NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NDK晶振,5032石英晶体谐振器

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NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振

频率：9.75M~40MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

5032智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27876565

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日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围：晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售

NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.

NDK晶振日本电波工业株式会社所说的LCA指的是“生命周期评估”,它包括评估产品的寿命.在这里,产品的生命不仅仅是产品本身的制造阶段,而是包括原料组成产品的零件/材料的开采阶段,包括产品的制造阶段,销售阶段,包括到产品交付给用户使用的阶段,包括产品使用由用户和维修/维护参与它,和处置阶段,通过用户废弃产品回收,回收或处置.在ISO14000系列环境标准中也建立了国际标准.

NDK晶振日本电波工业株式会社超低电压驱动的CO2排放量（0.8V ~）型时钟振荡器（nz2520sf）采用最先进的技术和传统的产品开发（2700系列）是由环境LCA技术相比.二氧化碳排放量的计算量的部分制造,产品制造和我们的产品纳入笔记本电脑的功耗,以及产品运输的燃料消耗量.所采用的分析方法是“现场类型”,研究工厂和生产线单位的功耗,然后从产品的总金额,每产品的功耗.

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NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振,智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

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NDK晶振规格	单位	NX5032SA晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	11.0592MHZ~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C ～ +75°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	10PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

NDK晶振规格	单位	NX5032SD晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	9.75MHZ~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +125°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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NX5032SA晶振尺寸图:

NX5032SD晶振尺寸图:

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在使用NDK晶振时应注意以下事项:

晶体产品线路焊接安装时注意事项

耐焊性：

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.

（1）柱面式产品和DIP产品

晶振产品类型	晶振焊接条件
插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下比如：椭圆形引脚插件,圆柱晶振引脚插件	手工焊接+300°C或低于3秒钟请勿加热封装材料超过+150°C
SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230°	+260°C或低于@最大值 10 s 请勿加热封装材料超过+150°C

(2)SMD产品回流焊接条件图

用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.NDK晶振,石英晶振,NX5032SA晶振,NX5032SD晶振,NX5032SA-13.000000MHZ-G1晶振

尽可能使温度变化曲线保持平滑：

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