- [行业新闻]FILTRONETICS晶振生产实力2019年01月05日 09:02
位于密苏里州堪萨斯城的Filtronetics晶振公司成立于1970年.这些年来,Filtronetics开发了广泛的频率产品系列,生产各种定制和批量生产的滤波器,石英晶体,贴片晶振,晶体振荡器,线圈,陶瓷谐振器,SAWS和微型单片滤波器.适用于各种应用领域从通信到仪器仪表,用于商业,工业和军事应用.
我们的使命是成为所有客户的重要供应商,成为世界500强公司.我们还提供广泛的产品线晶体滤波器,SMD晶振,TCXO晶振,单片滤波器,SAW滤波器,腔和带状线滤波器,集总器件元件滤波器和石英晶体振荡器.
Filtronetics,Inc.与我们的客户合作,在整个开发过程中指导他们,为电信中的关键应用提供技术支持,如ATM,SONET,LAN,数据处理和高可靠性应用.Filtronetics,Inc.聘请了技术/工程人员,他们在电气方面拥有数十年的综合经验工程,Auto-Cad,高可靠性,物理,应用数学和机械工程.
质量是FILTRONETICS晶振集团成功的基础.质量控制部门提供超过30年的经验经验.目前的质量标准基于ISO-9001并已注册.客户或项目还提供具体要求,以及符合IPC-610,MIL-STD-202,MIL-STD-883,MIL-STD-2000,J-STD001和许多其他标准.
设计
FILTRONETICS晶振提供广泛的设计经验和能力.我们提供滤波器设计,石英晶体振荡器设计,石英晶体,SMD晶振设计,电子系统设计和机电设计.我们拥有经验丰富的工程师,科学家和绘图员,以经济高效,专业的方式完成项目.我们可以提供包括模拟,图纸和测试结果的文档.此外,我们可以构建原型和生产运行.请联系我们以满足您的需求
测试
FILTRONETICS,Inc.具有广泛的测试能力.以下部分列表是可以进行资格测试,石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器样品测试或100%测试的测试.其中许多测试都在我们自己的工厂进行.其他人则在专门从事这些测试的认可设施中进行.这些测试可以按照特定标准执行,例如MIL-STD-202,MIL-F-18327,MIL-STD-883,MIL-STD-810,MIL-STD-220,MIL-STD-210,IPC等等.
部件
FILTRONETICS,Inc.可以使用其广泛的Filtronetics,Inc.可以帮助您设计和制造符合您规格的石英晶振,晶体滤波器,贴片晶振,SAW滤波器,温补晶振等产品.知识和经验,以帮助设计,制造和测试电气和机械组件.我们的特殊能力包括:完整的系统组装和测试、子装配、印刷电路板组装、自动化SMT组装、手组装、线圈绕组、水晶制造业、定制SMT和通孔、封装、温度测试、冲击和振动测试、电压老化、封装/发泡、修改或升级到现有产品
打包
许多电子组件必须在恶劣环境中工作或者包装以进行自动装配.Filtronetics晶振可以利用其经验包装电子产品,以满足苛刻的制造和军事类型的要求.我们可以设计和布局您的装配.用密封包装来构建它.将其封装在轻质泡沫中或用导热环氧树脂包裹.
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- [行业新闻]基准信号源所需差分振荡器的关键规格与爱普生差分晶振介绍2019年01月04日 13:38
通信传输网络的世界中,核心网、城域网、移动回传网、接入网和企业网络(LAN/SAN)从上至下呈树状分布.每种网络均设定了各自通信所需的独自规格.而且,伴随近年高速通信终端及影像传输等普及,骨干网中流过的通信量有增无减,通信的高速、大容量化进展迅速,通信基础设备亦不断扩充.进行如上所示的高速数据通信的通信协议需要具备传输线路、系统以及误码率等性能.
误码率(以下简称为“BER”)是指进行收发信之际,收信方接收数据中的误码数除以发出的数据总字节数得出的错误率.尤其对于BER,信号所具有的噪音和抖动是非常重要的参数,对信号品质的影响极大.本次,我们将说明基准信号源所需差分振荡器的关键规格与爱普生差分晶振介绍,基于通信设备所需的信号品质而要求差分晶振,差分晶体振荡器具备的关键规格,并介绍市场中销售的振荡器结构及特征,以及适于通信设备的爱普生差分晶振型号.
【高速通信系统的构成】
首先,用图1表示两只收发模块之间通过PCI、SATA或10GbE等各种通信协议传输数据的常用通信系统传输线路.在这样的系统中,使用石英晶体振荡器生成基准信号.通常,基准信号用低于数据传输率的频率起振.所以,为了以基准信号生成串联数据,发送方使用收发模块中的锁相环电路(PLL,PhaseLockedLoop)把基准信号频率倍增到需要的频率后发送.与此相对,接收方使用收到的数据流中内含锁相环电路的时钟数据恢复(ClockDataRecovery)复原基准信号,并用复原后的基准信号复原数据.在部分高端系统中,也采用根据接收方所持有的基准信号复原数据的方式.如上所示,在收发信的过程中随时进行着信号的转换与复原.在日益高速的通信中,接收方必须正确判断接收的数据是0还是1.因此,如何抑制信号自身的抖动和噪音提高信号品质、如何设计最佳的传输线路专用集成电路是非常重要的课题.
通信系统传输线路的构成
【信号品质评估手法】
评估通信系统中信号本身的品质时,经常使用眼图.眼图是使用示波器等测试仪器收集大量高速数字信号波形后重合而成的图形,由于波形重合后呈“眼”状而得名.假设传输线路的通信协议为10GbE,该系统中传输10Gbps的信号所用时间(长度)为各字节100微微秒.评估信号品质时,将每隔100微微秒重复出现的信号相重合后制成眼图.假设基准信号很纯正且传输线路的专用集成电路设计良好,则可以获得如图2左所示的几乎完全重合的波形.与其相反,如果基准信号中噪音和抖动较多、或因专用集成电路的设计而产生传输线路的频带不足等损失,信号波形则会变得不稳定,重合后的波形呈现图2右所示的眼睛逐渐闭拢的情况.
判断信号数据是0还是1时,重要的是开眼部的长宽足够大.
开眼部因噪音和抖动而缩小,将导致接收方无法准确判断信号数据,BER变高.现在几乎所有通信系统均要求BER至少应达到1×10-12.这意味着每传输1012字节的数据时允许出现1个字节的错误.综上所述,从眼图中可以获得噪音、抖动或频带不足等有关信号品质的各种信息.
用眼图表示的信号品质
【构成抖动的要素】
图3表示通信系统中抖动的构成要素.总体抖动TJ(TotalJitter)用确定性抖动DJ(DeterministicJitter)与随机抖动RJ(RandomJitter)之和来表示.确定性抖动表示因电路设计、电磁感应或外界因素而产生的抖动.确定性抖动的特征是差分晶振,差分振荡器频率扩散保持一定,且与时间变化无关.作为基准信号源的差分石英晶振,差分晶体振荡器性能中影响确定性抖动的是失真和分谐波.
随机抖动名副其实表示无法预测的抖动成份.它受元器件自身的特性、热噪音等因素的影响而自然产生.随机抖动的特征是随时间而扩散.作为基准信号源的差分晶振性能中,影响随机抖动的正是基准信号源的抖动.其它系统中的因素也被归类为产生抖动的要因,例如插件的电源噪音与串扰、因电缆设计等影响而引起的频带不足是产生确定性抖动的要因,而专用集成电路的噪音等则是产生随时抖动的要因.因此,系统设计人员需要通过改善专用集成电路的设计、变更基板布局以及变更部品等减小总体抖动.
抖动的构成要素
【市场中销售的振荡器(基准信号源)的结构与特征】
首先,读者应该已理解,要维持信号品质就必须选择噪音和抖动影响少的基准信号源,也就是我们说的晶振,而差分晶振就是最好的选择.在此,我们将说明现在市场中销售的有源晶振,石英晶体振荡器的结构(类型)及其特征.
现在市场中销售的石英晶体振荡器大致可分为4种类型,其结构如图4所示.
振荡器的结构
第一种是最为常见的基波起振的差分石英晶振,晶体振荡器.这种差分振荡器的噪音、抖动及失真特性十分优越,能提供高精度和高性能的所有特性.它的电路组成也相对简单,所以能够把耗电量控制在较小程度.
第二种是利用三次谐波的差分晶振晶体振荡器.谐波起振的电路设计中所采用的方法是利用滤波电路减小基波的负电阻,以所需倍数(这里是三次)的频率产生负电阻.这种方法可以获得基波起振的情况下难以获得的高频输出,并且可以保持较高的Q值,从而能够获得良好的低接近载波相位噪音性.然而由于电路设计(调整)较为复杂,这种方法也存在着耗电量增加,以及电容比增大而使频率可变幅度变小的缺点.
第三种是利用锁相环电路的差分晶体振荡器.这种振荡器把石英或硅谐振器作为基准信号源发出输入信号,利用锁相环电路生成输入信号的同步信号,输出必要的频率.因此,这种方法的优点在于利用锁相环电路技术获得任意频率的便利性以及能够提供高频之处.但是,它的电路结构较为复杂致使耗电量增加,对噪音及抖动性能也带来了不良影响.我们以前也曾经介绍过,在使用硅谐振器的情况下,由于硅谐振单元所具有的温度特性不佳,需要补偿的温度范围太大而无法进行模拟式的温度补偿,因此必须采用锁相环电路技术进行温度补偿.所以,它在控制信号噪音和抖动的品质指标方面十分不利.
最后是LC振荡器.这种振荡器与锁相环电路一样极为方便,施加功率后输出较大的振幅,且本底噪音也较低.与此相反,由于材料本身所具有的Q值较低,所以频率稳定度和老化特征较差,低接近载波相位噪音性也存在着问题.
如上所示,市场中销售的差分晶体振荡器有着不同的结构,应当根据用途选择适宜的石英贴片晶振,差分晶振产品.为了回应这些需求,爱普生晶振向顾客提供已具备了作为基准信号源所需相位噪音特性、相位抖动和失真特性的差分石英晶振,差分晶体振荡器产品,以此致力于维护顾客通信系统的信号品质.
【适用于通信系统的低相位抖动的爱普生差分晶振型号介绍】
爱普生将基波振荡器(类型1)定为主力产品,已形成了具备高速通信系统所需抖动性能的不同的产品阵容.表1表示其中具有代表性的产品.我们原则使用石英晶体单元作为波源.频率不到80MHz的振荡器使用AT型石英晶体,80MHz以上则使用了采用反向台形AT型石英晶体的高频基波模式(HighFrequencyFundamental,HFF)技术,提供SG系列振荡器以及VG系列压控晶体振荡器.我们还提供使用表面声波(SAW)技术并具有最佳抖动性能的EG、XG系列SAW振荡器,以及EV系列压控型SAW振荡器(VCSO).
而且,我们准备了CMOS、LV-PECL、LVDS、HCSL等各种输出差分晶振,全部产品均保持了石英本身所具有的出色优点,并拥有能够充分满足各种用途的顾客要求的信号品质的石英贴片晶振,有源晶振,晶体振荡器规格.
表1:爱普生振荡器产品阵容与相位抖动实力数据
*1:相位抖动代表数字(Typ.)以条件栏中所示频率的偏离频率12kHz~20MHz的条件下,由爱普生晶振公司测试、计算得出.
今后,爱普生将扩充带差分输出的SG系列,并将增添应对多种输出的SAW振荡器等新阵容,不断提供拥有抖动及噪音的优秀性能的产品,以满足作为基准信号源的必备条件.关于产品的详细规格,欢迎咨询亿金电子爱普生晶振代理商.
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- [行业新闻]用于汽车应用的村田石英晶振优势2019年01月03日 09:14
村田制作所用于汽车应用的晶体单元(XRCHA晶振系列,XRCGB晶振系列,XRCGE晶振系列)采用了世界上第一种独特的封装技术,这是现有石英贴片晶振所不具备的。这种包装技术可提供卓越的质量,批量生产力和性价比。
规格
以太网/FlexRay的
根据用户需求支持产品规格
支持板载以太网/FlexRay,用于下一代车辆通信标准。
应用 总公差规格。 用于车载以太网(PHY)
±85ppm
对于FlexRay
±250ppm的
负载能力(Cs):6pF,8pF,10pF等可用。
除此之外,我们还提供兼容高驱动电平(600μm)和+125°C/+150°C的高温晶振系列。
请联系我们获取更多信息。
*产品阵容>
AEC-Q200
按应用和功能搜索
满足汽车应用所需的可靠性保证(AEC-Q200)
*适用系列:XRCGB_F_A/XRCGB_F_C/XRCGB_F_G/XRCGE_F_A/XRCHA_F_A
测试项目 测试条件
高温暴露
温度循环
偏湿
使用寿命
+125°C,1000h
-55至+125°C,1000循环
+85°C,85%RH,DC6V,1000h
+125°C,DC6V,1000h
有关每种应用和功能,请参阅村田制作所推荐的产品。
*您需要使用公司电子邮件地址创建一个帐户,登录,请求访问每个站点,并获得成员资格。结构体
小巧,高可靠性的包装
永远不要忽视阻碍振荡的粒子
引入适用于AOI的端接设计
2.5x2.0mm/2016mm贴片晶振尺寸允许ECU缩小尺寸。与3.2x2.5mm尺寸相比,这些封装尺寸允许最大60%的缩小尺寸。
该包装具有机械和耐候性能,以及出色的抗冲击和抗跌落冲击性能。
村田制作所的原始粒子筛选技术可确保在生产过程中筛选出有缺陷的产品,这些产品会导致石英晶体特性恶化。(专利技术No.4998620)
村田制作所采用角部电极终端,可提高焊料圆角的可视性,同时保持紧凑。
* AOI:自动光学检测(板目视检查)
用于汽车应用的村田石英晶振型号列表
村田晶振系列 XRCHA_F_A XRCGB_F_A XRCGB_F_G * 2) 尺寸 2.5x2.0mm 2.0x1.6毫米 2.0x1.6毫米 温度范围 -40至+125°C * 1) -40至+125°C -40至+85°C 频率变化 16.000至24.000MHz 24.000至48.000MHz 24.000至48.000MHz 标准频率 16/20/24MHz 24/25/26/27
27.12/48MHz24/25/26/27/30
33.8688/40/48MHz频率容差(最大) ±100ppm的 24至29.99MHz:±30ppm
30至48MHz:±50ppm±30/±45/±100ppm的 工作温度范围(最大) ±100ppm的 24~29.99MHz:±35ppm
30~48MHz:±65ppm为±50ppm 频率老化 最大/最大±5ppm 最大/最大±2ppm 最大/最大±5ppm 等效串联电阻(最大) 16MHz
:100Ω20至24MHz:80Ω的24MHz:120Ω
25MHz的:100Ω
27/27.12MHZ:80Ω
48MHz的:60Ω24至27.120MHz:150Ω30
至48MHz:100Ω负载电容 8pF,10pF,12pF
*其他可用值6pF,8pF,10pF
*其他可用值6pF,8pF,10pF
*其他可用值驱动电平(最大) 300μW* 3) 300μW 300μW *2)此村田晶振系列仅适用于信息娱乐。
*3)也可提供600μm的高驱动等级。
*XRCGB_F_C系列,XRCGE_F_A系列也可提供。
*约CERALOCK信息®汽车应用- 阅读(337)
- [行业新闻]荷兰FCD-Tech晶振产品统计2019年01月02日 10:50
欧美晶振品牌在国内使用越来越多,为满足客户产品需求,亿金电子提供欧美晶振包括美国晶振,英国晶振,荷兰晶振等多个国家知名品牌,各种封装尺寸,规格型号齐全.我们都知道几乎所有电子设计的关键组件之一都是石英晶体谐振器.在今天的新应用开发中,对石英晶振晶体的要求是多种多样的.需要很好地理解石英晶体谐振器的物理和实际能力,以便在设计期间正确选择该元件.
石英晶体-晶体振荡器-射频和微波产品是FCD-Tech晶振集团的核心业务.我们提供全系列的石英晶体,晶体振荡器(VCXO,TCXO,OCXO,PXO,微波振荡器),晶体滤波器和微波产品.下面所要介绍到的是荷兰FCD-Tech晶振产品统计.
对于设计工程师而言,要正确选择何种类型的晶体,并不总是那么容易.FCD-Tech可以帮助找到符合电子应用要求的正确晶体类型.我们提供各种不同的贴片晶振封装以及插件封装,可在很宽的频率范围内使用.
1、石英晶振晶体:
FCD-Tech晶体谐振器具有SMD封装和IDP封装,具有2016mm~8045mm体积,基于连接到晶体谐振器的电子元件的负载的初始频率,具有多种频率容差供应客户选择.在一定温度范围内的频率容差,以及耐高温度,ESR等效串联电阻等重要参数为用户提供多种选择.
荷兰FCD-Tech晶振具有不同类型的晶体切割覆盖从千赫兹(如32.768KHz)到超过100MHz的频率范围.通常,XY切割晶体用于低频晶体.AT切割晶体从1MHz到40MHz(通常)开始,并且能够在泛音模式(第3,第5,第7)下工作.BT切割晶体具有与AT切割晶体几乎相同的特性,但只能在基模下工作.FCD-Tech晶振所维持SC切割晶体主要用于高端应用,因为它具有几个优异的特性.这些是最常见的水晶切割.
2、水晶滤波器:除了适用于10.7MHz,21.4MHz和45MHz MCF的标准晶体滤波器,我们还提供定制设计的晶体滤波器,适用于从消费者到军事环境中使用的许多不同应用.
SAW声表面谐振器用于许多使用石英晶体的相同应用中,因为它们可以以更高的频率工作.它们通常用于无需可调谐性的无线电发射机中.SAW谐振器的频率范围为224MHz至820MHz,自定义设计单位的选项.
3、石英晶体振荡器:
石英晶体振荡器系列涵盖从标准规格到定制设计振荡器的各种类型,以满足应用要求.HCMOS,LVPECL,Clipped Sine wave和Sine Wave中的输出逻辑.需要时可以满足低相位噪声和低抖动数字.SMD和DIP封装适用于不同的振荡器组:
XO(晶体振荡器)、VCXO(压控晶体振荡器)、TCXO(温度控制晶体振荡器)、OCXO(烤箱控制晶体振荡器)、微波振荡器、PLXO(锁相晶体振荡器、SPXO(低相位噪声封装晶体振荡器)
晶体振荡器许多电子应用需要满足某些特性的频率源才能正确操作.有源晶振,石英晶体振荡器是为这些应用提供输出信号的频率源.有各种类型的晶体振荡器(也表示为XO晶振).根据设计,石英晶体振荡器的输出信号可以是CMOS,差分LVPECL,LVDS,Clipped Sine Wave或True Sine Wave.有源晶振,石英晶体振荡器封装还有很多选择:各种尺寸的SMD和通孔(THD).
4、射频和微波产品:除定制设计的微波产品外,FCD-Tech还提供一系列特定单元作为模块或用于19英寸标准机架.我们的产品组合包括下变频器,上变频器,多耦合器(适用于L-,S-,C-,X-,Ku-波段),放大器(LNA,宽带,双通道),组合器分离器,DLVA,晶体振荡器(双通道) PLL合成器,PLDRO),高功率限制器和IF开关矩阵.
5、关电晶体传感器(热敏晶振):一系列石英晶体传感器,可高精度测量质量,温度,力和压力.使用石英晶体微量天平测量质量,我们提供几种类型的监控石英晶体和测试设备.带温度传感器热敏晶振和温度控制器,用于高精度定位.热敏石英晶体和石英压力晶体是高性能部件,可以高精度测量.如果您有任何疑问或需要支持以找到正确的石英晶振晶体,请通过电子邮件或致电0755-27876565.
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- [行业新闻]使用晶振遇到各种问题怎么办?亿金电子为你解答2018年12月29日 10:27
晶振在指定的温度范围之外是否能够正常工作?
是! 例如,如果在-10到+ 60°C范围内指定晶振晶体,它将在-40到+ 85°C范围内无任何问题地执行,但有可能超出其指定的稳定性.如果应用程序仅需要稳定的频率而不是准确的频率,这可能无关紧要.
什么是最常见的石英晶体切割?
最为常见的石英晶体AT切割,从1M~200MHZ晶振大部分都是AT切割型.当然这是指的相对于石英棒的Z轴的标称角度.切割角度决定了频率/温度性能,通常由晶体制造商选择.
为什么指定晶振的工作温度范围很重要?
晶振温度可以分为工业级,汽车级,消费级等,使用石英晶振,贴片晶振如果温度明显超出规定的温度范围,则可能会导致石英晶振晶体损坏.
解释基频晶体和泛音晶体之间的差异?
基频晶体以由石英坯料的尺寸确定的频率振荡.泛音晶体在基波的第3,第5或第7倍运行.该晶体专门设计用于在这些模式下运行.
考虑把通孔晶振改为SMD晶振我需要考虑哪些问题?
这取决于应用程序.如果例如晶体是可拉的,即可以通过电气装置改变晶体的负载电容来改变频率,那么这可能难以实现.例如,条形毛坯SMD晶体具有比HC49型圆形坯料封装低得多的可拉性.不应轻易进行此练习,如果您有任何疑问,请联系亿金电子技术部获取进一步的建议.
我的产品使用晶振应选择晶体谐振器还是晶体振荡器?
关键在于你的产品需要.如果您正在设计分立电路并且很少或没有振荡器设计经验,那么最好使用有源晶振,贴片石英晶体振荡器,因为这样可以消除任何容差问题.为实验室使用设计“一次性”是“容易的”,但如果你必须批量生产,这可能会引起各种各样的问题.如果您正在使用需要晶体来驱动它的芯片组,那么这个决定要简单得多,因为板载振荡器电路应该已经过优化.
以前有的晶振型号,现在没有看到了,是否不生产了,还能用吗?
一些晶振型号随着科技产品发展被淘汰没有生产了,诸如一些大体积的贴片晶振,陶瓷晶振等.各用户在选用晶振时可咨询亿金电子业务部,晶振在参数封装尺寸一致时可相互替换使用.亿金电子提供多个晶振品牌,可满足用户选择.
亿金电子进口晶振代理商供货交期快吗?
是的,亿金电子代理台湾晶振,日本进口晶振,欧美晶振多个品牌,市场常用品牌型号均有备货.当然非常规型号也还可以找到替代型号,也可以选择可编程晶振.在某些情况下可以使用可编程晶振,可编程晶振与固定频率设备兼容,并且通常可以在几个工作日内提供-自定义固定频率可能需要生产至少6周.可编程振荡器尤其适用于时间紧迫的原型设计.
SPXO/VCXO/OCXO和TCXO晶振之间有什么区别?
SPXO时钟晶体振荡器
SPXO或时钟振荡器是基本类型的振荡器,由晶振和基本驱动电路组成.由于没有任何形式的补偿,频率/温度稳定性基本上是晶体本身的稳定性-通常为±50ppm.VCXO电压控制晶体振荡器
一种带电压控制功能的石英晶体振荡器,它依赖于石英晶体的固有可拉性,以便通过施加外部电压来改变振荡器输出的输出频率.这种变化限于几十ppm,通常为±100ppm.与SPXO有源晶振一样,频率/温度稳定性是晶体本身的稳定性.
TCXO控制温度补偿晶体振荡器
如果晶体的稳定性不足,可能需要使用TCXO温补晶振,TCXO温度补偿晶体振荡器.这种类型的器件用于基础石英晶体的稳定性不足的地方.通常TCXO晶振可以实现小于1ppm的稳定性,而不是30ppm的典型晶体.
OCXO恒温控制晶体振荡器
“终极”压电产品是OCXO晶振或Oven Controlled Crystal Oscillator.如果需要非常高的稳定性,则应考虑此类产品.这些类型的设备提供典型的3E10-9性能.
贵公司官网上没有的晶振型号是不是就没有生产?
一般市场常用晶振品牌型号规格都有货,包括温补晶振,VCXO晶体振荡器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,差分晶振,可编程晶振等.从1008晶振~8045晶振均有提供.亿金电子技术工程也一直不断开发更多高价值的晶振产品,一直在不断上更新,完善现有产品,用户在选用晶振是可咨询我们业务部0755-27876565.
为什么石英贴片晶振封装越来越越小?
随着电子产品,智能产品小型化,便捷式发展,石英贴片晶振封装越做越小.从开始的7.0x5.0mm贴片晶振到现在世界级超小1008贴片晶振,一直在变化,向着小型,高精度,超薄型发展,大大的节省了电路空间并且保留了原有的晶振性能,具有高可靠使用特性.
当然晶振体积越小频率越高,晶振片越小,起始频率越高,例如7050贴片晶振的最低频率为8MHZ,而5032贴片晶振封装最低频率为16M。较低的频率通过外部分频实现,这增加了电路复杂性.
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- [亿金快讯]韩国SUNNY晶振发展介绍2018年12月28日 13:43
韩国SUNNY晶振成立于1966年9月15日,主要为生产销售石英晶体振荡器,贴片晶振,SUNNY石英晶体,小体积晶振晶体,晶体谐振器,晶体滤波器,恒温晶体振荡器等产品.SUNNY 晶振发展至今50多年,一直为用户提供高性能,低功耗产品.
三呢电子为满足人工智能,物联网,大数据,移动和先进的信息和通信技术发展对小型电子元件的需求,不断研发制造,高可靠性,微小型,高精度的石英贴片晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器等产品.
韩国三呢晶振发展历史
2018年
08':SCO-A21型AEC-Q200认证完成,车载晶振,高温贴片晶振,有源晶振加大生产量
03':CEO的就职典礼
2017年
12':SX-A21型AEC-Q200认证完成
06':SX-A22型AEC-Q200认证考试完成
2016年
12':SX-A32型AEC-Q200认证完成
11':SCO-A22型AEC-Q200认证经过测试
05':SCO-A32型AEC-Q200认证完成
01':低电流(10μA)贴片32.768K有源晶振开始批量生产
2015年
12':与Sunny Electronics-SiTime(三呢晶振)签署战略合作伙伴关系
11':被指定为忠北的质量管理优秀企业
10':开发双输出振荡器,差分晶振,差分输出晶体振荡器
09':开发出高稳定性3225贴片晶振,3225带电压晶体振荡器
06':三呢晶振开发出3225压控晶振,3225有源晶振,3225差分晶振LVPECL和LVDS输出
02':开始批量生产超小型贴片晶振2016mm封装
01':SMD(SMD 2016晶振)设施投资
2014年
10':贴片晶体振荡器 3225 OSC,X-TAL全面批量生产
09':SMD 5032晶振差分系列LVDS-PECL以及VCXO晶振批量生产(最大400MHZ)
06':增资(117.6亿韩元)
04':新开发超小型贴片晶振,2520晶振VCXO压控晶体振荡器系列
2013年
12':碳合作伙伴认证(LG Display)
12':开发AT-cut基础PECL VCXO晶振
07':开发5032贴片晶振,可编程PECL XO和LVDS XO系列
2012年
10':开发出7050晶振低相位噪声VCXO电压控制晶体振荡器
09':开始批量生产3225贴片晶振压控系列,3225压控晶体振荡器
08':7050晶振可编程系列PECL XO,LVDS XO开发
07':70MHz晶体滤波器的开发
06': 3225温补晶振的开发和批量生产
05':贴片晶振 7050 18~20 kHz低频OSC开发
2011年
12':被选为LG电子的优秀合作伙伴
11':2520贴片晶振,3225贴片晶振80~200MHz高频OSC开发
2010年
02':开始生产贴片晶振,OSC石英晶体振荡器2520mm系列
基于通过降低成本提高盈利能力,Sunny Electronics专注于开发可以引领下一代市场的多功能,高附加值产品和质量改进.并且制造具备高性能,低老化,宽温度的有源晶振,车载晶振,石英晶体振荡器,用汽车电子,工业机械设备,并获得AEC-Q200认证.
我们将通过不断创新进一步拓展现有业务,并通过各种挑战和学习,努力发现未来的新增长业务. 我们将尽最大努力履行客户和我们的股东给予我们的爱和信任的社会责任.
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- [行业新闻]亿金电子2019年元旦假期通知2018年12月28日 09:35
尊敬的新老客户:
元旦将至,根据国务院规定2019年元旦假期为3天,亿金电子2018年12月30日至2019年1月1日放假调休,共3天.2018年12月29日(星期六)上班.当然大伙觉得不尽兴的可以请几天假拼在一起.拼假建议:2019年1月2日(周三)~2019年1月4日(周五)请假3天,可拼8天元旦小长假,就问你嗨不嗨森.
深圳市亿金电子有限公司全体上下员工祝各位新老用户元旦快乐!出游多注意人身财产安全.遇事不慌张.元旦都来了年假还会远吗?不到一个月的时候也要放年假了,各位用户使用晶振需要订货备货的抓紧时间安排哦,以免耽误生产交期,财富热线0755-27876565,18924600166,欢迎致电.
深圳市亿金电子有限公司
2018年12月28日- 阅读(88)
- [行业新闻]村田制造的水晶单元与传统石英晶振结构的不同2018年12月26日 09:50
说到村田生产的电子元件想必很多人会想到的都是村田贴片电容,村田陶瓷晶振.其实近几年村田也开始了石英晶振的研发制造,并且获得广大用户所认可,取得可观成绩.下面亿金电子给大家介绍下村田制作所水晶单元的起源,以及村田石英晶振的优点和各种应用.
村田制作所的水晶单元采用突破性且独特的包装技术,在现有产品中无与伦比,提供卓越的品质,生产规模和性价比.
村田制造所水晶单元的优点
村田制作所水晶单元的起源
村田制作所已提供陶瓷谐振器(CERALOCK ®)市场的四十多年里,作为微型计算机和其他设备的参考时钟使用.为了支持需要比陶瓷谐振器具有更高频率精度的时钟的设备,使用我们独特的技术,Murata和Tokyo Denpa共同开发了微型且高度可靠的石英晶振,贴片晶体单元.自2009年起,我们开始为消费者市场供应产品,自2013年起开始为汽车市场供应产品.
市场业绩-村田制作所的水晶单元在各种应用中都很活跃由于对速度和容量的需求增加,与东京Denpa联合开发的产品已被更多产品所采用,因为HDD/SSD/USB和其他存储设备开始使用小型晶体单元.后来,村田制作所的水晶单元开始被用于NFC,智能手机具有个人认证/电子货币支付功能.
由于AV/PC/汽车设备和Wi-Fi通信设备对小型设备的需求不断增长,以及配备BT/BLE通信功能的可穿戴设备和智能手机外围设备的市场增长,小型贴片晶振,石英晶体设备的采用仍在增加连接到智能手机.
客户选择村田制作所的水晶单元的原因-由陶瓷谐振器培育的高可靠性/低成本封装的采用(CERALOCK ®)
村田制作石英贴片晶振使用的封装结构与典型的水晶单元不同.虽然常规晶振晶体单元使用具有腔体结构的陶瓷基板,但村田制作所的石英晶振单元使用的结构将金属帽与平面陶瓷基板结合在一起,该陶瓷基板具有多年可追溯的陶瓷谐振器.与传统的石英晶体单元相比,使用高度通用的平面陶瓷基板和金属盖可以降低材料成本,实现稳定的供应,并提高产量.
村田制作所为客户提供价值-村田晶振拥有先进的生产技术,从水晶石生产,设计,制造到我们自己的原始设备到全球销售网络的集成系统.至今村田中国已拥有19个销售据点、4个工厂以及4个研发设计基地,近距离为客户提供及时有效的服务和技术支持.
全球销售系统
村田石英晶振产品型号列表
系列 类型 尺寸(mm) 频率 笔记 XRCTD
XRCEDMCR1210晶振 1.2×1.0×0.30
1.2×1.0×0.3332至52MHz
金属密封封装,适用于小型消费设备的小型无线通信设备
XRCFDXRCMDMCR1612晶振 1.6×1.2×0.35
1.6×1.2×0.33
24至48MHz
XRCGBHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7
24至50MHz
用于消费者设备的无线通信设备的树脂密封包装
XRCPBHCR2016晶振 2.0×1.6×0.5
24至48MHz
XRCHAHCR2520晶振 2.5×2.0×0.8
16至20MHz
XRCHA_F_AHCR2520晶振 2.5×2.0×0.8 16至24MHz 用于汽车以太网/ FlexRay
XRCGE_F_AHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 20至23.99MHz 用于汽车MCU等
XRCGB_F_AHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 24至48MHz 用于汽车以太网/ FlexRay
XRCGB_F_CHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 27.6MHz 用于汽车舒适/安全信息娱乐 XRCGB_F_GHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 24至48MHz 用于汽车仅用于信息娱乐 - 阅读(181)
- [行业新闻]Silabs高性能差分晶振参数特点2018年12月25日 11:40
Silabs晶振英文全称为Silicon Labs,是美国知名石英晶体,贴片晶振,有源晶体振荡器制造商.拥有先进的生产技术以及仪器设备,下面是Silabs高性能差分晶振参数特点介绍.
美国Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶体振荡器采用我们最新的第四代DSPLL技术,在任何高达3GHz的输出频率下提供超低抖动,低相位噪声时钟.该系列包括具有业界领先的相位抖动的差分晶振,差分晶体振荡器,低至80fs(飞秒),适用于光网络,100G+光模块,宽带,数据中心,广播视频,测试和测量,mil/aero和FPGA应用.
Silabs高性能差分晶振高性能,低损耗,高精度是下一代定时应用的理想选择,可提供系统设计人员所需的频率灵活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振荡器提供工业标准3.2x5mm和5x7mm封装的单双,四和I2C选项,可实现与传统XO有源晶振和VCXO压控晶振的兼容性.
Silabs高性能差分晶振业界最低抖动,最宽频率范围,任何频率,拥有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的灵活性=更加安心
业界领先的抖动性能
晶振频率范围宽,频率分辨率<1ppb
提供单,双,四,I2C配置
I2C支持100kHz(标准),400kHz(快速模式)和1MHz(快速模式加)更新速率
减少部件号:定义4个启动频率,使用I2C在启动后生成任何频率
出色的电源噪声抑制(-80dBc典型值)可确保电噪声系统中的低抖动操作
出色的温度和总稳定性(-40至85℃)
贴片晶振封装尺寸3.2x5mm和5x7mm
根据产品需求可提供3.3,2.5,1.8V多种电源电压
具有多种差分输出方式包括:LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和双CMOS
Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每台设备100%的电气测试
Silabs差分晶振样品可提供1-2周的交货时间
适用于任何频率的一致,超低抖动性能
收集的测量值超过700个常用频率
无论整数频率还是分数频率,都具有超低抖动
使用我们的振荡器相位噪声查找工具可获得特定频率的相位噪声图,请问联系我们0755-27876565.
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- [行业新闻]适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性2018年12月19日 10:03
晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性
VCXO晶振(压控晶体振荡器)是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO(产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器)或烤箱控制类型(产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器)来实现.
VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下:
偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.
控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.
传递函数(有时称为斜率极性)-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正(或更负)控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.
线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5%且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz(20kHz±5%).最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5%以内.
在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14%.
产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性(±)控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管(在这种情况下为正).良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑(无间断)和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.
调制速率(有时称为偏差率或频率响应)-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制(输出频率大于10MHz时大于1MHz),但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.
斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.
因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1%至±5%的VCXO,增量灵敏度约为(非常近似)最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5%最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50%的斜率变化.因此,读取“斜率:2kHz/伏特±10%”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差:20kHz-10%.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10%增量灵敏度与±1%最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度:每伏2kHz±10%”.
其他设计考虑因素
稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”(偏离)其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性(和相关的相位噪声)特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.
锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用(在随后的页面中有描述).但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.
基本振荡器频率-基本模式晶体(通常为10-25MHz)允许最大的偏差,而第三泛音晶体(通常为20-70MHz)允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振(偏差大于±100到±200ppm)都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.
一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.
亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.
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- [技术支持]美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务2018年12月18日 11:10
美国Abracon晶振成立于1992年8月5日,专为研发生产石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,石英晶体谐振器等频率元件.拥有业内领先的生产技术,发展至今在加利福尼亚州,中国,德国,台湾,苏格兰,新加坡,德克萨斯州等地设有生产销售基地,所生产的材料均选用无铅无害环保材料,具有高可靠使用特性,获得广大用户认可.多年来Abracon晶振集团为用户提供了大量优秀产品,并且为用户提供多种产品解决方案以及技术支持服务.
Abracon晶振提供先进的专有Pierce分析仪测试服务(PAS)验证石英晶振晶体性能和在线长期运行.维持振荡的能力对于给定的石英晶体振荡器设计,很大程度上取决于石英晶振晶体的运动参数,电路板寄生效应和振荡器电路特性. 振荡器电路是闭环系统,根据工作频率维持.石英晶振,晶体振荡器参数包括晶体电镀电容(CL),晶体等效系列电阻(ESR),外部负载电容,振荡放大器增益和相位响应.PAS测试服务提供所有变量的直接测量与石英晶体振荡有关.考虑到所有变量,Abracon工程就是能够提供优化的解决方案和详细报告,包括:
运动参数(Cm,Lm,ESR,Co)、窄带频率响应图、宽带频率响应图、准入与受益情节、频率依赖性与负载电容曲线、电路设计余量计算、实现最佳操作点的建议等.
美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务,美国艾博康晶振为贴片晶振和芯片天线提供系统内调谐服务.通过表征在终端系统或产品中的天线性能,该服务需要猜测工作退出RF验证,同时提供纠正措施,重新调整系统的中心频率和阻抗不匹配.这提供了最大的系统效率许多好处包括,扩展射频范围,提高灵敏度,并可以减少给定传输范围的所需功耗.
美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务适用于覆盖的APAE和APA系列无源贴片天线各种射频频段,从几MHz到几千MHz,适用于RFID,GPS等应用GLONASS,LPWA,WiFi,ISM无线电和铱星.贴片晶振结构紧凑,性能优异耦合增益,易于使用.但是,由于布局可能会发生晶振频率偏移,接近其他组件和地平面的设计.如果去中心调整在测试过程中发现频率,贴片石英晶振设计可以进行微调特定的设备环境.这些调整与布局相匹配,以获得最大增益申请的中心频率.
良好的增益可以提高应用的灵敏度,例如蓝牙,蓝牙低能量(BLE),WiFi/WLAN和Zigbee.这些贴片晶振,贴片有源晶振,石英晶体振荡器需要匹配的网络优化晶振阻抗从而提高效率.输入阻抗使用电感器和电容器等集总元件匹配中心谐振的频率.更高的效率可确保更多的辐射功率并增加天线范围.该测试需要一个功能齐全的系统运往Abracon,通常需要4个几周完成.
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- [客户案例]亿金工程为条码机工厂解决【晶振工作不稳定情况】2018年12月15日 13:38
- 客户做条码机的晶振旁边的C4两个电容用22PF的,那么晶振就不能用20PF的了,IC要求晶振负载最大不能超过25PF,就算是用25PF的,晶振也不能用20PF的负载电容.于是给客户重新匹配49贴片晶振负载电容.根据亿金电子技术工程初步分析外围电容所造成晶振不良,如果外围电容不变的情况下,晶振本身的负载建议使用12PF的,当然这只是理论匹配,实际还需要考虑IC允不允许使用12PF的.
- 阅读(222)
- [亿金快讯]日本大真空32.768K晶振常用型号编码2018年12月14日 11:49
日本大真空KDS晶振成立发展至今拥有高人气,为国际一线品牌,却仍不忘研发创新,为更多用户提供更多有价值的晶振产品.每年所生产KDS晶振月产量超6000万颗,每一颗晶振均经过30多道工序,按照国际操作标准进行,并且获得ISO9001质量管理体系认证,具有高可靠使用特性,获得广大用户所认可.
大真空32.768K晶振型号
型号名称 尺寸(mm) 频率范围(kHz) 频率容差偏差(×10-6)@+25°C 串联电阻(最大kΩ) 工作温度范围(°C) 负载电容(pF) 激励等级(μW)
大号 w ^ H(最大) 分钟 最大 分钟 最大 DST1210A 1.2 1.0 0.35 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST1610A 1.6 1.0 0.5 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST1610AL 1.6 1.0 0.35 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST210AC 2.0 1.2 0.55 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST310S 3.2 1.5 0.85 32.768 32.768 ±20 50/80 -40 + 85 7,9,12.5 0.2 DST311S 3.2 1.5 0.85 32.768 32.768 ±20 50/80 -40 + 85 7,9,12.5 0.2 DMX-26S 8 3.8 2.5 三十 90 ±20 50 -40 + 85 7,9,12.5 1.0 DT-26 φ2.0 φ2.0 6 32.768 32.768 ±20(等级A)±30(等级B) 40 -10 +60 12.5 1.0 DT-261 φ2.0 φ2.0 6 28 90 ±20(等级A)±30(等级B) 40 -10 +60 12.5 1.0 DT-381 φ3.0 φ3.0 8 20 90 ±20(等级A)±30(等级B) 30 -10 +60 12.5 1.0
DST310S晶振尺寸为3.2x1.5mm,厚度薄,重量轻,是32.768K贴片晶振应用比较多的一款,具有7PF,9PF,12.5PF等多种负载电容可供选择.不仅耐高温-40℃~85℃,并且满足车规级产品需求可达-40℃~125℃范围.符合AEC-Q200标准,满足高温回流焊接的温度曲线要求.
大真空32.768K晶振编码
晶振编码
品牌
晶振型号
晶振频率
晶振尺寸
1TJS060FJ4A308
KDS晶振
DMX-26S晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060FJ4A901Q
KDS晶振
DMX-26S晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060DJ4A934Q
KDS晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125BJ4A602P
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJH090DR1A0003
KDS晶振
DST1610A晶振
32.768KHZ
1.6x1.0mm
1TJG090DR1A0013
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG125DR1A0004
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG080DP1A0001
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJF090DP1A000A
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF090DP1AI067
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1A000A
KDS晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1AI115
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125FP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJE125DP1A000A
KDS晶振
DST410S石英晶振
32.768KHZ
4.1x1.5mm
1TD060DHNS006
KDS晶振
DT-26音叉晶体
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD060DHNS009
KDS晶振
DT-26音叉晶体
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD125DHNS004
KDS晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD090DHNS001
KDS晶振
DT-26晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD080DJNS001
KDS晶振
DT-26插件晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
32ETJS125DJ
KDS晶振
DT-26T插件晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TC080DFNS001
KDS晶振
DT-38圆柱晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
1TC125DFNS019
KDS晶振
DT-38圆柱晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
1TC125BFNS008
KDS晶振
DT-38晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
32.768K晶振如上晶振编码表格所示,具有插件以及贴片晶振封装,为了满足广大用户需求,KDS晶振提供2x6,3x8插件以及2012,3215,4115,8038封装为客户选择.32.768K晶振被广泛用于时钟产品,数码相机,液晶显示屏,笔记本,智能手机,GPS导航,智能锁,仪器仪表,蓝牙等智能产品,具有精度稳定,老化低,耐高温,抗振性强等特点.
- 阅读(180)
- [技术支持]1C227120CC0E晶振编码隐藏的重大信息2018年12月13日 10:22
KDS晶振成立至今在国内享有重要地位,成为世界一流的晶体元件生产制造商.不仅拥有领先业界的生产技术,并且能够为广大用户提供多种产品应用解决方案,成为业内领头羊.以下为亿金电子提供日本进口晶振,包括精工爱普生晶体,NDK晶振,KDS晶振,西铁城晶振,京瓷晶振,大河晶振等品牌.以下为亿金电子所提供的DSX321G晶振型号编码,欢迎广大用户收藏选用.
DSX321G晶振参数
型号名称
DSX321G晶振
频率范围
12~20MHz
20-27MHz
27至64MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
8pF,10pF,12pF
激励程度
10μW(最大200μW)
频率容差偏差
±20×10-6(25°C时)
串联电阻
最大80Ω
最大60Ω
最大50Ω
频率温度特性
±30×10-6/-30至+85°C(参考温度至25°C)
储存温度范围
-40至+85°C
包装单位
3000个/卷(φ180)
3225晶振具有陶瓷面封装以及金属面封装,而DSX321G晶振属于陶瓷面封装.提供7.9M~64MHZ频率,常规负载电容可供8PF,10PF,12PF等,精度可控制在正负20PPM以内.DSX321G晶振满足不同领域需求,可提供工业级和汽车级,具有使用可靠性高,性能稳定等优势之选.
DSX321G晶振编码
晶振编码
品牌
型号
频率
尺寸
1C208000CE0H
KDS
8.000MHZ
3.2x2.5mm
1C209830CC0C
KDS
DSX321G晶振
9.8304MHZ
3.2x2.5mm
1C208000BB0B
KDS
DSX321G晶振
8.000MHZ
3.2x2.5mm
1C211059EE0K
KDS
DSX321G晶振
11.0592MHZ
3.2x2.5mm
1C211289EE0C
KDS
DSX321G晶振
11.2896MHZ
3.2x2.5mm
1C212000AA0H
KDS
DSX321G晶振
12.000MHZ
3.2x2.5mm
1N212000BC0AK
KDS
DSX321G晶振
12.000MHZ
3.2x2.5mm
1C212288EE0B
KDS
DSX321G晶振
12.288MHZ
3.2x2.5mm
1B214318CC0F
KDS
DSX321G晶振
14.31818MHZ
3.2x2.5mm
1C214745BC0D
KDS
DSX321G晶振
14.7456MHZ
3.2x2.5mm
1N214745CE0F
KDS
14.7456MHZ
3.2x2.5mm
1N216000AB0AT
KDS
DSX321G晶振
16.000MHZ
3.2x2.5mm
1N216000CC0B
KDS
DSX321G晶振
16.000MHZ
3.2x2.5mm
1C319200AA0A
KDS
DSX321G晶振
19.200MHZ
3.2x2.5mm
1N220000AB0B
KDS
DSX321G晶振
20.000MHZ
3.2x2.5mm
1N224000BC0E
KDS
DSX321G晶振
24.000MHZ
3.2x2.5mm
1C225000BC0AV
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1N225000BC0J
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1N225000BC0M
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1C326000AB0AR
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N326000AB0AR
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N326000AA0AS
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0D
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0E
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0G
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0L
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1C227120CC0E
KDS
DSX321G晶振
27.120MHZ
3.2x2.5mm
1N230000AB0C
KDS
DSX321G晶振
30.000MHZ
3.2x2.5mm
1N230000EE0N
KDS
DSX321G晶振
30.000MHZ
3.2x2.5mm
1N232000AA0G
KDS
DSX321G晶振
32.000MHZ
3.2x2.5mm
1N232000AA0N
KDS
DSX321G晶振
32.000MHZ
3.2x2.5mm
1C338400AA0B
KDS
DSX321G晶振
38.400MHZ
3.2x2.5mm
1N240000AB0J
KDS
DSX321G晶振
40.000MHZ
3.2x2.5mm
1C244395BC0A
KDS
DSX321G晶振
44.395MHZ
3.2x2.5mm
1C254000CC0C
KDS
DSX321G晶振
54.000MHZ
3.2x2.5mm
1C255466CC0J
KDS
DSX321G晶振
55.46667MHZ
3.2x2.5mm
1C262400CC0A
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
1C262400CC0N
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
1N262400CC0N
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
日本DSX321G晶振是采用黑色陶瓷面的石英晶体谐振器,体积为3.2x2.5mm,在产品中使用具有耐高温,低功耗,电气性强等特点.文中所列举的为KDS晶振市场常用频率晶振编码,我们都知道每个晶振都有专属自己的编码,代表不同的参数,更多KDS晶振编码参数请致电0755-27876565.
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- [技术支持]石英晶振水晶元件的由来以及生产制程2018年12月11日 10:37
什么是石英晶振晶体器件?
晶振是种控制频率元件,在电路模块中提供频率脉冲信号源,在信号源传输的过程中晶振在电路配合下发出指令,通过与其他元件配合使用.简单点来说就是晶振的作用是给电路提供一定频率的稳定的震荡(脉冲)信号,比如石英钟,就是通过对脉冲记数来走时的.下面我们就来好好了解下石英晶体水晶元件的由来以及生产制程.
特性1:晶振的压电现象·反压电现象
晶振具有在施加压力时产生电荷的性质,并且它被称为压电现象.相反,当施加电压时,它具有以恒定节律振荡(变形)的特性,并且被称为反向压电现象.压电现象是由居里兄弟于1880年发现的,并且在1881年,反压电现象在数学上由李普曼领导并由居里兄弟证实.
性质2:晶振的双折射
它将入射在石英晶振上的光分成两个线性偏振光,即普通和非常光,它们具有不同的振动方向.利用这种特性的光学低通滤波器消除了称为莫尔条纹的光学伪信号,这导致数码相机和监视摄像机的图像质量下降,并实现高图像质量.
水晶小知识普及——石英是由硅(Si)和氧(O)组成的单晶(SiO2).用于配件等的紫水晶,黄水晶,玫瑰石英等也是石英构件.
图通过在紫水晶石英中含有铁离子,吸收黄绿光似乎是紫色的。 图与黄水晶紫水晶一样,它取决于石英中铁离子的含量,但由于含铁的电子排列不同,它吸收蓝紫色光并呈现黄色。 图由于含有钛离子,锰离子,铁离子,玫瑰石英晶体呈淡粉红色。 图它是含有金红石石英二氧化钛针状晶体的晶体。 人造水晶对石英晶振晶体器件至关重要
过去,天然石英器件用于石英器件,但天然晶体具有许多杂质,例如尺寸和质量的变化.人造石英是解决这些问题的原因.以下让亿金电子告诉你晶振的生产制程.
称为高压釜的大型压力容器填充碱性溶液,在上半部分放置晶种(晶体排列中具有较少缺陷的石英板),将称为Laska的天然石英原料放入下半部分,并且 结晶的是人造晶体. 这取决于品种,但它会在2到3个月的时间内增长,而对于长的则会增长约6个月.(高压灭菌器是一种特殊的铁制容器,可以承受高温/高压,通过应用技术,使战舰,特种钢容器,可以承受高温和高压的炮筒制成. 它很大,内径为650毫米,高度为15米.)
直到形成晶体器件
晶体如何转变为电子元件?让我们来看看石英设备中最典型的贴片晶振,石英晶体振荡器示例,直到产品完成.
①加工晶体坯料
晶体(合成石英)是无色透明的晶体,但石英晶体具有方向性,为了起到电子部件的作用,需要澄清晶轴.此过程称为Lambert处理.
然后根据目的在相对于晶轴的必要角度切割,并用研磨剂抛光到目标频率.在这个过程中,被称为AT切割是通常使用的,因为有反比于晶体的厚度的频率,抛光晶体片是薄的频率越高,这将是如果低厚.
②频率调整和清洁
在用磨料处理的石英晶振片的表面上,存在加工变形和诸如小裂缝的污垢.使用化学品对晶体表面进行化学抛光和清洁,以消除这些加工变形和污染.在这项工作中,同时调整石英贴片晶振晶体单元的频率.
③电极形成
在加工的晶体片上形成带有金或银等金属膜的电极.当电流通过该电极时,晶体坯料可以通过逆压电现象振荡.
形成电极的晶体坯料
④水晶坯料的粘合/密封
使用导电粘合剂将带有电极的晶体坯料固定在诸如陶瓷的封装上.在牢固地粘合以承受诸如下落和振动之类的各种冲击之后,在以百万分之一百万为单位检查频率的同时进行频率的最终调整.之后,将其密封在真空或氮气氛中以防止电极氧化.
⑤检查,包装,运输
严格的检查把关程序是决定晶振是否合格的最后一步,检查石英晶振,贴片晶振是否满足规格要求.石英晶振晶体促进了电子行业发展,并在这些器件中发挥重要作用.随着高度可靠的ICT(信息和通信技术)基础设施的发展,ICT在医疗,护理和农业等领域也在不断发展.而石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振具有小型,重量轻,精度稳定,性能强等特点,一直在支持电子科技产品的发展进步.
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- [行业新闻]KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器2018年12月10日 10:07
KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.
温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G(第五代移动通信系统)的IoT(互联网的单声道).
DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图
通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.
DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.
KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器(NTC热敏电阻),实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.
DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图
DSR1210ATH石英晶体谐振器特点
超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸:最大1.2×1.0×0.55mm.
内置NTC热敏电阻作为温度传感器
采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性
无铅/符合RoHS标准
支持驱动电平:最大300μW.
[主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备
[生产状况]样品响应时间:2019年1月-.批量生产响应期:2019年5月-
DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性
物品\型号
DSR1210ATH石英晶体谐振器
标称频率
76.8MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
6pF,7pF,8pF
激励程度
最大300μW
频率容差偏差
±10×10-6(25℃时)
串联电阻
最大20Ω/最大30Ω。
频率温度特性
±15×10-6(-30至+85℃)
储存温度范围
-30至+125℃
热敏电阻的电阻值
22kΩ/100kΩ(+25℃时)
热敏电阻B常数
3380K/4250K(+25至+50℃)
如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.
[晶振术语解释]
温度系数:切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.
温度系数
ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.
F(T)=C3(T-T0)3+C2(T-T0)2+C1(T-T0)+C0
C0:常数/C1:1次温度系数/C2:2阶温度系数/C3:3下一个温度系数
t:温度/t0:参考温度
拐点温度:AT切割晶体单元的频率温度特性变为点对称的温度.NTC热敏电阻(负温度系数热敏电阻)热敏电阻,其电阻随温度升高而降低.- 阅读(300)
- [根栏目]ASE-24.576MHZ-LC-T贴片晶振代码的正确参数对照2018年12月08日 09:49
- 美国Abracon晶振集团是国际上有名的石英晶体振荡器,石英贴片晶振制造商.成立于1992年,Abracon石英晶振生产销售基地遍布克萨斯州,加利福尼亚州,中国,台湾,新加坡,苏格兰和德国等多个国家.Abracon晶振早已获得ISO9002, ISO9001-2008等质量管理体系认证.
Abracon贴片晶振型号
ASE贴片晶振
XO 625kHz~200MHz 3.3V LVCMOS 0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm
3.2 x 2.5mm4 Pad SMD1.20mm Datasheet
Inventory
Support DocsASE2贴片晶振
XO 625kHz~166MHz 2.5V LVCMOS 0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm
3.2 x 2.5mm4 Pad SMD1.20mm Datasheet
Inventory
Support DocsASE3贴片晶振
XO 625kHz~133MHz 1.8V LVCMOS 0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm
3.2 x 2.5mm4 Pad SMD1.20mm Datasheet
Inventory
Support DocsASE4贴片晶振
XO 1~50MHz 1.5V LVCMOS 0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm
3.2 x 2.5mm4 Pad SMD1.00mm Datasheet
Inventory
Support Docs
通过参数表我们可以得知Abracon晶振频率范围宽,频率偏差小,具有高可靠使用性.Abracon石英晶体振荡器具有良好的频率容差和温度稳定性,同时保持低噪声,低抖动,低功耗.美国Abracon晶振标准频率和任何频率可编程XO具有超短引线,可提供高达1.5GHz的输出频率,适用于2016mm到8045mm等尺寸,等级(包括汽车).
Abracon贴片晶振编码
晶振代码 品牌 型号 类型 频率 电压 工作温度 尺寸 高度 ASFL1-27.000MHZ-EK-T Abracon LLC ASFL1 XO 27MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (5.00mm x 3.20mm) (1.30mm) ASFL1-50.000MHZ-EC-T Abracon LLC ASFL1 XO 50MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (5.00mm x 3.20mm) (1.30mm) ASV-48.000MHZ-E-T Abracon LLC ASV XO 48MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (7.00mm x 5.08mm) (1.80mm) ASV-50.000MHZ-EJ-T Abracon LLC ASV XO 50MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (7.00mm x 5.08mm) (1.80mm) ASV-11.0592MHZ-E-T Abracon LLC ASV XO 11.0592MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (7.00mm x 5.08mm) (1.80mm) ASV-3.6864MHZ-E-T Abracon LLC ASV XO 3.6864MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (7.00mm x 5.08mm) (1.80mm) ASE3-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC ASE3 XO 25MHz 1.8V -40°C ~ 85°C (3.20mm x 2.50mm) (1.25mm) ASFL1-12.288MHZ-EC-T Abracon LLC ASFL1 XO 12.288MHz 3.3V -20°C ~ 70°C (5.00mm x 3.20mm) (1.30mm) ASE-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC ASE XO 24.576MHz 3.3V -40°C ~ 85°C (3.20mm x 2.50mm) (1.20mm) ASE-11.0592MHZ-LC-T Abracon LLC ASE XO 11.0592MHz 3.3V -40°C ~ 85°C (3.20mm x 2.50mm) (1.20mm) ASE3-25.000MHZ-KT Abracon LLC ASE3 XO 25MHz 1.8V -10°C ~ 70°C (3.20mm x 2.50mm) (1.25mm) ASA-26.000MHZ-L-T Abracon LLC ASA XO 26MHz 3.3V -40°C ~ 85°C (2.00mm x 1.60mm) (0.80mm) ASA-12.000MHZ-L-T Abracon LLC ASA XO 12MHz 3.3V -40°C ~ 85°C (2.00mm x 1.60mm) (0.80mm) ASA-40.000MHZ-L-T Abracon LLC ASA XO 40MHz 3.3V -40°C ~ 85°C (2.00mm x 1.60mm) (0.80mm) - 阅读(91)
- [行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15
科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.
那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.
爱普生差分晶振参数
项目 符号 规格说明 条件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN输出频率范围 f0 73.5MHz to 700MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 电源电压 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 储存温度范围 T_stg -40 °C to +125 °C 存储为单一产品 工作温度范围 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C频率稳定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz输出禁用电流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在输出交叉点 输出电压
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 输出电压
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 输出负载条件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 终止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 连接到 OUT 与 OUT之间 输入电压 VIH 70 % VCC Min. OE 终端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降时间 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 振荡启动时间 t_str 3 ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒 相位抖动 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz 频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.
爱普生差分晶振编码
爱普生晶振编码 差分晶振型号 频率 封装尺寸 输出 温度范围 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.
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- [技术支持]NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数2018年12月01日 10:06
NDK晶振成立于1948年,专为研发生产石英晶体频率元件,选用优异的材料,运用国际质量管理体系进行生产,每一颗晶振都是独一无二的制作,具有抗振性强,起振快,精度稳定等优势特点.NDK晶振在汽车产业占有重要地位,为车载系统晶振提供了多种封装尺寸,具有较高的温度范围可达-40℃~125℃,小体积,耐恶劣环境等优势.以下所介绍到的是NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数,NDK车规级晶振,贴片晶振型号(无源晶振系列),体积为3.2x2.5mm封装,除了表格中所列举的晶振参数之外更多相关参数可咨询亿金电子.
NDK3225车规级晶振型号(无源晶振系列)
型名
主用途
尺寸大小
(mm)额定频率
范围
(MHz)频率偏差
(+25°C±3°C)频率温度特性
(以25°C
为基准)工作温度
范围
(°C)L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[×10-6]
Min.
Max.
移动通信
短距离无线通信
消费类电子3.2
2.5
0.55
12
64
±15
±25
-40
+85
16
54
±10
±10
-20
+75
40
150
±20
±25
-40
+85
消费类电子
3.2
2.5
0.75
9.840
50
±20
±30
-40
+85
汽车电子
3.2
2.5
0.75
9.8
50
±50
±150
-40
+150
3.2
2.5
0.75
12
50
3.2
2.5
0.80
7.98
12
3.2
2.5
0.55
12
50
±15
±50
-40
+125
3.2
2.5
0.60
9.8433
50
3225晶振在市场上较为吃香,大大小小智能产品都会选择这个体积,不仅节省电路空间,并且具有性能稳定,精度偏差小等特点.NDK晶振汽车级在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,从7.98M~50MHZ为汽车系统提供多种选择.满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振参数
额定频率范围(MHz)
12to50
尺寸大小(L×W×H:mm)
3.2×2.5×0.55
泛波次数
基波
频率偏差(25±3℃)
±15×10-6
频率温度特性(以25℃为基准)
±50×10-6
工作温度范围(*1)/储存温度范围(℃)
-40to+125/-40to+125
等效串联电阻(额定频率:以上~未满)
Max.120Ω(12to20MHz)
Max.100Ω(20to50MHz)驱动功率
10µW(Max.200µW)
负载电容
8pF
规格料号
STD-CRS-2
如咨询,采购本网站登载的标准规格品时,请告知贴片晶振“型名”,“频率”和“规格料号”.
NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振编码(无源晶振系列)
Manufacturer Part Number 原厂编码 Manufacturer厂家 Description 参数 Series 型号 Frequency频率 Frequency Stability频率稳定度 Ratings Size/Dimension 尺寸 Height-Seated (Max)高度 NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 25.0000MHZ 8PF NX3225SA 25MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SA-27M-STD-CRS-2 NDK晶振 27.0000MHZ 8PF NX3225SA 27MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SA-20.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 20.0000MHZ 8PF NX3225SA 20MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SA-16.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 16.0000MHZ 8PF NX3225SA 16MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3 NDK晶振 8.0000MHZ 8PF NX3225GD 8MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (1.00mm) NX3225GA-20MHZ-STD-CRA-1 NDK晶振 20.0000MHZ 8PF NX3225GA 20MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2 NDK晶振 20.0000MHZ 8PF NX3225GB 20MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225GA-12.000M-STD-CRA-1 NDK晶振 12.0000MHZ 8PF NX3225GA 12MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3 NDK晶振 10.0000MHZ 8PF NX3225GD 10MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (1.00mm) NX5032SD-13.56MHZ-STD-CSY-1 NDK晶振 13.5600MHZ 12PF NX3225SC 13.56MHz ±50ppm AEC-Q200 (4.90mm x 3.10mm) (1.00mm) NX3225SA-12.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 12.0000MHZ 8PF NX3225SA 12MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225GB-16M-STD-CRA-2 NDK晶振 16.0000MHZ 8PF NX3225GB 16MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225SA-12.288M-STD-CRS-2 NDK晶振 12.2880MHZ 8PF NX3225SA 12.288MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SC-18.08M-STD-CRS-1 NDK晶振 18.0800MHZ 8PF NX3225SC 18.08MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.70mm) NX3225SA-40.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 40.0000MHZ 8PF NX3225SA 40MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX5032SD-9.84375M-STD-CSY-1 NDK晶振 9.84375MHZ 12PF NX3225SC 9.84375MHz ±50ppm AEC-Q200 (4.90mm x 3.10mm) (1.00mm) NX5032SD-20MHZ-STD-CSY-1 NDK晶振 20.0000MHZ 12PF NX3225SC 20MHz ±50ppm AEC-Q200 (4.90mm x 3.10mm) (1.00mm) - 阅读(610)
- [亿金快讯]美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂编码代码参数分解2018年11月28日 17:30
- Integrated Device Technology, Inc.是美国IDT晶振的英文全称.IDT晶振集团是电子元件行业协会 (ECIA) 的正式成员,电子元件行业协会是电子元器件制造商及其供应商授权分销合作伙伴和独立现场销售代表组成的非营利性行业协会. 发展至今在世界各地均设有石英晶振,有源晶振研发生产基地,销售网点遍布全球,是世界500强企业.以下为IDT有源晶振,美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂代码编码参数分解
艾迪悌差分晶振型号
IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.
艾迪悌差分晶振代码编码
Digi-Key Part Number 原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 631-1365-ND XLL736060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735135.000000X-ND XLL735135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000X-ND XLL735040.000000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP735025.000000X-ND XLP735025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL726135.000000X-ND XLL726135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) XLL735060.000000I-ND XLL735060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000I-ND XLL735040.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736135.000000X-ND XLL736135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736106.250000X-ND XLL736106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL526155.520000I-ND XLL526155.520000I IDT晶振 OSC XO 155.520MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (5.00mm x 3.20mm) XLL736080.000000I-ND XLL736080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL536080.000000I-ND XLL536080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLL730106.250000X-ND XLL730106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL730060.000000I-ND XLL730060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735106.250000I-ND XLL735106.250000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP535075.000000X-ND XLP535075.000000X IDT晶振 OSC XO 75.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLP535025.000000X-ND XLP535025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) - 阅读(146)
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