- [亿金快讯]艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用2018年12月05日 10:09
- 美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.
美国艾迪悌XU-XL晶振型号
PDFIMGXL XO HCMOS, LVDS, LVPECL 0.75-1350 2.5,3.3 1 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C PDFIMGXU XO HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL 0.75-1350 1.8,2.5,3.3 0.4 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.
美国艾迪悌XU差分晶振参数
IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序(OTP)可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.
美国艾迪悌差分晶振代码
Digi-Key Part Number IDT晶振原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 高度 800-2857-2-ND XUL535150.000JS6I8 IDT OSC 150MHZ LVDS 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2859-6-ND XUN535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ HCSL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2863-2-ND XUP535156.250JS6I8 IDT OSC 156.25MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-3701-ND XUL736150.000JU6I IDT OSC XO 150.0000MHZ LVDS 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3704-ND XUP736125.000JU6I IDT OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3720-ND XUP536212.500JS6I IDT OSC XO 212.5000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 631-1360-ND XLL726250.000000I IDT OSC XO 250.000MHZ LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1304-ND XLL73V148.500000I IDT OSC VCXO 148.5MHZ LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1305-ND XLP73V153.600000I IDT OSC VCXO 153.60MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 800-2860-6-ND XUP535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2861-2-ND XUP535125.000JS6I8 IDT OSC 125MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) XLL520085.000000X-ND XLL520085.000000X IDT OSCILLATOR XO 85.000MHZ LVDS 2.5V (5.15mm x 3.35mm) (1.40mm) XLP738148.351648X-ND XLP738148.351648X IDT OSC XO 148.351648MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列
IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs(典型值)RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装(3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm)当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括:网络、通信、数据I/O、存储和服务器. - 阅读(372)
- [亿金快讯]5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解2018年12月04日 11:29
台湾TXC晶振拥有丰富的知识,领先业界的生产技术,不但为用户提供性能稳定的晶振产品,并且推出多种产品技术解决方案为用户排忧解难.TXC晶振产品丰富,为不同领域用户提供贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶体,以及业界高技术要求的差分晶振.以下就是5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解.
TXC差分晶振型号
TXC晶振 Model Frequency Stability
(-40~85ºC)Voltage Output Oscillation Dimensions CA晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVPECL Fundamental 5 x 3.2 x 1.2mm CB晶振 50 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVPECL 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm CE晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVDS Fundamental 5 x 3.2 x 1.2mm CF晶振 80 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVDS 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm CX晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V HCSL 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm 差分晶振是具有差分输出的石英晶体振荡器,是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分输出有LVDS,HCSL和LVPECL三种,文中所介绍到的5032封装差分晶振是HCSL和LVPECL输出方式.
TXC差分晶振参数
TXC差分晶振编码代码
TXC晶振编码代码 品牌 型号 类型 频率 频率稳定度 工作温度 输出 尺寸 CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C HCSL (5.00mm x 3.20mm) CB-150.000MBE-T TXC晶振 CB XO 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-153.600MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-100.000MBE-T TXC晶振 CB XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-125.000MBE-T TXC晶振 CB XO 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-133.330MBE-T TXC晶振 CB XO 133.33MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CBA2570001 TXC晶振 CB XO 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CBA3300002 TXC晶振 CB XO 133.33MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CXA0070001 TXC晶振 CX XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C HCSL (5.00mm x 3.20mm) CB-156.250MBE-T TXC晶振 CB XO 156MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-61.440MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 61.44MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-122.880MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 122.88MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) TXC差分晶体振荡器电压可供2.5V~3.3V,精度偏差在±50ppm值,具有使用可靠,电源电压低,相位噪声低等优势.表格中所介绍的差分晶振编码代码均为6脚封装,耐高的温度-40℃~85℃范围.为了满足不同产品选择可供25M~200MHZ高频率范围.更多详细参数可咨询亿金电子业务部.
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- [行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15
科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.
那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.
爱普生差分晶振参数
项目 符号 规格说明 条件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN输出频率范围 f0 73.5MHz to 700MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 电源电压 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 储存温度范围 T_stg -40 °C to +125 °C 存储为单一产品 工作温度范围 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C频率稳定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz输出禁用电流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在输出交叉点 输出电压
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 输出电压
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 输出负载条件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 终止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 连接到 OUT 与 OUT之间 输入电压 VIH 70 % VCC Min. OE 终端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降时间 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 振荡启动时间 t_str 3 ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒 相位抖动 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz 频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.
爱普生差分晶振编码
爱普生晶振编码 差分晶振型号 频率 封装尺寸 输出 温度范围 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.
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- [亿金快讯]大真空XXD26000JHC温补晶振原厂编码2018年11月29日 18:02
DSX321G-8M-12PF-1C208000BC0石英晶体谐振器DSB321SDN26M-1XTW26000MAA温补晶振DSB321SDA26M-1XTW26000CGA温补晶振1N226000AA0L-DSX321G-26.000MHZ石英晶体谐振器压控温补DSA321SC-1XTV19200UGD压控温补DSA321SCL-19.200MHZ-1XTV19200FKA温补晶振DSB321SDN-1XTW16368MAA压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA压控温补-DSA221SCL-1XXA26000FJB压控温补1XXB26000MAA-DSB221SDN压控温补DSB211SDN-1XXD26000MAA温补晶振,石英晶体谐振器1N216000AB0D-DSX321G-16MHz-9pf压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA石英晶体谐振器DSX221G-1ZBB26000AB0B-9PF温补晶振1XXB26000CTB-DSB221SDA石英晶体谐振器DSX321G-9PF-1N226000AA0D温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CFB石英晶体谐振DST210A-1TJG125DR1A0004-32.768K压控温补晶振VC-TCXO--1XTQ10000VCA-DSA535SD温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CF有源晶振1XTW26000CGA石英晶体谐振器DMX-26S-32.768KHZ-10PPM-1TJS125BJ4A421P石英晶体谐振器1C212000AA0H-KDS-12.000MHZ-10PF-10PPM-DSX321G热敏晶体DSR221STH19.2M-1RAA19200AAG热敏晶体DSR221STH-26M-1RAA26000ABA热敏晶体DSR221STH-1RAA26000AFA石英晶体谐振器1TJF125DP1AI00P-KDS-DST310S-32.768KHZ小封装的有源晶振1XSF026000AH6-KDS-OSC-DSO221SH-26MHZ-1.8V-20PPM温补晶振1XXB26000CTB--DSB221SDA-26MHz-2.8V-压控温补VC-TCXO-26.000MHZ-1.8V-2520-size-(1XXA26000FEB)石英晶体谐振器DSX211G-27.12MHZ-2016-size温补晶振DSB211SDM-26MHZ-1XXD26000JHC温补晶振TCXO-38.400MHZ-0.5PPM-2520-(1XXB38400MAA)石英晶体谐振器DST310S-1TJF125DP1AI001石英晶体谐振器32.768KHZ-DST310-1TJF125DP1A00A石英晶体谐振器1C326000AB0AR-26MHZ-DSX321G
- 阅读(196)
- [亿金快讯]美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂编码代码参数分解2018年11月28日 17:30
- Integrated Device Technology, Inc.是美国IDT晶振的英文全称.IDT晶振集团是电子元件行业协会 (ECIA) 的正式成员,电子元件行业协会是电子元器件制造商及其供应商授权分销合作伙伴和独立现场销售代表组成的非营利性行业协会. 发展至今在世界各地均设有石英晶振,有源晶振研发生产基地,销售网点遍布全球,是世界500强企业.以下为IDT有源晶振,美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂代码编码参数分解
艾迪悌差分晶振型号
IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.
艾迪悌差分晶振代码编码
Digi-Key Part Number 原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 631-1365-ND XLL736060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735135.000000X-ND XLL735135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000X-ND XLL735040.000000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP735025.000000X-ND XLP735025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL726135.000000X-ND XLL726135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) XLL735060.000000I-ND XLL735060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735040.000000I-ND XLL735040.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736135.000000X-ND XLL736135.000000X IDT晶振 OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL736106.250000X-ND XLL736106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL526155.520000I-ND XLL526155.520000I IDT晶振 OSC XO 155.520MHZ LVDS SMD LVDS 2.5V (5.00mm x 3.20mm) XLL736080.000000I-ND XLL736080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL536080.000000I-ND XLL536080.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLL730106.250000X-ND XLL730106.250000X IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL730060.000000I-ND XLL730060.000000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLL735106.250000I-ND XLL735106.250000I IDT晶振 OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) XLP535075.000000X-ND XLP535075.000000X IDT晶振 OSC XO 75.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) XLP535025.000000X-ND XLP535025.000000X IDT晶振 OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD LVPECL 3.3V (5.15mm x 3.35mm) - 阅读(146)
- [行业新闻]艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码2018年11月14日 09:19
亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.
FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振
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- [行业新闻]NDK差分晶振型号列表2018年10月22日 11:15
- 亿金电子所整理的NDK差分晶振型号列表,具有3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸供应选择.差分晶振业内人士知道最为常见的输出有LV-PECL,LVDS,HCSL三类.差分输出是什么?就是输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分晶振具有比普通有源晶振更高性能,更高精密,更低电压的特征.
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- [行业新闻]NDK差分晶振3225系列讲解2018年09月27日 09:44
- 差分晶振随着科技的发展越来越被需要,是高端网络设备的首选.差分晶体振荡器是什么呢?差分晶振就是指具有差分输出的晶体振荡器,常见的有LVDS,HCSL,LV-PECL等输出.那么什么是差分输出呢?差分输出用来自晶体振荡器的两个不同的输出信号,这两个信号相位恰好相反.国内市场应用差分晶振常见的品牌有EPSON晶振,京瓷晶振,NDK晶振等. 下面是亿金电子所介绍的NDK差分晶振,包括输出电路图,差分晶体振荡器特点,差分晶振的应用以及输出水平和波形等.
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- [行业新闻]美国Oscilent晶振LV-PECL输出差分晶振型号列表2018年09月11日 10:09
Oscilent晶振的频率控制元件产品系列因其可靠性,耐用性和性能而广受认可.美国Oscilent晶振均已获得ISO-9002质量管理体系认证.下面所介绍到的是Oscilent差分晶振.我们都知道差分晶振常用差分输出具有LVDS,LV-PECL,HCSL三种输出.
差分晶振通俗易懂的解释为是具有差分信号输出的石英晶体振荡器.以下列表中是美国Oscilent晶振LV-PECL输出差分晶振型号列表.包括5x7mm,5x3.2mm,3.2x2.5mm封装尺寸,同时满足产品不同需求,可提供4脚,6脚焊接.Oscilent差分晶振可提供外部温度和紧密稳定性,可用频率范围为19.44MHz-180MHz,具有耐高温,低抖动,高性能,低相噪等特点.
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- [技术支持]资深技术工程对石英晶振的振荡选定思路分享2018年08月10日 11:24
- 石英晶体谐振器是一种无源器件,因此受功率电压、环境温度、电路配置、电路常数、基片布线方式等因素的影响.因此,在振荡电路的设计中,首先要考虑保证石英晶振,石英晶体谐振器的振荡并使其保持稳定.确定这些点后,下一步应考虑频率、频率可拉性、调制水平、启动时间等的精度.
2、部件的角色和指南的数量
在设计振荡器电路时,有必要认识到各个部件的作用.因此,以使用通用C-MOSIC(东芝公司制造的74HCU04AP)作为振荡电路(图1),表1解释了每个角色.
从表1可以看,如果没有安装反馈电阻(Rf),即使电源施加在晶振振荡器电路上,振荡器也不会开始振荡.另外,如果未连接适当的电阻值,则在正常振荡模式下不会发生振荡,可能会发生谐波振荡或基波振荡.在基波振荡器(MHz频带)的情况下通常为1MΩ,在泛音振荡器(MHz频带),但取决于特性和IC的频率不同的数值的情况下,在几个kΩ的~几十千欧的范围内我会的.在音叉型谐振器(kHz频带)的情况下,需要连接10MΩ或更大的电阻器.
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- [行业新闻]美国SUNTSU石英晶体振荡器多种差分输出方式的型号列表2018年07月16日 10:44
- SUNTSU晶体振荡器有通孔或表面贴装包装,有多种尺寸可供选择.包括1612,2016,2520,3225,50032,7050等封装.SUNTSU有源晶振提供宽频率范围和许多不同的电压(1.8V~3.3V)和多种差分输出方式,包括LVDS,CMOS,LV-PECL,HCSL.从下面SUNTSU有源晶振列表中选择一个标准零件号或联系我们的销售团队0755-27876565,以请求您需要的任何自定义参数,我们将根据您的特定需求进行选型推荐.
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- [技术支持]电化区域的大小决定了石英晶振的工作参数2018年04月25日 10:07
- 传统的压电晶体单元(如HC-49/U座的封装)通常使用带有圆形电极的圆形石英谐振板.利用真空下的金属沉积,将电极应用于石英晶振板表面.通过使用覆盖所有板块的面具来确保适当的放置,除了被电的区域.这些面具通常由三部分组成:一个中间部分有一个用来放置盘子的鸟巢,以及为电极提供孔洞的上下部分.当制作这样的面具时,很容易改变决定电极尺寸的光圈;因此,可以将各种各样的电极尺寸应用到特定直径的谐振板上.如上所述,电化区域的大小决定了石英晶体的工作参数,因此可以指定这些参数以适合于特定的应用程序.
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- [技术支持]石英晶振在不同状态下的性质解说2018年01月18日 09:31
石英晶体的密度为265g/cm3,莫氏硬度为7,透明晶莹。在常温常压下,石英晶体不溶于水和三酸(盐酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)属于溶解度极小的物质。但在高温高压下,再加入适量助溶剂,如碳酸钠(Na2CO3)或氢氧化钠(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。这个特点被用于石英晶体的人工培育。
氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)与氟化氢铵(NH4HF2)是石英贴片晶振,石英晶体良好的溶解液,这在石英晶片加工中是很有用的。石英晶体是一种良好的绝热材料,导热系数比较小(见表1.3.1)
表1.3.1石英晶体的导热系数
温度(℃)
K3×10-3(cal/cm·s:℃)
K1×103( cal/cm.s℃)
-200
接近150
66
-150
74
36
-100
52
26
-50
40
20.5
0
32
17.0
50
25.5
14.9
100
21
13.1
室温附近,沿z轴方向的导热系数是沿垂直于z轴方向导热系数的二倍左右与z轴成q角的任一方向的导热系数可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z轴的导热系数,K3是平行于z轴的导热系数石英晶体的膨胀系数也很小,且沿z轴方向的线膨胀系数a3约为沿垂直于z轴方向线膨胀系数a1的1/2(见表1.3.2)。
表1.3.2石英晶体的线膨胀系数值
温度(℃)
a1×10-6/℃
a3×10-6/℃
-250
8.60
4.10
-200
9.90
5.50
-100
11.82
6.08
0
13.24
7.10
100
14.45
7.97
200
15.61
8.75
300
16.89
9.60
400
18.5
10.65
500
20.91
12.22
若已知a1和a3,由下式可求出与Z轴成φ角的任一方向的线膨胀系数aL:al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)
在室温附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)
并可由a1和a3求得体膨胀系数ar:ar=2a1+a3 (1.3.4)
由于石英晶体的热膨胀系数较小,因此可用于精密仪器中。但当它被加热时, 体膨胀系数会发生很大变化。在温度达573℃时,石英晶体由a石英晶体转变为B石英,体积急剧增大。石英晶体谐振器内部产生的较强的机械应力可能会造成裂隙和双晶,这是在石英晶体元件的加工中要注意避免的。
石英晶体还是一种良好的绝缘体,其电阻率可由下式求得:p=Be-AT;式中,p为电阻率,T为绝对温度,e为自然对数的底,A等于1.15×104B为相应的常数。平行于z轴方向的B=3000,垂直于z轴方向的B为平行于z轴方向的1/80。B值除与晶体结构有关外,还与沿z轴方向孔道中碱金属杂质(K+、Na+)的存在有关。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶体在不同温度下的电阻率,单位为ohm. cn。
表1.3.3石英晶体在不同温度下的p(ohm.cm)
温度(℃)
平行于z轴的p
垂直于z轴的p
20
0.1×1015
20×1015
100
0.8×1012
200
70×1018
300
60×106
石英晶体介电常数(描述材料介电性质的量,是电位移D与电场强度E的一个比例系数)的各向异性不很明显,平行于z轴的介电常数ε3=4.6,垂直于z轴的介电常数ε1=4.5。在电场作用下,电介质发热而消耗的能量叫介质损耗,通常以损耗角的正切值(tg6)来表示其损耗的大小。有源晶体振荡器,比如温补晶振,压控晶振,有源石英晶体的介质损耗较小,tg6<2×10-4因此用它作电气材料具有高稳定性。
石英晶体虽不像诸如弹簧、橡皮筋那样的物体,振动日时能看到明显地形变,但是它仍然服从弹性定律(胡克定律),并且可以通过全息照相看到它形变的情况。当然,石英晶体的形变更复杂些,描述更困难些,这将在第二章中进一步讲述。
某些电介质由于外界的机械作用(如压缩、拉伸等)而在其内部发生变化产生表面电荷,这种现象叫压电效应。具有压电效应的电介质也存在逆压电效应,即如果将具有压电效应的介质置于外电场中,由于电场的作用,会引起介质内部正负电荷中心位移,而这位移又导致介质发生形变,这种效应称为逆压电效应。
正像某些其它晶体(如酒石酸钾钠KNaC4H4O6.4H2O、钛酸钡 BaTio3等等)那样,贴片有源晶振,石英晶体也具有压电效应。由于其结构的特殊性,不是任何方向都存在压电效应的,只有在某些方向,某些力的作用下才产生压电效应。
例如:当石英晶体受到沿x轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向则不产生压电效应,当石英晶体受到沿y轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向也不产生压电效应。若受到沿z轴方向的力作用时,是不产生压电效应。因此又称x轴为电轴,y轴为机械轴。利用石英晶体的压电效应可制造多种高稳定性的频率选择和控制元件,这将在以后各章逐步讲述。
石英晶体也与其它一些物质(如方解石CaCO3、硝酸钠NaNO3晶体等)那样具有双折射现象,即一束光射入石英晶体时,分裂成两束沿不同方向传拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做寻常光或称“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非寻常光,又称“e”光,如图1.3.1所示,寻常光在石英晶体内部各个方向上的折射率mo是相等的,而非寻常光在石英晶振,石英晶体的内部各个方向的折射率n0却是不相等的。
例如:对于波长为5893A的光,石英晶体的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶体虽然具有双折射现象,但当光沿z轴方向入射时,不发生双折射现象,所以又称z轴为光轴石英晶体还具有旋光性。即平面偏振光(光振动限于某一固定方向的光)沿z轴方向通过石英晶体后,仍然是平面偏振光,但其振动面却较之原振动面旋转了一个角度。
图1.3.1石英晶体的双折射
石英晶体的光学性质被应用到制造各种光学仪器和石英片加工工艺中。
从六十年代起开展了石英晶体,SMD晶振元件辐射效应的研究工作,在此做一些简单的介绍。
由于宇宙射线的辐照和核武器爆炸,地球周围存在高能粒子和y射线、X射线等辐射。这些辐射对石英晶体及其器件都有很大的影响,无色透明的石英晶体经放射线照射后会变为烟色,石英晶体元件被辐照后,会使频率发生变化,稳定性下降,等效电阻升高。
一般认为,石英晶体被γ射线和高能粒子轰击后,会产生结构空穴和色心,这是由于碱金属离子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶体抗辐射的能力,首先要减少和消除有源恒温晶振,差分晶振,石英晶体中的上述杂质。
一方面选择最佳籽晶和生长条件;另一方面可使用“电清除”的方法驱逐晶体中的杂质。有人做过这样的实验:用z向厚度为1cm的样片,加温到450~470℃,加电压1500-1700V/cm,通过晶体的电流为250μA,20分钟后则降为20μA,这时在负极表面出现由碱金属杂质形成的乳白色薄层。显然,这是一种高温、高压排除晶体中金属离子等杂质的工艺过程。经过这种“电清除”的人造石英晶体制成的石英晶体元件就具有良好的抗辐射性能。
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- [技术支持]IDT有源晶振20M频率5x7体积XLH736020.000000I晶振对应不同型号参数编码2018年01月11日 11:34
IDT晶振集团成立于1980年,是国际数一数二的石英晶体频率元件制造商.自发展以来不断创造高品质,高精密石英晶振,石英晶体振荡器,并且开发了能够与处理器,存储器等数字系统,其他半导体以及物理世界连接的石英晶振解决方案.
美国IDT石英晶体振荡器选用符合德国ROHS环保要求的材料,采用一流的生产技术,早已获得ISO9002,美国UL等国际质量管理体系认证.IDT有源晶振满足市场需求,分为多种使用性能,同时提供TCXO温补晶振,VCXO压控晶振,恒温晶振,压控温补晶振,SPXO石英晶体振荡器,差分晶振,以及可编程晶振等.
亿金电子代理美国IDT石英晶振,一手货源价格优势,同时免费提供IDT晶振原厂代码,产品料号.表格中所举例有源晶振为7.5x5.2mm体积,频率20M晶振,型号包括FXO-HC73晶振,FXO-LC73晶振,FXO-PC73晶振.针对不同产品对于精度的要求,分为±20ppm,±25ppm,±50ppm,±100ppm等频率偏差.
美国IDT石英晶体振荡器采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.IDT晶振集团自成立以来坚持为用户提供优质,高精密石英晶体振荡器为发展理念.如今IDT在世界各地均设有分公司,研发生产基地遍布欧洲,亚洲,北美等多个国家.
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- [技术支持]西铁城49/US系列高精密HC-49/U-S20000000AAJB晶振对应编码参考2017年12月28日 11:01
日本CITIZEN晶振中文名称西铁城晶振,成立于1918年,主要以生产贴片晶振,石英晶体,有源晶振,石英晶体振荡器等电子元件为主.西铁城石英晶振均选用无铅无害环保材料生产,符合德国ROHS指令,运用ISO国际质量管理体系生产,具有高品质,高可靠性使用特性.
亿金电子提供西铁城49/US系列高精密HC-49/U-S20000000AAJB晶振对应编码参考.型号包括HCM49晶振和HC-49/U-S石英晶振.精度保持在±30ppm值,频率范围选用广,20M,12M,22.1184M,10M,16M,24M,27M等.广泛用于无线鼠标,显示屏,儿童玩具,家用电器,办公自动化等产品中.
西铁城49S晶振系列包括插件以及贴片焊接模式,外观全采用优质金属材料封装,具有优良的电气性,耐热性,耐摔性等特点.49SMD贴片晶振系列是提供插件晶振在底部安装了树脂底座经过加工而成,具有耐高温,耐恶劣环境等特性,可使用自动贴片机焊接,满足无铅环保要求,大大的提高了工作效益.
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- [技术支持]美国IDT差分晶振125M频率XLL325125.000000I晶振不同的输出2017年10月30日 11:04
IDT晶振作为较为出色的国际企业,致力于研发生产销售晶振,石英晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,可编程晶振等频率控制元件.不断提高生产技术以及开发更多高精密石英晶体元器件. IDT差分晶振可提供 HCMOS、LVPECL、LVDS 和 HCSL 输出,并且能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.
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