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Raltron拉隆晶振通过纽约客电子公司提供XCO系列时钟振荡器，这是一个很好的替代解决方案。XCO时钟系列是一个尖端的低频到高频、低抖动输出、单频或多频时钟振荡器系列。XCO提供7.0x5.0mm毫米、5.0x3.2mm毫米和3.2x2.5mm毫米陶瓷封装有源晶振，输出频率范围为10MHz至1.2GHz，电压范围为2.5V和3.3V，频率稳定性选项范围为20PPM至100PPM。

XCO振荡器XCO583KV21-74.250MHz北斗定位专用晶振，这种设计的高度灵活性大大减少了设计周期和总成本。XCO时钟设计结合了一个低频晶体和hitter频率合成器，以提供宽范围的频率。XCO时钟提供LVCMOS、LVPECL和LVDS输出，支持广泛的应用。

ECS晶振发布了ECX-LVDS ECS presscon振荡器系列的其他零件号。扩展包括100MHz、125MHz、156.250MHz和200MHz等新的特定频率，采用5.0mmx3.2mm和7.0mmx5.0mm封装尺寸。这些器件的工作温度范围为-40°C ~ 85°C的标准工业温度，由标准2.5V和3.3V电源电压组合而成。

ECS的可配置LVDS差分石英晶体振荡器可在扩展的频率范围。ECS的ECSpresCON系列产品能够满足当今95%以上的石英振荡器需求。这是因为它的可配置性，并且它可以现货供应，以满足您的确切设计规格。ECX-L是一款低抖动、低电流、频率可配置的表面贴装晶体控制振荡器，提供2.5V和3.3V两种电源电压。ECX-L的封装尺寸范围小至2.5mmx2.0mm，大至7.0mmx5.0mm，频率范围为10MHz至1,500MHz。

LVDS振荡器ECX-L33CN-125.000-TR提供频率可配置性及多种包装尺寸

温补石英晶体振荡器X1G005391001900为通讯模块专用晶振

无线通信设备专用晶振TG2520SMN编码X1G005421031627

晶振是电子产品都得依赖的一款电子元器件,它是通常应用到一些高端电子产品当中。削波正弦波形是TCXO最受欢迎的输出选项,这是为什么呢,主要原因有两点.其一是低功耗,改善了热特性以及更好的老化和频率稳定性能;其二则是比CMOS输出更好的相位噪声性能.也就是说石英晶振在采用削波正玄波作为输出方式之后会极大的减少谐波分量的数量,使得晶振产品具有低相位噪声的性能.

日本进口爱普生晶振TG2016SMN，是一款TCXO温补石英晶体振荡器，小体积晶振尺寸2.0x1.6mm有源晶振，频率范围10MHz至55MHz四脚贴片晶振，电源电压1.8V至3.3V任意一频点,具有低电源电压,低功耗，低相位噪声，满足产品低消耗电流的特点。

26MHz温补石英晶体振荡器X1G005441020400具有低相位噪声的性能

美国QVS Tech晶振集团发展成立至今不仅拥有先进的生产技术,并且拥有独特的封装技术以及优秀的团队,为世界各地用户提供全方面的服务.为了更好的服务广大用户,QVS晶振公司不断研发创新,推出更多符合市场需求的产品.比如MEMS振荡器,下面我们就来说说QVS Tech晶振集团推出的MEMS振荡器好在哪？

QVS TechInc.宣布他们现在提供MEMS频率控制产品.他们使用基于硅的MEMS振荡器CMOS电路而不是基于石英的谐振器来产生频率.这是大多数石英晶体振荡器的替代品.其主要优点是可提供2.0mmx1.6mm,2.5mmx2.0mm,3.2x2.5mm和5.0mmx3.2mm尺寸的紧密频率稳定性.新产品系列称为QMEM振荡器系列,其LVCMOS系列与时钟振荡器器件兼容.

这些MEMS振荡器频率控制产品具有各种技术优势.它们是完全可配置的,具有1MHz至110MHz的宽频率范围.有几种电源电压可供选择,例如+1.8V,+2.5V,+2.8V和+3.3V.它们在广泛的工作温度范围内提供+/-20ppm的频率稳定性.它们具有低ms周期抖动,超薄小的体积占用空间少.QVS晶振公司提供的MEMS振荡器不含卤素,不含铅,不含锑.它们还符合有害物质限制指令（RoHS）和欧盟委员会的REACH法规.

这些MEMS频率控制产品被广泛用于光纤通道,千兆以太网,服务器,路由器,PCIExpress,网络交换,FBDIMM,SATA/SAS,ATM,SONET和SDH.它们还可用于扫描仪,医疗设备,调制解调器,打印机,照相机,笔记本电脑和PDA.更多QVS晶振资料信息欢迎咨询亿金电子进口晶振代理商.

在为现代电子应用选择石英晶体振荡器时,通常会有工程师由于相对较低的单位,热衷于选择便宜的COTS（“商业现货”）零件成本和交货时间,导致性能不佳.选择高可靠性振荡器是最安全的,比如Q-Tech晶振,晶体振荡器,最终是飞行应用的最具成本效益的选择.

Q-Tech晶振,Q-Tech晶体振荡器对于计时和精密应用的电气性能,以及相位噪声和抖动特性,可以显着改变电路的输出.

振荡器的相位噪声和抖动经常导致错误的相位检测.当使用相移键控（PSK）数字调制时,转换（即比特错误）.数字化例如,在使用8相PSK的通信中,最大相位容差为±22.5°,其中±7.5°是典型的允许载波噪声贡献.例如,由于相位偏差的统计性质,如果存在1.5°相位偏差的概率超过±7.5°相位偏差为6X10-7,这可能导致误码率在许多情况下显着应用.因此,有源晶振,晶体振荡器最小化相位噪声和抖动在现代中变得越来越重要

电路应用.对于石英晶体振荡器而言,相位噪声和抖动在很大程度上取决于晶体及其在振荡器内的设计和组装.水晶处理和专业知识,设计并不是普通振荡器所能提供的,而且需要专业的工程和制造,在Q-Tech晶振等高可靠性公司中找到.

这在使用开放式晶体的设计中尤其重要,而不是与封装的相比品种.Q-Tech晶振制造工艺拥有超过40年的产出历史用于最苛刻的应用,从高温井下到深空飞行.同样的制造和水晶设计团队负责监督Q-Tech的所有水晶操作,无论最终用途如何.

即便如此,设计工程也起着重要作用,因为冲击和振动可以产生,即使在“低噪声”晶体振荡器中也存在较大的相位偏差.而且,当一个频率振荡器乘以N,相位偏差也乘以N.例如,相位偏差为10-3,10MHz时的弧度在10GHz时变为1弧度.这种大相位偏移可以对系统的性能是灾难性的,例如那些依赖于锁相环的系统（PLL）或相移键控（PSK）.低噪声,加速度不敏感的振荡器是必不可少的这样的应用.Q-Tech晶振根据封装使用各种晶体安装选项

和每个振荡器的应用：

-TO/w/3镍夹具焊接

-支柱上带3点式安装的DIP封装（用于QT1-QT3系列）

-扁平包装和DIP包装,带有3或4点郁金香夹子安装（30年以上太空遗产）

-带4点桥接安装的SMD封装贴片晶振

-带4点“相框”安装座的LCC

-5x7mm陶瓷封装,带有2或4点LedgeMount,安装在陶瓷架上

-包装Q-Tech晶振4点式安装选项

值得注意的是,对于高冲击应用,Q-Tech晶振的4-pt安装选项已得到证实,远远优于商用振荡器提供的任何其他安装,特别是小型5x7mm封装贴片晶振,大多数现货晶振产品使用简单的2点安装.

Q-Tech晶体振荡器是苛刻环境的安全选择,因为它们是为这些环境设计,构造和测试,目的是制造100％可靠的产品适用于故障昂贵或危及生命的情况.石英晶体振荡器是设计用于-55°C至+125°C的工作温度,从石英晶振元件开始包括电路.从石英棒切割晶体的角度进行了优化,确切的温度范围.虽然COTS时钟可以在-55°C下工作,但是如果它们打开的话在室温下随后冷却至-55℃,已知它们存在问题在-55°C或其他低温下开启时启动（冷启动问题）.Q-Tech的晶体振荡器不易受冷启动问题的影响.

商用振荡器的驱动电平依赖性也可能成为高可靠性应用的问题.Q-Tech晶振通过定制配对晶体来缓解这一潜在问题设计IC的每个设计的参数,也防止冷启动问题前面提到的.

活动下降是晶体电阻的相对突然增加（扰动）,石英晶体系列电阻随温度变化.一般来说,活动下降是由一个人引起的石英晶振晶体中的干涉振动模式（耦合模式）.这些模式从中汲取能量主要模式.因此,一旦耦合模式的频率与主模式的频率一致,耦合模式就会急剧增加主模式的电阻.这些干扰模式实际上是低频弯曲的高泛音（高达第50泛音）模式.由于非常陡峭的温度系数约为-20ppm/°C,它们只与之一致主模式频率适用于相当窄的温度范围.然而,如果没有设计出来,耦合模式将导致活动下降.这些是通常温度相当窄（大约5到30°C宽）,对于给定的设计,活动下降将倾向于大约相同的温度范围.因为耦合模式是基于石英的,所以导致任何活动下降随时间和温度变得非常可重复.请参阅下面的示例.

耦合模式的影响程度可以从轻微到灾难到间歇性,取决于干扰模式的强度和应用的敏感程度是Q-Tech晶体振荡器输出电平的变化（频率偏移约为2到20ppm）.活动下降可以导致无数系统问题,甚至可能失去锁相.活动下降的另一个原因是粘附在晶振晶体有效区域上或附近的粒子.这种类型的活动下降可以改变随着时间,温度和时间.这些都会受到粒子成为影响脱离晶体表面或移动到另一个位置.这种立场改变可以因此有可能导致下降趋于好转,恶化或暂时消失重新浮出水面.在Q-Tech晶振,我们有能力设计潜在的活动下降和在我们的温度测试程序中筛选它们作为高可靠性设计方法的一部分和建设.下一篇文章中我们将介绍Q-Tech晶体振荡器的制造和筛选,欢迎关注亿金电子晶振技术资料.

晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

VCXO晶振（压控晶体振荡器）是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO（产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器）或烤箱控制类型（产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器）来实现.

VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下：

偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.

控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.

传递函数（有时称为斜率极性）-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正（或更负）控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.

线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5％且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5％以内.

在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14％.

产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性（±）控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管（在这种情况下为正）.良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑（无间断）和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.

调制速率（有时称为偏差率或频率响应）-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制（输出频率大于10MHz时大于1MHz）,但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.

斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.

因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1％至±5％的VCXO,增量灵敏度约为（非常近似）最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5％最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50％的斜率变化.因此,读取“斜率：2kHz/伏特±10％”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差：20kHz-10％.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10％增量灵敏度与±1％最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度：每伏2kHz±10％”.

其他设计考虑因素

稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏离）其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性（和相关的相位噪声）特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.

锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用（在随后的页面中有描述）.但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.

基本振荡器频率-基本模式晶体（通常为10-25MHz）允许最大的偏差,而第三泛音晶体（通常为20-70MHz）允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.

一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.

亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.

   晶振是高端智能产品都会用到的一种电子元件,为时钟电路提供频率信号源.石英晶振的频率广泛,低至1MHZ晶振,高频可达到1200MHZ不止,石英贴片晶振被广泛用于数码产品安,航空,安防装置,智能家居,汽车电子,网络通信,医疗设备,工业机械等产品中.以下是从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用.

   晶振包括石英晶体谐振器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,贴片晶振,石英晶体振荡器,SPXO晶振,OCXO恒温晶振,VCXO压控晶体振荡器,TCXO温补晶振,差分晶振等.具有小体积,高精度,低功耗,高频率,低功耗,低抖动,高温度,宽频等特点.

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   NDK晶振成立于1948年,专为研发生产石英晶体频率元件,选用优异的材料,运用国际质量管理体系进行生产,每一颗晶振都是独一无二的制作,具有抗振性强,起振快,精度稳定等优势特点.NDK晶振在汽车产业占有重要地位,为车载系统晶振提供了多种封装尺寸,具有较高的温度范围可达-40℃~125℃,小体积,耐恶劣环境等优势.以下所介绍到的是NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数,NDK车规级晶振,贴片晶振型号(无源晶振系列),体积为3.2x2.5mm封装,除了表格中所列举的晶振参数之外更多相关参数可咨询亿金电子.

   NDK3225车规级晶振型号(无源晶振系列)

   3225晶振在市场上较为吃香,大大小小智能产品都会选择这个体积,不仅节省电路空间,并且具有性能稳定,精度偏差小等特点.NDK晶振汽车级在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,从7.98M~50MHZ为汽车系统提供多种选择.满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

   NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振参数

如咨询,采购本网站登载的标准规格品时,请告知贴片晶振“型名”,“频率”和“规格料号”.

   NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振编码(无源晶振系列)

表面声波（SAW）是沿着弹性基底的表面传播的声波,其振幅随着基底深度呈指数衰减.SAW声表面滤波器可以通过压电基板上的叉指式换能器（IDT）产生和检测（图1）.SAW的频率（f）可以通过公式f=V/ト找到,其中ト是IDT周期,V是波的速度.SAW的传输速度随衬底材料而变化.例如,ST切割石英上的SAW速度约为3100m/sec.SAW器件的最佳频率范围为10MHz至2GHz.SAW器件的可用频率的上限和下限分别由精细图案分辨率,器件的尺寸和规格决定.

SAW器件分为两大类：

SAW横向滤波器和SAW谐振器.（横向滤波器配有输入和输出IDT以利用SAW的传播,而谐振器在IDT的任一侧配备反射器,以利用SAW的能量捕获.）SAW声表面谐振器由一个或两个端口构成.

单端口SAW谐振器（图2）具有单个IDT,在其两侧具有反射阵列,从而实现有效反射.在由IDT生成之后,SAW被困在两个反射器之间.这种结构提供高Q共振.

KVG晶振集团所推出的两个新产品系列XO-25000E晶振和XO-32000E晶振,这两款晶振具有超小体积,极小的温度范围,同时具有高频率稳定性.满足不同产品使用要求,提供3种不同温度范围的石英晶体（Xtal）晶体振荡器（XO）.

此类晶振产品整体稳定性包括在指定温度范围内的频率变化,加上25℃时的匹配容差,以及5％电源电压变化和5％负载变化时的频率变化,以及第一年老化.XO-25000E晶振和XO-32000E晶振两种类型的石英晶体振荡器频率范围在1.25MHz~100MHz之间,市场常用标准频率包括：10MHz,20MHz,26MHz,50MHz和100MHz等.

关于晶振的信息亿金电子在前面的文章中已经提到过很多次了,大家有不懂的可以到亿金新闻动态中了解.下面我们要说的是关于石英晶振晶片的由来以及石英晶振晶片的工作原理.

石英晶振晶片的由来

科学家最早发现一些晶体材料,如石英,经挤压就象电池可产生电流(俗称压电性),相反,如果一个电池接到压电晶体上,石英晶体就会压缩或伸展,如果将电流连续不断的快速开「关,晶体就会振动。

在1950年,德国科学家 GEORGE SAUERBREY研究发现,如果在石英晶体,石英晶体谐振器的表面上镀一层薄膜,则石英晶体的振动就会减弱,而且还发现这种振动或频率的减少,是由薄膜的厚度和密度决定的,利用非常精密的电子设备,每秒钟可能多次测试振动, 从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时监控。从此,膜厚控制仪就诞生了。

薄薄圆圆的晶振片,来源于多面体石英棒,先被切成闪闪发光的六面体棒,再经过反复的切割和研磨,石英棒最终被做成一堆薄薄的(厚0.23mm,直径1398mm)圆片,每个圆片经切边,抛光和清洗,最后镀上金属电极(正面全镀,背面镀上钥匙孔形),经过检测,包装后就是我们常用的晶振片了。

用于石英膜厚监控用的石英芯片采用AT切割,对于旋光率为右旋晶体,所谓AT切割即为切割面通过或平行于电轴且与光轴成顺时针的特定夹角。AT切割的晶体片振动频率对质量的变化极其灵敏,但却不敏感干温度的变化。这些特性使AT切的石英晶体片更适合于薄膜淀积中的膜厚监控。

石英晶振晶片的原理

石英晶体是离子型的石英晶体,由于结晶点阵的有规则分布,当发生机械变形时,例如拉伸或压缩时能产生电极化现象,称为压电现象。例石英晶振晶体在9.8×104Pa的压强下承受压力的两个表面上出现正负电荷约0.5V的电位差。压电现象有逆现象,即石英晶体在电场中晶体的大小会发生变化,伸长或缩短,这种现象称为电致伸缩。

石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸,切割类型而且还取决于芯片的厚度。当芯片上镀了某种膜层,使芯片的厚度增大,则芯片的固有频率会相应的衰减。石英晶振,石英晶体的这个效应是质量负荷效应。石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。

石英晶体法监控膜厚,主要是利用了石英晶体,石英晶体振荡器的压电效应和质量负荷效应。

石英晶体的固有频率f不仅取决于几何尺寸和切割类型,而且还取决于厚度d,即f=N/d,N是取决与石英晶振晶体的几何尺寸和切割类型的频率常数对于AT切割的石英晶体,N=f·d=1670Kcmm。

物理意义是:若厚度为d的石英晶体厚度改变△d,则石英贴片晶振频率变化△f, 式中的负号表示晶体的频率随着膜增加而降低然而在实际镀膜时，沉积的是各种膜料,而不都是石英晶体材料,所以需要把石英晶振厚度增量△d通过质量变换转换成膜层厚度增量△dM,即

A是受镀面积,pM为膜层密度,p。为石英密度等于265g/cm3。于是△d=(pM/pa)"△dM,所以

式中S称为变换灵敏度。

对于一种确定的镀膜材料,为常数,在膜层很薄即沉积的膜层质量远小于石英芯片质量时,固有频率变化不会很大这样我们可以近似的把S看成常数,于是上式表达的石英晶振晶体频率的变化人行与沉积薄膜厚度△dM有个线性关系因此我们可以借助检测石英晶体固有频率的变化,实现对膜厚的监控。

显然这里有一个明显的好处,随着镀膜时膜层厚度的增加,晶振频率单调地线性下降,不会出现光学监控系统中控制信号的起伏,并且很容易进行微分得到沉积速率的信号。因此,在光学监控膜厚时,还得用石英晶振,石英晶体法来监控沉积速率,我们知道沉积速率稳定队膜材折射率的稳定性、产的均匀性重复性等是很有好处和有力的保证。

石英晶体膜厚控制仪有非常高的灵敏度,可以做到埃数量级,显然石英晶体的基频越高,控制的灵敏度也越高,但基频过高时晶体片会做得太薄,太薄的芯片易碎。

所以一般选用的石英晶振,贴片晶振片的频率范围为5~10MHz。在淀积过程中,基频最大下降允许2~3%,大约几百千赫。基频下降太多振荡器不能稳定工作,产生跳频现象。如果此时继续淀积膜层,就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度体上膜层镀到一定厚度后,就应该更换新的晶振片。

此图为膜系镀制过程中部分频率与厚度关系图。