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福克斯超小型表晶,FK121进口晶振,FK121EIWM0.032768-T5医疗器械晶振
福克斯超小型表晶,FK121进口晶振,FK121EIWM0.032768-T5医疗器械晶振,美国FOX晶振公司,FK121系列晶振,石英晶振,石英晶体谐振器,无源晶振,贴片晶振,智能手表晶振,音叉晶振,32.768KHz晶振,超小型晶振,1210晶振,无源晶振,医疗手表晶振,移动通讯晶振,微型晶振,航空航天晶振,,环保无铅晶振,低损耗晶振,高精度晶振,二脚晶振,进口晶振,美国晶振,无源石英谐振器。通过创造尖端产品,提高石英晶振的精度性能,可靠性与准确性。更多 +
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407F35D029M4912 CTS 29.4912MHz 18PF 30PPM 7050
407F35D029M4912 CTS 29.4912MHz 18PF 30PPM 7050,欧美贴片石英晶振,特性?标准7.0mm x 5.0mm陶瓷表面安装包?基本和第三泛音晶体设计?频率范围6-133MHz?频率公差,±30ppm标准?频率稳定,±50ppm标准,工作温度-40°C+85°C,稳定频率超过温度和驱动器水平,磁带和卷轴包装标准,EIA-481,RoHS/绿色兼容[6/6]。407型是一种接缝密封陶瓷封装石英谐振器,为各种应用提供优异的性能,包括;无线通信、宽带接入、WLAN/WiMax/WIFI、测试和测量、便携式设备和计算机外设。更多 +
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CTS,402F360XXCAR,36MHz,15PPM,10PF,2016,-20~70℃
更多 +CTS,402F360XXCAR,36MHz,15PPM,10PF,2016,-20~70℃,欧美2016晶振,功能:标准2.0mm x 1.6mm接缝焊接包,基本晶体设计,频率范围16-60MHz?频率公差,±20ppm标准,频率稳定,±30ppm标准,工作温度-40°C+85°C,胶带和卷轴包装标准,EIA-481,RoHS/绿色兼容[6/6],402型是一种低成本的石英谐振器,用于广泛的商业应用,包括可穿戴和手持电子、笔记本、平板电脑,计算机外设,蓝牙,ZigBee和USB接口。
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405C35B16M36800|16.368MHz|13PF|30PPM|5032
405C35B16M36800|16.368MHz|13PF|30PPM|5032,CTS晶振,特性,标准5.0毫米x3.2毫米接缝焊接包,基本晶体设计,频率范围6.76438-54MHz,频率公差,±30ppm标准,频率稳定性,±30ppm标准,操作温度-40°C+85°C,稳定频率温度和驱动器水平,磁带和卷轴包装标准,EIA-481,RoHS/绿色兼容[/6/6]应用模型405是一个低成本石英谐振器用于广泛的商业应用,包括WLAN/WiMax/WiFi,A/V,蓝牙,ZigBee和USB接口,笔记本,计算机外设和便携式设备。更多 +
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CTS,403I35D24M00000,18PF,30PPM,3225,-40~85℃
CTS,403I35D24M00000,18PF,30PPM,3225,-40~85℃,SMD晶振,特性,标准3.2毫米x2.5毫米接缝焊接包,基本晶体设计,频率范围10-60MHz,频率公差,±30ppm标准,频率稳定性,±30ppm标准,工作温度-40°C+85°C,稳定频率温度和驱动器水平,磁带和卷轴包装标准,EIA-481,RoHS/绿色兼容[6/6]应用模型403是一个低成本石英谐振器用于广泛的商业应用包括WLAN/WiMax/WiFi,A/V,蓝牙、ZigBee和USB接口,笔记本、电脑外设和便携式设备。更多 +
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416F44022CKR|20PPM|44MHz|8PF|1612|CTS
416F44022CKR|20PPM|44MHz|8PF|1612|CTS,美国进口贴片石英晶振,密封陶瓷表面安装封装?基本晶体设计?频率范围24-80MHz?频率公差,±20ppm标准?频率稳定性,±20ppm标准?工作温度范围到-40°C到+85°C?磁带和卷轴包装,EIA-418,可穿戴和手持式电子设备,无线通信,FPGA/微控制器,计算机外设,USB接口,测量设备,消费电子产品,高密度板布局,CTS416型采用了一个高Q石英谐振器,是支持广泛的商业和工业应用的理想选择。更多 +
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C5S石英谐振器,AKER Crystal,C5S-26.000-18-3050-X-R晶振
智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.更多 +
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golledge晶振,32.768K,CM9V晶振
1610mm贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.更多 +
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精工晶振,时钟晶振,SC-32T晶振
更多 +工作温度:-40℃~+85℃
保存温度:-55℃~+125℃
负载电容:12.5pF
小体积贴片3215mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型具备优良的耐环境特性及高耐热性强.
- [亿金快讯]Statek Corporation2023年09月04日 09:52
1970年,Statek公司率先使用光刻,化学蚀刻和微加工等半导体技术来制造晶圆形式的石英谐振器。今天,Statek在设计,开发和制造高度可靠的超微型石英频率控制产品方面仍然处于创新的最前沿。创新的内部设计、生产和测试能力不仅使新产品的快速开发和验证成为可能,而且还使产品的关键特性不断改进,如低加速度灵敏度、高冲击、严格的校准公差、低老化、耐辐射,以及在越来越高的工作温度下高度稳定的频率。
- 阅读(34)
- [技术支持]石英谐振器还是石英振荡器--如何选择?2023年06月14日 14:28
- 石英谐振器还是石英振荡器--如何选择?电子组件的开发人员经常面临的问题是,应该使用石英振荡器还是石英振荡器。必须满足各种边界条件,如空间要求,频率稳定性,器件成本和开发成本.
- 阅读(652)
- [亿金快讯]一种晶体谐振器式传感器及器具,可用于新冠病毒抗原监测2020年09月02日 17:47
一种晶体谐振器式传感器及器具,可用于新冠病毒抗原监测
恩?什么叫晶体谐振器(石英晶振)式的传感器及工具?是的,最初小编看到的时候也是脑袋瓜子”嗡嗡嗡”的,下面我们就来一起探讨一下.
- 阅读(61)
- [行业新闻]1TJH090DR1A0003晶振代表什么意思2019年01月12日 13:44
每一颗晶振都是在经过了30多道工序,严谨操作下所生产,为了更好的保证客户使用晶振,在反复检测没问题之后才会包装出厂.而每个晶振品牌都有代表自家晶振的型号,为了区分不同型号同时也为每个晶振建立了代码,也就是晶振编码.那么1TJH090DR1A0003晶振代表什么意思?下面亿金电子进口晶振代理商为大家解决疑惑.
1TJH090DR1A0003晶振是日本KDS晶振品牌的编码,型号为DST1610A晶体,尺寸1.6x1.0x0.5mm,频率为32.768K,采用陶瓷封装和金属盖,两脚表贴式,编带盘装可用自动机械焊接,为工厂企业节省了时间以及人力资源.
DST1610A晶振参数列表
型号名称
DST1610A晶振
频率范围
32.768kHz
负载能力
7pF,9pF,12.5pF
激励程度
0.1μW(最大0.5μW)
频率容差偏差
±20×10-6(25°C时)
串联电阻
最大80kΩ
顶点温度
+25°C±5°C
二次温度系数
×10-0.04-6/℃2最大值.
工作温度范围
-40至+85°C
储存温度范围
-40至+85°C
并行容量
1.3pF典型值.
包装单位
3,000个/卷(φ180)
通过上面的参数表我们可以知道DST1610A晶振精度偏差控制在±20PPM范围,并且为不同领域产品提供7PF,9PF,12.5PF多种选项.具有耐高温特点-40℃~85℃,电阻最大为80kΩ,其他规格参数可以联系亿金电子销售部0755-27876565.
大真空32.768K贴片晶振编码列表
晶振编码
晶振品牌
晶振型号
晶振频率
晶振尺寸
1TJS060FJ4A308
KDS晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060FJ4A901Q
KDS晶振
DMX-26S晶体谐振器
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060DJ4A934Q
KDS晶振
DMX-26S晶体谐振器
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125BJ4A602P
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJH090DR1A0003
KDS晶振
32.768KHZ
1.6x1.0mm
1TJG090DR1A0013
KDS晶振
DST210A石英晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG125DR1A0004
KDS晶振
DST210A石英晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG080DP1A0001
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJF090DP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF090DP1AI067
KDS晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1AI115
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125FP1A000A
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJE125DP1A000A
KDS晶振
DST410S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
日本大真空32.768K贴片晶振系列,超紧凑,薄型,重量轻,SMD音叉型石英谐振器.具有精度高,可靠性高,抗振性强等特点.32.768K贴片晶振支持多种应用,包括移动通信设备和消费类设备,时钟设备,数码电子等.
- 阅读(252)
- [行业新闻]有关晶振会遇到的问题这里面肯定有你要的答案?2018年04月26日 11:00
石英晶振的市场发展前景可观,只要是电子产品就少不了用到晶体元件,尽管晶振产品应用再广泛,在选用一款晶振的时候还是会遇到很多的问题,相信不少晶振销售也遇到过很多这样的情况.下面是亿金电子整理的一些有关晶振会遇到的问题,更多欢迎咨询亿金电子销售部.
1.压电石英晶体单元指的是什么呢?
压电石英晶体单元是一种电子元件,用于频率控制、滤波和时钟控制.它由一个装有电极的石英谐振器组成,封装在一个密封的封装中,它提供了与电路的某种连接方式.压电石英晶体单元通常称为“晶体”.
2.采购一款石英晶振产品需要知道哪些信息呢?
所需的最小信息是Holder或包、频率和相关(串联谐振,或并联谐振时的负载电容).具体可以咨询亿金电子销售人员0755-27876565.
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- [技术支持]银电极层对石英晶振谐振频率产生的影响2018年03月13日 09:08
从石英晶体谐振器的等效电路可知,它有两个谐振频率,即(1)当L、C R支路发生串联谐振时,石英晶体谐振器的等效阻抗最小(等于R)。串联揩振频率用fs表示,石英晶体对于串联揩振频率fs呈纯阻性;(2)当频率高于fs时,L、C、R支路呈感性,可与电容C0发生并联谐振,其并联频率用fd表示。工程技术中石英谐振器就工作在fs到fd范围内或这两个频率的奇次谐频上。
根据石英晶振的等效电路,可定性画出它的电抗一频率特性曲线如图2.3所示。可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联揩振频率fd时,石英晶体呈容性。仅在fs
极窄的范围内,石英晶体呈感性。石英晶体表面附着电极层后的膜系结构示意图如图24所示。 Sauerbrey方程用于描述石英晶体谐振频率与晶体表面附着物质(此处为上、下两面的银电极层)之间的变化关系,该方程如下:
其中f0为石英晶振原始谐振频率(单位为Hz),△f为晶振的频率变化量(单位为Hz),△m为晶体变化的质量(单位为gcm-2),A是晶体有效面积(即电极面积,单位为cm2),pμ是石英晶体的密度,μφ为晶体剪切弹性模量。
对于指定晶振晶片,fo、A、pμ、qμ均为常数,因而, △f与△m的绝对值成正比,负号表示表面银电极层质量的增加,会引起石英晶振谐振频率的减少;而表面银电极层质量的减少,会引起石英晶振谐振频率的增加。即:增加银层质量和减少银层质量两种方法都可以改变石英晶振的谐振频率。
可见,附加的银电极层会对石英晶振器的谐振频率产生影响。因而工业生产中,一般先制作出与目标频率接近的石英晶片并附加表面电极,再通过改变表面电极厚度方法,来微调晶振频率以达到目标频率。
- 阅读(133)
- [技术支持]在产品中作为测量元件时石英晶振的重要性能参数2018年02月24日 17:35
晶振作为测量元件时的重要性能参数
石英晶振本身具有很多性能参数,除了前面所提及的串联谐振频率、并联谐振频率外,还有制造公差、拐点温度等,已经有很多文献对此作了论述但对于测量来说,选用石英晶体的重要原因是因为它的高频稳定性和极小的振幅。所以本文只对晶体的品质因数、频率一电流特性、频率一温度特性进行了论述。
晶体的品质因数Q是晶体的最重要参数。在一定程度上,当其他条件相同时,Q值越高晶体振荡器的频率稳定度越高,石英晶振晶体的品质因数Q是由晶体的动态参数决定的,即:
其中ω为测试系数。
晶振的品质因数通常不作规定,对于标准部件,Q值通常在20000-200000之间,精密晶体可高达5×10°,这比传统的微悬臂的Q值要高100-1000倍。
石英晶体谐振器的频率一电流特性,就是激励电平和谐振频率的关系,它是由石英晶振的物理特性决定的。激励电平通常以晶振的耗散的功率、流过晶振的电流以及晶振两端的电压来量度,晶振电流的变化使其串联谐振频率发生交化。石英晶振的谐振频率相对变化与晶振电流的关系,可以用下面的近似关系表示:
其中D是振的电流常数
从上述关系式可以看出,当激励电平增大时,产生了以下影响:(1)频率产生了漂移,长期稳定性变坏。石英晶振晶振的弹性常数发生了变化,因此引起了频率的漂移,随着晶振的激励电流增高,晶振的频率稳定性显著下降。(2)晶振温度增加。当晶振的激励电平过高时,使得石英贴片晶振被加热到热平衡的温度也引起了频率变化。(3)产生了寄生振荡。(4)等效电阻加大。内部分子运动加剧,使得等效电阻加大,Q值下降。
在实际测量中,当激励电流过大时,石英贴片晶振振荡的幅值过大,导致测量的精度下降,同时不易控制样品表面与针尖之间的距离,所以一般不能采用较高的激励电流。但是激励电平也不能过小,否则由于噪声电平的限制,使瞬态稳定性变坏,这样获得的图像质量就比较差。
晶振的另外一个值得注意的参数是晶振的频率一温度特性,所谓晶振的频率一温度特性就是石英晶振的谐振器的频率随温度变化而变化的特性。晶振的工作温度变化时,晶格变形,从而使得其串联谐振电路发生变化。石英晶体谐振器在温度较窄的范围中,具有较小的温度系数,这就是说频率受温度的变化的影响比较小。但随着温度变得较低(<50°C)和变得较大时(>80°C)时,石英谐振器的频率随着温度的变化有较大的变化。在国外的文献中已经有报道将晶振放在真空、低温、强磁场的环境下进行测量,这时晶振的频率将与常温时有
明显的不同,而且石英晶体谐振器切型不同,晶振频率的变化方向也不同,所以在实验室应该对测试温度和环境加以控制。同时由于测试环境的变化,如何保持仪器的稳定性, 也是一个值得注意的问题。
亿金电子从事石英晶体行业十几年,多年来诚信经营,精益求精,为广大用户提供小尺寸,高精度,低价格晶振产品,并且免费提供晶振技术资料下载.亿金电子晶振厂家同时代理日本台湾欧美进口晶振品牌,KDS晶振,爱普生精工晶体,京瓷贴片晶振,TXC晶体,CTS晶振,IDT晶振,鸿星石英晶振,(SPXO晶振)普通晶体振荡器,(TCXO晶振)温补晶体振荡器,(OCXO晶振)恒温晶体振荡器等.亿金电子为品胜,奇瑞汽车,联想电脑,中兴华为等国内多家知名企业频率部件指定供应商,产品广泛用于航空,家居,机械,安防,电子,网络,通信等各种领域.
- 阅读(187)
- [技术支持]石英晶振作为微力传感器来取代传统的微悬臂和位移检测装置2018年02月06日 09:28
石英晶振主要用在电路中作稳频元件。为了克服传统的扫描探针显微镜在应用中的不足,本文采用石英晶振作为微力传感器来取代传统的微悬臂和位移检测装置。而石英晶振有两个优点:
1、压电效应,从而使石英晶振免去了中间转化环节,形成一个独立的直接和即时的微力测量单元。
2、空气中极高的品质因素,从而使最小可测力梯度减小,传感器的灵敏度提高。
2.1晶振作为测量元件的物理特性研究
石英晶体是六棱柱而两端呈角锥形的结晶体,其化学成分是Si02,下图所示是石英晶振晶体的坐标轴系:
通常将通过两顶端的轴线称为光轴(Z轴),与光轴垂直又通过晶体切面的六个角的三条轴线称为电轴(X轴),与光轴垂直又和石英晶振晶体横切面六边形的六个边垂直的三条轴线称为机械轴(Y轴),X轴、Y轴、Z轴统称为晶体的坐标轴系。在同一方向上,石英晶振晶体的性质是完全相同的。
石英晶体是一种各向异性的晶体,它具有正压电效应。沿某一机械轴或者电轴施加压力,则在垂直于这些轴的两个表面上就产生了异号电荷,其值与机械压力产生的机械形变成正比,若施以张力,则表面上的电荷与受压时的符号相反。造成这种结果的原因是贴片晶振,石英晶振晶体的晶格在压力下变形,导致电荷分布不均匀。石英晶体还具有逆压电效应,如果在石英晶体两个面之间加一电场,则晶体在电轴或机械轴方向上就会延伸或压缩,延伸或压缩量与电场强度成正比。
如果将石英晶体置于交变电场中,则在电场的作用下,贴片晶振晶体的体积会发生周期性的压缩或拉伸的变化,这样就形成了晶体的机械振动,晶体的振动频率应等于交变电场的频率,在电路中也就是驱动电源的频率。当石英晶体谐振器振动时,在它的两表面产生交变电荷,结果在电路中出现了交变电流,这样压电效应使得晶体具有了导电性,可以视之为一个电路元件。石英晶振晶体本身还具有固有振动频率,此振动频率决定于晶体的几何尺寸、密度、弹性和泛音次数,当石英晶振晶体,有源晶振的固有振动频率和加于其上的交变电场的频率相同时,晶体就会发生谐振,此时振动的幅值最大,同时压电效应在石英晶振晶体表面产生的电荷数量和压电电导性也达最大,这样石英晶体谐振器,石英晶振晶体的机械振动与外面的电场形成电压谐振,这就是石英晶体作为振荡器的理论基础。
石英晶体的电气特性可用图中所示的等效电路图来表示,由等效电阻R1、等效电感L1和等效电容C1组成的串联谐振回路和静态电容Co并联组成,静态电容C0主要由贴片晶振,有源晶振,石英晶体的尺寸与电极确定,再加上支架电容组成。等效电感L1和等效电容C1由切型、石英晶体片和电极的尺寸形状来确定。等效电阻R1是决定石英晶振Q的主要因素,是直接影响石英晶体谐振器工作效果的一个重要参数。R1不仅由切型、石英晶体片形状、尺寸、电极决定,而且加工条件、装架方法等对其影响也很大。因此,同一型号,同一频率的若干产品其Q值也相差很大。
在等效电路中,L1和C1组成串联谐振电路,谐振频率为:
通常石英晶体谐振器的阻抗频率特性可用图2.3表示。此处忽略了等效电阻R1的影响,由图可见,当工作频率f
时,晶体呈容性;当工作频率在f0与f之间时,晶体呈感性;当工作频率f>f时,晶体又呈容性。晶体在晶体振荡器主振荡级的振荡电路呈现感性,即工作频率在f于f之间。 - 阅读(146)
- [技术支持]OCXO恒温晶振的老化率以及频率温度特性2018年02月05日 09:42
恒温晶振(OCXO)介绍
恒温晶体振荡器OCXO( Oven Controlled Crystal Oscillator),是目前频率稳定度和精确度最高的石英晶体振荡器。它在老化率、温度稳定性、长期稳定度和短期稳定度等方面的性能都非常好,作为精密的时频信号源被广泛用于全球定位系统通信、计量、频谱及网络分析仪等电子仪器中。目前,绝大多数高稳定度石英晶体振荡器都采用了将晶体恒温的方法,使用精密的恒温控制槽,将槽内温度调节到晶体谐振器的零温度系数点上。这样,能最大限度地克服温度对晶体振荡器频率的影响,被广泛用作标准频率源。恒温晶体振荡器包括以下几个基本组成部分。
1.高精密的石英谐振器
石英诸振器是振荡电路的核心元件。正确选择切角是制作频率温度系数好的石英谐振器的必要条件,特别是在宽温度范围内使用的石英晶体谐振器更是如此。目前恒温晶体振荡器中常用的石英谐振器有AT切和SC切两种。它们具有频率温度系数小,Q值高,老化效应小等特点。
2.稳定的振荡电路
由于恒温晶体振荡器要求频率稳定度高,除了在控温电路方面要达到一定的控温精度外,振荡电路本身稳定性也是起决定性作用的。恒温晶体振荡器中振荡电路的基本功能就是把直流电能转变成具有一定频率、幅度且频率高度稳定的交流电能,这种转换是在石英谐振器的参与下进行的。其中最突出的问题就是频率的稳定性。所以分析、设计振荡电路都以此为前提。
3.结构完善、温控良好的精密恒温箱
精密恒温箱是由恒温槽,温度控制电路及其它辅助装置组成的恒温系统。在晶体振荡器中,用来使石英谐振器和有关电路元件保持恒温。其作用是把石英晶振,石英谐振器的温度稳定在石英谐振器的拐点温度处,从而充分发挥拐点温度附近石英谐振器的频率温度系数小的特性,使其得到合理使用。设计一个符合要求的恒温槽和选择一个性能良好的温度控制电路对稳定频率起着举足轻重的作用。因此一个高稳定的晶体振荡器,不但应具有稳定的振荡电路,而且还必须有性能良好的恒温箱来保证其频率的稳定,两者缺一不可。随着对晶体振荡器稳定度要求的逐步提高,对恒温箱的控温精度要求也越来越高,目前,频率稳定度在100~10量级的晶体振荡器,其恒温箱的温度控制精度应在0.001℃以内。
随着通信技术的不断提高,对恒温晶振的要求越来越高,使其不断向着高精度与高稳定化,低噪声与高频化、低功耗、快启动、小型化方向发展。
晶振的相关数学定义
假设晶振输出信号为正弦波,其数学模型可以表示为:
式中VO为标称峰值输出电压,§(t)为幅度偏移,φ(t)为相位偏差,fr为标称频率。
瞬时频率为:
相对频率偏移为:
式中x(t)=
为时间偏差,由式(2-7)可以得到:
瞬时频率的常用公式为:
式中f(t)为t时刻的瞬时频率值,fO为t=0时刻的频率值,fr为标称频率,D(t)为频率漂移率。
由式(2-7)和(2-9)可推导出:
式中,y为初始相对频率偏差。
由式(2-8)和(2-10)可以得到:
式中,x为初始时间偏差,也叫做同步误差。
一般性能比较好的石英晶振,日老化率近似为常数,特别是对于OCXO晶振,在频率保持模式下,我们只考虑老化对实际频率的影响。很多晶振的老化指标用的是年老化率,如±0.05ppm( Part per Million),一般情况下我们可以近似得出日老化率, 大概为年老化率的百分之一。
假设晶振老化率为常数,式(210)变为:
其中当|Bt|<<1时,有ln(Bt+1)→Br,式(2-17)变为式(2-12)的形式:
y(t)=C+ ABt 式(2-18)
图2.4给出了典型的老化率数学模型。可以看出石英晶振的老化率可以为正数可以为负数,也可能会产生图中曲线y3(t)的情况。图2.5为铷原子频标的老化曲线,由于测试曲线的后半段存在参考和被测之间因漂移方向相同的现象,从而导致漂移问题不是很明显。
式中,do、d为正数,参数aj(n),j=1,2,…,M由当前数据输入和上次数据输出迭代估计得到,价值函数为
通过最小化价值函数,可以得到参数a,(n),j=1,2,…,M,得到t(n)时刻的ao a1…aM后,t(n+l)时刻的相对频率偏差预测值为:
系列实验表明,估计性能对d0、d和M的取值不是很敏感,建议取值为d=1~05d(M-1),d=0.1~1.0,M=5~10。加权对数函数模型的缺点是计算比较复杂。
2.2.4晶振的频率温度特性
除过老化的影响,温度也是影响频率变化的主要因素,而不同切型的晶体的频率一温度特性是不一样的,一般AT切基频晶体的频率一温度变化关系都是三次曲线,存在若干个零温度系数点,如图2.6所示。
因此对其进行温度补偿时要采用具有非线性函数拟合能力的数学模型。然而由于OCXO恒温晶振中一般采用SC切晶体,虽然其频率一温度变化曲线也是非线性的, 但是其频率一温度稳定度在宽温度范围内较AT切晶体有很大改善,并且由于它将石英晶体、振荡电路以及部分其它线路置于精密恒温槽中,恒温槽的工作温度选择在所用晶体的零温度系数点处,因此OCXO恒温晶振的频率温度系数非常小。当恒温槽的工作温度波动被控制在很小范围内时,如优于百分之一摄氏度时,其频率温度变化也可以被限制在很小的范围内,而且正是由于这种恒温作用,其频率温度变化曲线非常接近于线性。所以对OCXO恒温晶振的频率温度变化的预测可以采用线性数学模型, 而Kalman滤波算法正是一种较好的线性模型估计器,因此用它来拟合OCXO恒温晶振的频率温度特性曲线是合适的。
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