全球咨询热线
手机端
-
9B-30.000MAAE-B,TXC晶振,30MHz,HC-49S晶振,12pF,9B系列,插件晶振
更多 +9B-30.000MAAE-B,TXC晶振,30MHz,HC-49S晶振,12pF,9B系列,插件晶振
TXC晶振中的9B-30.000MAAE-B晶振，是9B系列晶振，该晶振的频率是30MHz，负载电容为12pF，也是HC-49S晶振，我们一般也叫插件晶振。自台湾晶技成立以来，便以卓越的技术实力、创新的研发能力，以及稳健的市场策略，逐步跃升为此领域的市场先驱之一。TXC对品质管理系统精益求精，以国际品质管理标准为基本要求，透过品质管理作业系统，追求世界级效率、效果之品质管理体系为目标。
-
CWX825-30.0M,ConnorWinfield低抖动晶振,7050mm四脚贴片晶振
CWX825-30.0M,ConnorWinfield低抖动晶振,7050mm四脚贴片晶振，美国ConnorWinfield晶振，康纳温菲尔德晶振，型号：CWX8xx系列，编码为：CWX825-30.0M，频率：30MHz，工作电压：5.0V，频率稳定性：±50ppm，工作温度范围：-20℃至+70℃，小体积晶振尺寸：7.0x5.0mm安装，四脚贴片晶振，有源晶振，CMOS输出晶振，固定频率晶体控制石英晶体振荡器（XO）。设计用于需要紧密的频率稳定性和低抖动的应用程序。表面安装包是设计为高密度安装。符合RoHS标准，应用于：移动通讯晶振，无线蓝牙晶振，医疗设备，安防设备等应用。更多 +
-
O 30.0-JT33-B-A-3.3-1.5-LF|JAUCH品牌|6G相关设备晶振
O 30.0-JT33-B-A-3.3-1.5-LF|JAUCH品牌|6G相关设备晶振,Jauch品牌,JT33进口晶振,有源晶振,O 30.0-JT33-B-A-3.3-1.5-LF晶振,温补石英晶体振荡器,3.2x2.5石英贴片晶振,TCXO晶振,频率30MHz,电压3.3V,频率稳定性2.0ppm,工作温度-30~80°C,高可靠性晶振,抗冲击晶振,低老化晶振,6G相关设备晶振,专业视频设备晶振,数据中心晶振,服务器和存储系统晶振.更多 +
-
ECS-ECS-300-8-36CKM-30MHz-10PPM-8PF-2520
ECS-ECS-300-8-36CKM-30MHz-10PPM-8PF-2520,美国ECS晶振,微型的ECX-2236是一个非常紧凑的SMD晶体。2.5 x 2.0 x 0.55 mm陶瓷封装是当今SMD制造环境的理想选择。低轮廓，2.5 x 2.0 mm足迹，扩展温度范围选项， RoHS兼容。更多 +
-
FH3000007-30MHz-30PPM-20PF--20~70℃-DIODES-2520
FH3000007-30MHz-30PPM-20PF--20~70℃-DIODES-2520，台产石英晶振,坚固的AT-cut晶体结构微型2.5 x 2.0mm陶瓷包装可在带和卷；8毫米带，3000单位每卷无pb和RoHS/绿色兼容,4垫FH系列接缝密封装置，安装在标准的2.5 x 2.0mm内存包装年龄范围内。这些协议用于密集的塑料或小型PCB应用中的表面安装。便携式/手持式电脑,PCMCIA卡,笔记本电脑,蓝牙,无线局域网,UWB,Zig,Bee,USB,GPS,硬盘,GSM，CDMA，GPRS.更多 +
- [亿金快讯]艾博康ABM10-16.000MHZ-E20-T晶振编码的详细参数2018年11月27日 09:34
在大多数电子设备中,石英晶振晶体需要ASSP,MCU,RF芯片组和RTC.而艾博康晶振集团提供各种封装尺寸的石英晶振晶体选项,不管是从频率和性能条件（即工业级和汽车级）在众多选项中,Abracon制造的XTALS都具有最低保证ESR和最低CL要求.
艾博康ABM10晶振型号
ABM10晶振
12至55MHz
8到20pF
±10ppm
±15ppm
±25ppm
±30ppm
±30ppm-10至60℃
-20至70℃
-30至85℃
-40至85℃
-40至125℃2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10-165晶振
38.4至38.4MHz
10到10pF
±0ppm的
-30至85°C
2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10-166-12.000MHZ晶振
12至12MHz
8到8pF
为±10ppm
-20至70°C
2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10-167-12.000MHZ晶振
12至12MHz
8到8pF
为±10ppm
-40至85°C
2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10W晶振
16至50MHz
4到8pF
±10ppm
±15ppm
±20ppm
±25ppm
±30ppm
±50ppm
±0ppm
±0ppm0至50°C
0至70°C
-20至70°C
-30至70°C
-30至85°C
-40至85°C
-40至105°C
-40至125°c2.5 x 2.0mm 4脚贴片
美国Abracon晶振所提供的晶振从汽车和工业级ABRACON XTALDDU都已通过TS 16949认证生产线生产,AEC-Q200认证和PPAP符合要求达到3级.Abracon晶振频率从32.768kHz到62.5MHz,封装选项可小至2.0x1.6mm,选择产品支持高达150°C的操作.
艾博康ABM10晶振参数
艾博康ABM10晶振编码
Manufacturer Part Number 原厂编码 Manufacturer厂家 Series型号 Frequency频率 Size/Dimension 尺寸 ABM10-166-12.000MHZ-T3 Abracon LLC ABM10 12MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-16.000MHZ-E20-T Abracon LLC ABM10 16MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-24.000MHZ-E20-T Abracon LLC ABM10 24MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-24.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 24MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-32.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 32MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-30.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 30MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-25.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 25MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-18.432MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 18.432MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-19.200MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 19.2MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-22.1184MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 22.1184MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-26.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 26MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-16.3676MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 16.3676MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-16.384MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 16.384MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-20.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 20MHz (2.50mm x 2.00mm) - 阅读（203）
- [行业新闻]艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码2018年11月14日 09:19
亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.
FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振
- 阅读（137）
- [行业新闻]SUNTSU晶振集团符合行业标准封装尺寸的SAW滤波器型号2018年07月17日 11:14
- SUNTSU SAW滤波器采用行业标准封装尺寸,SMT式,体积从3x3mm到19.5x6.5mm均有生产.包括4个引脚和6个引脚,插件式封装.SUNTSU声表面滤波器提供30MHZ~150MHZ的宽中心频率范围,为RF SAW滤波器系列提供100MHZ至2.7GHZ的宽频率范围.IF SAW滤波器的通带带宽为4kHz至40MHz,RF SAW滤波器的带宽带宽为75kHz至80MHz.以下SUNTSU声表面滤波器常用型号列表,更多型号参数欢迎登入亿金官网查看,或来电0755-27876565咨询.
- 阅读（161）
- [行业新闻]石英晶振选型应该考虑的十大因素2018年01月25日 10:39
- 石英晶振在电路中犹如心脏般的存在,提供型号频率信号,因此在选择使用晶振时要考虑的事项很多,为了在产品中使用获得最大工作效益,石英晶振选型应该考虑的十大因素,大家应该好好看看.
1、工作频率
晶振的频率范围一般在1到70MHz之间.但也有诸如通用的32.768K钟表晶体那样的特殊低频晶体. 晶体的物理厚度限制其频率上限. 归功于类似反 向台面(inverted Mesa)等制造技术的发展,晶体的频率上限已从前些年的30MHz提升到200MHz.工作频率一般按工作温度25°C时给出. 可利用泛频晶体实现200MHz以上输出频率的更高频率晶振.另外,带内置PLL 频率倍增器的晶振可提供1GHz以上的频率.当需要UHF和微波频率时,声表波(SAW)振荡器是种选择.
2、封装
晶振有许多种封装形态.过去,最常用的是金属壳封装,但现在,它已被更新的表贴(SMD晶振)封装取代.命名为HC-45、HC-49、HC-50或HC- 51的金属封装一般采用的是标准的DIP 通孔管脚. 而常见的SMD 封装大小是5×7mm. 源于蜂窝手机制造商的要求,SMD封装的趋势是越做越薄.
3、频率稳定性
该指标量度在一个特定温度范围(如：0°C到 70°C 以及-40°C到 85°C)内,实际频率与标称频率的背离程度.稳定性也以ppm给出,根据晶振种类的不同,该指标从10到 1000ppm变化很大(图 2).
4、频率的精度
频率精度：1PPM=1/1,000,000 频率精度也称频率容限,该指标度量石英晶振,有源晶振实际频率于应用要求频率值间的接近程度.其常用的表度方法是于特定频率相比的偏移百分比或百万分之几(ppm).例如,对一款精度±100ppm的 10MHz晶振来说,其实际频率在10MHz±1000Hz之间.(100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz它与下式意义相同：1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%.典型的频率精度范围在1到 1000ppm,以最初的25°C 给出.精度很高的晶振以十亿分之几(ppb)给出.
5、 老化
老化指的是频率随时间长期流逝而产生的变化,一般以周、月或年计算.它于温度、电压及其它条件无关.在石英晶振上电使用的最初几周内, 将发生主要的频率改变.该值可在5到10ppm 间.在最初这段时间后, 老化引起的频率变化速率将趋缓至几ppm.
6、工作电压
许多晶振工作在5V直流.但新产品可工作在1.8、2.5和 3.3V.
7、输出
有提供不同种类输出信号的晶振.输出大多是脉冲或逻辑电平,但也有正弦波和嵌位正弦波输出. 一些常见的数字输出包括：TTL、HCMOS、ECL、PECL、CML 和LVDS.许多数字输出的占空比是40%/60%,但有些型号可实现45%/55%的输出占空比.一些型号还提供三态输出.一般还以扇出数或容抗值(pF)的方式给出了最大负载.
8、启动时间
该规范度量的是系统上电后到输出稳定时所需的时间.在一些器件内,有一个控制晶振输出开/闭的使能脚.
9、可调性(Pullability)
该指标表度的是通过对一个压控晶振(VCXO)施加一个外部控制电压时, 该电压所能产生的频率改变. 它表示的是最大可能的频率变化, 通常用ppm表示. 同 时还给出控制电压水平,且有时还提供以百分比表示的线性值.典型的直流控制电压范围在0到 5V.频率变化与控制电压间的线性关系可能是个问题.
10、相噪
在频率很高或应用要求超稳频率时,相噪是个关键指标.它表度的是输出频率短时的随机漂移.它也被称为抖动,它产生某类相位或频率调制.该指标在频率范围内用频谱分析仪测量,一般用dBc/Hz表示相噪. 石英晶振,贴片晶振输出的不带相噪的正弦波被称为载波,在频谱分析仪上显现为一条工作频率上的垂直线.
相噪在载波之上和之下产生边带. 相噪幅度表示为边带功率幅值(Ps)与载波功率幅值(Pc)之比,以分贝表示： 相噪(dBc)=10log(Ps/Pc)相噪的测量以载波的10kHz或100kHz频率增量计算, 但也用到低至10Hz或 100Hz的其它频率增量.相噪度量一般规整为与1Hz相等的带宽.取决于载波的频率增量,典型的相噪值在-80到-160dBc 之间. - 阅读（94）
相关搜索
亿金热点聚焦
关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
1CVCO55CW-3500-4500非常适合卫星通信系统应用
- 2节能单片机专用音叉晶体ABS07-120-32.768KHZ-T
- 3可编程晶振CPPC7L-A7BR-28.63636TS适用于驱动模数转换器
- 4汽车氛围灯控制器晶振E1SJA18-28.63636M TR
- 5京瓷陶瓷晶振原厂编码曝光CX3225GB16000D0HPQCC适合于数字家电
- 6SMD-49晶振1AJ240006AEA专用于车载控制器应用
- 7ECS-3225MV-250-BN-TR晶体振荡器是LoRa WAN的理想选择
- 8ECS-TXO-20CSMV-260-AY-TR非常适合稳定性至关重要的便携式无线应用
- 9LVDS振荡器ECX-L33CN-125.000-TR提供频率可配置性及多种包装尺寸
- 10ECS-240-18-33-JEN-TR3非常适合电路板空间至关重要的应用
亿金公众号
亿金微信号
