- [行业新闻]美国Wenzel晶振广泛应用的产品2019年01月21日 09:22
自1978年以来,Wenzel Associates已经确定了超低相位噪声晶体振荡器的最新技术.Wenzel Crystal设计和制造石英晶振,晶体振荡器,固定频率系统,集成微波组件和X波段合成器.Blue Tops模块,MXO系列的超低噪声倍增微波源以及极低噪声的定制IMA为世界各地的系统提供构建模块.
Wenzel Associates每年为商业市场生产超过15,000个振荡器.Wenzel晶振的精确低噪声信号用于上/下变频器,频率计数器和蜂窝基站,Wenzel的有源晶振,晶体振荡器,是大多数商用相位噪声测量测试装置的内部参考.
大约三分之二的Wenzel晶振产品是Hi-Rel零件,专为雷达系统,军用无线电和空间应用而设计.Wenzel晶振,石英贴片晶振,晶体振荡器,TCXO晶振为机载,无人机和舰载导航,监视和通信系统构建主振荡器.多频率,机架式光源和合成器装备测试实验室,是美国导弹防御系统的一部分.我们非常自豪地被选为国家射电天文台的ALMA望远镜中的关键部件,该望远镜目前正在观察智利山顶的星系.
Wenzel晶振为美国宇航局的月球勘测轨道器,水瓶座海洋测量员和TACSAT-4运送了太空飞行硬件. Wenzel的太空遗产包括用于JPL的火星探路者着陆器的高精密石英晶体振荡器,NEAR地球小行星交会卫星以及最近用于国家极地轨道运行环境卫星系统(NPOESS)的振荡器.生产振荡器是为ORBCOMM第2代(OG2)卫星建造的.
2006年3月,Wenzel晶振完成了对高性能晶体的首要制造商Croven Crystals的收购,为Wenzel带来了50年的水晶制造经验.Croven参与了无数军事和太空客户的特殊项目,并拥有完整的内部测试和制造能力,可生产MIL-PRF-3098水晶,水晶振荡子,石英贴片晶振.Croven位于加拿大安大略省惠特比的26,000平方英尺的工厂内.
Wenzel Associates位于德克萨斯州奥斯汀的占地52,000平方英尺的工厂,拥有工程,测试,营销和生产.内部提供冲击,振动,温度,热冲击,高度和热真空测试.Wenzel晶振已经开发出超越传统客户支持的服务理念,将我们的客户和供应商视为我们公司的延伸.
Wenzel Associates致力于提供最高质量的标准和定制解决方案,以满足射频和微波行业的各种专业技术要求.从原型到生产,Wenzel Crystal致力于不断提供积极主动的个性化服务,努力研究,设计和提供具有行业领先性能的创新世界级产品.Wenzel晶振公司致力于遵守管理其产品,服务,软件和技术数据出口的所有法律和法规,包括出口管理条例(EAR)和国际武器贸易条例(ITAR).
Wenzel晶振,石英晶体振荡器被广泛用于无线网络,军事设备,卫星导航,雷达,工业级机械等产品中,具有高精度,低抖动,低相位噪声等特点.Wenzel晶振产品,信息和技术同样被广泛用于无线网络,数码,笔记本,智能电子产品,计算机,蓝牙,仪器仪表等民用级,消费级产品中.
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- [行业新闻]GEDcrystal生产全步骤解析图2019年01月19日 10:21
美国GEDcrystal公司是一家专注于研发制造大批量,高质量的标准和特殊定制电子器件制造商,包括合成器,OCXO振荡器,VCXO晶振,TCXO晶振,VCTCXO压控温补晶振,DRO,频率转换器,时钟晶体振荡器,石英晶振,带通/低通滤波器和便携式信号发生器等.GEDcrystal提供低功耗,高精度,宽温,高性能,低老化的产品以及完善的服务体系,美国GED晶振的经营理念是超越客户的期望.下面给大家介绍的是GEDcrystal生产全步骤解析图.
晶片打磨
使用自动搭接控制器和高级研磨化合物将水晶坯料研磨至精确厚度.
真空金属沉积
底部电镀采用最先进的S&A5600蒸发器,采用低温高真空系统,可实现超洁净和非常稳定的金属沉积.
混合振荡器电路组件区域
包含半导体芯片,晶体管和二极管,电容器和电感器的陶瓷基板在内部组装.IC和基板上的互连采用GED引线键合功能-通过Al楔形键合或Au球键合.
最终频率调整
使用S&A5400S和S&A5250系统进行最终频率调整.允许自动最终将石英贴片晶振调整到1ppm以内.
密封
密封能力包括电阻凸焊,冷焊和焊缝.GED晶振密封完成.在超纯干燥的氮气氛中,达到或超过MIL规范的密封性.GED晶振有密封性,使用阴离子泵在氮气或真空中的能力,以确保绝对没有油分子的迁移进入密封的气氛.
温度测试
GED设备可以测试晶体和有源晶振,晶体振荡器.极端温度从-55℃到125℃,它可以执行所有频率和电阻测量,从商业规格到军用规格的温度.
TCXO校准区域
独特的“一体化”TCXO晶振测试和校准系统由GEDCrystal公司开发.该系统缩短了交付周期并提高了晶振晶体生产率.
打标
零件使用计算机标记,带金刚石笔尖或激光打标的雕刻机.将不同频率的GED晶振进行标记,印上相对应的频率以及GED晶振的标记.
最终测试和质量控制
GED晶振对所有参数执行100%测试和检查,所有的石英贴片晶振和晶体振荡器等.
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- [行业新闻]香港NKG CRYSTAL成立至今现状2019年01月18日 09:15
NAKAGAWA ELECTRONICS LIMITED(NKG)成立于1984年,注册于'85,是一家总部设在香港的私营公司.该公司最初是石英晶体单元和陶瓷基产品的交易商,如陶瓷谐振器和滤波器.在接下来的几年中,更多的频率控制产品被添加到产品组合中,以提供更广泛的产品系列.所有类型的基于石英晶体的时钟振荡器和VCXO,以及高端产品,如TCXO晶振和SAW滤波器型产品,都被提供给越来越多的客户.
随着业务的强劲增长,NKG晶振于1989年收购了位于中国周山岛的现有工厂,鼓励他参与石英晶体,插件晶振产品的生产.该工厂生产几种传统封装的金属罐石英晶体单元,称为HC-49/U,HC-49/S和UM型.
凭借自身的产品来源,香港NKG晶体可以迅速获得更多的市场份额,并成为著名的石英晶体单位制造商.在接下来的几年里,NKG晶振成为几家全球运营客户的“首选供应商”,特别是在计算机外围设备行业.这种认识导致了制造工厂进入更现代化的环境.
2004年,NKG CRYSTAL制造的金属晶体被搬迁到位于上海以西约100公里的江苏省苏州市新建的“新加坡工业园”(SIP).
苏州的创业公司是通过租用工厂空间而购买土地而购买新的自有工厂.2006年,生产线可以搬进新公司,由三个10k洁净室组成,用于石英晶振和振荡器组装.新的10,000平方米设施中更大的空间使其能够投资陶瓷封装SMD石英晶体和振荡器的新设备.
有了这个,香港NKG晶体公司可以开发自己的振荡器,并很快专注于高频时钟和具有各种输出波形类型的VCXO,如LVPECL,LVDS和HCSL.随着对TCXO和VCTCXO等更复杂产品的需求不断增加,NKG开始与其他企业合作开发和制造,这遵循了行业的共同趋势.
凭借广泛的石英晶体,贴片晶振,TCXO,VCXO,OCXO,SPXO晶振,晶体振荡器等频率控制产品,香港NKG晶振公司如今已成为行业中一家经过良好重组的公司.
NAKAGAWA ELECTRONICS LIMITED(香港NKG CRYSTAL)开始在周山岛制造并搬到苏州/江苏省.在过去的五年中,不断增长的需求和对更具成本效益的生产线的需求导致了将生产分成两个独立的制造场所的决定.传统的金属线保存在苏州,而所有陶瓷包装生产都转移到南京,以便我们今天在这两个地方进行制造.
NKG晶振致力于为客户提供最佳服务,以满足并超越客户的期望.我们通过不断改进现有晶振产品和升级我们的系统和文档来实现这一目标.作为变频控制产品的制造商和供应商,我们不认为我们是销售部门,而是为我们的客户提供卓越的技术服务.
质量保证
香港NKG晶体致力于提供高质量的石英贴片晶振,水晶振荡子,压电晶体产品,并保持质量和管理体系,以确保可以保证的运营.不仅对我们的客户,而且对我们自己的员工和社区,我们正在协调我们所有的活动,具有最高的法律和道德标准的社会责任感.我们的公司运营已经制定并正在通过参考相关的公司治理准则和国际标准(包括EICC行为准则)进行审核和更新.
符合RoHS标准
香港NKG晶体公司致力于自2004年以来提供符合RoHS标准的产品.除了我们对重金属的内部XRF测试外,我们还在第三方进行定期测试,并与我们的材料供应商密切合作,以确保所有石英晶体振荡器,SMD晶振,石英晶振产品完全符合EURPPEAN理事会.
我们所有晶振,SAW滤波器,陶瓷谐振器产品均符合“指令2011/65/EU”及其修订.我们的大多数产品完全符合要求(也称为6/6兼容),被认为是无铅产品.极少数项目属于RoHS豁免,无法避免使用LEAD(Pb).
香港NKG CRYSAL的所有石英贴片晶振,有源晶振,陶瓷谐振器,滤波器,SPXO晶振,TCXO振荡器均符合新颁布的RoHS指令要求,符合“指令2015/863”,并且不含任何列出的四种邻苯二甲酸盐.这种合规性也可称为RoHS10兼容.
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- [行业新闻]集成电路系统的平衡和低阻抗晶振的使用2019年01月16日 14:19
随着专用集成电路的普及,其性能和速度也有了更高的限制,同时驱动多个设备变得更加困难,这是高性能系统目前的局限,所以我们需要一个强大的时钟晶振源来增强使用空间.但是由于快速边沿速率,系统中部署的较高频率导致长PCB迹线表现得像传输线.维护平衡系统需要适当的终止技术来实现应用程序中的跟踪路由.
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- [行业新闻]美国进口MXT57差分晶振的参数特性2019年01月14日 10:28
如今网络高速,大数据对于使用石英晶体振荡器,贴片晶振要求越来越高,因此差分输出晶振应用越来越多.差分晶振输出是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.最常见的差分晶体振荡器输出是LVDS,HCSL,LVPECL等方式.
我们接下来所要介绍的是美国进口MXT57差分晶振的参数特性.MXT57差分晶振是一系列超低抖动,工业标准TCXO晶体振荡器,旨在最大限度地提高网络,存储,服务器和电信设备的性能.MXT57差分晶振系列在-40℃至+85℃的工作温度范围内具有±2.5ppm的总稳定性,采用经过验证的组装方法,与传统的TCXO组装工艺相比,可提高长期可靠性并最大限度地减少老化漂移.作为具有可编程输出格式的定制ASIC和OE选项,这些具有差分输出的TCXO晶振可以配置为与任何标准6引脚TCXO兼容,标准选项和频率可用.
MXT57差分晶振参数特性
输出频率2.5MHz至850MHz
相位噪声低至190fs(F0=156.25MHz,积分带宽1.875MHz至20MHz)
超低杂散(典型值为-100dBc或更高)
过电压和温度±2.5ppm精度偏差
支持CMOS,LVPECL,LVDS和HCSL输出
2.375V至3.63V电源电压
输出使能选项:可以在引脚1或引脚2上进行有序
行业标准,节省空间的5.0mmx7.0mm6引脚封装
-40℃至+85℃的工作温度范围
无铅且符合RoHS标准
模拟TCXO,温度转换期间无相位凸起
缩短生产周期应用
应用
•10/40/100G以太网•SONET光通信•PCIeGen3/4/5•光纤通道/SAS•CPRI/OBSAI,XAUI和背板SERDES等.
差分晶振的频率相对都比较高,作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分晶振被广泛使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.
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- [亿金快讯]Microchip晶振提供业界功耗最低的LoRa系统微控制器2019年01月14日 09:44
Microchip晶振提供业界功耗最低的LoRa系统微控制器系列,凭借业界领先的低功耗,SAMR34/35器件,实现远程无线连接,同时延长系统电池寿命.
MicrochipTechnologyInc.是微控制器,模拟,FPGA,石英晶振晶体元件,连接和电源管理半导体的领先供应商.其易于使用的开发工具和全面的产品组合使客户能够创建最佳设计,从而降低风险,同时降低总体系统成本和上市时间.该公司的解决方案为工业,汽车,消费品,航空航天和国防,通信和计算市场的130,000多家客户提供服务.Microchip晶振集团总部位于亚利桑那州钱德勒,为广大用户提供出色的技术支持以及可靠的交付和质量.
2018年11月13日-LORA®(长距离)技术是通过远距离无线连接的低功耗性能的结合延长事(物联网)的网络的覆盖范围.为了加速基于LoRa的连接解决方案的开发,MicrochipTechnologyInc.今天推出了一款高度集成的LoRa系统级封装(SiP)系列,具有超低功耗32位微控制器(MCU),sub-GHzRFLoRa收发器和软件堆栈.所述SAMR34/35的SiP提供经过认证的参考设计和经验证的与主要LoRaWAN™网关和网络提供商的互操作性,通过硬件,软件和支持显着简化整个开发过程.包括石英贴片晶振这些器件还提供业界在睡眠模式下的最低功耗,可在远程IoT节点中延长电池寿命.
大多数LoRa终端设备长时间保持睡眠模式,仅偶尔唤醒以传输小数据包.搭载了超低功率SAML21臂®皮质®-M0+基于MCU中,SAMR34微控制器设备提供的睡眠模式低至790nA至显著降低功耗并在最终应用中延长电池寿命.SAMR34/35系列高度集成在紧凑的6x6mm封装中,是需要小尺寸设计和多年电池寿命的各种远程,低功耗物联网应用的理想选择.
除了超低功耗外,简化的开发过程意味着开发人员可以通过将他们的应用代码与Microchip的LoRaWAN堆栈相结合来加速他们的设计,并使用AtmelStudio支持的ATSAMR34-XPRO开发板(DM320111)进行快速原型设计.7软件开发工具包(SDK).该开发板通过了美国联邦通信委员会(FCC),加拿大工业部(IC)和无线电设备指令(RED)的认证,使开发人员相信他们的设计将满足不同地区的政府要求.
在物联网应用中晶振也是不可缺少的重要器件.晶振提供电路频率信号源,小体积,重量轻,品质高,实现高精度低功耗,高性能应用.Microchip晶振,石英晶体振荡器,查分晶振,多种封装尺寸满足市场需求.
LORA技术旨在实现低功耗应用在比Zigbee的更远的距离进行通信®,的Wi-Fi®和Bluetooth®使用LoRaWAN开放协议.LoRaWAN适用于智能城市,农业监控和供应链跟踪等一系列应用,可以创建可在城市和乡村环境中运行的灵活物联网网络.根据LoRaAlliance™,LoRaWAN运营商的数量在过去12个月中从40个增加到80个,超过100个国家积极开发LoRaWAN网络.“LoRa生态系统正在进入加速增长阶段,作为LoRa联盟的创始成员之一,Microchip晶振一直是推动该技术成功的强大动力,”Microchip晶振集团无线解决方案业务部副总裁SteveCaldwell说..“SAMR34延续了Microchip作为小型,低功耗器件的一站式服务的声誉,这些器件带来了免费软件,卓越的客户支持和可靠供应的优势.”
Microchip晶振的LoRaWAN堆栈支持SAMR34/35系列,以及经过认证和验证的芯片封装封装,使客户能够以更低的风险加速RF应用的设计.通过支持从862到1020MHz的全球LoRaWAN操作,开发人员可以跨地域使用单个部件变体,简化设计流程并减少库存负担.SAMR34/35系列支持A类和C类终端设备以及专有的点对点连接.
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- [行业新闻]KDS CYRSTAL新推出超小型DSX1210A通信应用晶体2019年01月12日 10:40
日本进口晶振包括KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,京瓷晶振等品牌,深入人心被广泛用于世界各地.读说日本是生产电子元件的强国,这话一点也不假.就拿日本大真空晶体来说,一直以来为用户提供了大量优秀的晶振产品,紧跟时代发展,总能快速的研发并生产出符合市场需求的石英贴片晶振,有源晶振.下面亿金电子要给大家介绍的就是KDS CYRSTAL新推出超小型DSX1210A通信应用晶体.
DSX1210A晶振产品图
大真空DSX1210A晶振从型号我们便可知道是一款体积超小的SMD晶振,1.2x1.0mm,厚度仅有0.3mm,超薄型,超轻量.此款1210贴片晶振频率范围在32MHZ~96MHZ之间,满足用户需求提供8PF,10PF,12PF等多种负载电容选择.DSX1210A晶振精度范围在±20PPM,工作温度-30℃~+85℃之间,储存温度可达-40℃~+85℃范围.
DSX1210A晶振规格图
型号名称
频率范围
32MHz
37.4MHz/38.4MHz/40MHz
48MHz/52MHz
80MHz/96MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
8pF,10pF,12pF
激励程度
10μW(最大100μW)
频率容差偏差
±20×10-6(25°C时)
串联电阻
最大100Ω
最大60Ω
最大40Ω
最大30Ω
频率温度特性
±30×10-6/-30至+85°C(参考温度至25°C)
储存温度范围
-40至+85°C
包装单位
3000个/卷(φ180)
超小型DSX1210A通信应用晶体采用编带盘装,一盘为3000个.可实现高密度安装,不必要防潮包装管理,湿度敏感等级:LEVEL1(IPC/JEDEC J-STD-033).在产品中使用具有高精度,高可靠特点.大真空DSX1210A晶振对于通信应用,可以对应老化±1×10-6/年,±3×10-6/5年,为通信设备最佳选择.
DSX1210A晶振尺寸图
日本进口DSX1210A晶振具有小体积,精度稳定,性能强,耐高温等优势,被广泛用于下一代小型设备,如移动通信设备,短距离无线模块,数字AV设备,PC以及可穿戴设备等.亿金电子代理KDS晶振,提供各种晶振型号,包括1C208000BC0晶振,1XTW26000MAA温补晶振,1RAA26000ABA热敏晶振,1TJF125FP1A000A晶振,1XTV16800CFA晶振,1ZCB26000LB0B贴片晶振,1XXB40000CCA温补晶振,1TD125DHNS004晶振,1TC125DFNS019圆柱晶振,1TJH090DR1A0003贴片晶振等.更多KDS石英贴片晶振型号规格欢迎致电0755-27876565.
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- [技术支持]NKG CRYSTAL音叉石英晶体简介2019年01月10日 17:35
- 音叉晶体,或者也称为腕表晶体,是古老的晶体设计之一,用于手表,如32.768K时钟以及当今计算机和其他电子设备中的时间控制,如实时时钟( RTC ).NKG CRYSTAL音叉石英晶体这些晶体单元正在以各种封装尺寸和形状批量生产.正如工业中的任何地方一样,小型化也影响了这种晶体类型,这导致了更小的封装和SMD晶振形式,能够进行SMT加工.
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- [行业新闻]FILTRONETICS晶振生产实力2019年01月05日 09:02
位于密苏里州堪萨斯城的Filtronetics晶振公司成立于1970年.这些年来,Filtronetics开发了广泛的频率产品系列,生产各种定制和批量生产的滤波器,石英晶体,贴片晶振,晶体振荡器,线圈,陶瓷谐振器,SAWS和微型单片滤波器.适用于各种应用领域从通信到仪器仪表,用于商业,工业和军事应用.
我们的使命是成为所有客户的重要供应商,成为世界500强公司.我们还提供广泛的产品线晶体滤波器,SMD晶振,TCXO晶振,单片滤波器,SAW滤波器,腔和带状线滤波器,集总器件元件滤波器和石英晶体振荡器.
Filtronetics,Inc.与我们的客户合作,在整个开发过程中指导他们,为电信中的关键应用提供技术支持,如ATM,SONET,LAN,数据处理和高可靠性应用.Filtronetics,Inc.聘请了技术/工程人员,他们在电气方面拥有数十年的综合经验工程,Auto-Cad,高可靠性,物理,应用数学和机械工程.
质量是FILTRONETICS晶振集团成功的基础.质量控制部门提供超过30年的经验经验.目前的质量标准基于ISO-9001并已注册.客户或项目还提供具体要求,以及符合IPC-610,MIL-STD-202,MIL-STD-883,MIL-STD-2000,J-STD001和许多其他标准.
设计
FILTRONETICS晶振提供广泛的设计经验和能力.我们提供滤波器设计,石英晶体振荡器设计,石英晶体,SMD晶振设计,电子系统设计和机电设计.我们拥有经验丰富的工程师,科学家和绘图员,以经济高效,专业的方式完成项目.我们可以提供包括模拟,图纸和测试结果的文档.此外,我们可以构建原型和生产运行.请联系我们以满足您的需求
测试
FILTRONETICS,Inc.具有广泛的测试能力.以下部分列表是可以进行资格测试,石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器样品测试或100%测试的测试.其中许多测试都在我们自己的工厂进行.其他人则在专门从事这些测试的认可设施中进行.这些测试可以按照特定标准执行,例如MIL-STD-202,MIL-F-18327,MIL-STD-883,MIL-STD-810,MIL-STD-220,MIL-STD-210,IPC等等.
部件
FILTRONETICS,Inc.可以使用其广泛的Filtronetics,Inc.可以帮助您设计和制造符合您规格的石英晶振,晶体滤波器,贴片晶振,SAW滤波器,温补晶振等产品.知识和经验,以帮助设计,制造和测试电气和机械组件.我们的特殊能力包括:完整的系统组装和测试、子装配、印刷电路板组装、自动化SMT组装、手组装、线圈绕组、水晶制造业、定制SMT和通孔、封装、温度测试、冲击和振动测试、电压老化、封装/发泡、修改或升级到现有产品
打包
许多电子组件必须在恶劣环境中工作或者包装以进行自动装配.Filtronetics晶振可以利用其经验包装电子产品,以满足苛刻的制造和军事类型的要求.我们可以设计和布局您的装配.用密封包装来构建它.将其封装在轻质泡沫中或用导热环氧树脂包裹.
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- [行业新闻]基准信号源所需差分振荡器的关键规格与爱普生差分晶振介绍2019年01月04日 13:38
通信传输网络的世界中,核心网、城域网、移动回传网、接入网和企业网络(LAN/SAN)从上至下呈树状分布.每种网络均设定了各自通信所需的独自规格.而且,伴随近年高速通信终端及影像传输等普及,骨干网中流过的通信量有增无减,通信的高速、大容量化进展迅速,通信基础设备亦不断扩充.进行如上所示的高速数据通信的通信协议需要具备传输线路、系统以及误码率等性能.
误码率(以下简称为“BER”)是指进行收发信之际,收信方接收数据中的误码数除以发出的数据总字节数得出的错误率.尤其对于BER,信号所具有的噪音和抖动是非常重要的参数,对信号品质的影响极大.本次,我们将说明基准信号源所需差分振荡器的关键规格与爱普生差分晶振介绍,基于通信设备所需的信号品质而要求差分晶振,差分晶体振荡器具备的关键规格,并介绍市场中销售的振荡器结构及特征,以及适于通信设备的爱普生差分晶振型号.
【高速通信系统的构成】
首先,用图1表示两只收发模块之间通过PCI、SATA或10GbE等各种通信协议传输数据的常用通信系统传输线路.在这样的系统中,使用石英晶体振荡器生成基准信号.通常,基准信号用低于数据传输率的频率起振.所以,为了以基准信号生成串联数据,发送方使用收发模块中的锁相环电路(PLL,PhaseLockedLoop)把基准信号频率倍增到需要的频率后发送.与此相对,接收方使用收到的数据流中内含锁相环电路的时钟数据恢复(ClockDataRecovery)复原基准信号,并用复原后的基准信号复原数据.在部分高端系统中,也采用根据接收方所持有的基准信号复原数据的方式.如上所示,在收发信的过程中随时进行着信号的转换与复原.在日益高速的通信中,接收方必须正确判断接收的数据是0还是1.因此,如何抑制信号自身的抖动和噪音提高信号品质、如何设计最佳的传输线路专用集成电路是非常重要的课题.
通信系统传输线路的构成
【信号品质评估手法】
评估通信系统中信号本身的品质时,经常使用眼图.眼图是使用示波器等测试仪器收集大量高速数字信号波形后重合而成的图形,由于波形重合后呈“眼”状而得名.假设传输线路的通信协议为10GbE,该系统中传输10Gbps的信号所用时间(长度)为各字节100微微秒.评估信号品质时,将每隔100微微秒重复出现的信号相重合后制成眼图.假设基准信号很纯正且传输线路的专用集成电路设计良好,则可以获得如图2左所示的几乎完全重合的波形.与其相反,如果基准信号中噪音和抖动较多、或因专用集成电路的设计而产生传输线路的频带不足等损失,信号波形则会变得不稳定,重合后的波形呈现图2右所示的眼睛逐渐闭拢的情况.
判断信号数据是0还是1时,重要的是开眼部的长宽足够大.
开眼部因噪音和抖动而缩小,将导致接收方无法准确判断信号数据,BER变高.现在几乎所有通信系统均要求BER至少应达到1×10-12.这意味着每传输1012字节的数据时允许出现1个字节的错误.综上所述,从眼图中可以获得噪音、抖动或频带不足等有关信号品质的各种信息.
用眼图表示的信号品质
【构成抖动的要素】
图3表示通信系统中抖动的构成要素.总体抖动TJ(TotalJitter)用确定性抖动DJ(DeterministicJitter)与随机抖动RJ(RandomJitter)之和来表示.确定性抖动表示因电路设计、电磁感应或外界因素而产生的抖动.确定性抖动的特征是差分晶振,差分振荡器频率扩散保持一定,且与时间变化无关.作为基准信号源的差分石英晶振,差分晶体振荡器性能中影响确定性抖动的是失真和分谐波.
随机抖动名副其实表示无法预测的抖动成份.它受元器件自身的特性、热噪音等因素的影响而自然产生.随机抖动的特征是随时间而扩散.作为基准信号源的差分晶振性能中,影响随机抖动的正是基准信号源的抖动.其它系统中的因素也被归类为产生抖动的要因,例如插件的电源噪音与串扰、因电缆设计等影响而引起的频带不足是产生确定性抖动的要因,而专用集成电路的噪音等则是产生随时抖动的要因.因此,系统设计人员需要通过改善专用集成电路的设计、变更基板布局以及变更部品等减小总体抖动.
抖动的构成要素
【市场中销售的振荡器(基准信号源)的结构与特征】
首先,读者应该已理解,要维持信号品质就必须选择噪音和抖动影响少的基准信号源,也就是我们说的晶振,而差分晶振就是最好的选择.在此,我们将说明现在市场中销售的有源晶振,石英晶体振荡器的结构(类型)及其特征.
现在市场中销售的石英晶体振荡器大致可分为4种类型,其结构如图4所示.
振荡器的结构
第一种是最为常见的基波起振的差分石英晶振,晶体振荡器.这种差分振荡器的噪音、抖动及失真特性十分优越,能提供高精度和高性能的所有特性.它的电路组成也相对简单,所以能够把耗电量控制在较小程度.
第二种是利用三次谐波的差分晶振晶体振荡器.谐波起振的电路设计中所采用的方法是利用滤波电路减小基波的负电阻,以所需倍数(这里是三次)的频率产生负电阻.这种方法可以获得基波起振的情况下难以获得的高频输出,并且可以保持较高的Q值,从而能够获得良好的低接近载波相位噪音性.然而由于电路设计(调整)较为复杂,这种方法也存在着耗电量增加,以及电容比增大而使频率可变幅度变小的缺点.
第三种是利用锁相环电路的差分晶体振荡器.这种振荡器把石英或硅谐振器作为基准信号源发出输入信号,利用锁相环电路生成输入信号的同步信号,输出必要的频率.因此,这种方法的优点在于利用锁相环电路技术获得任意频率的便利性以及能够提供高频之处.但是,它的电路结构较为复杂致使耗电量增加,对噪音及抖动性能也带来了不良影响.我们以前也曾经介绍过,在使用硅谐振器的情况下,由于硅谐振单元所具有的温度特性不佳,需要补偿的温度范围太大而无法进行模拟式的温度补偿,因此必须采用锁相环电路技术进行温度补偿.所以,它在控制信号噪音和抖动的品质指标方面十分不利.
最后是LC振荡器.这种振荡器与锁相环电路一样极为方便,施加功率后输出较大的振幅,且本底噪音也较低.与此相反,由于材料本身所具有的Q值较低,所以频率稳定度和老化特征较差,低接近载波相位噪音性也存在着问题.
如上所示,市场中销售的差分晶体振荡器有着不同的结构,应当根据用途选择适宜的石英贴片晶振,差分晶振产品.为了回应这些需求,爱普生晶振向顾客提供已具备了作为基准信号源所需相位噪音特性、相位抖动和失真特性的差分石英晶振,差分晶体振荡器产品,以此致力于维护顾客通信系统的信号品质.
【适用于通信系统的低相位抖动的爱普生差分晶振型号介绍】
爱普生将基波振荡器(类型1)定为主力产品,已形成了具备高速通信系统所需抖动性能的不同的产品阵容.表1表示其中具有代表性的产品.我们原则使用石英晶体单元作为波源.频率不到80MHz的振荡器使用AT型石英晶体,80MHz以上则使用了采用反向台形AT型石英晶体的高频基波模式(HighFrequencyFundamental,HFF)技术,提供SG系列振荡器以及VG系列压控晶体振荡器.我们还提供使用表面声波(SAW)技术并具有最佳抖动性能的EG、XG系列SAW振荡器,以及EV系列压控型SAW振荡器(VCSO).
而且,我们准备了CMOS、LV-PECL、LVDS、HCSL等各种输出差分晶振,全部产品均保持了石英本身所具有的出色优点,并拥有能够充分满足各种用途的顾客要求的信号品质的石英贴片晶振,有源晶振,晶体振荡器规格.
表1:爱普生振荡器产品阵容与相位抖动实力数据
*1:相位抖动代表数字(Typ.)以条件栏中所示频率的偏离频率12kHz~20MHz的条件下,由爱普生晶振公司测试、计算得出.
今后,爱普生将扩充带差分输出的SG系列,并将增添应对多种输出的SAW振荡器等新阵容,不断提供拥有抖动及噪音的优秀性能的产品,以满足作为基准信号源的必备条件.关于产品的详细规格,欢迎咨询亿金电子爱普生晶振代理商.
- 阅读(165)
- [亿金快讯]韩国SUNNY晶振发展介绍2018年12月28日 13:43
韩国SUNNY晶振成立于1966年9月15日,主要为生产销售石英晶体振荡器,贴片晶振,SUNNY石英晶体,小体积晶振晶体,晶体谐振器,晶体滤波器,恒温晶体振荡器等产品.SUNNY 晶振发展至今50多年,一直为用户提供高性能,低功耗产品.
三呢电子为满足人工智能,物联网,大数据,移动和先进的信息和通信技术发展对小型电子元件的需求,不断研发制造,高可靠性,微小型,高精度的石英贴片晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器等产品.
韩国三呢晶振发展历史
2018年
08':SCO-A21型AEC-Q200认证完成,车载晶振,高温贴片晶振,有源晶振加大生产量
03':CEO的就职典礼
2017年
12':SX-A21型AEC-Q200认证完成
06':SX-A22型AEC-Q200认证考试完成
2016年
12':SX-A32型AEC-Q200认证完成
11':SCO-A22型AEC-Q200认证经过测试
05':SCO-A32型AEC-Q200认证完成
01':低电流(10μA)贴片32.768K有源晶振开始批量生产
2015年
12':与Sunny Electronics-SiTime(三呢晶振)签署战略合作伙伴关系
11':被指定为忠北的质量管理优秀企业
10':开发双输出振荡器,差分晶振,差分输出晶体振荡器
09':开发出高稳定性3225贴片晶振,3225带电压晶体振荡器
06':三呢晶振开发出3225压控晶振,3225有源晶振,3225差分晶振LVPECL和LVDS输出
02':开始批量生产超小型贴片晶振2016mm封装
01':SMD(SMD 2016晶振)设施投资
2014年
10':贴片晶体振荡器 3225 OSC,X-TAL全面批量生产
09':SMD 5032晶振差分系列LVDS-PECL以及VCXO晶振批量生产(最大400MHZ)
06':增资(117.6亿韩元)
04':新开发超小型贴片晶振,2520晶振VCXO压控晶体振荡器系列
2013年
12':碳合作伙伴认证(LG Display)
12':开发AT-cut基础PECL VCXO晶振
07':开发5032贴片晶振,可编程PECL XO和LVDS XO系列
2012年
10':开发出7050晶振低相位噪声VCXO电压控制晶体振荡器
09':开始批量生产3225贴片晶振压控系列,3225压控晶体振荡器
08':7050晶振可编程系列PECL XO,LVDS XO开发
07':70MHz晶体滤波器的开发
06': 3225温补晶振的开发和批量生产
05':贴片晶振 7050 18~20 kHz低频OSC开发
2011年
12':被选为LG电子的优秀合作伙伴
11':2520贴片晶振,3225贴片晶振80~200MHz高频OSC开发
2010年
02':开始生产贴片晶振,OSC石英晶体振荡器2520mm系列
基于通过降低成本提高盈利能力,Sunny Electronics专注于开发可以引领下一代市场的多功能,高附加值产品和质量改进.并且制造具备高性能,低老化,宽温度的有源晶振,车载晶振,石英晶体振荡器,用汽车电子,工业机械设备,并获得AEC-Q200认证.
我们将通过不断创新进一步拓展现有业务,并通过各种挑战和学习,努力发现未来的新增长业务. 我们将尽最大努力履行客户和我们的股东给予我们的爱和信任的社会责任.
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- [行业新闻]亿金电子2019年元旦假期通知2018年12月28日 09:35
尊敬的新老客户:
元旦将至,根据国务院规定2019年元旦假期为3天,亿金电子2018年12月30日至2019年1月1日放假调休,共3天.2018年12月29日(星期六)上班.当然大伙觉得不尽兴的可以请几天假拼在一起.拼假建议:2019年1月2日(周三)~2019年1月4日(周五)请假3天,可拼8天元旦小长假,就问你嗨不嗨森.
深圳市亿金电子有限公司全体上下员工祝各位新老用户元旦快乐!出游多注意人身财产安全.遇事不慌张.元旦都来了年假还会远吗?不到一个月的时候也要放年假了,各位用户使用晶振需要订货备货的抓紧时间安排哦,以免耽误生产交期,财富热线0755-27876565,18924600166,欢迎致电.
深圳市亿金电子有限公司
2018年12月28日- 阅读(91)
- [行业新闻]村田制造的水晶单元与传统石英晶振结构的不同2018年12月26日 09:50
说到村田生产的电子元件想必很多人会想到的都是村田贴片电容,村田陶瓷晶振.其实近几年村田也开始了石英晶振的研发制造,并且获得广大用户所认可,取得可观成绩.下面亿金电子给大家介绍下村田制作所水晶单元的起源,以及村田石英晶振的优点和各种应用.
村田制作所的水晶单元采用突破性且独特的包装技术,在现有产品中无与伦比,提供卓越的品质,生产规模和性价比.
村田制造所水晶单元的优点
村田制作所水晶单元的起源
村田制作所已提供陶瓷谐振器(CERALOCK ®)市场的四十多年里,作为微型计算机和其他设备的参考时钟使用.为了支持需要比陶瓷谐振器具有更高频率精度的时钟的设备,使用我们独特的技术,Murata和Tokyo Denpa共同开发了微型且高度可靠的石英晶振,贴片晶体单元.自2009年起,我们开始为消费者市场供应产品,自2013年起开始为汽车市场供应产品.
市场业绩-村田制作所的水晶单元在各种应用中都很活跃由于对速度和容量的需求增加,与东京Denpa联合开发的产品已被更多产品所采用,因为HDD/SSD/USB和其他存储设备开始使用小型晶体单元.后来,村田制作所的水晶单元开始被用于NFC,智能手机具有个人认证/电子货币支付功能.
由于AV/PC/汽车设备和Wi-Fi通信设备对小型设备的需求不断增长,以及配备BT/BLE通信功能的可穿戴设备和智能手机外围设备的市场增长,小型贴片晶振,石英晶体设备的采用仍在增加连接到智能手机.
客户选择村田制作所的水晶单元的原因-由陶瓷谐振器培育的高可靠性/低成本封装的采用(CERALOCK ®)
村田制作石英贴片晶振使用的封装结构与典型的水晶单元不同.虽然常规晶振晶体单元使用具有腔体结构的陶瓷基板,但村田制作所的石英晶振单元使用的结构将金属帽与平面陶瓷基板结合在一起,该陶瓷基板具有多年可追溯的陶瓷谐振器.与传统的石英晶体单元相比,使用高度通用的平面陶瓷基板和金属盖可以降低材料成本,实现稳定的供应,并提高产量.
村田制作所为客户提供价值-村田晶振拥有先进的生产技术,从水晶石生产,设计,制造到我们自己的原始设备到全球销售网络的集成系统.至今村田中国已拥有19个销售据点、4个工厂以及4个研发设计基地,近距离为客户提供及时有效的服务和技术支持.
全球销售系统
村田石英晶振产品型号列表
系列 类型 尺寸(mm) 频率 笔记 XRCTD
XRCEDMCR1210晶振 1.2×1.0×0.30
1.2×1.0×0.3332至52MHz
金属密封封装,适用于小型消费设备的小型无线通信设备
XRCFDXRCMDMCR1612晶振 1.6×1.2×0.35
1.6×1.2×0.33
24至48MHz
XRCGBHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7
24至50MHz
用于消费者设备的无线通信设备的树脂密封包装
XRCPBHCR2016晶振 2.0×1.6×0.5
24至48MHz
XRCHAHCR2520晶振 2.5×2.0×0.8
16至20MHz
XRCHA_F_AHCR2520晶振 2.5×2.0×0.8 16至24MHz 用于汽车以太网/ FlexRay
XRCGE_F_AHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 20至23.99MHz 用于汽车MCU等
XRCGB_F_AHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 24至48MHz 用于汽车以太网/ FlexRay
XRCGB_F_CHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 27.6MHz 用于汽车舒适/安全信息娱乐 XRCGB_F_GHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 24至48MHz 用于汽车仅用于信息娱乐 - 阅读(187)
- [行业新闻]Silabs高性能差分晶振参数特点2018年12月25日 11:40
Silabs晶振英文全称为Silicon Labs,是美国知名石英晶体,贴片晶振,有源晶体振荡器制造商.拥有先进的生产技术以及仪器设备,下面是Silabs高性能差分晶振参数特点介绍.
美国Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶体振荡器采用我们最新的第四代DSPLL技术,在任何高达3GHz的输出频率下提供超低抖动,低相位噪声时钟.该系列包括具有业界领先的相位抖动的差分晶振,差分晶体振荡器,低至80fs(飞秒),适用于光网络,100G+光模块,宽带,数据中心,广播视频,测试和测量,mil/aero和FPGA应用.
Silabs高性能差分晶振高性能,低损耗,高精度是下一代定时应用的理想选择,可提供系统设计人员所需的频率灵活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振荡器提供工业标准3.2x5mm和5x7mm封装的单双,四和I2C选项,可实现与传统XO有源晶振和VCXO压控晶振的兼容性.
Silabs高性能差分晶振业界最低抖动,最宽频率范围,任何频率,拥有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的灵活性=更加安心
业界领先的抖动性能
晶振频率范围宽,频率分辨率<1ppb
提供单,双,四,I2C配置
I2C支持100kHz(标准),400kHz(快速模式)和1MHz(快速模式加)更新速率
减少部件号:定义4个启动频率,使用I2C在启动后生成任何频率
出色的电源噪声抑制(-80dBc典型值)可确保电噪声系统中的低抖动操作
出色的温度和总稳定性(-40至85℃)
贴片晶振封装尺寸3.2x5mm和5x7mm
根据产品需求可提供3.3,2.5,1.8V多种电源电压
具有多种差分输出方式包括:LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和双CMOS
Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每台设备100%的电气测试
Silabs差分晶振样品可提供1-2周的交货时间
适用于任何频率的一致,超低抖动性能
收集的测量值超过700个常用频率
无论整数频率还是分数频率,都具有超低抖动
使用我们的振荡器相位噪声查找工具可获得特定频率的相位噪声图,请问联系我们0755-27876565.
- 阅读(336)
- [客户案例]亿金工程为条码机工厂解决【晶振工作不稳定情况】2018年12月15日 13:38
- 客户做条码机的晶振旁边的C4两个电容用22PF的,那么晶振就不能用20PF的了,IC要求晶振负载最大不能超过25PF,就算是用25PF的,晶振也不能用20PF的负载电容.于是给客户重新匹配49贴片晶振负载电容.根据亿金电子技术工程初步分析外围电容所造成晶振不良,如果外围电容不变的情况下,晶振本身的负载建议使用12PF的,当然这只是理论匹配,实际还需要考虑IC允不允许使用12PF的.
- 阅读(223)
- [亿金快讯]日本大真空32.768K晶振常用型号编码2018年12月14日 11:49
日本大真空KDS晶振成立发展至今拥有高人气,为国际一线品牌,却仍不忘研发创新,为更多用户提供更多有价值的晶振产品.每年所生产KDS晶振月产量超6000万颗,每一颗晶振均经过30多道工序,按照国际操作标准进行,并且获得ISO9001质量管理体系认证,具有高可靠使用特性,获得广大用户所认可.
大真空32.768K晶振型号
型号名称 尺寸(mm) 频率范围(kHz) 频率容差偏差(×10-6)@+25°C 串联电阻(最大kΩ) 工作温度范围(°C) 负载电容(pF) 激励等级(μW)
大号 w ^ H(最大) 分钟 最大 分钟 最大 DST1210A 1.2 1.0 0.35 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST1610A 1.6 1.0 0.5 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST1610AL 1.6 1.0 0.35 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST210AC 2.0 1.2 0.55 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST310S 3.2 1.5 0.85 32.768 32.768 ±20 50/80 -40 + 85 7,9,12.5 0.2 DST311S 3.2 1.5 0.85 32.768 32.768 ±20 50/80 -40 + 85 7,9,12.5 0.2 DMX-26S 8 3.8 2.5 三十 90 ±20 50 -40 + 85 7,9,12.5 1.0 DT-26 φ2.0 φ2.0 6 32.768 32.768 ±20(等级A)±30(等级B) 40 -10 +60 12.5 1.0 DT-261 φ2.0 φ2.0 6 28 90 ±20(等级A)±30(等级B) 40 -10 +60 12.5 1.0 DT-381 φ3.0 φ3.0 8 20 90 ±20(等级A)±30(等级B) 30 -10 +60 12.5 1.0
DST310S晶振尺寸为3.2x1.5mm,厚度薄,重量轻,是32.768K贴片晶振应用比较多的一款,具有7PF,9PF,12.5PF等多种负载电容可供选择.不仅耐高温-40℃~85℃,并且满足车规级产品需求可达-40℃~125℃范围.符合AEC-Q200标准,满足高温回流焊接的温度曲线要求.
大真空32.768K晶振编码
晶振编码
品牌
晶振型号
晶振频率
晶振尺寸
1TJS060FJ4A308
KDS晶振
DMX-26S晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060FJ4A901Q
KDS晶振
DMX-26S晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060DJ4A934Q
KDS晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125BJ4A602P
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJH090DR1A0003
KDS晶振
DST1610A晶振
32.768KHZ
1.6x1.0mm
1TJG090DR1A0013
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG125DR1A0004
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG080DP1A0001
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJF090DP1A000A
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF090DP1AI067
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1A000A
KDS晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1AI115
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125FP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJE125DP1A000A
KDS晶振
DST410S石英晶振
32.768KHZ
4.1x1.5mm
1TD060DHNS006
KDS晶振
DT-26音叉晶体
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD060DHNS009
KDS晶振
DT-26音叉晶体
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD125DHNS004
KDS晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD090DHNS001
KDS晶振
DT-26晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD080DJNS001
KDS晶振
DT-26插件晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
32ETJS125DJ
KDS晶振
DT-26T插件晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TC080DFNS001
KDS晶振
DT-38圆柱晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
1TC125DFNS019
KDS晶振
DT-38圆柱晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
1TC125BFNS008
KDS晶振
DT-38晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
32.768K晶振如上晶振编码表格所示,具有插件以及贴片晶振封装,为了满足广大用户需求,KDS晶振提供2x6,3x8插件以及2012,3215,4115,8038封装为客户选择.32.768K晶振被广泛用于时钟产品,数码相机,液晶显示屏,笔记本,智能手机,GPS导航,智能锁,仪器仪表,蓝牙等智能产品,具有精度稳定,老化低,耐高温,抗振性强等特点.
- 阅读(184)
- [技术支持]1C227120CC0E晶振编码隐藏的重大信息2018年12月13日 10:22
KDS晶振成立至今在国内享有重要地位,成为世界一流的晶体元件生产制造商.不仅拥有领先业界的生产技术,并且能够为广大用户提供多种产品应用解决方案,成为业内领头羊.以下为亿金电子提供日本进口晶振,包括精工爱普生晶体,NDK晶振,KDS晶振,西铁城晶振,京瓷晶振,大河晶振等品牌.以下为亿金电子所提供的DSX321G晶振型号编码,欢迎广大用户收藏选用.
DSX321G晶振参数
型号名称
DSX321G晶振
频率范围
12~20MHz
20-27MHz
27至64MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
8pF,10pF,12pF
激励程度
10μW(最大200μW)
频率容差偏差
±20×10-6(25°C时)
串联电阻
最大80Ω
最大60Ω
最大50Ω
频率温度特性
±30×10-6/-30至+85°C(参考温度至25°C)
储存温度范围
-40至+85°C
包装单位
3000个/卷(φ180)
3225晶振具有陶瓷面封装以及金属面封装,而DSX321G晶振属于陶瓷面封装.提供7.9M~64MHZ频率,常规负载电容可供8PF,10PF,12PF等,精度可控制在正负20PPM以内.DSX321G晶振满足不同领域需求,可提供工业级和汽车级,具有使用可靠性高,性能稳定等优势之选.
DSX321G晶振编码
晶振编码
品牌
型号
频率
尺寸
1C208000CE0H
KDS
8.000MHZ
3.2x2.5mm
1C209830CC0C
KDS
DSX321G晶振
9.8304MHZ
3.2x2.5mm
1C208000BB0B
KDS
DSX321G晶振
8.000MHZ
3.2x2.5mm
1C211059EE0K
KDS
DSX321G晶振
11.0592MHZ
3.2x2.5mm
1C211289EE0C
KDS
DSX321G晶振
11.2896MHZ
3.2x2.5mm
1C212000AA0H
KDS
DSX321G晶振
12.000MHZ
3.2x2.5mm
1N212000BC0AK
KDS
DSX321G晶振
12.000MHZ
3.2x2.5mm
1C212288EE0B
KDS
DSX321G晶振
12.288MHZ
3.2x2.5mm
1B214318CC0F
KDS
DSX321G晶振
14.31818MHZ
3.2x2.5mm
1C214745BC0D
KDS
DSX321G晶振
14.7456MHZ
3.2x2.5mm
1N214745CE0F
KDS
14.7456MHZ
3.2x2.5mm
1N216000AB0AT
KDS
DSX321G晶振
16.000MHZ
3.2x2.5mm
1N216000CC0B
KDS
DSX321G晶振
16.000MHZ
3.2x2.5mm
1C319200AA0A
KDS
DSX321G晶振
19.200MHZ
3.2x2.5mm
1N220000AB0B
KDS
DSX321G晶振
20.000MHZ
3.2x2.5mm
1N224000BC0E
KDS
DSX321G晶振
24.000MHZ
3.2x2.5mm
1C225000BC0AV
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1N225000BC0J
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1N225000BC0M
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1C326000AB0AR
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N326000AB0AR
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N326000AA0AS
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0D
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0E
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0G
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0L
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1C227120CC0E
KDS
DSX321G晶振
27.120MHZ
3.2x2.5mm
1N230000AB0C
KDS
DSX321G晶振
30.000MHZ
3.2x2.5mm
1N230000EE0N
KDS
DSX321G晶振
30.000MHZ
3.2x2.5mm
1N232000AA0G
KDS
DSX321G晶振
32.000MHZ
3.2x2.5mm
1N232000AA0N
KDS
DSX321G晶振
32.000MHZ
3.2x2.5mm
1C338400AA0B
KDS
DSX321G晶振
38.400MHZ
3.2x2.5mm
1N240000AB0J
KDS
DSX321G晶振
40.000MHZ
3.2x2.5mm
1C244395BC0A
KDS
DSX321G晶振
44.395MHZ
3.2x2.5mm
1C254000CC0C
KDS
DSX321G晶振
54.000MHZ
3.2x2.5mm
1C255466CC0J
KDS
DSX321G晶振
55.46667MHZ
3.2x2.5mm
1C262400CC0A
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
1C262400CC0N
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
1N262400CC0N
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
日本DSX321G晶振是采用黑色陶瓷面的石英晶体谐振器,体积为3.2x2.5mm,在产品中使用具有耐高温,低功耗,电气性强等特点.文中所列举的为KDS晶振市场常用频率晶振编码,我们都知道每个晶振都有专属自己的编码,代表不同的参数,更多KDS晶振编码参数请致电0755-27876565.
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- [亿金快讯]推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法2018年12月12日 10:11
美国Abracon Crystal在晶体行业拥有一致好评,是国内诸多大型企业所认可并且指定美国进口晶振品牌.主要生产销售石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,晶体滤波器等压电晶体元件.以下为亿金电子所推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法,欢迎广大用户收藏使用.
一、电气
1.Abracon石英晶体振荡器采用CMOS技术ASIC芯片具有极高的ESD灵敏度.向振荡器供电时单位,请务必在连接之前检查极性终端.反转极性连接可能导致设备电气(死)或机械损坏(燃烧,颜色变化).针1通常由封面上标有黑点标识.一定要申请Abracon有源晶振的电压不超过最大规定值通常大7Vdc.formost CMOSIC.在评级下申请电压可能导致tono(不稳定)振荡.大部分金属电子元件,石英晶体振荡器有内置的旁路保护器,这是一个很好的做法,添加Vdd终端附近的外部旁路保护器0.01μF.该外部电容器用作过压保护电压和过电流保护装置.
2.负载阻抗示波器阻抗应大于1MΩ,探头电容小于15pF.施加的载荷应包括探针电容.所有引线长度应尽可能短特别是地面痕迹.从晶体振荡器输出到负载的输出走线(下一个IC)应保持较短并避免平行或交叉布局另一个热门信号追踪.杂散电容和电感很重要影响石英晶振晶体单元的输出阻抗,并应最小化.
3.输出频率应用a测量精密频率计数器使用参考外部时基.制作在记录最终结果之前,一定要稳定还石英晶振,石英晶体振荡器(预热)频率值,特别是高频和高电流单位.
二、机械
1.振动和冲击,不要施加或引起晶振突然的冲击和振动超出其最大规格的单位.Severedrop或被硬物击中可能会损坏设备的电气和机械.如果在组装或使用前掉落,请对设备进行测试.
2.安装,石英晶振,SMD晶振在搬运和安装过程中应采取以下预防措施包括插件晶振和石英晶体振荡器:
•请勿将引线强行扩散或弯曲到插座或PCB孔中.这个将避免在部件引线周围开裂玻璃绝缘层.
•不要施加过多的焊接热量-建议最大值温度为380,使用手工烙铁焊接晶振时进行最长持续时间3秒
•浸焊/波峰焊时,焊接条件为最高温度为260℃,最大持续时间为10秒.建议将石英晶振晶体安装在垂直位置.在安装前弯曲引线时,必须有一个从壳体到壳体的最小距离为3mm弯曲以避免引线周围的玻璃绝缘破裂组件.
•焊接晶振时,请勿将热量施加到晶振壳体上接触焊接热量的元件会使元件恶化产品的性能.所有SMD晶振应采用以下注意事项:使用设备上推荐的适当回流条件规格.请确保不要超过建议的值回流曲线参数:峰值温度,每个阶段的最大持续时间,曝光次数/回流次数,温度变化率与时间等.
注意:这是一般指导原则.个别产品系列可能有不同的推荐焊接条件.请联系亿金电子技术部0755-27876565在有疑问时提供详情资料.
3.清洁,建议用水等清洗方法流动使用水或喷射压力水清洗以避免溶剂引起的物理损坏.一些溶剂,如那些含有氯,可能会导致某些金属变色组件也包括在内.不要超过建议的最大值清洁时的温度.由于存在损坏的风险,应避免超声波清洁到水晶元素.
三、打包
虽然Abracon晶振内置了防静电保护电路ASIC,过大的静电电平可能会损坏设备.Abracon晶振公司使用非导电包装材料用于所有石英贴片晶振,晶体振荡器.肯定会在处理设备之前先用ESD带接地.
四、处理未使用的终端
一些Abracon石英晶振包括三态函数.虽然有是一个内部上拉电阻,以防止浮动,建议使用100kΩ的电阻将三态端子端接到Vdd系列.
五、存储
请将所有Abracon石英晶振,贴片晶振存放在常温常湿下.高湿度可能会导致设备老化.避免长时间存放期.如果长期存放,请在使用前进行视觉和电气检查.
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- [亿金快讯]艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用2018年12月05日 10:09
- 美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.
美国艾迪悌XU-XL晶振型号
PDFIMGXL XO HCMOS, LVDS, LVPECL 0.75-1350 2.5,3.3 1 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C PDFIMGXU XO HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL 0.75-1350 1.8,2.5,3.3 0.4 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.
美国艾迪悌XU差分晶振参数
IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序(OTP)可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.
美国艾迪悌差分晶振代码
Digi-Key Part Number IDT晶振原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 高度 800-2857-2-ND XUL535150.000JS6I8 IDT OSC 150MHZ LVDS 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2859-6-ND XUN535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ HCSL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2863-2-ND XUP535156.250JS6I8 IDT OSC 156.25MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-3701-ND XUL736150.000JU6I IDT OSC XO 150.0000MHZ LVDS 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3704-ND XUP736125.000JU6I IDT OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3720-ND XUP536212.500JS6I IDT OSC XO 212.5000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 631-1360-ND XLL726250.000000I IDT OSC XO 250.000MHZ LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1304-ND XLL73V148.500000I IDT OSC VCXO 148.5MHZ LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1305-ND XLP73V153.600000I IDT OSC VCXO 153.60MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 800-2860-6-ND XUP535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2861-2-ND XUP535125.000JS6I8 IDT OSC 125MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) XLL520085.000000X-ND XLL520085.000000X IDT OSCILLATOR XO 85.000MHZ LVDS 2.5V (5.15mm x 3.35mm) (1.40mm) XLP738148.351648X-ND XLP738148.351648X IDT OSC XO 148.351648MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列
IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs(典型值)RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装(3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm)当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括:网络、通信、数据I/O、存储和服务器. - 阅读(376)
- [亿金快讯]美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂编码代码参数分解2018年11月28日 17:30
- Integrated Device Technology, Inc.是美国IDT晶振的英文全称.IDT晶振集团是电子元件行业协会 (ECIA) 的正式成员,电子元件行业协会是电子元器件制造商及其供应商授权分销合作伙伴和独立现场销售代表组成的非营利性行业协会. 发展至今在世界各地均设有石英晶振,有源晶振研发生产基地,销售网点遍布全球,是世界500强企业.以下为IDT有源晶振,美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂代码编码参数分解
艾迪悌差分晶振型号
IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.
艾迪悌差分晶振代码编码
Digi-Key Part Number 原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 631-1365-ND XLL736060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735135.000000X-ND XLL735135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000X-ND XLL735040.000000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP735025.000000X-ND XLP735025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL726135.000000X-ND XLL726135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) XLL735060.000000I-ND XLL735060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000I-ND XLL735040.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736135.000000X-ND XLL736135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736106.250000X-ND XLL736106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL526155.520000I-ND XLL526155.520000I IDT晶振 OSC XO 155.520MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (5.00mm x 3.20mm) XLL736080.000000I-ND XLL736080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL536080.000000I-ND XLL536080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLL730106.250000X-ND XLL730106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL730060.000000I-ND XLL730060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735106.250000I-ND XLL735106.250000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP535075.000000X-ND XLP535075.000000X IDT晶振 OSC XO 75.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLP535025.000000X-ND XLP535025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) - 阅读(148)
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