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Silicon晶振产品包括石英晶体振荡器,SMD晶振,温补晶体振荡器,OCXO恒温晶体振荡器以及多种高频率晶体振荡器等.Silicon石英晶体振荡器的整体稳定性如何？Silicon所生产的产品具有低功耗,高精密,高性能等优势特点.

Silicon XO晶体振荡器的总稳定性规定了XO的中心频率在所有工作条件下可偏离其标称值的最大值,通常包括温度稳定性,初始精度,70℃下20年老化,负载牵引和VDD变化.电源变化和负载变化是不太重要的因素,通常在0.1ppm范围内,并且这些稳定性因素通常从XO石英晶体振荡器数据表中省略.

时钟振荡器通常使用印刷在陶瓷基板上的厚膜电路.分离元件焊接或环氧树脂到电路.如果焊接,必须使用高温焊料完成后,以防止组件在时钟焊接到PC板时松动.集成电路是通常以DIE形式和引线键合,或采用SOIC型封装并焊接到位.一直以来大多数石英晶体,有源晶体振荡器使用高频切割（AT,BT或SC）,晶体毛坯（磁盘）安装在基板上没有将晶体密封在二级包装中.水晶安装硬件包括实心金属阻止弹簧到薄金属基座.对于大多数应用程序,硬件有一些“给予”似乎最适合机械冲击,机械振动和热冲击.基材安装在金属集管上,并有一个电阻焊接的金属盖.

其他更复杂的振荡器,如TCXO温补晶体振荡器,VCXO压控晶体振荡器和OCXO恒温控制晶体振荡器,使用了许多不同的技术.虽然最近一些较简单的VCXO和TCXO已经使用了专用IC和其他IC高科技技术将它们小型化为与时钟类似的封装,大多数仍然使用通用印刷电路板,含铅IC和密封水晶.它们是一个相当大的金属底座,带有金属盖拧紧或焊接到底座上.密封整个封装并不重要,因为晶体内部密封.时钟晶体振荡器有两种封装尺寸;一个是混合DIP,行间距为0.300英寸14引脚兼容,另外是相同的,除了它是8引脚兼容.通常只有4个角销因为电气或机械目的不需要其他引脚（见图11）.

晶体振荡器根据不同领域的产品需求被分为TCXO温补石英晶体振荡器,VCXO电压控制晶体振荡器,OCXO温度控制晶体振荡,VC-TCXO压控温补晶体振荡器,SPXO时钟晶体振荡器,差分输出晶体振荡器等.然而这些石英晶体振荡器同样可以进行小分类,以下是亿金电子对于你没听说过的TCXO晶振4种分类介绍.

标准TCXO温补晶振具有相当多的性能质量.一些最常见的性能数据总结如下:

TCXO PPM性能:TCXO温度性能优于普通晶体振荡器.通常可以看到10到40倍改善的数字.在0至70℃的温度范围内,优于±1.5ppm的数字难以实现,因为它们属于成本显着增加的高精度类别.

功耗:鉴于所需的额外电路,TCXO晶振的功耗将大于普通石英晶体振荡器.此外成本更高.还应该记住,振荡器启动后需要一段时间才能使振荡器稳定下来.取决于设计,这可以是100ms的量级,或者可能更长.

电源要求:实际电源要求取决于设备.许多电源采用3V电源供电,可能只需2mA,但这取决于一般类型,制造商和所选的特定器件.

  村田是日本有名的电子元件制造商,所生产的陶瓷晶振在世界上数一数二,多年来一直不断研发创新更多高质量的产品.早在多年前利用自身丰富的专业知识,独特的封装技术研发制造了一系列石英晶振,包括小型SMD晶振,晶体振荡器等,具有小体积,高精度,低功耗等特点.

  精密TCXO晶振（温度补偿晶体振荡器）是一种自身带有温度补偿功能的带电压晶振,TCXO晶振与网络基础设施的OCXO晶振相比,可实现相同的频率精度.

  为了实现与4G和5G的高精度同步,村田晶振正在开发频率稳定性为Stratum3级或更高级别的晶振产品.不仅具有温度补偿功能,并且具有电压控制功能.除了可选的Vc功能外,还可以从限幅正弦或CMOS中选择输出波形.

  村田精密TCXO温补晶体振荡器产品规格

系列	尺寸（mm）*	频率	温度变化	工作温度范围
Cliping Sine  具有Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.2ppm的	-40°C至85°C
Cliping Sine  没有Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.2ppm的	-40°C至85°C
CMOS  具有Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.28ppm	-40°C至85°C
CMOS  无Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.28ppm	-40°C至85°C

  村田精密TCXO温补晶体振荡器的优势

  5G需要更精确的定时装置,但是在OCXO晶振中存在高成本,尺寸和功耗等问题.因此,村田制作所将继续提高TCXO晶振的准确性,以创造不再需要OCXO的环境.村田制作所的精密TCXO晶体振荡器具有与OCXO晶体振荡器同样具备高温度特性,在-40ºC至85ºC的温度范围内,精度为+/-200ppb.该产品可确保G.8262在EEC（以太网设备时钟）中所需的保持和自由运行的准确性.

  村田TCXO晶振满足市场需求提供提供频率10M~50MHZ范围,具有低电源电压,低抖动等特点.村田精密TCXO温补晶体振荡器应用：基站（SmallCell/eNodeB/gnodeB）,交换机/路由器（IEEE1588/PTP/SyncE）,无线设备/无线电设备等.

  为了承受更恶劣的环境,村田晶振公司现在正在开发具有更宽温度范围的石英贴片晶振产品.除小型电池外,该产品还适用于使用IEEE1588/PTP或同步以太网的高精度同步系统.

   7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

   TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振

NDK晶振一直不断研发创新紧跟市场脚步,总能满足各种应用需求.所生产晶振材料均选择无铅无害符合国际ROHS标准.多年来凭借自身的独特生产技术占领市场,以质量赢得广大用户辛辣,长期合作伙伴超过上百家.下面要给大家介绍的是NDK新型温补晶体振荡器NR3225SA晶振.

   日本NDK晶振所推出的最适用于高精度时间基准器件的NR3225SA晶振, 采用的是3225封装,为8个表贴装脚位,超薄的厚度为1.0mm,具有小型,高精密,低功耗,高性能等特点.更多NDK晶振详细信息欢迎咨询亿金电子0755-27876565.

1880年法国物理学家居里兄弟发现了压电效应。当在石英晶体的某个固定的方向加上压力后,晶体的内部就产生电极化现象,并且在对应的两个表面上分别产生正负电荷。当去除所加的压力后,石英晶振晶体表面的正负电荷又会消失,恢复到原来没有加压力的状态;当所加的压力改为拉力后,晶体表面产生的正负电荷的极性也会随之改变。石英晶振晶体表面所产生的电荷量与所加的压力或拉力的大小成正比。这种将机械能转化为电能的现象就称为正压电效应。

相反,如果在石英晶体的极化方向上外加交变电场时,就会使晶体产生膨胀或缩小的机械变形。当去掉所加的交变电场后,该石英晶振晶体的机械变形也随之消失,恢复到原来的状态。这种电能转变为机械能的现象称为“逆压电效应”.自然界中虽然有很多晶体都具有上述压电效应,但是石英贴片晶振晶体结构简单,做成的振荡器精度高,频率稳定,因此是比较理想的材料。

图2-1是正压电效应和逆压电效应的示意图。表示某一非中心对称的压电石英晶体在某一平面上的投影,当其两侧受到一定外力时的情况。其中(a)表示当石英晶振晶体不受外力时,正电荷与负电荷的中心重合。晶体的电极化强度为0,晶体表面就不带电荷。(b) 表示在(a)中的晶体两侧加上压力后,产生电极化现象。即晶体发生压缩变形使得正电荷与负电荷的中心分离。为此,石英晶振晶体就显示有电偶极距,电极化强度就不再等于0晶体表面分别出现了正、负电荷。(c)中则表示将晶体两侧的压力改为拉力后,因为石英贴片晶振晶体产生膨胀变形后正电荷与负电荷的中心分离方向与(b)中的正好相反,所以晶体两侧表面所带的正、负电荷情况也正好相反。

如果在石英晶振晶体两侧的表面镀上金属电极后, 当在其表面加上压力或拉力时,都可以利用仪表测得晶体两侧表面的电位差。只是金属电极上由于静电感应产生的电荷与石英晶体表面出现的束缚电荷极性相反。如(d)、(e) 所示,它们分别表示(b)、(c)在加压力的面或加拉力的面镀上金属电极的情况。当施加压力或拉力的方向和产生电位差的方向一致时,称为纵向压电效应。也有一些压电材料,施加压力或拉力的方向和产生电位差的方向是垂直的,这种现象则被称为横向压电效应。相反,如果压电石英晶体在电场中,出于电场的作用,使石英晶振晶体正电荷与负电荷的中心发生分离。这种极化现象则会导致石英晶体,石英晶体振荡器的变形,这就是电致变形,也就是逆压电效应.

亿金电子专业生产晶振,石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等,引进日本先进的机械设备,一流的生产技术,专业的销售团队,以及多位资深工程师为您解决一系列技术性问题.亿金电子晶振厂家同时代理日本台湾欧美进口晶振品牌,KDS晶振,爱普生精工晶体,京瓷贴片晶振,TXC晶体,CTS晶振,IDT晶振,鸿星石英晶振,（SPXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等.亿金电子为品胜,奇瑞汽车,联想电脑,中兴华为等国内多家知名企业频率部件指定供应商,产品广泛用于智能家居,汽车电子,数码周边产品,无线蓝牙,移动通信装置,钟表系列,仪表仪器,卫星导航,笔记本电脑等诸多领域.

晶振作为测量元件时的重要性能参数

石英晶振本身具有很多性能参数,除了前面所提及的串联谐振频率、并联谐振频率外,还有制造公差、拐点温度等,已经有很多文献对此作了论述但对于测量来说,选用石英晶体的重要原因是因为它的高频稳定性和极小的振幅。所以本文只对晶体的品质因数、频率一电流特性、频率一温度特性进行了论述。

  晶体的品质因数Q是晶体的最重要参数。在一定程度上,当其他条件相同时,Q值越高晶体振荡器的频率稳定度越高,石英晶振晶体的品质因数Q是由晶体的动态参数决定的,即：

其中ω为测试系数。

晶振的品质因数通常不作规定,对于标准部件,Q值通常在20000-200000之间,精密晶体可高达5×10°,这比传统的微悬臂的Q值要高100-1000倍。

石英晶体谐振器的频率一电流特性,就是激励电平和谐振频率的关系,它是由石英晶振的物理特性决定的。激励电平通常以晶振的耗散的功率、流过晶振的电流以及晶振两端的电压来量度,晶振电流的变化使其串联谐振频率发生交化。石英晶振的谐振频率相对变化与晶振电流的关系,可以用下面的近似关系表示：

其中D是振的电流常数

从上述关系式可以看出,当激励电平增大时,产生了以下影响:(1)频率产生了漂移,长期稳定性变坏。石英晶振晶振的弹性常数发生了变化,因此引起了频率的漂移,随着晶振的激励电流增高,晶振的频率稳定性显著下降。(2)晶振温度增加。当晶振的激励电平过高时,使得石英贴片晶振被加热到热平衡的温度也引起了频率变化。(3)产生了寄生振荡。(4)等效电阻加大。内部分子运动加剧,使得等效电阻加大,Q值下降。

在实际测量中,当激励电流过大时,石英贴片晶振振荡的幅值过大,导致测量的精度下降,同时不易控制样品表面与针尖之间的距离,所以一般不能采用较高的激励电流。但是激励电平也不能过小,否则由于噪声电平的限制,使瞬态稳定性变坏,这样获得的图像质量就比较差。

晶振的另外一个值得注意的参数是晶振的频率一温度特性,所谓晶振的频率一温度特性就是石英晶振的谐振器的频率随温度变化而变化的特性。晶振的工作温度变化时,晶格变形,从而使得其串联谐振电路发生变化。石英晶体谐振器在温度较窄的范围中,具有较小的温度系数,这就是说频率受温度的变化的影响比较小。但随着温度变得较低(<50°C)和变得较大时(>80°C)时,石英谐振器的频率随着温度的变化有较大的变化。在国外的文献中已经有报道将晶振放在真空、低温、强磁场的环境下进行测量,这时晶振的频率将与常温时有

明显的不同,而且石英晶体谐振器切型不同,晶振频率的变化方向也不同,所以在实验室应该对测试温度和环境加以控制。同时由于测试环境的变化,如何保持仪器的稳定性, 也是一个值得注意的问题。

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  福克斯石英晶振采用无铅无害材料生产,并且符合欧盟ROHS环保指令.FOX石英晶振所做产品均符合国际质量管理体系认证,并获得美国UL,C-TPAT认证, 国际QS-9000,ISO-9001:2008,TS16949:02,ISO14001诸多品质认证.

    亿金电子提供FOX石英晶体2016,2520,7050封装FX252BS-20.000晶振部分型号编码.型号包括C7BQ晶振,FX252B晶振,FX216B晶振等,体积从2016mm贴片晶振~7050mm贴片晶振.均为4脚焊接模式,精度从30PPM~50PPM范围.
    FOX贴片晶振无源系列负载电容从8PF~20PF可供用户选择,满足不同领域产品需求.FOX石英晶体谐振器具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,被广泛用于无线通信设备,智能家居,数码电子,GPS导航,笔记本,蓝牙,无人机,航空设备等.