CITISEN晶振,SMD晶振,CM212晶振,CM21232768EZCT晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2mm
西铁城晶振创立于1959年7月28日,当时注册资金高达17亿多,所做产品涉及领域较广,自动车部品,石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器及水晶片,映像用电子机器,液晶显示器,光通信用部品,工业机械装置,精密计测机械,小型精密金属加工部件等。
西铁城石英晶振为工业市场提供高性能和精密设备,不断开发新技术和新技术在我们的制造业和工程.我们有一个良好的信誉在市场上特别是对我们的晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等高精密零件使用我们自己的核心技术和脆性材料和微显示高清图片是必需的.是尽一切努力来改善我们的技术和发展提供有价值的服务我们的客户,即使这是一个利基市场.
西铁城奉行的管理政策是“标题作为纪念公司保持活着在这个时代”.日本制造业可持续发展的业务形式将在这样一个追求快速多变的经济,而重视个人、社会和环境问题.西铁城试图满足你的期望在电子设备领域的龙头企业.
西铁城石英晶振集团创立于1959年7月28日,当时注册资金高达17亿多,所做产品涉及领域较广,自动车部品,水晶振动子,水晶振荡器,石英晶体振荡器及水晶片,映像用电子机器,液晶显示器,光通信用部品,工业机械装置,精密计测机械,小型精密金属加工部件等.
CITISEN晶振,SMD晶振,CM212晶振,2012贴片晶振,CM21232768EZCT晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.0 ×1.2 × 0.5 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
西铁城晶振规格 |
单位 |
CM212晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12.5PF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由频率计数器测量的频率比目标频率高,要增加石英晶振的电容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低频率到目标频率,反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善,这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后,谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率,我们可以通过以下三种方法改进:
方法1:降低产品线路外部电容(Cd和CG)的值,并通过晶体具有较低负载电容(CL)。
方法2:采用小电阻(RR)的晶体。
方法3:使用镉和CG的不等价的设计。
我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本,保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体,以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格,请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率,反之亦然高得多系统不能正常工作,由于输出频率会偏差很大。CITISEN晶振,SMD晶振,CM212晶振,CM21232768EZCT晶振
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