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  京瓷晶振产品资源丰富,种类繁多,所生产的有源晶振包括：TCXO温补晶振,OCXO恒温晶振,VCXO压控晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,差分晶振,SPXO晶体振荡器等.

  KYOCERA晶振采用无铅无害材料生产,符合欧盟ROHS环保要求,并且获得ISO14001国际环保标准认证.以下表格为京瓷温补晶振型号以及原厂代码,供应广大用户收藏查阅.

美国GEDcrystal公司是一家专注于研发制造大批量,高质量的标准和特殊定制电子器件制造商,包括合成器,OCXO振荡器,VCXO晶振,TCXO晶振,VCTCXO压控温补晶振,DRO,频率转换器,时钟晶体振荡器,石英晶振,带通/低通滤波器和便携式信号发生器等.GEDcrystal提供低功耗,高精度,宽温,高性能,低老化的产品以及完善的服务体系,美国GED晶振的经营理念是超越客户的期望.下面给大家介绍的是GEDcrystal生产全步骤解析图.

晶片打磨

使用自动搭接控制器和高级研磨化合物将水晶坯料研磨至精确厚度.

真空金属沉积 

底部电镀采用最先进的S＆A5600蒸发器,采用低温高真空系统,可实现超洁净和非常稳定的金属沉积.

混合振荡器电路组件区域

包含半导体芯片,晶体管和二极管,电容器和电感器的陶瓷基板在内部组装.IC和基板上的互连采用GED引线键合功能-通过Al楔形键合或Au球键合.

最终频率调整

使用S＆A5400S和S＆A5250系统进行最终频率调整.允许自动最终将石英贴片晶振调整到1ppm以内.

密封

密封能力包括电阻凸焊,冷焊和焊缝.GED晶振密封完成.在超纯干燥的氮气氛中,达到或超过MIL规范的密封性.GED晶振有密封性,使用阴离子泵在氮气或真空中的能力,以确保绝对没有油分子的迁移进入密封的气氛.

温度测试

GED设备可以测试晶体和有源晶振,晶体振荡器.极端温度从-55℃到125℃,它可以执行所有频率和电阻测量,从商业规格到军用规格的温度.

TCXO校准区域

独特的“一体化”TCXO晶振测试和校准系统由GEDCrystal公司开发.该系统缩短了交付周期并提高了晶振晶体生产率.

打标

零件使用计算机标记,带金刚石笔尖或激光打标的雕刻机.将不同频率的GED晶振进行标记,印上相对应的频率以及GED晶振的标记.

最终测试和质量控制

GED晶振对所有参数执行100％测试和检查,所有的石英贴片晶振和晶体振荡器等.

晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

VCXO晶振（压控晶体振荡器）是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO（产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器）或烤箱控制类型（产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器）来实现.

VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下：

偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.

控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.

传递函数（有时称为斜率极性）-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正（或更负）控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.

线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5％且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5％以内.

在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14％.

产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性（±）控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管（在这种情况下为正）.良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑（无间断）和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.

调制速率（有时称为偏差率或频率响应）-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制（输出频率大于10MHz时大于1MHz）,但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.

斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.

因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1％至±5％的VCXO,增量灵敏度约为（非常近似）最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5％最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50％的斜率变化.因此,读取“斜率：2kHz/伏特±10％”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差：20kHz-10％.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10％增量灵敏度与±1％最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度：每伏2kHz±10％”.

其他设计考虑因素

稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏离）其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性（和相关的相位噪声）特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.

锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用（在随后的页面中有描述）.但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.

基本振荡器频率-基本模式晶体（通常为10-25MHz）允许最大的偏差,而第三泛音晶体（通常为20-70MHz）允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.

一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.

亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.

DSX321G-8M-12PF-1C208000BC0石英晶体谐振器DSB321SDN26M-1XTW26000MAA温补晶振DSB321SDA26M-1XTW26000CGA温补晶振1N226000AA0L-DSX321G-26.000MHZ石英晶体谐振器压控温补DSA321SC-1XTV19200UGD压控温补DSA321SCL-19.200MHZ-1XTV19200FKA温补晶振DSB321SDN-1XTW16368MAA压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA压控温补-DSA221SCL-1XXA26000FJB压控温补1XXB26000MAA-DSB221SDN压控温补DSB211SDN-1XXD26000MAA温补晶振,石英晶体谐振器1N216000AB0D-DSX321G-16MHz-9pf压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA石英晶体谐振器DSX221G-1ZBB26000AB0B-9PF温补晶振1XXB26000CTB-DSB221SDA石英晶体谐振器DSX321G-9PF-1N226000AA0D温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CFB石英晶体谐振DST210A-1TJG125DR1A0004-32.768K压控温补晶振VC-TCXO--1XTQ10000VCA-DSA535SD温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CF有源晶振1XTW26000CGA石英晶体谐振器DMX-26S-32.768KHZ-10PPM-1TJS125BJ4A421P石英晶体谐振器1C212000AA0H-KDS-12.000MHZ-10PF-10PPM-DSX321G热敏晶体DSR221STH19.2M-1RAA19200AAG热敏晶体DSR221STH-26M-1RAA26000ABA热敏晶体DSR221STH-1RAA26000AFA石英晶体谐振器1TJF125DP1AI00P-KDS-DST310S-32.768KHZ小封装的有源晶振1XSF026000AH6-KDS-OSC-DSO221SH-26MHZ-1.8V-20PPM温补晶振1XXB26000CTB--DSB221SDA-26MHz-2.8V-压控温补VC-TCXO-26.000MHZ-1.8V-2520-size-(1XXA26000FEB)石英晶体谐振器DSX211G-27.12MHZ-2016-size温补晶振DSB211SDM-26MHZ-1XXD26000JHC温补晶振TCXO-38.400MHZ-0.5PPM-2520-(1XXB38400MAA)石英晶体谐振器DST310S-1TJF125DP1AI001石英晶体谐振器32.768KHZ-DST310-1TJF125DP1A00A石英晶体谐振器1C326000AB0AR-26MHZ-DSX321G

精工爱普生拥有“QMEMS”独特的生产技术,'QMEMS（Quartz +'MEMS'）'是促进MEMS（微电子机械系统）晶体材料微加工工艺的独特技术的名称,为EPSON生产晶振提供了最关键的支持.爱普生晶振集团通过充分利用这项技术的优势,制造了小型,高性能,低损耗的石英贴片晶振产品.

EPSON晶振QMEMS生产技术是世界晶体行业的领先技术,是爱普生晶振集团30多年来工程师的努力成果.正是因为爱普生晶振工程师们的不懈努力,才有了后面这些一系列的小体积,高精密石英晶振,贴片晶振,有源晶振,差分晶振,压控温补晶振.在后面的文章中我们将要说的是爱普生工程师们经过不断努力研发生产的32.768K,石英晶体,贴片晶振的过程,以及爱普生晶振QMEMS技术稳定基础,敬请期待.

FOX晶振在美国成立,位于佛罗里达州迈尔斯堡,自创建以来坚持不断为用户提供高品质,高精密石英晶体振荡器,石英晶振,贴片晶振,石英晶体谐振器等频率元件.FOX晶振在美过与CTS晶振,IDT晶振等品牌有着同样高的人气.是大多知名企业指定的石英晶振供应商.

2009年10月7日,福克斯晶振集团推出了3225封装压控温补晶振系列的FOX923-GP晶振,此款石英晶体振荡器具有稳定±0.5ppm的宽工作温度范围-30°C到85°C.具有精度稳定,耐高温,品质高等特点.