US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃
频率:40MHZ
尺寸:1.6x1.2mm
US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,台湾石英晶振,4垫US系列接缝密封装置包含一个超微型at切割晶体谐振器,封装在一个标准的1.6 x 1.2mm陶瓷封装中。这些紧凑的晶体是理想的表面安装在密集的人口或小的形状因子PCB应用。坚固的AT-cut晶体结构微型1.6 x 1.2mm陶瓷包装,可在胶带和卷;8mm带,3000单位每卷无pb和RoHS/绿色兼容,智能手机,便携式/手持式电脑,PCMCIA卡,笔记本电脑,蓝牙,无线局域网,,SIPRF-SIM,别针驱动器,SD模块
US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃
|
亚陶晶振规格 |
单位 |
US晶振频率 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
40MHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
10PF |
超出标准说明,请联系我们. |
US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃
Diodes零件编号
制造商
系列
类型
频率
频率稳定性
频率容差
负载电容
US3200005Z
Diodes晶振
US
MHz 晶体
32 MHz
±10ppm
±10ppm
8pF
US3840005Z
Diodes晶振
US
MHz 晶体
38.4 MHz
±10ppm
±10ppm
10pF
US2500002Z
Diodes晶振
US
MHz 晶体
25 MHz
±50ppm
±30ppm
20pF
US3200003
Diodes晶振
US
MHz 晶体
32 MHz
±10ppm
±10ppm
8pF
US2600008Z
Diodes晶振
US
MHz 晶体
26 MHz
±15ppm
±10ppm
9pF
US2400015
Diodes晶振
US
MHz 晶体
24 MHz
±10ppm
±10ppm
8pF
US2500007
Diodes晶振
US
MHz 晶体
25 MHz
±10ppm
±10ppm
7pF
US3200013
Diodes晶振
US
MHz 晶体
32 MHz
-
-
-
US3200023
Diodes晶振
US
MHz 晶体
32 MHz
±12ppm
±10ppm
9pF
US3200025
Diodes晶振
US
MHz 晶体
32 MHz
±20ppm
±10ppm
6pF
US3840012
Diodes晶振
US
MHz 晶体
38.4 MHz
±12ppm
±10ppm
7pF
US4800007
Diodes晶振
US
MHz 晶体
48 MHz
-
-
-
US2450001
Diodes晶振
US
MHz 晶体
24.576 MHz
±10ppm
±10ppm
8pF
US2600015
Diodes晶振
US
MHz 晶体
-
-
-
-
US2600019
Diodes晶振
US
MHz 晶体
26 MHz
±10ppm
±10ppm
9pF
US3200001
Diodes晶振
US
MHz 晶体
32 MHz
±10ppm
±10ppm
10pF
US3840004
Diodes晶振
US
MHz 晶体
38.4 MHz
±10ppm
±10ppm
8pF
US3840005
Diodes晶振
US
MHz 晶体
38.4 MHz
±10ppm
±10ppm
10pF
US4000004
Diodes晶振
US
MHz 晶体
40 MHz
±20ppm
±10ppm
10pF
F60800011
Diodes晶振
F6
MHz 晶体
8 MHz
±30ppm
±30ppm
20pF
F61200041
Diodes晶振
F6
MHz 晶体
12 MHz
±20ppm
±20ppm
20pF
F62500053
Diodes晶振
F6
MHz 晶体
25 MHz
±30ppm
±30ppm
10pF
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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