Silicon石英晶体振荡器的整体稳定性如何?
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Silicon晶振产品包括石英晶体振荡器,SMD晶振,温补晶体振荡器,OCXO恒温晶体振荡器以及多种高频率晶体振荡器等.Silicon石英晶体振荡器的整体稳定性如何?Silicon所生产的产品具有低功耗,高精密,高性能等优势特点.
Silicon XO晶体振荡器的总稳定性规定了XO的中心频率在所有工作条件下可偏离其标称值的最大值,通常包括温度稳定性,初始精度,70℃下20年老化,负载牵引和VDD变化.电源变化和负载变化是不太重要的因素,通常在0.1ppm范围内,并且这些稳定性因素通常从XO石英晶体振荡器数据表中省略.
1.温度稳定性表征了在工作温度范围内引起的频率偏差.Silicon Labs将其指定为工业温度范围(-40至+85℃),而不是商业温度范围.
2.初始精度是室温下晶振标称频率的频率偏差.
3.老化是频率随时间逐渐缓慢变化.Silicon Labs将老化定为70℃下20年的频率变化,这是市场上最严格的条件.
4.VDD变化稳定性是由于电源电压在数据手册中的规格范围内变化而引起的频率偏移.
5.负载牵引稳定性是由于负载变化引起的频率偏移.
简而言之,总稳定性可以计算为:
总稳定性=初始精度+温度稳定性(I-temp)+老化(20yr70℃)+VDD变化+负载牵引.
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