亿金电子,石英晶体,声表面滤波器,日本晶振代理商

当前位置：首页 » 新闻中心 » 行业新闻

102018-12

KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器

KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.

温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G（第五代移动通信系统）的IoT（互联网的单声道）.

DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图

通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.

DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.

KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器（NTC热敏电阻）,实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.

DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图

KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器

DSR1210ATH石英晶体谐振器特点

超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸：最大1.2×1.0×0.55mm.

内置NTC热敏电阻作为温度传感器

采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性

无铅/符合RoHS标准

支持驱动电平：最大300μW.

[主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备

[生产状况]样品响应时间：2019年1月-.批量生产响应期：2019年5月-

DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性

物品\型号	DSR1210ATH石英晶体谐振器
标称频率	76.8MHz
泛音顺序	Fundamental
负载能力	6pF，7pF，8pF
激励程度	最大300μW
频率容差偏差	±10×10-6（25℃时）
串联电阻	最大20Ω/最大30Ω。
频率温度特性	±15×10-6（-30至+85℃）
储存温度范围	-30至+125℃
热敏电阻的电阻值	22kΩ/100kΩ（+25℃时）
热敏电阻B常数	3380K/4250K（+25至+50℃）

如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.

[晶振术语解释]

温度系数：切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.

温度系数

ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.

F（T）=C3（T-T0）3+C2（T-T0）2+C1（T-T0）+C0

C0：常数/C1：1次温度系数/C2：2阶温度系数/C3：3下一个温度系数

t：温度/t0：参考温度

拐点温度：AT切割晶体单元的频率温度特性变为点对称的温度.NTC热敏电阻（负温度系数热敏电阻）热敏电阻,其电阻随温度升高而降低.

详情 >>

072018-12

Cardinal差分晶振CPPV7-A5BP-135.0晶振代码

Cardinal晶振集团成立于1986年,在石英晶体,晶体振荡器,贴片晶振,TCXO振荡器,VCXO晶体振荡器方面拥有先进的仪器设备以及一流的生产技术.一直以来向北美,欧洲和亚州的电子行业供应最优质的石英晶体谐振器和石英晶体振荡器产品.为了更好的满足高端智能应用推出差分晶振.

Cardinal差分晶振型号

差分晶振是相比普通贴片晶振具有更高技术要求的石英晶体振荡器,通常具备LVDS输出,HCSL输出,LVPECL输出,供应不同产品选择.并且具有2520,3225,5032,7050等多种封装尺寸.差分晶振具有低电源电压2.5V/3.3V,低功耗,低抖动等特点.

Cardinal差分晶振代码

Cardinal晶振代码	厂家	型号	频率	类型	输出	精度偏差	尺寸
CPPV7-A5BP-135.0	Cardinal晶振	CPPV7	135MHz	OSC XO	LVDS	±50ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-A5BR-14.75	Cardinal晶振	CPPV7	14.75MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-A7BP-159.375	Cardinal晶振	CPPV7	159.375MHz	OSC XO	LVDS	±50ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-A7BP-200.0	Cardinal晶振	CPPV7	200MHz	OSC XO	LVDS	±50ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-A7BR-122.88	Cardinal晶振	CPPV7	122.88MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-A7BR-50.0TS	Cardinal晶振	CPPV7	50MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-100.0	Cardinal晶振	CPPV7	100MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-105.0	Cardinal晶振	CPPV7	105MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-125.0	Cardinal晶振	CPPV7	125MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-133.333	Cardinal晶振	CPPV7	133.333MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-20.0	Cardinal晶振	CPPV7	20MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-40.000	Cardinal晶振	CPPV7	40MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-BR-80.0	Cardinal晶振	CPPV7	80MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7Z-A7BR-200.0	Cardinal晶振	CPPV7	200MHz	OSC XO	LVDS	±25ppm	(7.00mm x 5.00mm)
CPPV7-A5BP-80.0	Cardinal晶振	CPPV7	80MHz	OSC XO	LVDS	±50ppm	(7.00mm x 5.00mm)

Cardinal晶振早已通过ISO9001：2008认证.Cardinal晶振能够解决用户一切提问,并为新产品和现有产品提供设计帮助,拥有灵活的交期.亿金电子多年来专注用户需求,提供各大进口晶振品牌,代理Cardinal晶振,瑞康晶振,CTS晶振,KDS晶振,爱普生晶振等,不同品牌对应型号列表,以及晶振编码,欢迎咨询亿金电子获取.

详情 >>

032018-12

了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义

科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.

那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.

爱普生差分晶振参数

项目	符号	规格说明		条件
		LV-PECL	LVDS
		SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN
输出频率范围	f0	73.5MHz to 700MHz		请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压	VCC	K : 2. V to 3.3V		VCC=±10 %
储存温度范围	T_stg	-40 °C to +125 °C		存储为单一产品
工作温度范围	T_use	B:-20 °C to +70 °C G:-40 °C to +85 °C
频率稳定度	f_tol	C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6
功耗	ICC	65mA Max.	30mA Max.	OE =VCC L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω f0 = 700MHz
输出禁用电流	I_dis	20 mA Max.		OE = GND
占空比	SYM	45 % to 55 %		在输出交叉点
输出电压 (LV-PECL)	VOH	VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V	-	DC 特征
输出电压 (LV-PECL)	VOL	VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V	-	DC 特征
输出电压 (LVDS)	VOD	-	250 mV to 450 mV	VOD1 , VOD2	DC 特征
	dVOD	-	50 mV Max.	dVOD = \| VOD1 - VOD2 \|
	VOS	-	1.15 V to 1.35 V	VOS1 , VOS2
	dVOS	-	150 mV Max.	dVOS = \| VOS1 - VOS2 \|
输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50 Ω	-	终止于 VCC - 2.0 V
输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_LVDS	-	100 Ω	连接到 OUT 与 OUT之间
输入电压	VIH	70 % VCC Min.		OE 终端
输入电压	VIL	30 % VCC Max.		OE 终端
上升/下降时间	tr/tf	350 ps Max.	-	20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ).
上升/下降时间	tr/tf	-	300 ps Max.	20 % ~ 80 %微分输出峰-峰值
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.		在电源电压最低时，所需时间为 0 秒
相位抖动	tPJ	0.6 ps Max. *1		抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25 °C , 第一年 VCC = 2.5 V or 3.3V

差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.

爱普生差分晶振编码

爱普生晶振编码	差分晶振型号	频率	封装尺寸	输出	温度范围	偏差
X1G0042810001	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810004	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810005	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810011	SG7050VAN差分晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810014	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810020	SG7050VAN差分晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810024	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810031	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810033	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810038	SG7050VAN差分晶振	700.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810039	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810044	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810049	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810050	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810052	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810061	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810062	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810063	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810068	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810069	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810071	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm

差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.

详情 >>

232018-11

台湾安基有源晶振编码
S525025T-125.000-R台湾安基晶振S73305T-27.000-X-15-R晶振S73305T-100.000-X-15-R有源晶振S5A2505-125.000-L-X-R台湾安基晶振S31805T-12.288-X-R石英晶振S52505T-66.666-X-R有源晶振S51805T-125.000-X-R贴片晶振S233025T-26.000-R石英晶振S22510T-27.000-X1-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-P-X-R石英晶振S7A2510-100.000-L-X-R贴片晶振S525025T-24.000-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-L-X-R晶振S53305T-8.000-X-R贴片晶振S73305T-24.000-X-15-R台湾进口晶振S53305T-24.000-X-R贴片晶振S33305T-1.8432-X-R晶振S21805T-24.000-X-R台湾进口晶振S22505T-32.000-X-R有源晶振S225025T-10.000-R晶振S31805T-38.400-X-R台湾进口晶振S32505T-16.000-X-R台湾安基晶振S22505T-26.000-X-R晶振S225025T-19.200-R台湾进口晶振S33305T-12.000-X-R台湾安基晶振S518025T-10.000-R有源晶振S7A33025-100.000-L-X-R石英晶振S518025T-20.000-R有源晶振S7A3310-125.000-L-X-R石英晶振S23305T-24.000-X-R台湾安基晶振S7A33025-156.250-L-X-R石英晶体振荡器S51805T-40.000-X-R台湾进口晶振S73305T-33.333-X-15-R贴片晶振

S7A3305-250.000-P-X-R台湾安基晶振S533025T-1.8432-R台湾进口晶振S22505T-27.000-X-R晶振S7A2505-155.520-P-X-R晶振S31805T-40.000-X-R石英晶振S32505T-12.288-X-R台湾安基晶振S73305T-10.000-X-15-R有源晶振S518025T-25.000-R台湾安基晶振S53305T-10.000-X-R石英晶振S31805T-24.000-X-R有源晶振S32505T-48.000-X-R贴片晶振S518025T-33.333-R有源晶振S52505T-24.576-X-R石英晶振S21805T-40.000-X-R贴片晶振S52505T-33.333-X-R石英晶体振荡器S533025T-10.000-R石英晶体振荡器S23305T-27.000-X-R台湾进口晶振S218025T-12.000-R贴片晶振S225025T-40.000-R晶振S32505T-19.200-X-R台湾进口晶振S533025T-14.31818-R晶振S32505T-12.000-X-R有源晶振S32505T-6.000-X-R台湾安基晶振S53305T-60.000-X-R石英晶体振荡器S73305T-32.000-X-15-R贴片晶振S22505T-10.000-X-R石英晶体振荡器S33305T-38.400-X-R石英晶振S218025T-10.000-R石英晶体振荡器S225025T-48.000-R石英晶体振荡器S53305T-64.000-X-R台湾进口晶振
详情 >>
212018-11

Crystek石英晶体振荡器代码
Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒温晶振CCHD-575-50-80.000石英晶体振荡器CXOH20-BP-10.000温补晶振CCSO-914X-1000.000晶体滤波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88压控晶振CVHD-037X-80电压控制晶振CVHD-037X-100压控晶体振荡器PPRO30-10.000温补晶振CCSO-914X3-1000晶体滤波器C3290-16.000石英晶体振荡器CCLD-033-50-125.000石英晶体振荡器CVSS-945-50.000电压控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒温晶振CE3391-8.000美国进口晶振PPRO30-40.000温补晶振CVCSO-914-1000晶体滤波器C3290-16.384美国进口晶振CCPD-033-50-156.250美国进口晶振CVSS-945-80.000压控晶体振荡器CVHD-950-100.000压控晶振PPRO30-13.000温补晶振CCSO-014-1090.000晶体滤波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281压控晶振CVHD-950-80.000电压控制晶振CVS575-622.080美国Crystek晶振C3390-32.000美国进口晶振PPRO30-26.000温补晶振CVCSO-914-245.760晶体滤波器C3390-30.000石英晶体振荡器

CCPD-033-50-161.1328石英晶体振荡器CVHD-950-125.000电压控制晶振CVHD-037X-125压控晶体振荡器CVT25-38.400温补晶振CCPD-034-50-200.000美国进口晶振CVHD-950-60.000压控晶体振荡器CVPD-037X-153.6压控晶振CVT25-33.600温补晶振CCSO-914X-245.760美国Crystek晶振CVT25-13.000温补晶振CVS575S-500.000美国Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964压控晶振CVPD-034-50-155.52电压控制晶振CVT25-19.200温补晶振RFPRO33-500.000美国602019电压控制晶振CVSS-945X-100.000压控石英晶体振荡器CVT25-26.000温补晶振RFPRO33-1000.000美国Crystek晶振CVHD-950-74.250压控晶体振荡器CVSS-945-100.000压控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒温晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800压控晶振CVHD-950-122.880电压控制晶振PPRO30-19.200温补晶振CVS575-500.000美国Crystek晶振CVHD-950-54.000压控晶体振荡器CVHD-950X-100压控晶振C3290-14.318180美国进口晶振602017压控晶体振荡器CCSO-914X-250.000晶体滤波器CCPD-033-50-77.760石英晶体振荡器CVHD-950-70.000电压控制晶振
详情 >>
172018-11

台湾TXC石英晶体振荡器编码
7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振
详情 >>
162018-11

泰艺TYETBLSANF-38.400000温补晶振编码
TSETDLJANF-12.800000贴片温补晶振TWETKLSANF-13.000000台湾温补晶振TWETMCSANF-19.200000进口温补晶振TYETCCSANF-40.000000高品质温补晶振TSETTLJANF-19.440000高品质温补晶振TTETALSANF-25.000000温度补偿晶振TXETBLSANF-26.000000温补晶振TAETCLJANF-50.000000温度补偿晶振TFETBCJANF-10.000000温补晶振TXETBLSANF-27.000000台湾温补晶振TTETKLSANF-10.000000泰艺温补晶振TSETALJANF-20.000000高品质温补晶振TTETTCJANF-25.000000高品质温补晶振TYKTBCSANF-26.000000泰艺TCXO晶振TXETALSANF-26.000000晶振TAETCLSANF-10.000000泰艺TCXO晶振TFETBCJANF-25.000000晶振TYETCCSANF-32.000000低功耗温补晶振TTETKLJANF-19.200000温度补偿晶振TWETALSANF-20.000000贴片温补晶振TYKTCCSANF-19.200000温补晶体振荡器TFCCBIKANF-10.000000进口温补晶振TYETACSANF-20.000000高品质温补晶振TYKTBLSANF-16.000000进口温补晶振TFETBEJANF-16.384000温补晶体振荡器TAETDLJANF-30.720000温度补偿晶振TXETDLSANF-38.880000温补晶振台湾温补晶振TSETBLJANF-10.000000进口温补晶振TAETBEJANF-12.800000高品质温补晶振TSETTLJANF-25.000000泰艺TCXO晶振TSETTCJANF-12.800000温补晶振TYETACSANF-19.200000台湾温补晶振TXETALSANF-16.369000泰艺温补晶振TVCTDHSANF-25.000000低功耗温补晶振TSETBLJANF-12.000000泰艺温补晶振TSETALJANF-10.000000温补晶振TXETADSANF-16.367667台湾温补晶振TSETALJANF-16.000000泰艺TCXO晶振TSETACJANF-12.800000泰艺TCXO晶振TXETPLSANF-31.250000晶振TFETBEJANF-20.000000台湾温补晶振TAETACJANF-10.240000泰艺温补晶振TXETADSANF-33.600000贴片温补晶振TFETBEJANF-25.000000低功耗温补晶振TSETTLJANF-10.000000低功耗温补晶振TTCTACJANF-50.000000泰艺温补晶振TYETPCSANF-19.200000贴片温补晶振TXETDCSANF-20.000000温补晶体振荡器TWETALSANF-15.050000贴片温补晶振TSETACSANF-27.000000温补晶体振荡器TXETADSANF-16.368000进口温补晶振TXETBLSANF-19.200000台湾温补晶振10.000000低功耗温补晶振TTETTLJANF-20.000000温度补偿晶振TSETMCJANF-26.000000贴片温补晶振TYETACSANF-16.369000温补晶体振荡器TXETADSANF-16.369000进口温补晶振TXETALSANF-10.000000温补晶振TVECDLSANF-30.000000温度补偿晶振TWETRCJANF-24.576000温补晶振TAETBLJANF-10.000000台湾温补晶振TXETADSANF-28.800000泰艺温补晶振TSETTLJANF-26.000000贴片温补晶振TSETTCSANF-20.000000泰艺TCXO晶振TYETBLSANF-12.800000晶振TXETCLSANF-40.000000低功耗温补晶振TSETKLSANF-19.440000晶振TAETBLJANF-19.200000低功耗温补晶振TYKTBLSANF-26.000000温度补偿晶振TSETTLKANF-19.200000温补晶振TTETTCJANF-12.800000温补晶体振荡器TYKTBLSANF-19.200000进口温补晶振TXETADSANF-26.000000高品质温补晶振TAETBLJANF-25.000000高品质温补晶振TYKTCLSANF-26.000000泰艺TCXO晶振TSETTLSANF-19.440000晶振TTETTCJANF-20.000000台湾温补晶振TXETACSANF-26.000000泰艺温补晶振TTETTLJANF-16.384000温补晶体振荡器TTETKLSANF-20.000000晶振TYKTALSANF-26.000000低功耗温补晶振TYETBCSANF-32.000000贴片温补晶振TTCTTLJANF-10.000000泰艺温补晶振TAETBLJANF-27.000000贴片温补晶振TYKTALSANF-52.000000温补晶体振荡器TSETTLSANF-20.000000进口温补晶振TTETTCJANF-24.576000低功耗温补晶振TFETBLJANF-19.440000高品质温补晶振TYKTCCSANF-38.400000泰艺温补晶振TYETCCSANF-50.000000温度补偿晶振TAETBLJANF-30.720000温补晶振TAETBCJANF-25.000000台湾温补晶振TTETTLJANF-12.800000泰艺温补晶振TYKTACSANF-19.200000泰艺TCXO晶振TYETBLSANF-38.400000温补晶振TVETCCSANF-13.000000温补晶体振荡器TYKTDLSANF-50.000000温补晶振TTCTTCSANF-10.000000进口温补晶振TTETKLJANF-25.000000泰艺TCXO晶振TAETBLSANF-20.000000晶振TAETBCSANF-TVETPLSANF-13.000000TYJTPLSANF-40.000000温度补偿晶振TVEBDHSANF-10.000000高品质温补晶振TTETKLJANF-30.720000进口温补晶振TWETKLJANF-13.000000温补晶体振荡器TWETALJANF-40.000000晶振TYETCCSANF-26.000000低功耗温补晶振TSETALJANF-12.800000温度补偿晶振
详情 >>
142018-11

艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码
亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.

FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振
详情 >>
132018-11

爱普生Q22FA1280002100晶振编码
SG5032CAN 1.000000M-TJGA3贴片晶振、TG2016SBN 16.3690M-PCGNDM5有源晶振、TG2016SBN 20.0000M-TCGNNM0温补晶振、TG2016SBN 25.0000M-TCGNNA0贴片晶振、TG2016SBN 26.0000M-KCGNCM0温补晶振、TG2016SBN 16.3690M-TCGNBM5石英晶振、MA-506 22.1184M-C0:ROHS无源晶振、TSX-3225 25.0000MF20X-AJ0石英晶体、TSX-3225 26.0000MF15X-VF6贴片晶振、MA-505 24.0000M-C0:ROHS无源晶振、MA-505 10.0000M-C0:ROHS石英晶体、FA-238 48.0000MB-W5无源晶体、MC-306 32.7680K-A0: PURE SN晶振、MC-306 32.7680K-A5: ROHS无源晶振、FA-238 49.1520MB30X-K5石英晶振、MA-406 10.0000M-C3:ROHS进口晶振、FA-238 32.0000MB-C0石英晶体、MA-406 16.0000M-C3:ROHS石英晶体谐振器、FC-135R 32.7680KA-AC3石英晶振、TSX-3225 40.0000MF10Y-K6无源晶振、FC-135 32.7680KF-AC0晶振、MC-405-32.768K-A3:ROHS石英晶体谐振器、FA-128石英晶振、Q22FA1280049500石英晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280049700石英晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280002100晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280002200石英晶振、MC-405 32.7680K-AE3: ROHS晶振、MC-406 32.768K-A3石英晶体、C-2 26.6670K-P:PBFREE无源晶振、C-2 28.0000K-P:PBFREE石英晶体、TSX-3225 27.0000MF18X-W6晶振、MA-506 16.0000M-C0:ROHS无源晶振C-2晶振、Q12C20001042600晶振、C-002RX晶振、Q11C02RX1002200晶振、FA-118T贴片晶振、X1E000251000900贴片晶振、FA-118T贴片晶振、、X1E000251006900石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251010000石英晶振、X1E000251001100贴片晶振、FA-118T贴片晶振、SG5032CAN 40.000000M-TJGA3贴片晶振、SG-310SEF 27.0000MB6石英晶振、TG2016SBN 16.0000M-KCGNCM3石英晶振、TG2016SBN 16.0000M-MCGNEM3进口贴片晶振、SG-210STF 24.5760MS5有源贴片晶振、FC-135R晶振、X1A000141000300晶振、FC-135晶振、X1E000251006800石英晶振、FA-118T石英晶振FA-118T石英晶振、X1E000251011100石英晶振、FA2016AN石英晶振、Q13FC1350000400晶振、MC-146晶振、Q13MC1461000200晶振、MC-306晶振、Q13MC30610003晶振、MC-306晶振、Q14MC3061000800晶振、MC-306晶振、Q14MC3061013500晶振、MC-306晶振、Q14MC3061021000晶振、MC-306晶体谐振器、Q14MC3062023900晶振、MC-405晶振、Q14MC4051001900晶振、C-005R晶振、Q11C005R1001600晶振、C-004R晶振、Q11C004R1000700晶振、C-2晶振、Q12C20001010900晶振、C-2晶振、Q12C20001020100晶振、C-2晶振、Q12C20001042500晶振、X1E000251001300贴片晶振、SG-210STF 25.0000MS0进口贴片晶振、Q22FA1280048500石英晶振、FA-128石英晶振、Q22FA1280048700石英晶振、FC-12M晶振、X1A000061000200晶振、FA-118T贴片晶振、X1E000251001400贴片晶振、TG-5500CA温补晶振、X1G003561009700温补晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251005700石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251005800石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251006000石英晶振、FA-118T石英晶振、X1E000251006400石英晶振、FA-118T石英晶振
详情 >>
102018-11

村田开发出世界超小的32.768kHz MEMS谐振器
32.768K晶振被用作驱动手表和IC的参考时钟信号,因为它很容易获得高精度的一秒信号将此频率用于数字电子电路.村田制作所开发出基于内部研究的世界上超小的32.768kHz,MEMS谐振器.MEMS指微机电系统,这些系统具有使用半导体制造工艺技术形成的3D微结构.谐振器等定时装置是无源元件,用于在IC工作时产生参考时钟信号.高质量谐振器可产生高精度和高稳定性信号,这对于稳定的IC操作至关重要.村田晶振开发出世界超小的32.768kHz MEMS谐振器将制造为减少物联网设备,可穿戴设备和医疗保健设备的尺寸和功耗做出了重大贡献.

物联网,可穿戴和医疗保健相关的应用,其中小尺寸,长操作时间和更长的电池寿命是必不可少的,这增加了对降低功耗的紧凑型电子组件的需求.32.768K谐振器广泛用于功耗敏感的应用中,以保持准确的时间,同时允许耗电的资源进入深度睡眠模式,从而节省系统级功率并延长整体电池寿命.

新的MEMS谐振器比竞争解决方案小50％以上,同时具有低ESR(ESR指等效串联电阻.较小的ESR表示更容易生成稳定的时钟信号),出色的频率精度和低功耗.这是由于使用了MEMS,这是一种由Murata Electronics Oy（前身为VTI Technologies）开发的技术,该技术具有独特创新的MEMS记录,可用于汽车行业的各种应用.新型谐振器的批量生产计划于2018年12月开始作为WMRAG系列.

在通过MEMS技术实现小型化的同时,新型MEMS谐振器的频率温度特性低于160ppm（工作温度-30至85℃）,初始频率精度（25℃）与a/a相当或更好.
详情 >>