LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太网晶振,Pletronics贴片晶振,LV33J振荡器
频率:100MHz
尺寸:2.50 x 2.00mm
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太网晶振,Pletronics贴片晶振,LV33J振荡器
在以太网通信领域,Pletronics有源晶振的 LV3344JEV-100.0MDK 晶振扮演着至关重要的角色。它是一款 LVDS(低压差分信号)差分晶振,采用贴片式封装,这种小巧的设计符合现代电子设备小型化、集成化的发展趋势,能轻松适配各类紧凑的电路板。LVDS 差分信号传输方式赋予了该进口石英晶振强大的抗干扰能力。在复杂的电磁环境中,差分信号可以有效抑制共模干扰,保证信号的纯净度和稳定性。其精准输出 100.0MHz 的频率,为以太网设备提供了稳定且高速的时钟信号,确保数据能够快速、准确地在网络中传输。无论是企业级的以太网交换机,还是家庭网络中的路由器,LV33J石英晶体振荡器都能凭借其卓越的性能,保障网络设备稳定运行,减少数据丢包和传输延迟,提升网络通信的质量和效率。
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太网晶振,Pletronics贴片晶振,LV33J振荡器
| Parameter | Min | Typ | Max | Unit | ||
| Frequency Range 2 (Fo) | 100 | - | 320 | MHz | ||
|
Frequency Stability 2
± 20 = 20*, ± 25 = 44, ± 50 = 45
|
±20 | - | ±50 | ppm | ||
| Operating Temperature Range 2 |
-10 -20 -40 -40 -40 |
- |
+70 +70 +85 +105 +125 |
°C | ||
| Supply Voltage 1, 2 (VCC) | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||
| Supply Current (ICC) | - | - | 35 | mA | ||
| Output Type | LVDS差分晶振 | |||||
| Differential Output Voltage (VOD) | 247 | - | 454 | mV | ||
| Output Offset Voltage (VOS) | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V | ||
| Differential Output Error (ΔVOD) | - | - | 50 | mV | ||
| Output Amplitude (VOPP) | 494 | - | - | mV | ||
| Output TRISE and TFALL | - | - | 0.4 | ns | ||
| Startup Time | - | - | 5 | ms | ||
| Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | ||
| VDISABLE (VIL) | - | - | 30 | %Vcc | ||
| VENABLE (VIH) | 70 | - | - | |||
| Enable Time | - | - | 5 | ms | ||
| Disable Time | - | - | 200 | ns | ||
| Enable/Disable Internal Pull-up | 30 | 70 | 150 | Kohm | ||
|
Output Leakage VOUT = VCC VOUT = 0V |
- -10 |
- |
+10 - |
µA | ||
| Standby Current | - | - | 30 | µA | ||
| rms Phase Jitter | - | 0.05 | 0.1 | ps | ||
|
Phase Noise 1 kHz
10 kHz
100 kHz 1 MHz 10 MHz 20 MHz |
- |
-134 -152 -159 -162 -164 -164 |
- | dBc/Hz | ||
| Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C | ||
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太网晶振,Pletronics贴片晶振,LV33J振荡器
LVDS差分晶振,LV3344JEV-100.0MDK,以太网晶振,Pletronics贴片晶振,LV33J振荡器
所有有源晶振产品的共同点
1、抗冲击
产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
2、辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。
3、化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4、粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
5、卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用石英晶振产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6、静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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