深圳市亿金电子有限公司

   Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒温晶振CCHD-575-50-80.000石英晶体振荡器CXOH20-BP-10.000温补晶振CCSO-914X-1000.000晶体滤波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88压控晶振CVHD-037X-80电压控制晶振CVHD-037X-100压控晶体振荡器PPRO30-10.000温补晶振CCSO-914X3-1000晶体滤波器C3290-16.000石英晶体振荡器CCLD-033-50-125.000石英晶体振荡器CVSS-945-50.000电压控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒温晶振CE3391-8.000美国进口晶振PPRO30-40.000温补晶振CVCSO-914-1000晶体滤波器C3290-16.384美国进口晶振CCPD-033-50-156.250美国进口晶振CVSS-945-80.000压控晶体振荡器CVHD-950-100.000压控晶振PPRO30-13.000温补晶振CCSO-014-1090.000晶体滤波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281压控晶振CVHD-950-80.000电压控制晶振CVS575-622.080美国Crystek晶振C3390-32.000美国进口晶振PPRO30-26.000温补晶振CVCSO-914-245.760晶体滤波器C3390-30.000石英晶体振荡器

   CCPD-033-50-161.1328石英晶体振荡器CVHD-950-125.000电压控制晶振CVHD-037X-125压控晶体振荡器CVT25-38.400温补晶振CCPD-034-50-200.000美国进口晶振CVHD-950-60.000压控晶体振荡器CVPD-037X-153.6压控晶振CVT25-33.600温补晶振CCSO-914X-245.760美国Crystek晶振CVT25-13.000温补晶振CVS575S-500.000美国Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964压控晶振CVPD-034-50-155.52电压控制晶振CVT25-19.200温补晶振RFPRO33-500.000美国602019电压控制晶振CVSS-945X-100.000压控石英晶体振荡器CVT25-26.000温补晶振RFPRO33-1000.000美国Crystek晶振CVHD-950-74.250压控晶体振荡器CVSS-945-100.000压控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒温晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800压控晶振CVHD-950-122.880电压控制晶振PPRO30-19.200温补晶振CVS575-500.000美国Crystek晶振CVHD-950-54.000压控晶体振荡器CVHD-950X-100压控晶振C3290-14.318180美国进口晶振602017压控晶体振荡器CCSO-914X-250.000晶体滤波器CCPD-033-50-77.760石英晶体振荡器CVHD-950-70.000电压控制晶振

   7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

   TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振

   随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

   XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

   亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.

    FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振

摄像头使用哪些晶振？有看过亿金电子官网新闻动态的人都知道,在摄像头中应用最多的当属2520晶振和3225晶振,为什么？因为产品不仅要追求高精度,高品质,同时还要求体积小,而2520mm,3225mm具有小尺寸,质量稳定,耐恶劣环境等特性,最适用于摄像头晶振.

人民币贬值除了电阻电容,IC,包括进口石英晶振,石英晶体振荡器等电子元器件的人民币价格也呈上调趋势,电子制造企业的采购成本面临压力.其实,在7月3日离岸人民币兑美元自2017年7月以来首次跌破6.7关口的时候,国际电子商情就已经在当天的网站上向中国最为广泛的采购与制造的社群发出问卷做在线调查.

调查采用匿名方式进行,大概有五百人做了回复,参与调查人员涵盖了代理分销商、ODM\EMS\OEM制造商、半导体材料/设备、原厂/IC设计企业、石英贴片晶振厂家,终端品牌等行业,相信这个结果较为真实地反应了产业内的人士对人民币不断贬值的真实想法.

超过67%的供应商表示,受人民币持续贬值的影响,最近贴片电容,贴片晶振,部分进口元器件的人民币价格已经上调或者部分上调,另有19%的供应商在观望,准备上调.也就是说,超过85%的供应商均受到人民币贬值的影响.

在人民币持续贬值的情况下,目前贴片电容,贴片晶振,IC,石英晶体振荡器等元器件价格受到诸多因素的影响,其中缺货涨价、人民币贬值、人为因素是排名前三的因素.供应商、采购商等电子元器件公司该如何应对呢？55%的公司表示会提前下单备货或者把物料备足,有36.69%公司选择用美金交易,避开人民币贬值的风险.但亿金电子认为不管怎样,人民币的贬值已经影响到了元器件的价格.

运用不同的工艺方法,对石英晶振进行频率微调,以不同参数的激光产生不同的微调量和微调效果。通过拍摄SEM照片,来研究在不同的激光参数和条件下,激光对于石英晶振表面及内部的改变和损伤情况。共分五种情况对激光刻蚀损伤进行研究。

1.直接刻蚀石英晶振片表面。

2.以大电流刻蚀石英晶振表面银电极层,使其产生肉眼可见的大面积刻蚀痕迹,至使频率计无法读出刻蚀后的频率值。

3.以适当的激光参数刻蚀石英晶振表面银电极层,并无明显的刻蚀痕迹,频率微调量在50ppm,其他电性能参数改变量均小。

4.以刻蚀图形的方法对石英晶振表面银电极层进行刻蚀,刻蚀图形为银电极层外层圆环,频率微调量达l000pm。

5.以刻蚀图形的方法对石英晶振表面银电极层进行刻蚀,刻蚀图形为银电极层半边圆,频率微调量达2300ppm。

以下为石英晶振实验结果分析

1.直接刻蚀石英晶振片表面

在电流为11A,激光频率为10KHLz,Q脉冲宽度为10s的条件下,直接对石英晶振片进行环状刻蚀。刻蚀示意图如图4.7所示。

图中虚线所示为激光刻蚀的轨迹,可见激光全部作用在石英晶振片本身,而不是其表面的银电极层上。经刻蚀,贴片晶振,石英晶振片的频率从10.0268376MHz,上升为10.0268780MHz,频率微调量为404pm。这样做的目的,是为了观察当激光直接作用于晶片本身的时候,会对晶片产生怎样的影响。

通过电镜观察,刻蚀后的石英晶振片断面如图4.8所示。

从图中可见,被激光刻蚀后的区域,石英片表面平整,形貌良好,并未对下面石英晶体产生损伤。部分晶体被激光刻蚀掉后由于大气中分子的散射作用,重新落回到晶片表面,覆盖在原晶片上。

2.以大电流刻蚀贴片晶振,石英晶振表面银电极层,使其产生肉眼可见的大面积刻蚀痕迹,至使频率计无法读出刻蚀后的频率值。

在电流为14A,激光频率为10KHz,Q脉冲宽度为10ys的条件下,对石英晶振片表面银电极层进行刻蚀。刻蚀图形及示意图分别如图4.9、4.10所示。

在14A的激光电流刻蚀下,晶片表面刻蚀区域的电极层被损坏,出现了肉眼可见的较大范围内明显剥落痕迹。至使频率计无法读出其谐振频率,石英晶片停振。

通过电镜观察,刻蚀后的石英晶振片断面如图4.11所示。

如图所示,图中左半边银电极层清晰可见,均匀的覆盖在石英表面。而右半边银电极层被激光刻蚀剥落,被剥落处银电极层与贴片晶振,石英晶振混在一起,界线模糊。并且剥落已经损伤到石英晶振本身。损伤延伸至2000m深度。

石英晶振是如今智能产品都会用到的一种频率元件,主要为电路提供频率信号源,具有高可靠使用特性.下面亿金电子给大家讲解亿金电子石英晶振生产流程以及可靠性现状分析.

石英晶振生产流程比较复杂,包含多次的测试过程。生产部门接到制令通知单后开始组织生产,生产人员到资材课领取物料,由操作员对元器件和石英晶体进行焊接,焊接完成后对石英晶振进行调试,调试完成后依次进行温度测试、老化测试, 测试完成后由封口站人员对石英晶振进行封壳,经过清洗、检验后最终成品制成。石英晶振生产流程图如图3-3所示。

亿金石英晶振可靠性现状分析

可靠性管理是提高产品可靠性的必由之路,在很多领域有着广泛的应用,大到航空航天,小到电子信息设备,都已经应用可靠性管理来提高企业产品的可靠性。但截至目前,在石英晶振制造领域,还没有全方位的将可靠性管理纳入企业日常管理中来。

亿金电子目前主要按照ISO9001质量管理体系的要求来对石英晶振产品的质量进行管理,虽然公司的管理水平比较先进,但如果要从根本上改善石英晶振,贴片晶振等产品的可靠性,就要将可靠性管理纳入公司管理中来。

目前,A型石英晶振产品占到公司晶振销量的20%左右,是公司的主推产品, 该型石英晶振的设计也已经很成熟了,但A型石英晶振可靠性仍然存在着很多问题,退换货给公司形象带来负面影响。针对这种现象的出现,本文将以A型石英晶振为例.

首先对A型石英晶振产品进行 FMECA分析,其次运用模糊FMECA综合评判来量化FMEA的分析结果,并在定量分析的基础上建立模糊CA模型,计算各故障模式的综合危害度等级,并以此为根据对故障模式进行排序,以便判定进行改进措施的优先权,保证系统可靠性工作的效率,最后结合公司实际情况,诊断出产品可靠性不高的原因,尽可能的来帮助企业解决石英晶振,贴片晶振的可靠性问题。

智能电子产品时代的到来改变了我们的工作,改变了我们的生活现状,而这些都是电子零件的功劳.比如石英晶振,电感,贴片电容,传感器,芯片,石英贴片晶振,电阻等等.亿金电子专业生产石英晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,关于晶振的作用我们简单概括,主要是为电路提供信号频率.

晶振的作用是广泛的,在如今的通信业,航空业,家用电器,渔业,网络,电子产品等领域均有涉及使用.因此石英晶振分为插件式以及贴片式,并且分为多种封装尺寸,满足市场需求有源晶振具有更高品质,高性能,高精密等特点,亿金电子同时代理台产晶振,日系晶振以及欧美进口晶振品牌.关于晶振在不同产品中的作用以及分类等信息可以到亿金行业新闻中查看.

亿金电子2018年新春放假通知

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亿金电子2018新春放假时间为2018年2月10日~2018年2月23日,正式上班时间为2月24日（正月初九）.亿金电子工厂也是一样的放假时间,放假期间将不安排值班人员进行生产,因此需要订货备货的用户要抓紧时间了,下单热线0755-27876565,18924600166黄小姐.

深圳市亿金电子有限公司全体员工祝大家新春快乐！阖家安康！财源广进！温馨提示,出门在外游玩注意人身以及财产安全！

亿金电子客户遍布大江南北,用户群体涉及安防,航空,渔业,智能家居,汽车电子,数码,医疗,机器人等领域,多年来诚信经营,为满足用户对于产品需求,同时代理进口晶振品牌,日系晶振,台产晶振,更有欧美晶振品牌供应用户选择.

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    深圳市亿金电子有限公司

    2018年1月27日

石英晶体的弹性常数

通过上节讨论,我们已经知道石英晶体的弹性常数矩阵为：

晶体的弹性常数反映晶体的弹性性质。从这些弹性常数矩阵看出,用双足标表示的弹性常数共有36个分量。三斜晶系是完全各向异性体,对称性最低,36个不等于零的弹性常数分量中,独立的分量有21个。而石英晶体谐振器,石英晶体的独立弹性常数分量为6个。

当弹性常数s和c，的足标i，=1，2，3时，它分别表示沿x，y，z方向的弹性伸缩性质；当i，j4，5，6时，它分别表示沿x，y，z平面的切变性质；当i≠j它分别表示两种伸缩之间或两种切变之间，以及伸缩与切变之间的弹性耦合性质。这种弹性常数又称为交叉弹性常数，现在以石英贴片晶振,石英晶体的弹性柔顺常数为例，进一步说明如下：

（1）与石英晶体伸缩性质有关的弹性柔顺常数为s11，s22(=s11），s33。

（2）与石英晶体伸缩之间耦合性质有关的交叉弹性柔顺常数为：s12，s13，S2（=S13）。

（3）与石英晶体切变性质有关的弹性柔顺常数为s44=s55，s55)，s66.

（4）与石英晶体切变之间耦合性质有关的交叉弹性柔顺常数为：s56(=2S14).

（5）与石英晶振晶体伸缩和切变之间耦合性质有关的交叉弹性柔顺常数为：s14，524（=-S14)。

石英晶体的原子面符号

石英晶体和非晶体本质差别在于它们的内部结构是否存在周期性。为了描述晶体结构的周期性,用空间点阵来模拟晶体内部结构。通过点阵的“点子”作三组向不同的平行线,就构成了空间格子,称为“晶格”,如图1.2.1。

图1.2.1晶格示意图

整个空间格子是由一个单元重复排列的结果,这个重复单元就称为“晶胞”。晶胞是石英晶体结构的基本单元,晶胞的形状和大小由晶胞参数(晶胞的几个边长和这几个边长之间的夹角)来决定。晶胞的选择不是唯一的,除反映晶体内部的周期性外,还要反映晶体的外部对称性。

石英晶体的晶胞是选择如图1.2.2所示的六角晶胞,其晶胞参数为c=b=d4.9404A;c=5.394A;a=B=90°;y=120°

图1.2.2六角晶胞示意图

在晶体点阵中,通过任一点子,可以作全同的原子面和一原子面平行,构成一族平行原子面。这样一族原子面包含了所有点子,它们不仅平行而且等距,各原子面上点子分布情况相同。晶体中有无限多族平行原子面。不同族原子面在石英晶振晶体中的方位不同,原子面的间距不同,原子在原子面上的分布不同,相应的物理性质也不同。因此,我们用原子面指数来表示该族原子面的方位,代表该族原子面。为了表明各个原子面,一般采用原子面指数(hk)表示,只有三角晶系和六角晶系才采用原子面指数(hki1)表示,现分别介绍如下。

一、一般晶系原子面指数表示法

从几何学中知道要描述一个平面的方位,就要选一个坐标系,然后标出这个平面在此坐标轴上的截距,或标出这个平面的法线在此坐标系中的方向余弦,描述原子面的方位也是如此。选某一原子(或离子、分子)的重心为坐标原点,以晶胞的三个边a、b、c(即晶轴)为坐标系,但应注意：

(1)由贴片晶振晶轴组成的坐标系不一定是直角坐标系

(2)晶轴上的长度单位分别为晶格常数a、b、c,所以截距的数值是相应晶格常数的倍数。

例如M1、M2、M3原子面与三个晶轴分别交于M1、M2、M3点,如图1.2.3所示,三个截距为

图1.2.3(236)原子面

知道了原子面在坐标中的截距,就等于知道原子面在晶体中的方位,所以也可用截距p、q、r来标志原子面,但由于原子面与某晶轴平行时相应的截距为无限大,为了避免出现无限大,改用截距倒数的互质比。

来标记原子面,为了简化常略去比例记号,采用(hk)表示,(hk)就称为原子面指数(或晶面指数、密勒指数),例如图1.2.3中原子面指数为(2,3,6)即：

有时也称MM2M3平面为(2,3,6)原子面,图1.2.4中标出了一些简单的原子面指数,因为有源晶振,石英晶振晶轴有正向、负向之分,所以原子面指数也有正、负之分,通常将负号写在指数的上面,例如(010)原子面,就表示原子面与a轴、c轴平行,与b轴的截距为-b。

图1.24一些简单的原子面指数

六角晶系和三角晶系原子面指数表示法上述原子面表示法可用于全部晶系,具有普遍性,但在六角晶系中采用四个晶轴的坐标系比较方便,四个晶轴中的a、b、d、轴在同一平面上,互成120°0,夹角,c轴则与此平面垂直。原子面指数(hk1)中h、k、i、l则分别对应于a、b、d、c轴截距倒数的互质比。例如,某原子面与四个晶轴分别交于M1M2M3M4点,如图1.2.5所示四个截距为

OM2=pa=4a

OM2=qb=4b

OM3=rc=2c

OM4=td=-2d

图1.2.5(1122)原子面

这些截距倒数的互质比为

可见图M1M2M3M4面的原子面指数为 (1122)。

图12.2表示六角晶胞的原子面指数,图1.2.5表示右旋石英晶振,石英晶体的部分原子面指数,从这些的原子面指数中可以看出:

(1)存在这样的规律,即h+k+i=0。这就是说,在h,k,i中,只要知道其中两个即可确定第三个,利用这种关系,有的资料中把原子面指数(h k i l)简写为(h k l)。

(2)通过(hkiD)原子面的前三个指数h,k,i全部排列,可得六个原子面,这六个原子面与z轴平行,X射线的反射角(即掠射角) θ相同。其物理性质也相同。如(1010)原子面,将前三个指数全部排列,即得六个原子面为(1010),(1100),(0110),(100),(0110),(1010)这就是石英晶体的六个m面。

(3)通过对(hki1)原子面的三个指数h,k,l全排列,以及将第四个指数l(l0)变号后再排序,可得十二个原子面,根据晶体的对称性发现这十个原子面可分为二组,每组六个原子面,同一组原子面的性质完全相同例如:(1011)原子面,将前三个的指数全排列,即得六个原子面为(101i),(1101),(0111),(1101),(011),(1011)将第四个指数变号后,再全排列,又得六个原子面为(1011),(101),(011),(1101),(0111),(1011)将这十二个原子面分成两组,前三个和后三个原子面为一组,中间六个原子

面为一组,即:

甲组:(1011),(1101),(0111),(1101),(0111),(1011)

乙组:(1101),(011),(1011),(1011),(1101),(01)

将这些结果与图1.2.6比较,即可看出,甲组原子面就是石英晶体中的六的R面,乙组原子面就是石英晶体中的六个r面

(a)右旋石英晶体(b)上部R面和r面(c)下部R面和r面

图1.2.6右旋石英晶体的原子面指数

石英晶体的密度为265g/cm3,莫氏硬度为7,透明晶莹。在常温常压下,石英晶体不溶于水和三酸(盐酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)属于溶解度极小的物质。但在高温高压下,再加入适量助溶剂,如碳酸钠(Na2CO3)或氢氧化钠(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。这个特点被用于石英晶体的人工培育。

氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)与氟化氢铵(NH4HF2)是石英贴片晶振,石英晶体良好的溶解液,这在石英晶片加工中是很有用的。石英晶体是一种良好的绝热材料,导热系数比较小(见表1.3.1)

表1.3.1石英晶体的导热系数

室温附近,沿z轴方向的导热系数是沿垂直于z轴方向导热系数的二倍左右与z轴成q角的任一方向的导热系数可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z轴的导热系数,K3是平行于z轴的导热系数石英晶体的膨胀系数也很小,且沿z轴方向的线膨胀系数a3约为沿垂直于z轴方向线膨胀系数a1的1/2(见表1.3.2)。

表1.3.2石英晶体的线膨胀系数值

若已知a1和a3,由下式可求出与Z轴成φ角的任一方向的线膨胀系数aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室温附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得体膨胀系数ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶体的热膨胀系数较小,因此可用于精密仪器中。但当它被加热时, 体膨胀系数会发生很大变化。在温度达573℃时,石英晶体由a石英晶体转变为B石英,体积急剧增大。石英晶体谐振器内部产生的较强的机械应力可能会造成裂隙和双晶,这是在石英晶体元件的加工中要注意避免的。

石英晶体还是一种良好的绝缘体,其电阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p为电阻率,T为绝对温度,e为自然对数的底,A等于1.15×104B为相应的常数。平行于z轴方向的B=3000,垂直于z轴方向的B为平行于z轴方向的1/80。B值除与晶体结构有关外,还与沿z轴方向孔道中碱金属杂质(K+、Na+)的存在有关。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶体在不同温度下的电阻率,单位为ohm. cn。

表1.3.3石英晶体在不同温度下的p(ohm.cm)

石英晶体介电常数(描述材料介电性质的量,是电位移D与电场强度E的一个比例系数)的各向异性不很明显,平行于z轴的介电常数ε3=4.6,垂直于z轴的介电常数ε1=4.5。在电场作用下,电介质发热而消耗的能量叫介质损耗,通常以损耗角的正切值(tg6)来表示其损耗的大小。有源晶体振荡器,比如温补晶振,压控晶振,有源石英晶体的介质损耗较小,tg6<2×10-4因此用它作电气材料具有高稳定性。

石英晶体虽不像诸如弹簧、橡皮筋那样的物体,振动日时能看到明显地形变,但是它仍然服从弹性定律(胡克定律),并且可以通过全息照相看到它形变的情况。当然,石英晶体的形变更复杂些,描述更困难些,这将在第二章中进一步讲述。

某些电介质由于外界的机械作用(如压缩、拉伸等)而在其内部发生变化产生表面电荷,这种现象叫压电效应。具有压电效应的电介质也存在逆压电效应,即如果将具有压电效应的介质置于外电场中,由于电场的作用,会引起介质内部正负电荷中心位移,而这位移又导致介质发生形变,这种效应称为逆压电效应。

正像某些其它晶体(如酒石酸钾钠KNaC4H4O6.4H2O、钛酸钡 BaTio3等等)那样,贴片有源晶振,石英晶体也具有压电效应。由于其结构的特殊性,不是任何方向都存在压电效应的,只有在某些方向,某些力的作用下才产生压电效应。

例如:当石英晶体受到沿x轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向则不产生压电效应,当石英晶体受到沿y轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向也不产生压电效应。若受到沿z轴方向的力作用时,是不产生压电效应。因此又称x轴为电轴,y轴为机械轴。利用石英晶体的压电效应可制造多种高稳定性的频率选择和控制元件,这将在以后各章逐步讲述。

石英晶体也与其它一些物质(如方解石CaCO3、硝酸钠NaNO3晶体等)那样具有双折射现象,即一束光射入石英晶体时,分裂成两束沿不同方向传拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做寻常光或称“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非寻常光,又称“e”光,如图1.3.1所示,寻常光在石英晶体内部各个方向上的折射率mo是相等的,而非寻常光在石英晶振,石英晶体的内部各个方向的折射率n0却是不相等的。

例如:对于波长为5893A的光,石英晶体的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶体虽然具有双折射现象,但当光沿z轴方向入射时,不发生双折射现象,所以又称z轴为光轴石英晶体还具有旋光性。即平面偏振光(光振动限于某一固定方向的光)沿z轴方向通过石英晶体后,仍然是平面偏振光,但其振动面却较之原振动面旋转了一个角度。

图1.3.1石英晶体的双折射

石英晶体的光学性质被应用到制造各种光学仪器和石英片加工工艺中。

从六十年代起开展了石英晶体,SMD晶振元件辐射效应的研究工作,在此做一些简单的介绍。

由于宇宙射线的辐照和核武器爆炸,地球周围存在高能粒子和y射线、X射线等辐射。这些辐射对石英晶体及其器件都有很大的影响,无色透明的石英晶体经放射线照射后会变为烟色,石英晶体元件被辐照后,会使频率发生变化,稳定性下降,等效电阻升高。

一般认为,石英晶体被γ射线和高能粒子轰击后,会产生结构空穴和色心,这是由于碱金属离子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶体抗辐射的能力,首先要减少和消除有源恒温晶振,差分晶振,石英晶体中的上述杂质。

一方面选择最佳籽晶和生长条件;另一方面可使用“电清除”的方法驱逐晶体中的杂质。有人做过这样的实验:用z向厚度为1cm的样片,加温到450~470℃,加电压1500-1700V/cm,通过晶体的电流为250μA,20分钟后则降为20μA,这时在负极表面出现由碱金属杂质形成的乳白色薄层。显然,这是一种高温、高压排除晶体中金属离子等杂质的工艺过程。经过这种“电清除”的人造石英晶体制成的石英晶体元件就具有良好的抗辐射性能。

  石英晶体的介电性质,大家知道,金属可以导电,这是因为金属中存在着自由电子,在电场的作用下,这些自由电子被迫作定向运动而形成电流。然而,电介质是不能导电的,这是因为电介质中的电子(称束缚电子)被原子核束缚得很紧,在一般电场作用下,束缚电子的位置只能作很小的移动。这种移动造成介质中的正、负电荷中心不重合而产生极化,所以电介质只能以极化方式传递电的作用。本节要介绍石英晶振晶体电介质的极化性质及其所遵循的电学规律。

一、电介质的极化和极化强度

如图2.1.1(a)所示的电介质中,介质的两面已被敷金属电极,当电场等于零时,介质中的正、负电荷中心重合,介质处于电中性。当电场不等于零时,在电场的作用下,介质中的正、负电荷中心不再重合,并形成许多电偶极矩,于是介质产生极化,如图2.1.1(b)所示。因这些电偶极矩头尾相衔接,故可画成如图2.1.1(c)所示的情况,在介质与电极的分界面上分别出现正、负极化电荷(即正、负束缚电荷)。电偶极矩的方向规定为从负极化电荷指向正极化电荷,电偶

(a)E=0时,介质处于中性状态()E≠0时,介质产生极化(c)介质极化示意图

图2.1.1电介质极化示意图

极矩的大小等于ql,其中l为正、负极化电荷之间的距离,q为极化电荷。如果以p表示电偶极距,即可写成

p=ql                           (2.1.1)

为了描述电介质的极化强度,现引入极化强度的概念。极化强度P等于单位，体积(△V=1)内的电偶极矩的矢量和,即

p=                            (2.1.2)

由式(2.1.2)可以得到,石英贴片晶振电介质的极化电荷面密度极与该处极化强度的法向量Pn之间的关系为

σ极=Pn           (2.1.3)

二、各向异性介质中极化强度P,电位移D和电场强度E之间的关系,晶体都是各向异性体,对于完全各向异性电介质(如三斜晶系),实验上发现,D、E、P的方向彼此不同,但关系式D=6oE+P依然成立。P与E的关系和D与E的关系分别为

式中;比例系数x称为介质的极化率(或极化系数)。e称为介电常数(F/m); ε/ε0称为相对介电常数。εo为真空介电常数

ε0=8.85×10-12F/m。

由式(2.1.4)和(2.1.5)可以看出,各向异性电介质的极化率有9个分量,介电常数也有9个分量.

在物理上,按照式(2.1.4)和(2.1.5)的形式,用9个分量来反映二个矢量之间关系的物理量,称为二级张量。在数学上,常用矩阵形式来表示张量。

极化率的矩阵表示式为:

完全各向异性电介质的极化率和介电常数都是6个独立分量,它们的数值由材料的介电性质所确定。

三、介电常数

我们已经知道,描写各向同性介质只要一个介电常数,而描写完全各向异性的电介质则需要六个独立的介电常数分量。石英晶振,有源晶振,石英晶体属于三斜晶系32点群,它是介于各向同性和完全各向异性之间的晶体。根据它的对称性,可得到石英晶体的介电常数矩阵为：

由式(2.1.9)可以看出,石英晶振晶体不等于零的介电常数分量共3个,其中独立分量2个,即ε11=ε22和ε33,ε12=ε13=ε23=0。石英晶体相对介电常数的数值为

因为各向异性电介质的介电常数与方向有关,所以坐标变换时,相应的介电常数分量也发生变化。例如:绕x轴旋转某一角度q1的新坐标系Oxyz中

(见图2.1.2)。

图2.1.2绕x轴旋转q1角度后,新、旧座标之间的关系

石英晶体的介电矩阵为:

知道φ1角后,即可通过式(2.1.11)求得所需的介电常数分量εkl

    CTS晶振集团中文名为西迪斯晶振,成立于1896年,主要以生产贴片晶振,石英晶振,贴片有源晶振,石英晶体振荡器等电子元件.自发展以来不断提高生产技术,不断退出高品质,高性能石英贴片晶振,以满足市场不同领域需求.

    CTS石英晶体振荡器各种封装尺寸,2016mm贴片晶振~7050mm贴片晶振对应不同产品体积要求,低电源电压1.8V~5V可选用,并且温度可达汽车级范围-40℃~125℃之间.即使在高温,潮湿,粉尘等恶劣环境中依旧能够保持30PPM高精度.

    西迪斯晶振采用符合国际环保ROHS指令的材料,采用ISO9002国际质量管理体系进行生产,CTS晶振满足高温回流焊接的温度曲线要求,具有耐高温,耐恶劣环境,耐撞击性强等特点.

拥有全自动生产设备以及全自动石英晶振检测仪器

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