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[亿金快讯]艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用2018年12月05日 10:09

美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.

美国艾迪悌XU-XL晶振型号

PDFIMG XL差分晶振 Low Phase Noise Quartz-based...	XL	XO	HCMOS, LVDS, LVPECL	0.75-1350	2.5,3.3	1	20,25,50,100	-20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C
PDFIMG XU差分晶振 Low Phase Noise Quartz-based...	XU	XO	HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL	0.75-1350	1.8,2.5,3.3	0.4	20,25,50,100	-20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C

IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.

美国艾迪悌XU差分晶振参数

IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序（OTP）可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.

美国艾迪悌差分晶振代码

Digi-Key Part Number	IDT晶振原厂代码	品牌	参数	输出	电压	尺寸	高度
800-2857-2-ND	XUL535150.000JS6I8	IDT	OSC 150MHZ	LVDS	3.3V	(5.00mm x 3.20mm)	(1.20mm)
800-2859-6-ND	XUN535100.000JS6I8	IDT	OSC XO 100.000MHZ	HCSL	3.3V	(5.00mm x 3.20mm)	(1.20mm)
800-2863-2-ND	XUP535156.250JS6I8	IDT	OSC 156.25MHZ	LVPECL	3.3V	(5.00mm x 3.20mm)	(1.20mm)
800-3701-ND	XUL736150.000JU6I	IDT	OSC XO 150.0000MHZ	LVDS	3.3V	(7.00mm x 5.00mm)	(1.45mm)
800-3704-ND	XUP736125.000JU6I	IDT	OSC XO 125.0000MHZ	LVPECL	3.3V	(7.00mm x 5.00mm)	(1.45mm)
800-3720-ND	XUP536212.500JS6I	IDT	OSC XO 212.5000MHZ	LVPECL	3.3V	(5.00mm x 3.20mm)	(1.20mm)
631-1360-ND	XLL726250.000000I	IDT	OSC XO 250.000MHZ	LVDS	2.5V	(7.50mm x 5.20mm)	(1.40mm)
631-1304-ND	XLL73V148.500000I	IDT	OSC VCXO 148.5MHZ	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)	(1.40mm)
631-1305-ND	XLP73V153.600000I	IDT	OSC VCXO 153.60MHZ	LVPECL	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)	(1.40mm)
800-2860-6-ND	XUP535100.000JS6I8	IDT	OSC XO 100.000MHZ	LVPECL	3.3V	(5.00mm x 3.20mm)	(1.20mm)
800-2861-2-ND	XUP535125.000JS6I8	IDT	OSC 125MHZ	LVPECL	3.3V	(5.00mm x 3.20mm)	(1.20mm)
XLL520085.000000X-ND	XLL520085.000000X	IDT	OSCILLATOR XO 85.000MHZ	LVDS	2.5V	(5.15mm x 3.35mm)	(1.40mm)
XLP738148.351648X-ND	XLP738148.351648X	IDT	OSC XO 148.351648MHZ	LVPECL	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)	(1.40mm)

美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列

IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs（典型值）RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装（3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm）当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括：网络、通信、数据I/O、存储和服务器.

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[亿金快讯]5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解2018年12月04日 11:29

台湾TXC晶振拥有丰富的知识,领先业界的生产技术,不但为用户提供性能稳定的晶振产品,并且推出多种产品技术解决方案为用户排忧解难.TXC晶振产品丰富,为不同领域用户提供贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶体,以及业界高技术要求的差分晶振.以下就是5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解.

TXC差分晶振型号

TXC晶振	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Oscillation	Dimensions
	CA晶振	25 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVPECL	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm
	CB晶振	50 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVPECL	3rd OT	5 x 3.2 x 1.2mm
	CE晶振	25 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVDS	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm
	CF晶振	80 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVDS	3rd OT	5 x 3.2 x 1.2mm
	CX晶振	25 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	HCSL	3rd OT	5 x 3.2 x 1.2mm

差分晶振是具有差分输出的石英晶体振荡器,是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分输出有LVDS,HCSL和LVPECL三种,文中所介绍到的5032封装差分晶振是HCSL和LVPECL输出方式.

TXC差分晶振参数

TXC差分晶振编码代码

TXC晶振编码代码	品牌	型号	类型	频率	频率稳定度	工作温度	输出	尺寸
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	HCSL	(5.00mm x 3.20mm)
CB-150.000MBE-T	TXC晶振	CB	XO	150MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CJ-153.600MBE-T	TXC晶振	CJ	VCXO	153.6MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CB-100.000MBE-T	TXC晶振	CB	XO	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CB-125.000MBE-T	TXC晶振	CB	XO	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CB-133.330MBE-T	TXC晶振	CB	XO	133.33MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CBA2570001	TXC晶振	CB	XO	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CBA3300002	TXC晶振	CB	XO	133.33MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CXA0070001	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	HCSL	(5.00mm x 3.20mm)
CB-156.250MBE-T	TXC晶振	CB	XO	156MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CJ-61.440MBE-T	TXC晶振	CJ	VCXO	61.44MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)
CJ-122.880MBE-T	TXC晶振	CJ	VCXO	122.88MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	LVPECL	(5.00mm x 3.20mm)

TXC差分晶体振荡器电压可供2.5V~3.3V,精度偏差在±50ppm值,具有使用可靠,电源电压低,相位噪声低等优势.表格中所介绍的差分晶振编码代码均为6脚封装,耐高的温度-40℃~85℃范围.为了满足不同产品选择可供25M~200MHZ高频率范围.更多详细参数可咨询亿金电子业务部.

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[行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15

科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.

那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.

爱普生差分晶振参数

项目	符号	规格说明		条件
		LV-PECL	LVDS
		SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN
输出频率范围	f0	73.5MHz to 700MHz		请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压	VCC	K : 2. V to 3.3V		VCC=±10 %
储存温度范围	T_stg	-40 °C to +125 °C		存储为单一产品
工作温度范围	T_use	B:-20 °C to +70 °C G:-40 °C to +85 °C
频率稳定度	f_tol	C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6
功耗	ICC	65mA Max.	30mA Max.	OE =VCC L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω f0 = 700MHz
输出禁用电流	I_dis	20 mA Max.		OE = GND
占空比	SYM	45 % to 55 %		在输出交叉点
输出电压 (LV-PECL)	VOH	VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V	-	DC 特征
输出电压 (LV-PECL)	VOL	VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V	-	DC 特征
输出电压 (LVDS)	VOD	-	250 mV to 450 mV	VOD1 , VOD2	DC 特征
	dVOD	-	50 mV Max.	dVOD = \| VOD1 - VOD2 \|
	VOS	-	1.15 V to 1.35 V	VOS1 , VOS2
	dVOS	-	150 mV Max.	dVOS = \| VOS1 - VOS2 \|
输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50 Ω	-	终止于 VCC - 2.0 V
输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_LVDS	-	100 Ω	连接到 OUT 与 OUT之间
输入电压	VIH	70 % VCC Min.		OE 终端
输入电压	VIL	30 % VCC Max.		OE 终端
上升/下降时间	tr/tf	350 ps Max.	-	20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ).
上升/下降时间	tr/tf	-	300 ps Max.	20 % ~ 80 %微分输出峰-峰值
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.		在电源电压最低时，所需时间为 0 秒
相位抖动	tPJ	0.6 ps Max. *1		抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25 °C , 第一年 VCC = 2.5 V or 3.3V

差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.

爱普生差分晶振编码

爱普生晶振编码	差分晶振型号	频率	封装尺寸	输出	温度范围	偏差
X1G0042810001	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810004	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810005	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810011	SG7050VAN差分晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810014	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810020	SG7050VAN差分晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810024	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810031	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810033	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810038	SG7050VAN差分晶振	700.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810039	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810044	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810049	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810050	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810052	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810061	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810062	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810063	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810068	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810069	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810071	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm

差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.

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[技术支持]7B08020001晶振适用于工业产品选择2018年11月30日 09:42

TXC晶振以质量好价格优势成为市场的宠儿,工厂企业在选择晶振品牌时总会以TXC晶振为主,优先选择.TXC晶振尺寸小,精度稳定,性能好,不仅用于消费级产品并且在工业级产品领域也颇受欢迎.

用于工业级产品的TXC晶振型号

TXC晶振型号	模型	频率	公差（@25ºC）	负载帽（典型值）	工作温度	外形尺寸
	9C晶振	3.2~90MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	12.7 x 4.8 x 3.80mm
	7A贴片晶振	8~80MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	5.0 x 3.2 x 1.20mm
	7V晶振	9.9~65MHz	±30ppm的	为12pF	-40?+85ºC	3.2 x 2.5 x 0.80mm
	7S晶振	12~64MHz	±30ppm的	为12pF	-40?+85ºC	2.5 x 2.0 x 0.75mm
	7B石英晶振	8~100MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	5.0 x 3.2 x 0.90mm
	7M晶振	10~54MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	3.2 x 2.5 x 0.70mm
	8Z贴片晶振	12~54MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	2.5 x 2.0 x 0.55mm

从以上TXC晶振型号中我们可以知道温度范围都在-40℃~+85℃,均为表贴式,尺寸小更利于电路空间的设计.精度范围都控制在30PPM以内,为工业级产品所需,并且提供黑色陶瓷面封装和金属面两种选择.每个晶振品牌都有的标志,而每款石英晶振,贴片晶振都有一个型号,每个晶振根据不同的参数要求都有一个专属的编码,以下为亿金电子代理所提供的TXC晶振原厂编码.

适用于工业产品的TXC晶振编码

Manufacturer Part Number原厂编码	Manufacturer厂家	Series型号	Frequency	Frequency Stability频率稳定度	Operating Temperature 工作温度	Package/Case包装/封装	Size/Dimension 尺寸	Height-Seated (Max)高度
7B25070003	TXC晶振	7B晶振	25MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B26000005	TXC晶振	7B晶振	26MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B26070001	TXC	7B晶振	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B27170002	TXC	7B晶振	27.12MHz	±10ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B48000030	TXC晶振	7B晶振	48MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B50000003	TXC	7B晶振	50MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7BA1200001	TXC晶振	7B晶振	112MHz	±10ppm	0°C ~ 80°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B16000202	TXC	7B晶振	16MHz	±10ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B20000001	TXC	7B晶振	20MHz	±10ppm	-20°C ~ 75°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B08020001	TXC晶振	7B晶振	8MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B12000199	TXC	7B晶振	12MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B24500006	TXC晶振	7B晶振	24.576MHz	±30ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)
7B18400003	TXC	7B晶振	18.432MHz	±20ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD	(5.00mm x 3.20mm)	(1.05mm)

TXC晶振选用符合欧盟环保指令的材料生产,运用ISO质量管理体系操作,发展至今在国内外,台湾,香港,苏州,泰国,马来西亚,深圳,重庆等地设有研发生产基地,销售办事处遍布世界各地.有关TXC晶振编码更多信息欢迎咨询亿金电子.

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[亿金快讯]美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂编码代码参数分解2018年11月28日 17:30

Integrated Device Technology, Inc.是美国IDT晶振的英文全称.IDT晶振集团是电子元件行业协会 (ECIA) 的正式成员,电子元件行业协会是电子元器件制造商及其供应商授权分销合作伙伴和独立现场销售代表组成的非营利性行业协会. 发展至今在世界各地均设有石英晶振,有源晶振研发生产基地,销售网点遍布全球,是世界500强企业.以下为IDT有源晶振,美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂代码编码参数分解
艾迪悌差分晶振型号

IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.

艾迪悌差分晶振代码编码

Digi-Key Part Number	原厂代码	品牌	参数	输出	电压	尺寸
631-1365-ND	XLL736060.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735135.000000X-ND	XLL735135.000000X	IDT晶振	OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735040.000000X-ND	XLL735040.000000X	IDT晶振	OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLP735025.000000X-ND	XLP735025.000000X	IDT晶振	OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD	LVPECL	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL726135.000000X-ND	XLL726135.000000X	IDT晶振	OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD	LVDS	2.5V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735060.000000I-ND	XLL735060.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735040.000000I-ND	XLL735040.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL736135.000000X-ND	XLL736135.000000X	IDT晶振	OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL736106.250000X-ND	XLL736106.250000X	IDT晶振	OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL526155.520000I-ND	XLL526155.520000I	IDT晶振	OSC XO 155.520MHZ LVDS SMD	LVDS	2.5V	(5.00mm x 3.20mm)
XLL736080.000000I-ND	XLL736080.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL536080.000000I-ND	XLL536080.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(5.15mm x 3.35mm)
XLL730106.250000X-ND	XLL730106.250000X	IDT晶振	OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL730060.000000I-ND	XLL730060.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735106.250000I-ND	XLL735106.250000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLP535075.000000X-ND	XLP535075.000000X	IDT晶振	OSC XO 75.000MHZ LVPECL SMD	LVPECL	3.3V	(5.15mm x 3.35mm)
XLP535025.000000X-ND	XLP535025.000000X	IDT晶振	OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD	LVPECL	3.3V	(5.15mm x 3.35mm)

IDT差分晶振输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0秒,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.常见的输出方式有HCMOS,LVPECL,LVDS 和 HCSL,满足不同领域产品需求.差分晶振工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-40℃~+100℃的温度范围.精度稳定可精确到±10PM,IDT差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.

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[行业新闻]台湾安基有源晶振编码2018年11月23日 09:30

S525025T-125.000-R台湾安基晶振S73305T-27.000-X-15-R晶振S73305T-100.000-X-15-R有源晶振S5A2505-125.000-L-X-R台湾安基晶振S31805T-12.288-X-R石英晶振S52505T-66.666-X-R有源晶振S51805T-125.000-X-R贴片晶振S233025T-26.000-R石英晶振S22510T-27.000-X1-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-P-X-R石英晶振S7A2510-100.000-L-X-R贴片晶振S525025T-24.000-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-L-X-R晶振S53305T-8.000-X-R贴片晶振S73305T-24.000-X-15-R台湾进口晶振S53305T-24.000-X-R贴片晶振S33305T-1.8432-X-R晶振S21805T-24.000-X-R台湾进口晶振S22505T-32.000-X-R有源晶振S225025T-10.000-R晶振S31805T-38.400-X-R台湾进口晶振S32505T-16.000-X-R台湾安基晶振S22505T-26.000-X-R晶振S225025T-19.200-R台湾进口晶振S33305T-12.000-X-R台湾安基晶振S518025T-10.000-R有源晶振S7A33025-100.000-L-X-R石英晶振S518025T-20.000-R有源晶振S7A3310-125.000-L-X-R石英晶振S23305T-24.000-X-R台湾安基晶振S7A33025-156.250-L-X-R石英晶体振荡器S51805T-40.000-X-R台湾进口晶振S73305T-33.333-X-15-R贴片晶振

S7A3305-250.000-P-X-R台湾安基晶振S533025T-1.8432-R台湾进口晶振S22505T-27.000-X-R晶振S7A2505-155.520-P-X-R晶振S31805T-40.000-X-R石英晶振S32505T-12.288-X-R台湾安基晶振S73305T-10.000-X-15-R有源晶振S518025T-25.000-R台湾安基晶振S53305T-10.000-X-R石英晶振S31805T-24.000-X-R有源晶振S32505T-48.000-X-R贴片晶振S518025T-33.333-R有源晶振S52505T-24.576-X-R石英晶振S21805T-40.000-X-R贴片晶振S52505T-33.333-X-R石英晶体振荡器S533025T-10.000-R石英晶体振荡器S23305T-27.000-X-R台湾进口晶振S218025T-12.000-R贴片晶振S225025T-40.000-R晶振S32505T-19.200-X-R台湾进口晶振S533025T-14.31818-R晶振S32505T-12.000-X-R有源晶振S32505T-6.000-X-R台湾安基晶振S53305T-60.000-X-R石英晶体振荡器S73305T-32.000-X-15-R贴片晶振S22505T-10.000-X-R石英晶体振荡器S33305T-38.400-X-R石英晶振S218025T-10.000-R石英晶体振荡器S225025T-48.000-R石英晶体振荡器S53305T-64.000-X-R台湾进口晶振

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[亿金快讯]美国FOX晶振编码2018年11月22日 10:12: FOXSDLF/120-20晶振F316R-30.000石英晶振FOX924B-20.000石英晶体振荡器FOXSLF/080美国进口晶振NC38LF-327晶振FQ7050B-6.000晶振F135-25石英晶振FOXSDLF/100-20美国进口晶振FOXSDLF/0368-20石英晶振F316R-44.000贴片晶振FOX924B-27.000石英晶振FOXSDLF/115-20贴片晶振F216R-16.000有源晶振FOX924B-10.000贴片晶振FOXSLF/245F-20石英晶振NC26LF-327贴片晶振FOXLF200-20贴片晶振F316R-26.000有源晶振FOXSDLF/200R-20/TR石英晶振FX135A-327福克斯晶振F216R-24.576石英晶体振荡器FOX924B-14.7456有源晶振FOXSLF/040A贴片晶振FOXSLF/115-20福克斯晶振FOXLF080-20福克斯晶振FOXSLF/128-20晶振FOXLF040石英晶振FOXLF100-20石英晶振FSRLF327美国进口晶振FOX914B-19.200石英晶振FQ5032B-12.000贴片晶振FOX924B-25.000石英晶体振荡器FOXSDLF/041福克斯晶振FOXSLF/250F-20美国进口晶振FOXLF115-20美国进口晶振FSXLF327晶振FOX914B-19.440贴片晶振FOXSLF/147-20晶振FOXSLF/080-20石英晶振FOX914B-26.000有源晶振F316R-18.432贴片晶FOXSDLF/160R-20/TR晶振FOXSLF/073-20石英晶振F316R-12.000石英晶体振荡器FOXSLF/160-20贴片晶振FQ5032B-25.000福克斯晶振FOXSDLF/245FR-20/TR贴片晶振FOXSLF/160福克斯晶振FSMLF327美国进口晶振FOX924B-16.000有源晶振F3345R 20.0000/TR福克斯晶振F316R-27.000石英晶体振荡器; 阅读（110）标签：

[行业新闻]Crystek石英晶体振荡器代码2018年11月21日 10:11

Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒温晶振CCHD-575-50-80.000石英晶体振荡器CXOH20-BP-10.000温补晶振CCSO-914X-1000.000晶体滤波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88压控晶振CVHD-037X-80电压控制晶振CVHD-037X-100压控晶体振荡器PPRO30-10.000温补晶振CCSO-914X3-1000晶体滤波器C3290-16.000石英晶体振荡器CCLD-033-50-125.000石英晶体振荡器CVSS-945-50.000电压控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒温晶振CE3391-8.000美国进口晶振PPRO30-40.000温补晶振CVCSO-914-1000晶体滤波器C3290-16.384美国进口晶振CCPD-033-50-156.250美国进口晶振CVSS-945-80.000压控晶体振荡器CVHD-950-100.000压控晶振PPRO30-13.000温补晶振CCSO-014-1090.000晶体滤波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281压控晶振CVHD-950-80.000电压控制晶振CVS575-622.080美国Crystek晶振C3390-32.000美国进口晶振PPRO30-26.000温补晶振CVCSO-914-245.760晶体滤波器C3390-30.000石英晶体振荡器

CCPD-033-50-161.1328石英晶体振荡器CVHD-950-125.000电压控制晶振CVHD-037X-125压控晶体振荡器CVT25-38.400温补晶振CCPD-034-50-200.000美国进口晶振CVHD-950-60.000压控晶体振荡器CVPD-037X-153.6压控晶振CVT25-33.600温补晶振CCSO-914X-245.760美国Crystek晶振CVT25-13.000温补晶振CVS575S-500.000美国Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964压控晶振CVPD-034-50-155.52电压控制晶振CVT25-19.200温补晶振RFPRO33-500.000美国602019电压控制晶振CVSS-945X-100.000压控石英晶体振荡器CVT25-26.000温补晶振RFPRO33-1000.000美国Crystek晶振CVHD-950-74.250压控晶体振荡器CVSS-945-100.000压控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒温晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800压控晶振CVHD-950-122.880电压控制晶振PPRO30-19.200温补晶振CVS575-500.000美国Crystek晶振CVHD-950-54.000压控晶体振荡器CVHD-950X-100压控晶振C3290-14.318180美国进口晶振602017压控晶体振荡器CCSO-914X-250.000晶体滤波器CCPD-033-50-77.760石英晶体振荡器CVHD-950-70.000电压控制晶振

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[亿金快讯]美国Abracon晶振编码2018年11月20日 10:06

ABLS-12.000MHZ-B4-T晶振ASTX-H11-B-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASCO2-27.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASE2-25.000MHZ-ET晶振ASFL1-25.000MHZ-EK-T有源贴片晶振ASE3-25.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ABM3-18.432MHZ-D2Y-T石英晶体谐振器ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T美国晶振ABM3B-16.000MHZ-B2-T进口石英晶振ABLS-6.144MHZ-B4-T艾博康晶振ABLS-10.000MHZ-B2-T石英晶体ASTX-H11-B-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ53-T-20.000MHZ-5-C温补晶振ASA-16.000MHZ-L-T有源晶振ASFL1-4.000MHZ-EK-T美国进口晶振ASFL1-12.288MHZ-EC-T带电压晶振ABMM-6.000MHZ-B2-T美国晶振ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3艾博康贴片晶振ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-4.500MHZ-B4-T无源晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ABS06-32.768KHZ-T美国晶振ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM3C-12.000MHZ-D4Y-T艾博康贴片晶振ABLS-13.000MHZ-B4-T晶振ABLS-8.000MHZ-T插件晶振ASTX-H11-B-19.680MHZ-I25-T温度补偿晶振ASA-26.000MHZ-L-T石英晶体振荡器ASFL1-50.000MHZ-EK-T艾博康有源晶振ASFL1-24.000MHZ-EC-T低功耗晶振ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T贴片晶振ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T进口石英晶振ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T美国SMD晶振ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T石英晶体ABLS-8.000MHZ-D-T无源晶振ASTX-H11-B-20.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-26.000MHZ-1温补晶振ASA-12.000MHZ-L-T有源贴片晶振ASFL1-48.000MHZ-EK-T进口SMD晶振ASFL1-66.666MHZ-EC-T晶振ABLS7M-16.000MHZ-B-2-T进口石英晶振ABM3B-10.000MHZ-10-1-U-T艾博康贴片晶振ABM2-8.000MHZ-D4Y-T无源晶振

ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T插件晶振ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ASTX-H11-B-24.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-T-25.000MHZ-50-C温补晶振ASA-40.000MHZ-L-T美国进口晶振ASFL3-24.000MHZ-EK-T带电压晶振ASE-12.000MHZ-ET有源晶振ABM3B-155-12.800MHZ-T艾博康贴片晶振ABM3-10.0000MHZ-D2Y-T美国SMD晶振ABM3-12.000MHZ-D2Y-T石英晶体ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T无源晶振ABLS-7.3728MHZ-T美国进口晶振ASTX-H11-B-26.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL1-27.000MHZ-L-T有源晶振ASE2-22.000MHZ-ET美国进口晶振ABM8-24.000MHZ-B2-T石英晶体ABM8-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABS06-107-32.768KHZ-T美国晶振ASE-25.000MHZ-ET艾博康有源晶振ASEK2-32.768KHZ-LRT低功耗晶振ASE3-25.000MHZ-EK-T有源晶振ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T艾博康贴片晶振ABM8AIG-27.000MHZ-12-2Z-T3无源晶振ABM3-24.000MHZ-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3进口石英晶振ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-20.000MHZ-B4-T插件晶振ASTX-H11-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-40.000MHZ-5温补晶振ASTXR-12-38.400MHZ-514054-T温补晶振ASA-60.000MHZ-L-T艾博康有源晶振ASFL1-16.384MHZ-EC-T低功耗晶振ASE-24.000MHZ-ET石英晶体振荡器ABM10-16.000MHZ-E20-T美国SMD晶振ABM3B-20.000MHZ-10-1-U-T无源晶振ABM3-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ABLS-3.6864MHZ-DT艾博康晶振ASTX-H12-20.000MHZ-T温补晶振ASA-19.200MHZ-L-T进口SMD晶振ASFL1-27.000MHZ-EC-T晶振ASE-50.000MHZ-ET有源贴片晶振ABMM-7.3728MHZ-B2-T无源晶振ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T石英晶体ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3美国晶振ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-TD-106.250MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ASTX-H12-44.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO2-19.200MHZ-EK-T3欧美进口晶振ABLS-6.000MHZ-B4-T美国进口晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器美国进口晶振ABLS-14.7456MHZ-B4H-T晶振ASTX-H11-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASTXR-12-26.000MHZ-512883温补晶振ASA-20.000MHZ-L-T带电压晶振ASCO2-20.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASFL1-11.0592MHZ-L-T有源贴片晶振ASCO-8.000MHZ-EK-T3进口SMD晶振ASTX-H12-40.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO-25.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-4.000MHZ-EC-T美国进口晶振ASFL3-16.000MHZ-EK-T带电压晶振ABMM-8.000MHZ-B2-T晶振ABM2-13.000MHZ-D4Y-T进口石英晶振ABM8AIG-26.000MHZ-12-2Z-T3美国SMD晶振ABM3B-24.000MHZ-10-1-U-T石英晶体谐振器ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3贴片晶振AST3TQ53-T-24.576MHZ-5-C温补晶振ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T艾博康晶振ABLS-3.6864MHZ-B4-T石英晶体ASTX-H11-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-10.00MHZ-1温补晶振ASCO2-10.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-3.6864MHZ-L-T石英晶体振荡器ASEK-32.768KHZ-LRT艾博康有源晶振ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-5.000MHZ-B4-T晶体谐振器ASTMHTASTX-H11-B-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL3-20.000MHZ-EK-T低功耗晶振ASE-40.000MHZ-ET进口SMD晶振ASFL1-14.7456MHZ-EK-T晶振ASV-50.000MHZ-EJ-T石英晶体振荡器ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T美国SMD晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3无源晶振ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T石英晶体谐振器ASE2-30.000MHZ-ET低功耗晶振ASDK2-32.768KHZ-LRT石英晶体振荡器ASV-50.000MHZ-E-T美国进口晶振ABM10AIG-32.000MHZ-4Z-T3石英晶体ASV-3.6864MHZ-E-T艾博康有源晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ASTX-H11-B-32.000MHZ-I25-T温度补偿晶振

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[行业新闻]台湾TXC石英晶体振荡器编码2018年11月17日 09:55

7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振

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[行业新闻]泰艺TYETBLSANF-38.400000温补晶振编码2018年11月16日 09:44: TSETDLJANF-12.800000贴片温补晶振TWETKLSANF-13.000000台湾温补晶振TWETMCSANF-19.200000进口温补晶振TYETCCSANF-40.000000高品质温补晶振TSETTLJANF-19.440000高品质温补晶振TTETALSANF-25.000000温度补偿晶振TXETBLSANF-26.000000温补晶振TAETCLJANF-50.000000温度补偿晶振TFETBCJANF-10.000000温补晶振TXETBLSANF-27.000000台湾温补晶振TTETKLSANF-10.000000泰艺温补晶振TSETALJANF-20.000000高品质温补晶振TTETTCJANF-25.000000高品质温补晶振TYKTBCSANF-26.000000泰艺TCXO晶振TXETALSANF-26.000000晶振TAETCLSANF-10.000000泰艺TCXO晶振TFETBCJANF-25.000000晶振TYETCCSANF-32.000000低功耗温补晶振TTETKLJANF-19.200000温度补偿晶振TWETALSANF-20.000000贴片温补晶振TYKTCCSANF-19.200000温补晶体振荡器TFCCBIKANF-10.000000进口温补晶振TYETACSANF-20.000000高品质温补晶振TYKTBLSANF-16.000000进口温补晶振TFETBEJANF-16.384000温补晶体振荡器TAETDLJANF-30.720000温度补偿晶振TXETDLSANF-38.880000温补晶振台湾温补晶振TSETBLJANF-10.000000进口温补晶振TAETBEJANF-12.800000高品质温补晶振TSETTLJANF-25.000000泰艺TCXO晶振TSETTCJANF-12.800000温补晶振TYETACSANF-19.200000台湾温补晶振TXETALSANF-16.369000泰艺温补晶振TVCTDHSANF-25.000000低功耗温补晶振TSETBLJANF-12.000000泰艺温补晶振TSETALJANF-10.000000温补晶振TXETADSANF-16.367667台湾温补晶振TSETALJANF-16.000000泰艺TCXO晶振TSETACJANF-12.800000泰艺TCXO晶振TXETPLSANF-31.250000晶振TFETBEJANF-20.000000台湾温补晶振TAETACJANF-10.240000泰艺温补晶振TXETADSANF-33.600000贴片温补晶振TFETBEJANF-25.000000低功耗温补晶振TSETTLJANF-10.000000低功耗温补晶振TTCTACJANF-50.000000泰艺温补晶振TYETPCSANF-19.200000贴片温补晶振TXETDCSANF-20.000000温补晶体振荡器TWETALSANF-15.050000贴片温补晶振TSETACSANF-27.000000温补晶体振荡器TXETADSANF-16.368000进口温补晶振TXETBLSANF-19.200000台湾温补晶振10.000000低功耗温补晶振TTETTLJANF-20.000000温度补偿晶振TSETMCJANF-26.000000贴片温补晶振TYETACSANF-16.369000温补晶体振荡器TXETADSANF-16.369000进口温补晶振TXETALSANF-10.000000温补晶振TVECDLSANF-30.000000温度补偿晶振TWETRCJANF-24.576000温补晶振TAETBLJANF-10.000000台湾温补晶振TXETADSANF-28.800000泰艺温补晶振TSETTLJANF-26.000000贴片温补晶振TSETTCSANF-20.000000泰艺TCXO晶振TYETBLSANF-12.800000晶振TXETCLSANF-40.000000低功耗温补晶振TSETKLSANF-19.440000晶振TAETBLJANF-19.200000低功耗温补晶振TYKTBLSANF-26.000000温度补偿晶振TSETTLKANF-19.200000温补晶振TTETTCJANF-12.800000温补晶体振荡器TYKTBLSANF-19.200000进口温补晶振TXETADSANF-26.000000高品质温补晶振TAETBLJANF-25.000000高品质温补晶振TYKTCLSANF-26.000000泰艺TCXO晶振TSETTLSANF-19.440000晶振TTETTCJANF-20.000000台湾温补晶振TXETACSANF-26.000000泰艺温补晶振TTETTLJANF-16.384000温补晶体振荡器TTETKLSANF-20.000000晶振TYKTALSANF-26.000000低功耗温补晶振TYETBCSANF-32.000000贴片温补晶振TTCTTLJANF-10.000000泰艺温补晶振TAETBLJANF-27.000000贴片温补晶振TYKTALSANF-52.000000温补晶体振荡器TSETTLSANF-20.000000进口温补晶振TTETTCJANF-24.576000低功耗温补晶振TFETBLJANF-19.440000高品质温补晶振TYKTCCSANF-38.400000泰艺温补晶振TYETCCSANF-50.000000温度补偿晶振TAETBLJANF-30.720000温补晶振TAETBCJANF-25.000000台湾温补晶振TTETTLJANF-12.800000泰艺温补晶振TYKTACSANF-19.200000泰艺TCXO晶振TYETBLSANF-38.400000温补晶振TVETCCSANF-13.000000温补晶体振荡器TYKTDLSANF-50.000000温补晶振TTCTTCSANF-10.000000进口温补晶振TTETKLJANF-25.000000泰艺TCXO晶振TAETBLSANF-20.000000晶振TAETBCSANF-TVETPLSANF-13.000000TYJTPLSANF-40.000000温度补偿晶振TVEBDHSANF-10.000000高品质温补晶振TTETKLJANF-30.720000进口温补晶振TWETKLJANF-13.000000温补晶体振荡器TWETALJANF-40.000000晶振TYETCCSANF-26.000000低功耗温补晶振TSETALJANF-12.800000温度补偿晶振; 阅读（623）标签：

[亿金快讯]村田有源晶振无源晶振代码2018年11月15日 10:18

随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

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[行业新闻]艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码2018年11月14日 09:19

亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.

FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振

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[行业新闻]爱普生Q22FA1280002100晶振编码2018年11月13日 09:31: SG5032CAN 1.000000M-TJGA3贴片晶振、TG2016SBN 16.3690M-PCGNDM5有源晶振、TG2016SBN 20.0000M-TCGNNM0温补晶振、TG2016SBN 25.0000M-TCGNNA0贴片晶振、TG2016SBN 26.0000M-KCGNCM0温补晶振、TG2016SBN 16.3690M-TCGNBM5石英晶振、MA-506 22.1184M-C0:ROHS无源晶振、TSX-3225 25.0000MF20X-AJ0石英晶体、TSX-3225 26.0000MF15X-VF6贴片晶振、MA-505 24.0000M-C0:ROHS无源晶振、MA-505 10.0000M-C0:ROHS石英晶体、FA-238 48.0000MB-W5无源晶体、MC-306 32.7680K-A0: PURE SN晶振、MC-306 32.7680K-A5: ROHS无源晶振、FA-238 49.1520MB30X-K5石英晶振、MA-406 10.0000M-C3:ROHS进口晶振、FA-238 32.0000MB-C0石英晶体、MA-406 16.0000M-C3:ROHS石英晶体谐振器、FC-135R 32.7680KA-AC3石英晶振、TSX-3225 40.0000MF10Y-K6无源晶振、FC-135 32.7680KF-AC0晶振、MC-405-32.768K-A3:ROHS石英晶体谐振器、FA-128石英晶振、Q22FA1280049500石英晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280049700石英晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280002100晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280002200石英晶振、MC-405 32.7680K-AE3: ROHS晶振、MC-406 32.768K-A3石英晶体、C-2 26.6670K-P:PBFREE无源晶振、C-2 28.0000K-P:PBFREE石英晶体、TSX-3225 27.0000MF18X-W6晶振、MA-506 16.0000M-C0:ROHS无源晶振C-2晶振、Q12C20001042600晶振、C-002RX晶振、Q11C02RX1002200晶振、FA-118T贴片晶振、X1E000251000900贴片晶振、FA-118T贴片晶振、、X1E000251006900石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251010000石英晶振、X1E000251001100贴片晶振、FA-118T贴片晶振、SG5032CAN 40.000000M-TJGA3贴片晶振、SG-310SEF 27.0000MB6石英晶振、TG2016SBN 16.0000M-KCGNCM3石英晶振、TG2016SBN 16.0000M-MCGNEM3进口贴片晶振、SG-210STF 24.5760MS5有源贴片晶振、FC-135R晶振、X1A000141000300晶振、FC-135晶振、X1E000251006800石英晶振、FA-118T石英晶振FA-118T石英晶振、X1E000251011100石英晶振、FA2016AN石英晶振、Q13FC1350000400晶振、MC-146晶振、Q13MC1461000200晶振、MC-306晶振、Q13MC30610003晶振、MC-306晶振、Q14MC3061000800晶振、MC-306晶振、Q14MC3061013500晶振、MC-306晶振、Q14MC3061021000晶振、MC-306晶体谐振器、Q14MC3062023900晶振、MC-405晶振、Q14MC4051001900晶振、C-005R晶振、Q11C005R1001600晶振、C-004R晶振、Q11C004R1000700晶振、C-2晶振、Q12C20001010900晶振、C-2晶振、Q12C20001020100晶振、C-2晶振、Q12C20001042500晶振、X1E000251001300贴片晶振、SG-210STF 25.0000MS0进口贴片晶振、Q22FA1280048500石英晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280048700石英晶振、FC-12M晶振、X1A000061000200晶振、FA-118T贴片晶振、X1E000251001400贴片晶振、TG-5500CA温补晶振、X1G003561009700温补晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251005700石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251005800石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251006000石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251006400石英晶振、FA-118T石英晶振; 阅读（661）标签：

[行业新闻]京瓷石英贴片晶振编码2018年11月09日 11:42

日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC进口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶体谐振器CX3225SB12000D0GZJC1贴片晶振CX3225SB24576H0KESZZ贴片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷贴片晶振CX2520DB19200D0FLJC2无源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器CX2016DB48000D0GPSC1贴片晶振CX3225SB49152F0HELC1无源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1无源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1进口贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC进口晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振CX3225SB32000D0GPSCC进口晶振CX3225SB32000D0PSTC1进口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1进口晶振CX3225SB48000D0WPTC1贴片晶振CX3225GB16000P0HPQCC进口SMD晶体ST3215SB32768H5HSZA1进口贴片晶振CX3225GB54000P0HPQCC贴片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1进口SMD晶体CX2520DB30000D0GEJCC进口贴片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷贴片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷贴片晶振ST3215SB32768C0HSZA1无源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC进口SMD晶体CX2520DB12000D0FLJC1进口SMD晶体CX2520DB32000D0FLJCC京瓷贴片晶振

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[行业新闻]KVG微型时钟晶体振荡器满足更多领域需求扩展的工业温度范围2018年07月09日 11:48

KVG晶振集团所推出的两个新产品系列XO-25000E晶振和XO-32000E晶振,这两款晶振具有超小体积,极小的温度范围,同时具有高频率稳定性.满足不同产品使用要求,提供3种不同温度范围的石英晶体（Xtal）晶体振荡器（XO）.

此类晶振产品整体稳定性包括在指定温度范围内的频率变化,加上25℃时的匹配容差,以及5％电源电压变化和5％负载变化时的频率变化,以及第一年老化.XO-25000E晶振和XO-32000E晶振两种类型的石英晶体振荡器频率范围在1.25MHz~100MHz之间,市场常用标准频率包括：10MHz,20MHz,26MHz,50MHz和100MHz等.

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[技术支持]台湾晶技7M晶振对应不同频率的7M12000039晶振编码对照表2018年04月11日 11:48: 亿金电子所整理的台湾晶技7M晶振对应不同频率的7M12000039晶振编码对照表.台湾TXC无源晶振,贴片晶振为3.2x2.5mm封装,片式,厚度薄,体积小.精度稳定控制在±20ppm范围, 7M24077007晶振,7M25000038晶振,7M32000010晶振满足高温回流焊接的温度曲线要求,在产品中使用具有高精度,低损耗,高品质等特点.; 阅读（138）标签：

[技术支持]2016晶振对应TXC晶振不同频率参数的原厂料号有哪些?2018年04月07日 10:43: 2016晶振是目前市场晶振体积较小的尺寸,3225晶振是市场小型智能产品选用最多的一款,随着产品向着便捷式,小型化,多功能发展,2520晶振,2016晶振,1612晶振这样的小体积贴片晶振越来越受欢迎.那么2016晶振对应TXC晶振不同频率参数的原厂料号有哪些?呢?亿金电子针对市场一些常用的晶振频点,选择高精密晶振整理了以下2016石英晶体谐振器编码,供应大家选型参考.; 阅读（162）标签：

[技术支持]TXC压控晶振5x7封装BJ-156.250MBE-T晶振编码对应的参数列表2018年04月02日 10:27

TXC晶振是台湾知名频率元件生产制造商,拥有先进的仪器设备以及生产理念.明白市场所需,与时俱进所生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器具有超小,超薄,精度稳定,低损耗等优势特点.

台湾TXC晶振中文名称晶技晶振,是国内广大用户指定晶振品牌.TXC生产石英晶振,有源晶振,具有1.8V~5V电压供应不同领域用户选择.TXC石英晶体高超的生产技术,一流的服务,优秀的团队是对客户最有力的保障.

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[技术支持]石英晶振在经过离子刻蚀加工后的瞬间频率偏移分析以及解决方案2018年03月03日 11:02

采用离子刻蚀进行晶振频率微调,在刻蚀后晶振的频率会发生偏移。这会使频率调整精度低于真空蒸着频率调整法。如图4-4所示,离子刻蚀后石英晶振频率会产生偏移,纵轴表示与目标频率的偏差,单位是pm。在刻蚀前,石英晶振的频率相对于目标频率是负的。在调整时,一边用测频系统测定石英晶振的频率,一边用离子束照射石英晶振的电极膜, 电极膜被刻蚀,频率随之升高。当刻蚀停止后,会出现频率下降的现象。刻蚀刚停止的几秒内,频率下降较快,随后下降会渐渐变缓,最后趋于稳定,不再变化。这种离子刻蚀后频率偏移的原因比较复杂,其原因之一是因为离子刻蚀时对晶振晶片产生的热应力。其理论依据比较深奥,在此不做讨论。本文主要通过实验,找出频率偏移的规律,对石英晶振进行离子刻蚀加工时设定合适的参数,使得这种偏移在实际应用中产生尽可能小的影响。

4-4离子刻蚀后频率偏移

现在用AT方向切割的石英晶片做成的石英晶振进行实验,用离子束对晶片进行刻蚀,统计出蚀刻速度与频率偏移的联系。

实验对象:A品种的石英晶振使用的晶片是长方形,尺寸为长1996u±3u,宽1276u±2a,晶片厚度为62.04u。目标频率为26.998380MHz。晶片先用昭和真空生产的磁控溅射镀膜机SPH-2500进行镀膜,为了提高镀层密着性,先镀少量的铬膜, 然后按频率要求镀银膜,总膜厚约为1.73u。使得在离子束刻蚀加工前的频率与目标频率的差为2000ppm~300ppm之间。

实验设备:离子束刻蚀频率微调机使用昭和真空生产的SFE-6430T。离子枪的加速钼片到晶片表面的距离为25mm,氩气流量为0.35SCCM。

首先,进行较大刻蚀速度对石英晶振,贴片晶振进行刻蚀的实验,测得偏移量。如表4和图4÷5所示当刻蚀速度在1000ppm/s到2000ppm/s的范围,离子刻蚀后的偏移量随着刻蚀速度的增加而有很大的升高。如当刻蚀量为2000ppm时,频率偏移量山刻蚀速度为1000ppm/s的35.8ppm快速增长到刻蚀速度为2000ppm/s的89.8ppm。当刻蚀量为3000ppm时,频率偏移量便会超过100pm。此外,从图4-5中可以看出,在同一刻蚀速度下,刻蚀后的频率偏移量还会随刻蚀量的增加呈线性升高。

4-1高速度离子刻蚀后频率偏移量

其次,进行较低刻蚀速度对石英晶体,石英晶体谐振器进行刻蚀的实验,测得偏移量。如表4-2和图4-6所示,与高速时的情况类似,刻蚀速度增加时,刻蚀后的偏移量也会随之增加。并且,在同一刻蚀速度时,刻蚀后的偏移量也随刻蚀量的增加而线性增大。从图表中可以看出,刻蚀速度减小后,刻蚀后的偏移量也会减小很多。当刻蚀速度减小到80ppm/s时,刻蚀量为200pm时,刻蚀后偏移量仅为2.5pm。如果进一步控制刻蚀量,当刻蚀量降到100ppm时,刻蚀后偏移量仅为0.2ppm,基本接近于0。因此在实际生产时,如果能将刻蚀速度控制到80pm/s,刻蚀量控制在100pm以下, 晶振的离子束刻蚀后的频率偏差较大,且公差范围较小,为了减少离子束刻蚀后频率偏移产生的影响,提高产品的精度,可以采用3段加工模式,但是生产效率会有所降低)。

4-7两段加工示意图

晶振离子刻蚀两段加工模式如图4-7所示,首先进行H段加工,用高的刻蚀速度和大的刻蚀量,从加工前频率开始加工,等加工到设定的中间目标频率后停止刻蚀,一段时间后,由于离子刻蚀后的晶振频率偏移的影响,使频率下降,回到L段加工前频率。接着进行L段加工,用低刻蚀速度和小刻蚀量,从L段加工前频率开始加工,等加工到设定的最终目标频率后停止刻蚀,一段时间后,出于离子刻蚀后频率偏移的影响, 使频率下降,回到实际最终频率,当实际最终频率在公差范围内就为良品,加工就结束。如果实际最终频率低于公差范围可以作为F-不良重新加工一次。如果实际最终频率大于公差范围,则只能作为F+不良而报废。

而在实际生产过程中,由于操作员缺乏相关理论知识,不能精确的对加工参数进行设定。使得加工的产品会因为刻蚀速度过快,产生较大的频率偏移,或直接产生F+。而刻蚀速度太低不仅会降低加工的效率,当时间超过设备的监控时间后,就会直接出现F-不良。

例如,在实际应用中,因为操作员没有系统的理解以上理论知识,当A品种的石英晶振在进行离子刻蚀微调时,发现频率分布整体偏低,接近20ppm。因为担心现F-不良,希望将整体颏率调鬲。此时应该确认是否是因为H段加工时的速度太慢, 导致L段加工前的频率过低。使得在进行L段加工时,时间过长,超过了设备的监控时间,而强制停止L段加工。

而操作员没有经过确认就主观的将最终日标频率调高, 发现频率略有上升,但仍然偏低。就调高L段的刻蚀速度,刚开始有一定效果,但是没有达到理想状态,就继续调高L段刻蚀速度,此时不但没有效果,反而因为速度太高,刻蚀后的频率偏移使得频率有略微的下降。并且出现因刻蚀速度的太高而产生的F+不良(如图4-8)。因为没有专业技术继续调整,并且认为不良品数量不多,为了赶快完成当日产量,就继续加工制品。此时,因为H段的刻蚀速度低,影响加工效率, 并由于F+的出现,增加了产品的不良数。

图4-8各参数设置不良时离子刻蚀后频率偏移的频率分布表

为了解决这一问题,本文通过前几节的知识和实验数据,制定标准的参数。首先将最终晶振频率设定在0pm。然后为了将L段加工的频率偏移尽可能减少,就将L段的刻蚀速度设定为80ppm/s。为了控制L段的刻蚀量在100pm左右,将中间目标频率设定在-45pm,H段加工速度设定为1600ppm/s,这是H段加工后的结果在50ppm~-0ppm之间,加上刻蚀后的频率偏移使得L段加工的刻蚀量在-100pm120ppm之间。

按这样的设定既可以保证L段加工的效率,也可以控制L段加工后的频率偏移。使得最终实际频率以晶振频率为中心分布。将上述方法设定的参数作成作业标准书如图4-9所示,让作业员遵照执行。图4-10是按此作业标准操作,对制品加L后的频率分布。山图中可以看出频率是以日标频率为中心分布的,并且分布比以前集中,也没有不良出现。因此,本论文提出的方法可以提高产品的合格率。

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