Sitime晶振,贴片晶振,SiT8924B晶振
频率:1M~110MHZ
尺寸:7.0x5.0mm
	
 
SiTime石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器在100多个应用程序中被超过1000个客户使用.我们的最大容量设计是在网络、消费者、计算和存储部分.2011年,我们开始为电信、无线和工业应用提供产品.SiTime于2013年进入智能手机市场,推出了首个移动电话MEMS振荡器,目前在可穿戴设备和物联网应用领域正在迅速发展.
	SiTime晶振公司,MEMS和模拟半导体公司,提供了业界最好的时间解决方案.我们的团队热衷于解决高性能电子产品中最困难的时间问题.我们已经向世界各地的客户运送了超过6.25亿台设备,占MEMS时间的90%,并且年增长率超过50%.SiTime是MegaChips公司(东京证券交易所:6875)的独立子公司, 主要以生产高精度石英晶体振荡器,可编程晶体振荡器等器件为主.
 在过去的几十年里,石英晶体振荡器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等. 
	
 
Sitime晶振,贴片晶振,SiT8924B晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.
对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.
	
 
	
| 
					 项目  | 
				
					 符号  | 
				
					 规格说明  | 
				
					 条件  | 
			
| 
					 输出频率范围  | 
				
					 f0  | 
				
					 1M~110MHZ  | 
				
					 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息  | 
			
| 
					 电源电压  | 
				
					 VCC  | 
				
					 1.60 V to 3.63 V  | 
				
					 请联系我们以了解更多相关信息  | 
			
| 
					 储存温度  | 
				
					 T_stg  | 
				
					 -55℃ to +125℃  | 
				
					 裸存  | 
			
| 
					 工作温度  | 
				
					 T_use  | 
				
					 G: -40℃ to +85℃  | 
				
					 请联系我们查看更多资料:http://www.vc-tcxo.com  | 
			
| 
					 H: -40℃ to +105℃  | 
			|||
| 
					 J: -40℃ to +125℃  | 
			|||
| 
					 频率稳定度  | 
				
					 f_tol  | 
				
					 J: ±50 × 10-6  | 
				
					 
  | 
			
| 
					 L: ±100 × 10-6  | 
			|||
| 
					 T: ±150 × 10-6  | 
			|||
| 
					 功耗  | 
				
					 ICC  | 
				
					 3.5 mA Max.  | 
				
					 无负载条件、最大工作频率  | 
			
| 
					 待机电流  | 
				
					 I_std  | 
				
					 3.3μA Max.  | 
				
					 ST=GND  | 
			
| 
					 占空比  | 
				
					 SYM  | 
				
					 45 % to 55 %  | 
				
					 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF  | 
			
| 
					 输出电压  | 
				
					 VOH  | 
				
					 VCC-0.4V Min.  | 
				
					 
  | 
			
| 
					 VOL  | 
				
					 0.4 V Max.  | 
				
					 
  | 
			|
| 
					 输出负载条件  | 
				
					 L_CMOS  | 
				
					 15 pF Max.  | 
				
					 
  | 
			
| 
					 输入电压  | 
				
					 VIH  | 
				
					 80% VCC Max.  | 
				
					 ST 终端  | 
			
| 
					 VIL  | 
				
					 20 % VCC Max.  | 
			||
| 
					 上升/下降时间  | 
				
					 tr / tf  | 
				
					 4 ns Max.  | 
				
					 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF  | 
			
| 
					 振荡启动时间  | 
				
					 t_str  | 
				
					 3 ms Max.  | 
				
					 t=0 at 90 %  | 
			
| 
					 频率老化  | 
				
					 f_aging  | 
				
					 ±3 × 10-6 / year Max.  | 
				
					 +25 ℃, 初年度,第一年  | 
			
	
 
	
 
在使用SITIME晶振时应注意以下事项:
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.Sitime晶振,贴片晶振,SiT8924B晶振
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
	
 
	
 
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
		
联系人黄娜:18924600166
	
		
工作QQ:857950243
	
		
贸易通:yijindz2014
	
		
座机:0755-27876565
	
		
邮箱:yijindz@163.com
	
		
微信:yijindz,公众号:NDKcrystal
	
		
地址:广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路
	
		
 
	
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