深圳市亿金电子有限公司

硅MEMS振荡器采用现代封装技术.MEMS振荡器由安装在高性能可编程模拟器顶部的MEMS谐振器芯片组成振荡器IC,采用标准低成本塑料SMD晶振封装,与脚印兼容石英器件.为了满足超小型应用的空间要求,SiTime MEMS振荡器提供超小型CSP（芯片级封装）.MEMS振荡器基于可编程允许定制功能的架构,包括晶振频率,电源电压和其他功能.

通过集成实现小型化,更小的封装尺寸和电路板布局灵活性

SiTime振荡器提供更高的集成度,新的封装选项和其他可实现尺寸的功能减少.SiT15xx32 MEMS定时解决方案旨在取代传统的石英晶体空间和电力至关重要的移动,物联网和可穿戴应用.这些设备可用于2.0x1.2mm（2012）SMD封装,适用于需要晶体（XTAL）谐振器兼容性的设计.SiT15xx 2012振荡器的中心区域之间有电源（Vdd）和接地（GND）引脚两个大的XTAL焊盘,如图1b所示.

活动下降（也称为频率扰动）可能难以在晶振晶体中发现.但是,单次活动下降可能会导致应用程序信号出现严重问题,包括GPS或导弹系统.想象一下,发射导弹然后失去对导航的控制.或者获得非常不准确的飞机GPS速度读数.这些（以及许多其他问题）可能是由于未能发现晶体中的频率下降.重要的是要了解什么是活动下降以及如何避免它们在晶体中发生......

在晶体共振期间可以激发许多不同类型的模式.其中之一是“耦合模式”,通常称为“活动下降”.当2个或更多激发模式/谐波以相同速率脉冲时,发生活动骤降.具有相应谐波的许多模式可以在特定温度下耦合到主模式并破坏石英晶体的性能.性能下降是术语“活动下降”的起源.

活动下降也会导致某些温度范围内的频率变化.在某些情况下,这种晶振频率偏差会导致振荡一起停止.这些活动倾角在较小尺寸的石英晶体上更常见.这些活动下降可能会在信号处理过程中产生负面影响.例如,由于活动下降引起的频率尖峰可能会导致GPS接收器出现两个主要问题：

1.频率尖峰可被错误地解释为GPS的速度变化.2.强烈的频率尖峰可导致卫星完全断开GPS连接.

智能电子产品向着高精密小型化发展,石英晶振晶体与其他电子零件同样朝着轻薄短小发展.石英产品从1990年年开始朝着SMD的方向演进,1998年开始则朝着小型化方向发展.由于市场也需要轻薄型产品,因此轻薄短小的竞争也就从此白热化起来.如今石英晶体,SMD晶振尺寸越做越小,技术革新,并且是实现高精密,高频化.

石英晶振晶体尽管结构简单,但是石英晶体的特性还是有难以理解的一面.要理解石英晶体,从它的外观入手应该是最简单的.石英晶体一般的样态如表一所示.本文将列举几种不同的石英晶体来作一技术性的说明.

表一 石英晶体的一般样态

1、频率温度稳定性

经由温度特性来做角度的切断.在人工水晶切割之后进行研磨,会造成角度的偏移.特别是在使用研磨速度快的研磨剂时,因研磨而造成的角度偏移会更显著.使用4次将晶片从厚磨到薄做到高频化的情况很多,但是因为4次研磨机在研磨时没有基准面,比使用2路研磨机产生更多的角度偏移.然而若使用2路研磨机,那么会使盘面的负担增大,因此不能用来作厚度较薄的晶片研磨.若要使用同时具有两者优点的3WAY研磨,则要依状况来选定研磨方法.关于特性请参照图二.温度特性可以从公式1以理论求得.

   FOX时钟晶振选型指南

   切削方向,振动模式和频率范围之间的关系

    石英晶体振荡器的等效电路
   晶体单元可以由电感,电容和电阻的串联电路表示,以及电气等效电路,其中电容与其并联连接,如下图所示,靠近其主谐振频率.
   这里,C0是在端子之间添加杂散电容的电极之间的电容,并且通常被称为并联电容.
   L1和C1是作为机电振动系统的石英晶体振荡器的等效常数,并且由切割类型,切割角度,石英片的外部尺寸,电极结构等确定,它可以制造.
   R1表示振动损失,这取决于诸如换能器处理方法,存储方法和几何形状的条件.
   L1称为等效串联电感,C1称为等效串联电容,R1称为等效串联电阻.

   ECS晶振是美国知名晶体元件制造商,一直以来为广大用户创造了大量优异的晶振产品,从陶瓷谐振器到有源晶体振荡器,各种规格的晶振晶体满足市场需求.ECS有源晶振从小体积2016mm~7050mm晶振,频率范围宽广,精度稳定,性能强.

   以上为西迪斯2520有源晶振编码, 不同的型号代表了不同的晶振参数,对应的20MHZ晶振频率,采用小体积2.5x2.0x0.9mm封装,为HCMOS输出方式,具有低电源电压可供1.8V/2.5V/3.3V等多种选择.

    美国ECS晶振成立于至今超过40年,积累了丰富的专业知识,多年的生产经验,为广大用户选择使用ECS Crystal提供了强有力的保障.所生产的石英晶振,贴片晶振均选用符合无铅无害的环保材料,并且获得ISO9001和ISO14001认证.具有高稳定性,高可靠使用特性,获得广大用户一致认可.

美国GEDcrystal公司是一家专注于研发制造大批量,高质量的标准和特殊定制电子器件制造商,包括合成器,OCXO振荡器,VCXO晶振,TCXO晶振,VCTCXO压控温补晶振,DRO,频率转换器,时钟晶体振荡器,石英晶振,带通/低通滤波器和便携式信号发生器等.GEDcrystal提供低功耗,高精度,宽温,高性能,低老化的产品以及完善的服务体系,美国GED晶振的经营理念是超越客户的期望.下面给大家介绍的是GEDcrystal生产全步骤解析图.

晶片打磨

使用自动搭接控制器和高级研磨化合物将水晶坯料研磨至精确厚度.

真空金属沉积 

底部电镀采用最先进的S＆A5600蒸发器,采用低温高真空系统,可实现超洁净和非常稳定的金属沉积.

混合振荡器电路组件区域

包含半导体芯片,晶体管和二极管,电容器和电感器的陶瓷基板在内部组装.IC和基板上的互连采用GED引线键合功能-通过Al楔形键合或Au球键合.

最终频率调整

使用S＆A5400S和S＆A5250系统进行最终频率调整.允许自动最终将石英贴片晶振调整到1ppm以内.

密封

密封能力包括电阻凸焊,冷焊和焊缝.GED晶振密封完成.在超纯干燥的氮气氛中,达到或超过MIL规范的密封性.GED晶振有密封性,使用阴离子泵在氮气或真空中的能力,以确保绝对没有油分子的迁移进入密封的气氛.

温度测试

GED设备可以测试晶体和有源晶振,晶体振荡器.极端温度从-55℃到125℃,它可以执行所有频率和电阻测量,从商业规格到军用规格的温度.

TCXO校准区域

独特的“一体化”TCXO晶振测试和校准系统由GEDCrystal公司开发.该系统缩短了交付周期并提高了晶振晶体生产率.

打标

零件使用计算机标记,带金刚石笔尖或激光打标的雕刻机.将不同频率的GED晶振进行标记,印上相对应的频率以及GED晶振的标记.

最终测试和质量控制

GED晶振对所有参数执行100％测试和检查,所有的石英贴片晶振和晶体振荡器等.

   每一颗晶振都是在经过了30多道工序,严谨操作下所生产,为了更好的保证客户使用晶振,在反复检测没问题之后才会包装出厂.而每个晶振品牌都有代表自家晶振的型号,为了区分不同型号同时也为每个晶振建立了代码,也就是晶振编码.那么1TJH090DR1A0003晶振代表什么意思？下面亿金电子进口晶振代理商为大家解决疑惑.

   1TJH090DR1A0003晶振是日本KDS晶振品牌的编码,型号为DST1610A晶体,尺寸1.6x1.0x0.5mm,频率为32.768K,采用陶瓷封装和金属盖,两脚表贴式,编带盘装可用自动机械焊接,为工厂企业节省了时间以及人力资源.

   DST1610A晶振参数列表

   通过上面的参数表我们可以知道DST1610A晶振精度偏差控制在±20PPM范围,并且为不同领域产品提供7PF,9PF,12.5PF多种选项.具有耐高温特点-40℃~85℃,电阻最大为80kΩ,其他规格参数可以联系亿金电子销售部0755-27876565.

   大真空32.768K贴片晶振编码列表

   日本大真空32.768K贴片晶振系列,超紧凑,薄型,重量轻,SMD音叉型石英谐振器.具有精度高,可靠性高,抗振性强等特点.32.768K贴片晶振支持多种应用,包括移动通信设备和消费类设备,时钟设备,数码电子等.

晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

VCXO晶振（压控晶体振荡器）是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO（产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器）或烤箱控制类型（产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器）来实现.

VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下：

偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.

控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.

传递函数（有时称为斜率极性）-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正（或更负）控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.

线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5％且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5％以内.

在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14％.

产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性（±）控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管（在这种情况下为正）.良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑（无间断）和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.

调制速率（有时称为偏差率或频率响应）-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制（输出频率大于10MHz时大于1MHz）,但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.

斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.

因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1％至±5％的VCXO,增量灵敏度约为（非常近似）最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5％最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50％的斜率变化.因此,读取“斜率：2kHz/伏特±10％”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差：20kHz-10％.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10％增量灵敏度与±1％最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度：每伏2kHz±10％”.

其他设计考虑因素

稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏离）其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性（和相关的相位噪声）特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.

锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用（在随后的页面中有描述）.但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.

基本振荡器频率-基本模式晶体（通常为10-25MHz）允许最大的偏差,而第三泛音晶体（通常为20-70MHz）允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.

一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.

亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.

美国Abracon晶振成立于1992年8月5日,专为研发生产石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,石英晶体谐振器等频率元件.拥有业内领先的生产技术,发展至今在加利福尼亚州,中国,德国,台湾,苏格兰,新加坡,德克萨斯州等地设有生产销售基地,所生产的材料均选用无铅无害环保材料,具有高可靠使用特性,获得广大用户认可.多年来Abracon晶振集团为用户提供了大量优秀产品,并且为用户提供多种产品解决方案以及技术支持服务.

Abracon晶振提供先进的专有Pierce分析仪测试服务（PAS）验证石英晶振晶体性能和在线长期运行.维持振荡的能力对于给定的石英晶体振荡器设计,很大程度上取决于石英晶振晶体的运动参数,电路板寄生效应和振荡器电路特性. 振荡器电路是闭环系统,根据工作频率维持.石英晶振,晶体振荡器参数包括晶体电镀电容（CL）,晶体等效系列电阻（ESR）,外部负载电容,振荡放大器增益和相位响应.PAS测试服务提供所有变量的直接测量与石英晶体振荡有关.考虑到所有变量,Abracon工程就是能够提供优化的解决方案和详细报告,包括：

运动参数（Cm,Lm,ESR,Co）、窄带频率响应图、宽带频率响应图、准入与受益情节、频率依赖性与负载电容曲线、电路设计余量计算、实现最佳操作点的建议等.

美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务,美国艾博康晶振为贴片晶振和芯片天线提供系统内调谐服务.通过表征在终端系统或产品中的天线性能,该服务需要猜测工作退出RF验证,同时提供纠正措施,重新调整系统的中心频率和阻抗不匹配.这提供了最大的系统效率许多好处包括,扩展射频范围,提高灵敏度,并可以减少给定传输范围的所需功耗.

美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务适用于覆盖的APAE和APA系列无源贴片天线各种射频频段,从几MHz到几千MHz,适用于RFID,GPS等应用GLONASS,LPWA,WiFi,ISM无线电和铱星.贴片晶振结构紧凑,性能优异耦合增益,易于使用.但是,由于布局可能会发生晶振频率偏移,接近其他组件和地平面的设计.如果去中心调整在测试过程中发现频率,贴片石英晶振设计可以进行微调特定的设备环境.这些调整与布局相匹配,以获得最大增益申请的中心频率.

良好的增益可以提高应用的灵敏度,例如蓝牙,蓝牙低能量（BLE）,WiFi/WLAN和Zigbee.这些贴片晶振,贴片有源晶振,石英晶体振荡器需要匹配的网络优化晶振阻抗从而提高效率.输入阻抗使用电感器和电容器等集总元件匹配中心谐振的频率.更高的效率可确保更多的辐射功率并增加天线范围.该测试需要一个功能齐全的系统运往Abracon,通常需要4个几周完成.

   晶振是高端智能产品都会用到的一种电子元件,为时钟电路提供频率信号源.石英晶振的频率广泛,低至1MHZ晶振,高频可达到1200MHZ不止,石英贴片晶振被广泛用于数码产品安,航空,安防装置,智能家居,汽车电子,网络通信,医疗设备,工业机械等产品中.以下是从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用.

   晶振包括石英晶体谐振器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,贴片晶振,石英晶体振荡器,SPXO晶振,OCXO恒温晶振,VCXO压控晶体振荡器,TCXO温补晶振,差分晶振等.具有小体积,高精度,低功耗,高频率,低功耗,低抖动,高温度,宽频等特点.

    亿金电子专业生产销售石英贴片晶振,拥有先进的生产设备,多位资深技术工程,为用户提供完善的服务.多年来亿金电子为用户提供了大量优秀的产品,并且获得多个进口晶振品牌代理资质,包括KDS石英晶振,精工爱普生晶体,CTS贴片晶振,NDK晶振,台湾晶技晶振,瑞士微晶晶振,美国Abracon晶振,FOX晶振,村田陶瓷谐振器等,更多有关晶振型号参数欢迎咨询亿金电子销售部0755-27876565.

   日本大真空KDS晶振成立发展至今拥有高人气,为国际一线品牌,却仍不忘研发创新,为更多用户提供更多有价值的晶振产品.每年所生产KDS晶振月产量超6000万颗,每一颗晶振均经过30多道工序,按照国际操作标准进行,并且获得ISO9001质量管理体系认证,具有高可靠使用特性,获得广大用户所认可.

   大真空32.768K晶振型号

   DST310S晶振尺寸为3.2x1.5mm,厚度薄,重量轻,是32.768K贴片晶振应用比较多的一款,具有7PF,9PF,12.5PF等多种负载电容可供选择.不仅耐高温-40℃~85℃,并且满足车规级产品需求可达-40℃~125℃范围.符合AEC-Q200标准,满足高温回流焊接的温度曲线要求.

   大真空32.768K晶振编码

   32.768K晶振如上晶振编码表格所示,具有插件以及贴片晶振封装,为了满足广大用户需求,KDS晶振提供2x6,3x8插件以及2012,3215,4115,8038封装为客户选择.32.768K晶振被广泛用于时钟产品,数码相机,液晶显示屏,笔记本,智能手机,GPS导航,智能锁,仪器仪表,蓝牙等智能产品,具有精度稳定,老化低,耐高温,抗振性强等特点.

石英晶体老化适用于频率随时间的累积变化，这导致晶体单元的工作频率的永久变化。在运行的前45天内，晶振频率变化率最快。老化中涉及许多相互关联的因素，其中一些最常见的因素是：内部污染，驱动水平过高，石英晶振晶体表面变化，各种热效应，导线疲劳和摩擦磨损。适当的电路设计结合了低工作环境，最小驱动电平和静态预老化，将大大减少除最严重的老化问题之外的所有问题。

石英晶体老化速率的一个主要因素是封装方法，因为石英晶体盒的密封会在晶体环境中留下污染和氧气。在涉及晶体的情况下，通孔晶体的两种最常见的封装方法是电阻焊和冷焊。

这个电阻电容反馈网络可以如上图所示连接,产生一个超前相移（相位超前网络）或互换产生一个滞后相移（相位延迟网络）,其结果仍然与正弦波石英晶体振荡器振荡相同,只发生在总相移为360 °的频率.

通过改变有源晶振,移相晶体振荡器移相网络中的一个或多个电阻器或电容器,可以改变晶振频率,并且通常通过保持电阻器相同并使用3联动可变电容器来完成.

为了获得非常高的振荡器稳定性水平,通常使用石英晶体作为频率确定装置来产生通常称为石英晶体振荡器（XO）的另一类型的振荡器电路.

当一个电压源应用于一块薄薄的石英晶体时,它开始改变形状,产生一种称为压电效应的特性.这种压电效应是石英晶振晶体的特性,通过改变石英晶振的形状,电荷产生机械力,反之亦然,施加在石英晶振上的机械力产生电荷.

晶振频率测量误差主要由两个因素决定：

1. 时基准确性和稳定性

2. 频率计数器的时间间隔测量误差相对于门限时间

选择更高分辨率的频率计数器并增加门控时间可提高测量精度,前提是使用精确的时基.亿金工程建议使用至少100ms的门限时间和GPS纪律或铷时基.有关频率计数器准确度和分辨率的详细信息,请参阅仪器手册.

有关石英晶振的介绍在前面的新闻动态中我们已经讲过很多次了,晶振的分类,有源晶振和无源晶振的区别,石英晶振的工作原理等,均可查询到.下面亿金电子要给大家介绍的是晶振的应用领域.

晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号.通常一个系统共用一个晶振,便于各部分保持同步.有些通讯系统的基频和射频使用不同的石英晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步.晶振通常与锁相环电路配合使用,以提供系统所需的时钟频率.如果不同子系统需要不同频率的时钟信号,可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供.