络分析仪等电子仪器中。目前,绝大多数高稳定度石英晶体振荡器都采用了将晶体恒温的方法,使用精密的恒温控制槽,将槽内温度调节到晶体谐振器的零温度系数点上。这样,能最大限度地克服温度对晶体振荡器频率的影响,被广泛用作标准频率源。恒温晶体振荡器包括以下几个基本组成部分。

1.高精密的石英谐振器

石英诸振器是振荡电路的核心元件。正确选择切角是制作频率温度系数好的石英谐振器的必要条件,特别是在宽温度范围内使用的石英晶体谐振器更是如此。目前恒温晶体振荡器中常用的石英谐振器有AT切和SC切两种。它们具有频率温度系数小,Q值高,老化效应小等特点。

2.稳定的振荡电路

由于恒温晶体振荡器要求频率稳定度高,除了在控温电路方面要达到一定的控温精度外,振荡电路本身稳定性也是起决定性作用的。恒温晶体振荡器中振荡电路的基本功能就是把直流电能转变成具有一定频率、幅度且频率高度稳定的交流电能,这种转换是在石英谐振器的参与下进行的。其中最突出的问题就是频率的稳定性。所以分析、设计振荡电路都以此为前提。

3.结构完善、温控良好的精密恒温箱

精密恒温箱是由恒温槽,温度控制电路及其它辅助装置组成的恒温系统。在晶体振荡器中,用来使石英谐振器和有关电路元件保持恒温。其作用是把石英晶振,石英谐振器的温度稳定在石英谐振器的拐点温度处,从而充分发挥拐点温度附近石英谐振器的频率温度系数小的特性,使其得到合理使用。设计一个符合要求的恒温槽和选择一个性能良好的温度控制电路对稳定频率起着举足轻重的作用。因此一个高稳定的晶体振荡器,不但应具有稳定的振荡电路,而且还必须有性能良好的恒温箱来保证其频率的稳定,两者缺一不可。随着对晶体振荡器稳定度要求的逐步提高,对恒温箱的控温精度要求也越来越高,目前,频率稳定度在100~10量级的晶体振荡器,其恒温箱的温度控制精度应在0.001℃以内。

随着通信技术的不断提高,对恒温晶振的要求越来越高,使其不断向着高精度与高稳定化,低噪声与高频化、低功耗、快启动、小型化方向发展。

晶振的相关数学定义

假设晶振输出信号为正弦波,其数学模型可以表示为:

式中VO为标称峰值输出电压,§(t)为幅度偏移,φ(t)为相位偏差,fr为标称频率。

瞬时频率为:

相对频率偏移为：

式中x(t)=为时间偏差,由式(2-7)可以得到：

瞬时频率的常用公式为:

式中f(t)为t时刻的瞬时频率值,fO为t=0时刻的频率值,fr为标称频率,D(t)为频率漂移率。

由式(2-7)和(2-9)可推导出:

式中,y为初始相对频率偏差。

由式(2-8)和(2-10)可以得到:

式中,x为初始时间偏差,也叫做同步误差。

一般性能比较好的石英晶振,日老化率近似为常数,特别是对于OCXO晶振,在频率保持模式下,我们只考虑老化对实际频率的影响。很多晶振的老化指标用的是年老化率,如±0.05ppm( Part per Million),一般情况下我们可以近似得出日老化率, 大概为年老化率的百分之一。

假设晶振老化率为常数,式(210)变为：

其中当|Bt|<<1时,有ln(Bt+1)→Br,式(2-17)变为式(2-12)的形式:

y(t)=C+ ABt                              式(2-18)

图2.4给出了典型的老化率数学模型。可以看出石英晶振的老化率可以为正数可以为负数,也可能会产生图中曲线y3(t)的情况。图2.5为铷原子频标的老化曲线,由于测试曲线的后半段存在参考和被测之间因漂移方向相同的现象,从而导致漂移问题不是很明显。

式中,do、d为正数,参数aj(n),j=1,2,…,M由当前数据输入和上次数据输出迭代估计得到,价值函数为

通过最小化价值函数,可以得到参数a,(n),j=1,2,…,M,得到t(n)时刻的ao a1…aM后,t(n+l)时刻的相对频率偏差预测值为:

系列实验表明,估计性能对d0、d和M的取值不是很敏感,建议取值为d=1~05d(M-1),d=0.1~1.0,M=5~10。加权对数函数模型的缺点是计算比较复杂。

2.2.4晶振的频率温度特性

除过老化的影响,温度也是影响频率变化的主要因素,而不同切型的晶体的频率一温度特性是不一样的,一般AT切基频晶体的频率一温度变化关系都是三次曲线,存在若干个零温度系数点,如图2.6所示。

因此对其进行温度补偿时要采用具有非线性函数拟合能力的数学模型。然而由于OCXO恒温晶振中一般采用SC切晶体,虽然其频率一温度变化曲线也是非线性的, 但是其频率一温度稳定度在宽温度范围内较AT切晶体有很大改善,并且由于它将石英晶体、振荡电路以及部分其它线路置于精密恒温槽中,恒温槽的工作温度选择在所用晶体的零温度系数点处,因此OCXO恒温晶振的频率温度系数非常小。当恒温槽的工作温度波动被控制在很小范围内时,如优于百分之一摄氏度时,其频率温度变化也可以被限制在很小的范围内,而且正是由于这种恒温作用,其频率温度变化曲线非常接近于线性。所以对OCXO恒温晶振的频率温度变化的预测可以采用线性数学模型, 而Kalman滤波算法正是一种较好的线性模型估计器,因此用它来拟合OCXO恒温晶振的频率温度特性曲线是合适的。

石英晶振是高端智能产品不可或缺的一种频率元件,主要为时钟电路提供信号频率.晶振根据市场不同需求分IDP晶振和SMD晶振,并且从过去的8045晶振大体积到现在的1612晶振,在不断改小的石英贴片晶振,符合如智能产品对于小型化的追求.亿金电子从事石英晶体行业十几年,多年来诚信经营,精益求精,为广大用户提供小尺寸,高精度,低价格晶振产品,并且免费提供晶振技术资料下载.以下为亿金电子技术工程支招,如何更好的管理石英晶振质量以加强晶振的可靠性.

1.质量与可靠性

众所周知,质量是石英晶振,贴片晶振的生命,因此,人们十分重视晶振的质量。为了全面刻画产品质量,人们从不同侧面提出了众多质量指标,这些质量指标形成了产品质量指标体系。按照石英晶振,贴片晶振产品质量指标的属性对其进行分类,这些质量指标可分为性能指标、可靠性指标、安全性指标、适应性指标和经济性指标等,如电视机有很多表示图像清晰程度、音质是否优美等质量指标,这些指标都是声表面滤波器,石英晶振,贴片晶振,石英晶体谐振器等电子元件在性能方面的指标。也就是完成规定功能能力的指标。产品的可靠性指标反映了产品保持其性能指标的能力.如在电视机出厂时其各项性能指标检验是合格的,那么,3000小时后电视机是否仍保持出厂时各项性能指标呢,这是用户十分关心的问题,为了说明产品保持其性能指标的能力,就必须向用户提供有关该贴片石英晶振产品的可靠性指标,如平均寿命、可靠度等。

由此可见,可靠性也是产品质量指标的一个重要方面,他强调的是产品的质量指标和时间发展之间的关系,人们在使用产品时,使用产品的次数不是一定的这就要求了与时间有关的质量指标,也就是可靠性达到人们的需求,质量与可靠性水平俱佳的晶振才是真正的好产品。因此,质量与可靠性是相辅相成的,缺一不可的。

2.质量管理与可靠性管理

很多企业认为分不清质量管理与可靠性管理的区别,他们认为可靠性管理就是质量管理,可靠性管理应有质量部门来负责,其他部门没有可靠性管理的责任, 这样的认识是错误的。

目前很多企业都对质量管理非常的重视,认识到了质量管理的重要性,也运用可很多质量管理方法来保证使用晶体振荡器,石英贴片晶振的质量,大部分企业都通过了ISO9001质量管理体系认证,企业的质量管理水平也都比较高。可以说,绝大部分行业,只要质量管理水平提上去了,就可以满足企业发展的需要。但在某些领域,比如航空航天、卫星通讯、无线电传输、军事装备制造等领域,仅仅依靠质量管理是不够的。如果想达到对石英晶振,贴片晶振可靠性要求,那么一定要运用可靠性管理来帮助企业来提升石英晶振,贴片晶振的可靠性。

质量管理与可靠性管理既有联系又有区别,在企业进行可靠性管理之前, 定要分清楚质量管理与可靠性管理之间的区别,可靠性可以看作是质量特性中的个重要指标。可靠性管理可以当作质量管理的深层次的管理活动,它有着很多不同于质量管理的特点。质量管理相对侧重于产品的生产阶段,强调对贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶振的生产过程的质量控制。而可靠性管理是对产品实现全阶段的可靠性管理,在设计阶段强调可靠性预计、可靠性分配等预测可靠性的方法,在生产阶段则在质量控制

基础上进行进一步的可靠性要求,在维护阶段也要保证贴片晶振,石英晶振可靠性的实现,质量管理与可靠性管理的区别联系如表2-1。

表2-1质量管理与可靠性管理的区别联系