- [亿金快讯]艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用2018年12月05日 10:09
- 美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.
美国艾迪悌XU-XL晶振型号
PDFIMGXL XO HCMOS, LVDS, LVPECL 0.75-1350 2.5,3.3 1 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C PDFIMGXU XO HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL 0.75-1350 1.8,2.5,3.3 0.4 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.
美国艾迪悌XU差分晶振参数
IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序(OTP)可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.
美国艾迪悌差分晶振代码
Digi-Key Part Number IDT晶振原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 高度 800-2857-2-ND XUL535150.000JS6I8 IDT OSC 150MHZ LVDS 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2859-6-ND XUN535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ HCSL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2863-2-ND XUP535156.250JS6I8 IDT OSC 156.25MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-3701-ND XUL736150.000JU6I IDT OSC XO 150.0000MHZ LVDS 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3704-ND XUP736125.000JU6I IDT OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3720-ND XUP536212.500JS6I IDT OSC XO 212.5000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 631-1360-ND XLL726250.000000I IDT OSC XO 250.000MHZ LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1304-ND XLL73V148.500000I IDT OSC VCXO 148.5MHZ LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1305-ND XLP73V153.600000I IDT OSC VCXO 153.60MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 800-2860-6-ND XUP535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2861-2-ND XUP535125.000JS6I8 IDT OSC 125MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) XLL520085.000000X-ND XLL520085.000000X IDT OSCILLATOR XO 85.000MHZ LVDS 2.5V (5.15mm x 3.35mm) (1.40mm) XLP738148.351648X-ND XLP738148.351648X IDT OSC XO 148.351648MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列
IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs(典型值)RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装(3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm)当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括:网络、通信、数据I/O、存储和服务器. - 阅读(373)
- [亿金快讯]5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解2018年12月04日 11:29
台湾TXC晶振拥有丰富的知识,领先业界的生产技术,不但为用户提供性能稳定的晶振产品,并且推出多种产品技术解决方案为用户排忧解难.TXC晶振产品丰富,为不同领域用户提供贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶体,以及业界高技术要求的差分晶振.以下就是5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解.
TXC差分晶振型号
TXC晶振 Model Frequency Stability
(-40~85ºC)Voltage Output Oscillation Dimensions CA晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVPECL Fundamental 5 x 3.2 x 1.2mm CB晶振 50 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVPECL 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm CE晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVDS Fundamental 5 x 3.2 x 1.2mm CF晶振 80 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVDS 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm CX晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V HCSL 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm 差分晶振是具有差分输出的石英晶体振荡器,是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分输出有LVDS,HCSL和LVPECL三种,文中所介绍到的5032封装差分晶振是HCSL和LVPECL输出方式.
TXC差分晶振参数
TXC差分晶振编码代码
TXC晶振编码代码 品牌 型号 类型 频率 频率稳定度 工作温度 输出 尺寸 CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C HCSL (5.00mm x 3.20mm) CB-150.000MBE-T TXC晶振 CB XO 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-153.600MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-100.000MBE-T TXC晶振 CB XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-125.000MBE-T TXC晶振 CB XO 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-133.330MBE-T TXC晶振 CB XO 133.33MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CBA2570001 TXC晶振 CB XO 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CBA3300002 TXC晶振 CB XO 133.33MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CXA0070001 TXC晶振 CX XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C HCSL (5.00mm x 3.20mm) CB-156.250MBE-T TXC晶振 CB XO 156MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-61.440MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 61.44MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-122.880MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 122.88MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) TXC差分晶体振荡器电压可供2.5V~3.3V,精度偏差在±50ppm值,具有使用可靠,电源电压低,相位噪声低等优势.表格中所介绍的差分晶振编码代码均为6脚封装,耐高的温度-40℃~85℃范围.为了满足不同产品选择可供25M~200MHZ高频率范围.更多详细参数可咨询亿金电子业务部.
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- [行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15
科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.
那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.
爱普生差分晶振参数
项目 符号 规格说明 条件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN输出频率范围 f0 73.5MHz to 700MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 电源电压 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 储存温度范围 T_stg -40 °C to +125 °C 存储为单一产品 工作温度范围 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C频率稳定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz输出禁用电流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在输出交叉点 输出电压
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 输出电压
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 输出负载条件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 终止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 连接到 OUT 与 OUT之间 输入电压 VIH 70 % VCC Min. OE 终端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降时间 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 振荡启动时间 t_str 3 ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒 相位抖动 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz 频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.
爱普生差分晶振编码
爱普生晶振编码 差分晶振型号 频率 封装尺寸 输出 温度范围 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.
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- [亿金快讯]美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂编码代码参数分解2018年11月28日 17:30
- Integrated Device Technology, Inc.是美国IDT晶振的英文全称.IDT晶振集团是电子元件行业协会 (ECIA) 的正式成员,电子元件行业协会是电子元器件制造商及其供应商授权分销合作伙伴和独立现场销售代表组成的非营利性行业协会. 发展至今在世界各地均设有石英晶振,有源晶振研发生产基地,销售网点遍布全球,是世界500强企业.以下为IDT有源晶振,美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂代码编码参数分解
艾迪悌差分晶振型号
IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.
艾迪悌差分晶振代码编码
Digi-Key Part Number 原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 631-1365-ND XLL736060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735135.000000X-ND XLL735135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000X-ND XLL735040.000000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP735025.000000X-ND XLP735025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL726135.000000X-ND XLL726135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) XLL735060.000000I-ND XLL735060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000I-ND XLL735040.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736135.000000X-ND XLL736135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736106.250000X-ND XLL736106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL526155.520000I-ND XLL526155.520000I IDT晶振 OSC XO 155.520MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (5.00mm x 3.20mm) XLL736080.000000I-ND XLL736080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL536080.000000I-ND XLL536080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLL730106.250000X-ND XLL730106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL730060.000000I-ND XLL730060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735106.250000I-ND XLL735106.250000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP535075.000000X-ND XLP535075.000000X IDT晶振 OSC XO 75.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLP535025.000000X-ND XLP535025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) - 阅读(146)
- [技术支持]Cardinal石英晶体振荡器编码2018年11月19日 09:17
- CFVED-A7BP-155.52TS贴片差分晶振CFE4-A7BP-212.5差分输出晶振CPPT1-A3B6-22.1184TS进口贴片晶振CTED-A5B3-155.52TS温补晶振CFVE-A7BP-622.08TS差分晶振CFE4-A7BP-156.25贴片差分晶振CPPT1-A3B6-20.0TS美国石英晶振CPPT7-A7B6-24.0TS贴片晶振CFVED-A7BP-622.08TS美国进口晶振CFL4-A7BP-156.25差分输出晶体振荡器CC622E9差分输出晶振CPPC4L-A7BR-125.0TS石英晶体振荡器CTL-A5B3-156.25TS温补晶振CFVL-A7BP-155.52TS差分输出晶体振荡器CPPC7LT-A7BR-32.768TS有源晶体振荡器CPPC7L-B6-14.318TS带电压晶振CPPC7L-A7BP-12.0TS带电压晶振CTED-A5B3-311.04TS温补晶振CPPLC7Z-A7BP-10.0TS美国石英晶振CPPC7LZ-A7B6-44.2368TS贴片晶振CPPC7L-B6-16.384TS晶振CPPC7L-A5BP-25.1658TS有源晶振CTED-A5B3-212.5TS温补晶振CFVED-A7BP-156.25TS差分输出晶振CFE4-A7BP-311.04差分晶体振荡器CPPT1-A3B6-48.0TS石英晶振CPPLC7Z-A7BP-27.12TS进口贴片晶振CPPLC7LT-BP-25.0PD美国石英晶振CPPC5LZ-A7BP-50.0TS石英晶体振荡器CPPC7L-A5BP-31.25TS石英晶体振荡器CPPV7-A7BR-122.88差分输出晶振CFVE-A7BP-155.52TS差分晶体振荡器CFVED-A7BP-212.5TS差分晶体振荡器CPPC7L-A7BR-32.768TS贴片晶振CTL-A5B3-311.04TS温补晶振CPPV7-A7BP-200.0贴片差分晶振CCFVED-A7BP-311.04TS有源差分晶振CFL4-A7BP-155.52美国进口晶振CVFSV7贴片差分晶振CPPLC7L-B6-26.0000TS晶振CPPLC7L-A7BR-30.0TS石英晶振CPPC7-A7BP-14.0TS贴片晶振CPPC7-A7BP-25.175TS普通有源晶振CFE4-A7BP-622.08有源差分晶振CVFSE7晶振CPPT7L-BP-125.0TS石英晶振CPPLC7L-A7B6-130.0TS进口贴片晶振CPPC7-A7BP-11.0592TS有源晶体振荡器CTL-A5B3-155.52TS温补晶振CPPLC7LT-BP-30.72PD晶振CPPC7-A7BP-14.7456TS美国石英晶振CPPC7L-A7BR-32.0TS美国进口晶振CFL4-A7BP-212.5差分晶振CC622V9差分晶体振荡器CPPC7Z-A5BP-28.0TS石英晶体振荡器TED-A5B3-622.08TS温补晶振CPPC7-A7BP-4.0TS普通有源晶振CPPC1-A7BR-9.8304TS有源晶体振荡器CPPLC7L-A7B6-14.7456TS石英晶体振荡器CPPC7-A7BP-149.86TS进口贴片晶振CPPC7-A7BR-20.0TS带电压晶振CPPT7-A7B6-16.0TS石英晶体振荡器CPPC7LZ-A7BR-20.0TS进口贴片晶振CPPC7L-A7BR-40.5PD有源晶振CPPV7-BR-105.0美国进口晶振CTL-A5B3-212.5TS温补晶振CFVL-A7BP-156.25TS差分晶振CFL4-A7BP-311.04贴片差分晶振CV622E9有源差分晶振CPPC1T-A7BP-40.25TS贴片晶振CPPLC7LT-BP-31.45728PD有源晶体振荡器CPPC7-A7BP-2.0TS石英晶振CPPC7L-A7BP-78.0TS有源晶振CFL4-A7BP-622.08差分输出晶振CV622V9美国进口晶振CPPC1-A7BR-96.0TS美国石英晶振CPPLC7L-A7BR-32.0TS贴片晶振CPPC5LZ-A7BP-88.888PD晶振CPPC7L-A7B6-16.384TS石英晶体振荡器CTL-A5B3-622.08TS温补晶振C3FSC7差分输出晶体振荡器CPPC4-A7BR-26.95TS进口贴片晶振CPPLC7L-A7B6-14.74TS美国石英晶振CPPC7-A7BP-20.0TS石英晶体振荡器CPPC7-A7BP-29.4912TS贴片晶振CPPLC7LT-BR-100.0TS有源晶振CPPV7-A7BR-50.0TS差分晶体振荡器CFVE-A7BP-156.25TS有源差分晶振C3FSE7差分晶振CPPC1-BP-50.0TS石英晶振CPPLC7L-A7B6-25.0TS进口贴片晶振CPPC5L-A7BR-25.0TS有源晶体振荡器CPPC7L-A7BP-8.0TS普通有源晶振CPPC7L-A7BR-50.0TS美国进口晶振CFVE-A7BP-212.5TS美国进口晶振C3FSV7差分晶振CPPC1-BR-5.0TS晶振CPPT7L-A7BR-150.0TS石英晶振CPPC7Z-A5B6-32.0TS贴片晶振CPPC7-A7BP-3.6864PD美国进口晶振CPPC7LZA7BP-25.0000TS贴片晶振CPPLC7Z-A7B6-22.1184TS晶振CPPC7LZ-A7BR-50.0TS美国石英晶振CPPC7-A7BR-28.0TS带电压晶振CPPC7L-B6-64.0TS石英晶体振荡器CPPV7-BR-100.0有源差分晶振CPPC7LZA7BP-3.579540TS普通有源晶振CTED-A5B3-156.25TS温补晶振CPPV7-BR-125.0差分输出晶体振荡器CPPC7L-A5BR-66.0TS有源晶振CPPC7L-A5BP-100.0TS贴片晶振CPPT1-A3B6-60.0TS有源晶体振荡器CFVE-A7BP-311.04TS差分输出晶体振荡器CPPC7L-A5BP-100.0PD石英晶体振荡器CPPT1-A3B6-50.0TS石英晶体振荡器CPPC7LZA7BP-3.68640TS美国进口晶振CPPC7L-A5BP-2.048TS普通有源晶振CPPT1-A3B6-10.0TS贴片晶振CPPT7L-A7BR-200.0TS有源晶体振荡器CPPC7LZ-A7B6-4.0TS石英晶振CPPC7L-A7BP-2.0TS石英晶体振荡器CPPC7LZ-A7BP-14.318TS带电压晶振CPPC7-A7BP-32.0TS贴片晶振CPPC7L-A5BP-25.0TS美国进口晶振CPPC7L-BR-24.576TS晶振
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- [行业新闻]NDK差分晶振型号列表2018年10月22日 11:15
- 亿金电子所整理的NDK差分晶振型号列表,具有3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸供应选择.差分晶振业内人士知道最为常见的输出有LV-PECL,LVDS,HCSL三类.差分输出是什么?就是输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分晶振具有比普通有源晶振更高性能,更高精密,更低电压的特征.
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- [行业新闻]NDK差分晶振3225系列讲解2018年09月27日 09:44
- 差分晶振随着科技的发展越来越被需要,是高端网络设备的首选.差分晶体振荡器是什么呢?差分晶振就是指具有差分输出的晶体振荡器,常见的有LVDS,HCSL,LV-PECL等输出.那么什么是差分输出呢?差分输出用来自晶体振荡器的两个不同的输出信号,这两个信号相位恰好相反.国内市场应用差分晶振常见的品牌有EPSON晶振,京瓷晶振,NDK晶振等. 下面是亿金电子所介绍的NDK差分晶振,包括输出电路图,差分晶体振荡器特点,差分晶振的应用以及输出水平和波形等.
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- [行业新闻]美国Oscilent晶振LV-PECL输出差分晶振型号列表2018年09月11日 10:09
Oscilent晶振的频率控制元件产品系列因其可靠性,耐用性和性能而广受认可.美国Oscilent晶振均已获得ISO-9002质量管理体系认证.下面所介绍到的是Oscilent差分晶振.我们都知道差分晶振常用差分输出具有LVDS,LV-PECL,HCSL三种输出.
差分晶振通俗易懂的解释为是具有差分信号输出的石英晶体振荡器.以下列表中是美国Oscilent晶振LV-PECL输出差分晶振型号列表.包括5x7mm,5x3.2mm,3.2x2.5mm封装尺寸,同时满足产品不同需求,可提供4脚,6脚焊接.Oscilent差分晶振可提供外部温度和紧密稳定性,可用频率范围为19.44MHz-180MHz,具有耐高温,低抖动,高性能,低相噪等特点.
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- [行业新闻]京瓷晶振超小型KT1612A温度补偿晶体振荡器2018年09月08日 10:07
- 石英晶振晶体是决定智能手机与车载设备性能的重要元器件.从培育人工水晶到生产石英晶体谐振器、石英晶体振荡器,京瓷晶振集团作为业内领先的大企业,集研发,生产,销售一体化,面向全球市场提供大量石英晶振,贴片晶振,差分晶振,晶体振荡器等产品,为即将来临的IoT时代不断作出贡献.
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- [行业新闻]EPSON晶振发展初期“QMEMS”制造技术的故事2018年09月06日 11:05
精工爱普生拥有“QMEMS”独特的生产技术,'QMEMS(Quartz +'MEMS')'是促进MEMS(微电子机械系统)晶体材料微加工工艺的独特技术的名称,为EPSON生产晶振提供了最关键的支持.爱普生晶振集团通过充分利用这项技术的优势,制造了小型,高性能,低损耗的石英贴片晶振产品.
EPSON晶振QMEMS生产技术是世界晶体行业的领先技术,是爱普生晶振集团30多年来工程师的努力成果.正是因为爱普生晶振工程师们的不懈努力,才有了后面这些一系列的小体积,高精密石英晶振,贴片晶振,有源晶振,差分晶振,压控温补晶振.在后面的文章中我们将要说的是爱普生工程师们经过不断努力研发生产的32.768K,石英晶体,贴片晶振的过程,以及爱普生晶振QMEMS技术稳定基础,敬请期待.
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- [亿金快讯]爱普生高精度SG3225EAN差分晶振满足网络设备对高标准参考时钟的需求2018年09月01日 10:25
爱普生是业内拥有超高人气的日产晶振品牌,不仅在日本而且在国际上也同样赫赫有名.爱普生晶振成立于1942年,一直以来为研发生产更高精密,高性能晶振产品不断努力.多年来积累了丰富的专业知识,以独特的生产技术为世界不同领域提供质优价廉的石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,压电水晶振荡子等.
随着无线网络,智能家电,4G,5G网络,自动驾驶汽车等高科技的发展,对于石英晶体振荡器的使用性能也要求越来越高.比如现在我们所依赖的网络,单从速度上就不能满足我们的需求了,而高精度SG3225EAN差分晶振就是为千兆光纤通信而生,为了我们更好的使用高速网络,为满足网络设备对高标准参考时钟的需求.
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- [技术支持]IDT石英晶体振荡器4HF晶振6脚4HF050000Z3AACXGI晶振编码对照表2018年01月26日 10:45
- IDT晶振集团成立于1980年,公司英文全称为Integrated Device Technology, Inc.是国际有名的石英晶体,有源振荡器频率控制元件生产制造商.IDT晶振集团主要以研发生产销售石英晶体振荡器,差分有源晶振,可编程石英晶振为主,同时开发优化客户应用的系统级解决方案.
IDT集团旗下的有源晶振产品数量和种类非常之多,尤其是3225晶振,2520晶振之类的常规封装尺寸,例如型号是4HF晶振这颗料,年产量至少在7000万颗以上,出口到五十多个不同的国家和地区.每一款晶振型号后面还有很多规格,挑选合适的参数才能使自己的产品发挥出最好的作用,反之有可能会引起不起振,误差大等不良效果.为避免发生这种尴尬的局面,亿金电子特意收集了IDT石英晶体振荡器4HF晶振6脚4HF050000Z3AACXGI晶振编码对照表,其中频率包括50MHZ,100MHZ,106.25MHZ三种频率,频率稳定度均在±50ppm范围,更多相关参数信息欢迎查看亿金技术支持.
来自美国加州圣何塞市的IDT晶振公司是近年来比较成功打开中国市场的欧美进口晶振品牌,享有崇高的国际地位,在欧洲,南美和北美洲地带晶体振荡器产品销量非常火爆.专注于高端有源晶振的创新发展和实际应用,是一家专业为高级科技智能产品提供频率元件解决方案的生产制造商,所有的石英晶体振荡器,压控晶振,差分晶振都是依据世界环保概念和质量认证生产.
IDT晶振公司的开发设计能力非常强,拥有非常专业和一等一的研发团队,所有的销售服务人员训练有素,能够带给用户的极致的晶振购买享受,售后的规范化,流程化让用户感到安心.IDT晶振集团尽可能的采用无害的石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.IDT石英晶体振荡器采用的是最先进的生产设备以及IDT独有的生产技术,产品具有厚度薄,高精密,低电源电压等特点. - 阅读(137)
- [技术支持]晶振在电路中起什么作用?无源晶振和有源晶振有什么不同?2018年01月24日 10:32
- 晶振是石英晶体振荡器的简称.它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定,精确的单频振荡.在通常工作条件下,普通的石英晶振频率绝对精度可达百万分之五十.高级的精度更高.有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率,称为VCXO压控振荡器,也有可以控制温度的TCXO温补晶振,压控温补晶振,差分晶振,恒温晶振等等.
由于石英晶体振荡器具有非常好的频率稳定性和抗外界干扰的能力,所以,石英晶体振荡器是用来产生基准频率的.通过基准频率来控制电路中的频率的准确性.石英晶体振荡器的应用范围是非常广的,它质量等级、频率精度也是差别很大的.通讯系统用的信号发生器的信号源(震荡源),绝大部分也用的是石英晶体振荡器.
晶振是石英振荡器的简称,英文名为Crystal,它是时钟电路中最重要的部件,它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率,它就像个标尺,工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定,自然容易出现问题.石英晶振还有个作用是在电路产生震荡电流,发出时钟信号.
晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号.通常一个系统共用一个晶振,便于各部分保持同步.有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步.石英晶振通常与锁相环电路配合使用,以提供系统所需的时钟频率.如果不同子系统需要不同频率的时钟信号,可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供.
晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻.数字电路的工作是根据电路设计,在某个时刻专门完成特定的任务,如果没有一个时序控制的标准时刻,整个数字电路就会成为“聋子”,不知道什么时刻该做什么事情了.
电路中,为了得到交流信号,可以用RC、LC谐振电路取得,但这些电路的振荡频率并不稳定.在要求得到高稳定频率的电路中,必须使用石英晶体振荡电路.石英晶体具有高品质因数,振荡电路采用了恒温、稳压等方式以后,振荡频率稳定度可以达到10^(-9)至10^(-11).广泛应用在通讯、时钟、手表、计算机??需要高稳定信号的场合.
石英晶振不分正负极, 外壳是地线,其两条不分正负,那么无源晶振和有源晶振有什么不同?有源晶振和无源晶振的作用分别是什么呢?接下来亿金电子一意为您揭晓.
1.无源晶振是有2个引脚的无极性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来
2.有源晶振有4只引脚,是一个完整的振荡器,其中除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件.主要看你应用到的电路,如果有时钟电路,就用无源,否则就用有源晶振.
无源晶体需要用DSP片内的振荡器,无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,无源的要和其他元件才能组成正常的振荡电路,同样的石英晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者.
有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路可以用万用表测量有源晶振两个引脚电压是否是芯片工作电压的一半,比如工作电压是5V则是否是2.5V左右. - 阅读(137)
- [技术支持]石英晶振在不同状态下的性质解说2018年01月18日 09:31
石英晶体的密度为265g/cm3,莫氏硬度为7,透明晶莹。在常温常压下,石英晶体不溶于水和三酸(盐酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)属于溶解度极小的物质。但在高温高压下,再加入适量助溶剂,如碳酸钠(Na2CO3)或氢氧化钠(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。这个特点被用于石英晶体的人工培育。
氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)与氟化氢铵(NH4HF2)是石英贴片晶振,石英晶体良好的溶解液,这在石英晶片加工中是很有用的。石英晶体是一种良好的绝热材料,导热系数比较小(见表1.3.1)
表1.3.1石英晶体的导热系数
温度(℃)
K3×10-3(cal/cm·s:℃)
K1×103( cal/cm.s℃)
-200
接近150
66
-150
74
36
-100
52
26
-50
40
20.5
0
32
17.0
50
25.5
14.9
100
21
13.1
室温附近,沿z轴方向的导热系数是沿垂直于z轴方向导热系数的二倍左右与z轴成q角的任一方向的导热系数可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z轴的导热系数,K3是平行于z轴的导热系数石英晶体的膨胀系数也很小,且沿z轴方向的线膨胀系数a3约为沿垂直于z轴方向线膨胀系数a1的1/2(见表1.3.2)。
表1.3.2石英晶体的线膨胀系数值
温度(℃)
a1×10-6/℃
a3×10-6/℃
-250
8.60
4.10
-200
9.90
5.50
-100
11.82
6.08
0
13.24
7.10
100
14.45
7.97
200
15.61
8.75
300
16.89
9.60
400
18.5
10.65
500
20.91
12.22
若已知a1和a3,由下式可求出与Z轴成φ角的任一方向的线膨胀系数aL:al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)
在室温附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)
并可由a1和a3求得体膨胀系数ar:ar=2a1+a3 (1.3.4)
由于石英晶体的热膨胀系数较小,因此可用于精密仪器中。但当它被加热时, 体膨胀系数会发生很大变化。在温度达573℃时,石英晶体由a石英晶体转变为B石英,体积急剧增大。石英晶体谐振器内部产生的较强的机械应力可能会造成裂隙和双晶,这是在石英晶体元件的加工中要注意避免的。
石英晶体还是一种良好的绝缘体,其电阻率可由下式求得:p=Be-AT;式中,p为电阻率,T为绝对温度,e为自然对数的底,A等于1.15×104B为相应的常数。平行于z轴方向的B=3000,垂直于z轴方向的B为平行于z轴方向的1/80。B值除与晶体结构有关外,还与沿z轴方向孔道中碱金属杂质(K+、Na+)的存在有关。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶体在不同温度下的电阻率,单位为ohm. cn。
表1.3.3石英晶体在不同温度下的p(ohm.cm)
温度(℃)
平行于z轴的p
垂直于z轴的p
20
0.1×1015
20×1015
100
0.8×1012
200
70×1018
300
60×106
石英晶体介电常数(描述材料介电性质的量,是电位移D与电场强度E的一个比例系数)的各向异性不很明显,平行于z轴的介电常数ε3=4.6,垂直于z轴的介电常数ε1=4.5。在电场作用下,电介质发热而消耗的能量叫介质损耗,通常以损耗角的正切值(tg6)来表示其损耗的大小。有源晶体振荡器,比如温补晶振,压控晶振,有源石英晶体的介质损耗较小,tg6<2×10-4因此用它作电气材料具有高稳定性。
石英晶体虽不像诸如弹簧、橡皮筋那样的物体,振动日时能看到明显地形变,但是它仍然服从弹性定律(胡克定律),并且可以通过全息照相看到它形变的情况。当然,石英晶体的形变更复杂些,描述更困难些,这将在第二章中进一步讲述。
某些电介质由于外界的机械作用(如压缩、拉伸等)而在其内部发生变化产生表面电荷,这种现象叫压电效应。具有压电效应的电介质也存在逆压电效应,即如果将具有压电效应的介质置于外电场中,由于电场的作用,会引起介质内部正负电荷中心位移,而这位移又导致介质发生形变,这种效应称为逆压电效应。
正像某些其它晶体(如酒石酸钾钠KNaC4H4O6.4H2O、钛酸钡 BaTio3等等)那样,贴片有源晶振,石英晶体也具有压电效应。由于其结构的特殊性,不是任何方向都存在压电效应的,只有在某些方向,某些力的作用下才产生压电效应。
例如:当石英晶体受到沿x轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向则不产生压电效应,当石英晶体受到沿y轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向也不产生压电效应。若受到沿z轴方向的力作用时,是不产生压电效应。因此又称x轴为电轴,y轴为机械轴。利用石英晶体的压电效应可制造多种高稳定性的频率选择和控制元件,这将在以后各章逐步讲述。
石英晶体也与其它一些物质(如方解石CaCO3、硝酸钠NaNO3晶体等)那样具有双折射现象,即一束光射入石英晶体时,分裂成两束沿不同方向传拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做寻常光或称“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非寻常光,又称“e”光,如图1.3.1所示,寻常光在石英晶体内部各个方向上的折射率mo是相等的,而非寻常光在石英晶振,石英晶体的内部各个方向的折射率n0却是不相等的。
例如:对于波长为5893A的光,石英晶体的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶体虽然具有双折射现象,但当光沿z轴方向入射时,不发生双折射现象,所以又称z轴为光轴石英晶体还具有旋光性。即平面偏振光(光振动限于某一固定方向的光)沿z轴方向通过石英晶体后,仍然是平面偏振光,但其振动面却较之原振动面旋转了一个角度。
图1.3.1石英晶体的双折射
石英晶体的光学性质被应用到制造各种光学仪器和石英片加工工艺中。
从六十年代起开展了石英晶体,SMD晶振元件辐射效应的研究工作,在此做一些简单的介绍。
由于宇宙射线的辐照和核武器爆炸,地球周围存在高能粒子和y射线、X射线等辐射。这些辐射对石英晶体及其器件都有很大的影响,无色透明的石英晶体经放射线照射后会变为烟色,石英晶体元件被辐照后,会使频率发生变化,稳定性下降,等效电阻升高。
一般认为,石英晶体被γ射线和高能粒子轰击后,会产生结构空穴和色心,这是由于碱金属离子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶体抗辐射的能力,首先要减少和消除有源恒温晶振,差分晶振,石英晶体中的上述杂质。
一方面选择最佳籽晶和生长条件;另一方面可使用“电清除”的方法驱逐晶体中的杂质。有人做过这样的实验:用z向厚度为1cm的样片,加温到450~470℃,加电压1500-1700V/cm,通过晶体的电流为250μA,20分钟后则降为20μA,这时在负极表面出现由碱金属杂质形成的乳白色薄层。显然,这是一种高温、高压排除晶体中金属离子等杂质的工艺过程。经过这种“电清除”的人造石英晶体制成的石英晶体元件就具有良好的抗辐射性能。
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- [技术支持]FOX石英晶体谐振器5032四脚FX532B-24.576晶振对应的原厂代码2018年01月15日 13:58
FOX晶振中文名为福布斯晶振,是美国知名的石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振,有源晶振,温补晶振,差分晶振制造商.自成立以来不断为用户提供高品质,高精密,低功耗晶体元件.FOX晶振在香港,印度,美国,德国,马来西亚等多个国家设有研发生产基地,为了更好的服务广大用户,销售代表处分布世界各地.
亿金电子提供FOX石英晶体谐振器5032四脚FX532B-24.576晶振对应的原厂代码.列表中包括20M,24M,16M,10M,12M,25M,11.0592M等频率,均为4个焊接脚位模式.FOX晶振满足不同产品对于精度的要求,提供±30ppm, ±50ppm等频率偏差.具有高品质,精度偏差小等特点.
FOX石英晶振均选用符合欧盟ROHS指令的材料生产,运用ISO国际质量管理体系操作,同时获得ISO-9001:2008, ISO14001等国际认证.FOX石英晶振以先进的生产设备,一流的技术,以及一批优秀的销售精英团队,多位资深技术工程师,发展至今在多个国家设有研发生产基地,销售网点分布全球.产品广泛用于无线网络装置,智能家居,车载系统,数码家电,航空设备等领域.
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- [技术支持]IDT有源晶振20M频率5x7体积XLH736020.000000I晶振对应不同型号参数编码2018年01月11日 11:34
IDT晶振集团成立于1980年,是国际数一数二的石英晶体频率元件制造商.自发展以来不断创造高品质,高精密石英晶振,石英晶体振荡器,并且开发了能够与处理器,存储器等数字系统,其他半导体以及物理世界连接的石英晶振解决方案.
美国IDT石英晶体振荡器选用符合德国ROHS环保要求的材料,采用一流的生产技术,早已获得ISO9002,美国UL等国际质量管理体系认证.IDT有源晶振满足市场需求,分为多种使用性能,同时提供TCXO温补晶振,VCXO压控晶振,恒温晶振,压控温补晶振,SPXO石英晶体振荡器,差分晶振,以及可编程晶振等.
亿金电子代理美国IDT石英晶振,一手货源价格优势,同时免费提供IDT晶振原厂代码,产品料号.表格中所举例有源晶振为7.5x5.2mm体积,频率20M晶振,型号包括FXO-HC73晶振,FXO-LC73晶振,FXO-PC73晶振.针对不同产品对于精度的要求,分为±20ppm,±25ppm,±50ppm,±100ppm等频率偏差.
美国IDT石英晶体振荡器采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.IDT晶振集团自成立以来坚持为用户提供优质,高精密石英晶体振荡器为发展理念.如今IDT在世界各地均设有分公司,研发生产基地遍布欧洲,亚洲,北美等多个国家.
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- [行业新闻]亚陶百利通晶振拥有业界最小石英晶体振荡器高超的生产技术2017年11月27日 17:54
- 百利通亚陶晶振在生产石英晶体振荡器方面的技术上是无人能及,Diodes晶振所提供石英振荡器和SaRonix-eCera™的石英晶体共振器利用自己内部晶体和IC设计,Diodes晶振 提供最好种类的晶体和石英振荡器可以配合用户的设计需求.在业界拥有最小的石英振荡器,实现极好的稳定性透过广泛范围的操作状况.石英晶体振荡器也分为多中类别:温补晶振,压控晶振,压控温补晶振,差分晶振等均为有源晶振.
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- [亿金快讯]为什么说美国IDT差分晶振几乎能满足任何应用的需求2017年11月24日 18:24
- IDT晶振集团提供石英晶体振荡器和可编程振荡器,能满足几乎任何应用的需求.XL和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.
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- [技术支持]IDT高频差分晶振LVDS输出XUL736125.000JU6I晶振对应的编码参数2017年11月15日 11:51
IDT有源差分晶振使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围.精度稳定可精确到±10PM,IDT差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.
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- [技术支持]美国ECS差分晶振5x7封装20M/27M/48M频率ECS-3951C-200-TR晶振型号编码2017年11月14日 13:46
- ECS差分晶振作为目前行业中高要求,高技术石英晶体振荡器,具有相位低,损耗低的特点.差分晶振使用于网络路由器,SATA,光纤通信,10G以太网,超速光纤收发器,网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.
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