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晶振在指定的温度范围之外是否能够正常工作?

是! 例如,如果在-10到+ 60°C范围内指定晶振晶体,它将在-40到+ 85°C范围内无任何问题地执行,但有可能超出其指定的稳定性.如果应用程序仅需要稳定的频率而不是准确的频率,这可能无关紧要.

什么是最常见的石英晶体切割?

最为常见的石英晶体AT切割,从1M~200MHZ晶振大部分都是AT切割型.当然这是指的相对于石英棒的Z轴的标称角度.切割角度决定了频率/温度性能,通常由晶体制造商选择.

为什么指定晶振的工作温度范围很重要?

晶振温度可以分为工业级,汽车级,消费级等,使用石英晶振,贴片晶振如果温度明显超出规定的温度范围,则可能会导致石英晶振晶体损坏.

解释基频晶体和泛音晶体之间的差异?

基频晶体以由石英坯料的尺寸确定的频率振荡.泛音晶体在基波的第3,第5或第7倍运行.该晶体专门设计用于在这些模式下运行.

考虑把通孔晶振改为SMD晶振我需要考虑哪些问题?

这取决于应用程序.如果例如晶体是可拉的,即可以通过电气装置改变晶体的负载电容来改变频率,那么这可能难以实现.例如,条形毛坯SMD晶体具有比HC49型圆形坯料封装低得多的可拉性.不应轻易进行此练习,如果您有任何疑问,请联系亿金电子技术部获取进一步的建议.

我的产品使用晶振应选择晶体谐振器还是晶体振荡器?

关键在于你的产品需要.如果您正在设计分立电路并且很少或没有振荡器设计经验,那么最好使用有源晶振,贴片石英晶体振荡器,因为这样可以消除任何容差问题.为实验室使用设计“一次性”是“容易的”,但如果你必须批量生产,这可能会引起各种各样的问题.如果您正在使用需要晶体来驱动它的芯片组,那么这个决定要简单得多,因为板载振荡器电路应该已经过优化.

以前有的晶振型号,现在没有看到了,是否不生产了,还能用吗?

一些晶振型号随着科技产品发展被淘汰没有生产了,诸如一些大体积的贴片晶振,陶瓷晶振等.各用户在选用晶振时可咨询亿金电子业务部,晶振在参数封装尺寸一致时可相互替换使用.亿金电子提供多个晶振品牌,可满足用户选择.

亿金电子进口晶振代理商供货交期快吗?

是的,亿金电子代理台湾晶振,日本进口晶振,欧美晶振多个品牌,市场常用品牌型号均有备货.当然非常规型号也还可以找到替代型号,也可以选择可编程晶振.在某些情况下可以使用可编程晶振,可编程晶振与固定频率设备兼容,并且通常可以在几个工作日内提供-自定义固定频率可能需要生产至少6周.可编程振荡器尤其适用于时间紧迫的原型设计.

SPXO/VCXO/OCXO和TCXO晶振之间有什么区别?

SPXO时钟晶体振荡器

SPXO或时钟振荡器是基本类型的振荡器,由晶振和基本驱动电路组成.由于没有任何形式的补偿,频率/温度稳定性基本上是晶体本身的稳定性-通常为±50ppm.VCXO电压控制晶体振荡器

一种带电压控制功能的石英晶体振荡器,它依赖于石英晶体的固有可拉性,以便通过施加外部电压来改变振荡器输出的输出频率.这种变化限于几十ppm,通常为±100ppm.与SPXO有源晶振一样,频率/温度稳定性是晶体本身的稳定性.

TCXO控制温度补偿晶体振荡器

如果晶体的稳定性不足,可能需要使用TCXO温补晶振,TCXO温度补偿晶体振荡器.这种类型的器件用于基础石英晶体的稳定性不足的地方.通常TCXO晶振可以实现小于1ppm的稳定性,而不是30ppm的典型晶体.

OCXO恒温控制晶体振荡器

“终极”压电产品是OCXO晶振或Oven Controlled Crystal Oscillator.如果需要非常高的稳定性,则应考虑此类产品.这些类型的设备提供典型的3E10-9性能.

贵公司官网上没有的晶振型号是不是就没有生产?

一般市场常用晶振品牌型号规格都有货,包括温补晶振,VCXO晶体振荡器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,差分晶振,可编程晶振等.从1008晶振~8045晶振均有提供.亿金电子技术工程也一直不断开发更多高价值的晶振产品,一直在不断上更新,完善现有产品,用户在选用晶振是可咨询我们业务部0755-27876565.

为什么石英贴片晶振封装越来越越小?

随着电子产品,智能产品小型化,便捷式发展,石英贴片晶振封装越做越小.从开始的7.0x5.0mm贴片晶振到现在世界级超小1008贴片晶振,一直在变化,向着小型,高精度,超薄型发展,大大的节省了电路空间并且保留了原有的晶振性能,具有高可靠使用特性.

当然晶振体积越小频率越高，晶振片越小，起始频率越高，例如7050贴片晶振的最低频率为8MHZ，而5032贴片晶振封装最低频率为16M。较低的频率通过外部分频实现,这增加了电路复杂性.

艾博康晶振集团是国际知名频率元件,磁性元件,压电水晶元件生产制造商,拥有领先业界的技术,采用全自动仪器设备,先进的经营理念,主要为用户提供优质石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,晶体谐振器等产品.发展至今在苏格兰,德国,德克萨斯州,中国说,台湾,等多个国家设有生产销售基地.

艾博康Abracon晶振不仅为用户提供高品质的产品,并且拥有专业的技术工程为用户提供产品解决方案和技术指导.亿金电子代理Abracon晶振,以下所推荐的是Abracon集团为无线充电解决方案提供的SMD晶振及线圈优势.

用于SEMTECH LINKCHARGE™20 TSDMRX-19V20W-EVM参考设计,20W双模RX无线充电线圈

Abracon的AWCCA-RX350300-101无线充电线圈经过优化,可满足要求Semtech的LinkCharge™20 TSDMRX-19V20W-EVM参考设计板.作为Semtech完整无线充电解决方案的一部分,这可以在20W时提供高达85％的效率线圈实现无线充电解决方案的接收侧.它专为紧凑型应用而设计具有35mm直径,实现高功率密度,最小高度为3.15mm.

高达85％的高效电力传输

   Abracon贴片晶振在无线充电系统中提供数据传输,实现快速充电的作用.它的原理便是无线充电是指利用电磁波感应原理进行充电的设备,原理类似于变压器.在发送和接收端各有一个线圈,发送端线圈连接有线电源产生电磁信号,接收端线圈感应发送端的电磁信号从而产生电流给电池充电.无线充电采用小型SMD晶振,2520晶振,3225贴片晶振,当然也包括32.768K晶振系列,Abracon的SMD晶振小体积,厚度薄,性能稳定用于无线充电系统具有高效率,减少散热,最大限度地缩短电池充电时间等优势.

  无线充电是一款电子产品,基本就两个东西一个是插座上的发信器,另一个是整合在电子产品上,跟硬币大小差不多的接收器（技术核心）,只要在一定的范围内,电能可以瞬间自发信器传到对应的接受器,其中的关键部件就是无线充电晶振和无线充电线圈了.

  无线的优势

  绿色,安全,方便设计师和消费者,无线充电正在迅速扩大整个消费电子行业. 然而,技术标准仍处于起步阶段,高功率市场已经服务不足,正在研究中,标准几乎达不到15瓦.

  亿金电子所代理的Abracon晶振种类齐全,多种封装尺寸,包括压电晶体振荡器,温补晶振,有源贴片晶振,声表面滤波器等,满足客户需求.产品均为无铅无害材料生产,具有高品质,高可靠使用特性.更多美国Abracon晶振资料介绍以及产品解决方案欢迎登入亿金官网查看.

    ABLS-12.000MHZ-B4-T晶振ASTX-H11-B-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASCO2-27.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASE2-25.000MHZ-ET晶振ASFL1-25.000MHZ-EK-T有源贴片晶振ASE3-25.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ABM3-18.432MHZ-D2Y-T石英晶体谐振器ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T美国晶振ABM3B-16.000MHZ-B2-T进口石英晶振ABLS-6.144MHZ-B4-T艾博康晶振ABLS-10.000MHZ-B2-T石英晶体ASTX-H11-B-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ53-T-20.000MHZ-5-C温补晶振ASA-16.000MHZ-L-T有源晶振ASFL1-4.000MHZ-EK-T美国进口晶振ASFL1-12.288MHZ-EC-T带电压晶振ABMM-6.000MHZ-B2-T美国晶振ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3艾博康贴片晶振ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-4.500MHZ-B4-T无源晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ABS06-32.768KHZ-T美国晶振ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM3C-12.000MHZ-D4Y-T艾博康贴片晶振ABLS-13.000MHZ-B4-T晶振ABLS-8.000MHZ-T插件晶振ASTX-H11-B-19.680MHZ-I25-T温度补偿晶振ASA-26.000MHZ-L-T石英晶体振荡器ASFL1-50.000MHZ-EK-T艾博康有源晶振ASFL1-24.000MHZ-EC-T低功耗晶振ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T贴片晶振ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T进口石英晶振ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T美国SMD晶振ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T石英晶体ABLS-8.000MHZ-D-T无源晶振ASTX-H11-B-20.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-26.000MHZ-1温补晶振ASA-12.000MHZ-L-T有源贴片晶振ASFL1-48.000MHZ-EK-T进口SMD晶振ASFL1-66.666MHZ-EC-T晶振ABLS7M-16.000MHZ-B-2-T进口石英晶振ABM3B-10.000MHZ-10-1-U-T艾博康贴片晶振ABM2-8.000MHZ-D4Y-T无源晶振

    ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T插件晶振ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ASTX-H11-B-24.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-T-25.000MHZ-50-C温补晶振ASA-40.000MHZ-L-T美国进口晶振ASFL3-24.000MHZ-EK-T带电压晶振ASE-12.000MHZ-ET有源晶振ABM3B-155-12.800MHZ-T艾博康贴片晶振ABM3-10.0000MHZ-D2Y-T美国SMD晶振ABM3-12.000MHZ-D2Y-T石英晶体ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T无源晶振ABLS-7.3728MHZ-T美国进口晶振ASTX-H11-B-26.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL1-27.000MHZ-L-T有源晶振ASE2-22.000MHZ-ET美国进口晶振ABM8-24.000MHZ-B2-T石英晶体ABM8-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABS06-107-32.768KHZ-T美国晶振ASE-25.000MHZ-ET艾博康有源晶振ASEK2-32.768KHZ-LRT低功耗晶振ASE3-25.000MHZ-EK-T有源晶振ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T艾博康贴片晶振ABM8AIG-27.000MHZ-12-2Z-T3无源晶振ABM3-24.000MHZ-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3进口石英晶振ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-20.000MHZ-B4-T插件晶振ASTX-H11-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-40.000MHZ-5温补晶振ASTXR-12-38.400MHZ-514054-T温补晶振ASA-60.000MHZ-L-T艾博康有源晶振ASFL1-16.384MHZ-EC-T低功耗晶振ASE-24.000MHZ-ET石英晶体振荡器ABM10-16.000MHZ-E20-T美国SMD晶振ABM3B-20.000MHZ-10-1-U-T无源晶振ABM3-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ABLS-3.6864MHZ-DT艾博康晶振ASTX-H12-20.000MHZ-T温补晶振ASA-19.200MHZ-L-T进口SMD晶振ASFL1-27.000MHZ-EC-T晶振ASE-50.000MHZ-ET有源贴片晶振ABMM-7.3728MHZ-B2-T无源晶振ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T石英晶体ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3美国晶振ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-TD-106.250MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ASTX-H12-44.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO2-19.200MHZ-EK-T3欧美进口晶振ABLS-6.000MHZ-B4-T美国进口晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器美国进口晶振ABLS-14.7456MHZ-B4H-T晶振ASTX-H11-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASTXR-12-26.000MHZ-512883温补晶振ASA-20.000MHZ-L-T带电压晶振ASCO2-20.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASFL1-11.0592MHZ-L-T有源贴片晶振ASCO-8.000MHZ-EK-T3进口SMD晶振ASTX-H12-40.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO-25.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-4.000MHZ-EC-T美国进口晶振ASFL3-16.000MHZ-EK-T带电压晶振ABMM-8.000MHZ-B2-T晶振ABM2-13.000MHZ-D4Y-T进口石英晶振ABM8AIG-26.000MHZ-12-2Z-T3美国SMD晶振ABM3B-24.000MHZ-10-1-U-T石英晶体谐振器ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3贴片晶振AST3TQ53-T-24.576MHZ-5-C温补晶振ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T艾博康晶振ABLS-3.6864MHZ-B4-T石英晶体ASTX-H11-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-10.00MHZ-1温补晶振ASCO2-10.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-3.6864MHZ-L-T石英晶体振荡器ASEK-32.768KHZ-LRT艾博康有源晶振ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-5.000MHZ-B4-T晶体谐振器ASTMHTASTX-H11-B-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL3-20.000MHZ-EK-T低功耗晶振ASE-40.000MHZ-ET进口SMD晶振ASFL1-14.7456MHZ-EK-T晶振ASV-50.000MHZ-EJ-T石英晶体振荡器ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T美国SMD晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3无源晶振ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T石英晶体谐振器ASE2-30.000MHZ-ET低功耗晶振ASDK2-32.768KHZ-LRT石英晶体振荡器ASV-50.000MHZ-E-T美国进口晶振ABM10AIG-32.000MHZ-4Z-T3石英晶体ASV-3.6864MHZ-E-T艾博康有源晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ASTX-H11-B-32.000MHZ-I25-T温度补偿晶振

   随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

   XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

配置方案,Mate 20则采用了全球首款7纳米工艺处理器麒麟980,它包含了69亿颗晶体管,并基于Cortex-A76架构设计.同时它还采用了大概10颗贴片晶振,采用了两颗主频2.6GHz的高性能大核心+两颗主频1.9GHz的高能效大核+四颗主频1.8GHz的高性能小核这种2+2+4的设计.这枚芯片还搭配了四核720MHz的Mali-G76 GPU以及双核NPU.

电路中芯片被称之为整个设备的大脑,而石英晶体,贴片晶振则被称之为心脏.通过SMD晶振提供信号频率源实现多种应用.通过高精密晶振可实现更安全的人脸识别、人像视频、960fps微距慢动作以及自动场景识别等玩法.

福克斯FTM系列OCXO有源晶振精度稳定控制在±10PPM,频率可供范围5MHZ~40MHZ选择,温度范围-40℃~85℃,具有高品质,性能稳定等.FTM也有一个频率控制引脚,允许最小值±0.7ppm的频率调整.福克斯晶振,石英晶体振荡器电源电压范围3.3V~5V,输出负荷一般为15PF,老化率10年仅0.4值.具有高可靠使用特性.

FOX贴片晶振,SMD晶振,晶体振荡器采用编带盘装,可用于任何自动化生产线,节省了时间,更有效的节省了人力物力资源.福克斯OCXO石英晶体振荡器重量轻,仅有5.7g.亿金电子代理福克斯晶振,更多规格型号以及技术资料欢迎咨询0755-27876565.

爱普生整合3D产品发展策略: Timing Device(TD), Sensing Device(SD), Optical Device(OD), 并予以结合模组化,以创造更高加价值。Epson Time Series(Timing device) 产品系列齐全，可满足您各种不同需求用途。先进的QMENS(Quartz+MEMS)制程，可提供超小型SMD晶振于模组及可携式产品应用。Epson  MHz Range Crystal Unit系列产品简介:MHZ晶振系列包含插件晶振DIP及贴片晶振SMD二种外观型式。

石英晶体的密度为265g/cm3,莫氏硬度为7,透明晶莹。在常温常压下,石英晶体不溶于水和三酸(盐酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)属于溶解度极小的物质。但在高温高压下,再加入适量助溶剂,如碳酸钠(Na2CO3)或氢氧化钠(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。这个特点被用于石英晶体的人工培育。

氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)与氟化氢铵(NH4HF2)是石英贴片晶振,石英晶体良好的溶解液,这在石英晶片加工中是很有用的。石英晶体是一种良好的绝热材料,导热系数比较小(见表1.3.1)

表1.3.1石英晶体的导热系数

室温附近,沿z轴方向的导热系数是沿垂直于z轴方向导热系数的二倍左右与z轴成q角的任一方向的导热系数可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z轴的导热系数,K3是平行于z轴的导热系数石英晶体的膨胀系数也很小,且沿z轴方向的线膨胀系数a3约为沿垂直于z轴方向线膨胀系数a1的1/2(见表1.3.2)。

表1.3.2石英晶体的线膨胀系数值

若已知a1和a3,由下式可求出与Z轴成φ角的任一方向的线膨胀系数aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室温附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得体膨胀系数ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶体的热膨胀系数较小,因此可用于精密仪器中。但当它被加热时, 体膨胀系数会发生很大变化。在温度达573℃时,石英晶体由a石英晶体转变为B石英,体积急剧增大。石英晶体谐振器内部产生的较强的机械应力可能会造成裂隙和双晶,这是在石英晶体元件的加工中要注意避免的。

石英晶体还是一种良好的绝缘体,其电阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p为电阻率,T为绝对温度,e为自然对数的底,A等于1.15×104B为相应的常数。平行于z轴方向的B=3000,垂直于z轴方向的B为平行于z轴方向的1/80。B值除与晶体结构有关外,还与沿z轴方向孔道中碱金属杂质(K+、Na+)的存在有关。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶体在不同温度下的电阻率,单位为ohm. cn。

表1.3.3石英晶体在不同温度下的p(ohm.cm)

石英晶体介电常数(描述材料介电性质的量,是电位移D与电场强度E的一个比例系数)的各向异性不很明显,平行于z轴的介电常数ε3=4.6,垂直于z轴的介电常数ε1=4.5。在电场作用下,电介质发热而消耗的能量叫介质损耗,通常以损耗角的正切值(tg6)来表示其损耗的大小。有源晶体振荡器,比如温补晶振,压控晶振,有源石英晶体的介质损耗较小,tg6<2×10-4因此用它作电气材料具有高稳定性。

石英晶体虽不像诸如弹簧、橡皮筋那样的物体,振动日时能看到明显地形变,但是它仍然服从弹性定律(胡克定律),并且可以通过全息照相看到它形变的情况。当然,石英晶体的形变更复杂些,描述更困难些,这将在第二章中进一步讲述。

某些电介质由于外界的机械作用(如压缩、拉伸等)而在其内部发生变化产生表面电荷,这种现象叫压电效应。具有压电效应的电介质也存在逆压电效应,即如果将具有压电效应的介质置于外电场中,由于电场的作用,会引起介质内部正负电荷中心位移,而这位移又导致介质发生形变,这种效应称为逆压电效应。

正像某些其它晶体(如酒石酸钾钠KNaC4H4O6.4H2O、钛酸钡 BaTio3等等)那样,贴片有源晶振,石英晶体也具有压电效应。由于其结构的特殊性,不是任何方向都存在压电效应的,只有在某些方向,某些力的作用下才产生压电效应。

例如:当石英晶体受到沿x轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向则不产生压电效应,当石英晶体受到沿y轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向也不产生压电效应。若受到沿z轴方向的力作用时,是不产生压电效应。因此又称x轴为电轴,y轴为机械轴。利用石英晶体的压电效应可制造多种高稳定性的频率选择和控制元件,这将在以后各章逐步讲述。

石英晶体也与其它一些物质(如方解石CaCO3、硝酸钠NaNO3晶体等)那样具有双折射现象,即一束光射入石英晶体时,分裂成两束沿不同方向传拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做寻常光或称“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非寻常光,又称“e”光,如图1.3.1所示,寻常光在石英晶体内部各个方向上的折射率mo是相等的,而非寻常光在石英晶振,石英晶体的内部各个方向的折射率n0却是不相等的。

例如:对于波长为5893A的光,石英晶体的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶体虽然具有双折射现象,但当光沿z轴方向入射时,不发生双折射现象,所以又称z轴为光轴石英晶体还具有旋光性。即平面偏振光(光振动限于某一固定方向的光)沿z轴方向通过石英晶体后,仍然是平面偏振光,但其振动面却较之原振动面旋转了一个角度。

图1.3.1石英晶体的双折射

石英晶体的光学性质被应用到制造各种光学仪器和石英片加工工艺中。

从六十年代起开展了石英晶体,SMD晶振元件辐射效应的研究工作,在此做一些简单的介绍。

由于宇宙射线的辐照和核武器爆炸,地球周围存在高能粒子和y射线、X射线等辐射。这些辐射对石英晶体及其器件都有很大的影响,无色透明的石英晶体经放射线照射后会变为烟色,石英晶体元件被辐照后,会使频率发生变化,稳定性下降,等效电阻升高。

一般认为,石英晶体被γ射线和高能粒子轰击后,会产生结构空穴和色心,这是由于碱金属离子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶体抗辐射的能力,首先要减少和消除有源恒温晶振,差分晶振,石英晶体中的上述杂质。

一方面选择最佳籽晶和生长条件;另一方面可使用“电清除”的方法驱逐晶体中的杂质。有人做过这样的实验:用z向厚度为1cm的样片,加温到450~470℃,加电压1500-1700V/cm,通过晶体的电流为250μA,20分钟后则降为20μA,这时在负极表面出现由碱金属杂质形成的乳白色薄层。显然,这是一种高温、高压排除晶体中金属离子等杂质的工艺过程。经过这种“电清除”的人造石英晶体制成的石英晶体元件就具有良好的抗辐射性能。