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182018-01
石英晶振在不同状态下的性质解说详情 >>石英晶体的密度为265g/cm3,莫氏硬度为7,透明晶莹。在常温常压下,石英晶体不溶于水和三酸(盐酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)属于溶解度极小的物质。但在高温高压下,再加入适量助溶剂,如碳酸钠(Na2CO3)或氢氧化钠(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。这个特点被用于石英晶体的人工培育。
氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)与氟化氢铵(NH4HF2)是石英贴片晶振,石英晶体良好的溶解液,这在石英晶片加工中是很有用的。石英晶体是一种良好的绝热材料,导热系数比较小(见表1.3.1)
表1.3.1石英晶体的导热系数
温度(℃)
K3×10-3(cal/cm·s:℃)
K1×103( cal/cm.s℃)
-200
接近150
66
-150
74
36
-100
52
26
-50
40
20.5
0
32
17.0
50
25.5
14.9
100
21
13.1
室温附近,沿z轴方向的导热系数是沿垂直于z轴方向导热系数的二倍左右与z轴成q角的任一方向的导热系数可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z轴的导热系数,K3是平行于z轴的导热系数石英晶体的膨胀系数也很小,且沿z轴方向的线膨胀系数a3约为沿垂直于z轴方向线膨胀系数a1的1/2(见表1.3.2)。
表1.3.2石英晶体的线膨胀系数值
温度(℃)
a1×10-6/℃
a3×10-6/℃
-250
8.60
4.10
-200
9.90
5.50
-100
11.82
6.08
0
13.24
7.10
100
14.45
7.97
200
15.61
8.75
300
16.89
9.60
400
18.5
10.65
500
20.91
12.22
若已知a1和a3,由下式可求出与Z轴成φ角的任一方向的线膨胀系数aL:al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)
在室温附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)
并可由a1和a3求得体膨胀系数ar:ar=2a1+a3 (1.3.4)
由于石英晶体的热膨胀系数较小,因此可用于精密仪器中。但当它被加热时, 体膨胀系数会发生很大变化。在温度达573℃时,石英晶体由a石英晶体转变为B石英,体积急剧增大。石英晶体谐振器内部产生的较强的机械应力可能会造成裂隙和双晶,这是在石英晶体元件的加工中要注意避免的。
石英晶体还是一种良好的绝缘体,其电阻率可由下式求得:p=Be-AT;式中,p为电阻率,T为绝对温度,e为自然对数的底,A等于1.15×104B为相应的常数。平行于z轴方向的B=3000,垂直于z轴方向的B为平行于z轴方向的1/80。B值除与晶体结构有关外,还与沿z轴方向孔道中碱金属杂质(K+、Na+)的存在有关。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶体在不同温度下的电阻率,单位为ohm. cn。
表1.3.3石英晶体在不同温度下的p(ohm.cm)
温度(℃)
平行于z轴的p
垂直于z轴的p
20
0.1×1015
20×1015
100
0.8×1012
200
70×1018
300
60×106
石英晶体介电常数(描述材料介电性质的量,是电位移D与电场强度E的一个比例系数)的各向异性不很明显,平行于z轴的介电常数ε3=4.6,垂直于z轴的介电常数ε1=4.5。在电场作用下,电介质发热而消耗的能量叫介质损耗,通常以损耗角的正切值(tg6)来表示其损耗的大小。有源晶体振荡器,比如温补晶振,压控晶振,有源石英晶体的介质损耗较小,tg6<2×10-4因此用它作电气材料具有高稳定性。
石英晶体虽不像诸如弹簧、橡皮筋那样的物体,振动日时能看到明显地形变,但是它仍然服从弹性定律(胡克定律),并且可以通过全息照相看到它形变的情况。当然,石英晶体的形变更复杂些,描述更困难些,这将在第二章中进一步讲述。
某些电介质由于外界的机械作用(如压缩、拉伸等)而在其内部发生变化产生表面电荷,这种现象叫压电效应。具有压电效应的电介质也存在逆压电效应,即如果将具有压电效应的介质置于外电场中,由于电场的作用,会引起介质内部正负电荷中心位移,而这位移又导致介质发生形变,这种效应称为逆压电效应。
正像某些其它晶体(如酒石酸钾钠KNaC4H4O6.4H2O、钛酸钡 BaTio3等等)那样,贴片有源晶振,石英晶体也具有压电效应。由于其结构的特殊性,不是任何方向都存在压电效应的,只有在某些方向,某些力的作用下才产生压电效应。
例如:当石英晶体受到沿x轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向则不产生压电效应,当石英晶体受到沿y轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向也不产生压电效应。若受到沿z轴方向的力作用时,是不产生压电效应。因此又称x轴为电轴,y轴为机械轴。利用石英晶体的压电效应可制造多种高稳定性的频率选择和控制元件,这将在以后各章逐步讲述。
石英晶体也与其它一些物质(如方解石CaCO3、硝酸钠NaNO3晶体等)那样具有双折射现象,即一束光射入石英晶体时,分裂成两束沿不同方向传拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做寻常光或称“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非寻常光,又称“e”光,如图1.3.1所示,寻常光在石英晶体内部各个方向上的折射率mo是相等的,而非寻常光在石英晶振,石英晶体的内部各个方向的折射率n0却是不相等的。
例如:对于波长为5893A的光,石英晶体的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶体虽然具有双折射现象,但当光沿z轴方向入射时,不发生双折射现象,所以又称z轴为光轴石英晶体还具有旋光性。即平面偏振光(光振动限于某一固定方向的光)沿z轴方向通过石英晶体后,仍然是平面偏振光,但其振动面却较之原振动面旋转了一个角度。
图1.3.1石英晶体的双折射
石英晶体的光学性质被应用到制造各种光学仪器和石英片加工工艺中。
从六十年代起开展了石英晶体,SMD晶振元件辐射效应的研究工作,在此做一些简单的介绍。
由于宇宙射线的辐照和核武器爆炸,地球周围存在高能粒子和y射线、X射线等辐射。这些辐射对石英晶体及其器件都有很大的影响,无色透明的石英晶体经放射线照射后会变为烟色,石英晶体元件被辐照后,会使频率发生变化,稳定性下降,等效电阻升高。
一般认为,石英晶体被γ射线和高能粒子轰击后,会产生结构空穴和色心,这是由于碱金属离子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶体抗辐射的能力,首先要减少和消除有源恒温晶振,差分晶振,石英晶体中的上述杂质。
一方面选择最佳籽晶和生长条件;另一方面可使用“电清除”的方法驱逐晶体中的杂质。有人做过这样的实验:用z向厚度为1cm的样片,加温到450~470℃,加电压1500-1700V/cm,通过晶体的电流为250μA,20分钟后则降为20μA,这时在负极表面出现由碱金属杂质形成的乳白色薄层。显然,这是一种高温、高压排除晶体中金属离子等杂质的工艺过程。经过这种“电清除”的人造石英晶体制成的石英晶体元件就具有良好的抗辐射性能。
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172018-01
石英贴片晶振的电介质只能以极化方式传递电的作用详情 >>石英晶体的介电性质,大家知道,金属可以导电,这是因为金属中存在着自由电子,在电场的作用下,这些自由电子被迫作定向运动而形成电流。然而,电介质是不能导电的,这是因为电介质中的电子(称束缚电子)被原子核束缚得很紧,在一般电场作用下,束缚电子的位置只能作很小的移动。这种移动造成介质中的正、负电荷中心不重合而产生极化,所以电介质只能以极化方式传递电的作用。本节要介绍石英晶振晶体电介质的极化性质及其所遵循的电学规律。
一、电介质的极化和极化强度
如图2.1.1(a)所示的电介质中,介质的两面已被敷金属电极,当电场等于零时,介质中的正、负电荷中心重合,介质处于电中性。当电场不等于零时,在电场的作用下,介质中的正、负电荷中心不再重合,并形成许多电偶极矩,于是介质产生极化,如图2.1.1(b)所示。因这些电偶极矩头尾相衔接,故可画成如图2.1.1(c)所示的情况,在介质与电极的分界面上分别出现正、负极化电荷(即正、负束缚电荷)。电偶极矩的方向规定为从负极化电荷指向正极化电荷,电偶
(a)E=0时,介质处于中性状态()E≠0时,介质产生极化(c)介质极化示意图
图2.1.1电介质极化示意图
极矩的大小等于ql,其中l为正、负极化电荷之间的距离,q为极化电荷。如果以p表示电偶极距,即可写成
p=ql (2.1.1)
为了描述电介质的极化强度,现引入极化强度的概念。极化强度P等于单位,体积(△V=1)内的电偶极矩的矢量和,即
p= (2.1.2)
由式(2.1.2)可以得到,石英贴片晶振电介质的极化电荷面密度极与该处极化强度的法向量Pn之间的关系为
σ极=Pn (2.1.3)
二、各向异性介质中极化强度P,电位移D和电场强度E之间的关系,晶体都是各向异性体,对于完全各向异性电介质(如三斜晶系),实验上发现,D、E、P的方向彼此不同,但关系式D=6oE+P依然成立。P与E的关系和D与E的关系分别为
式中;比例系数x称为介质的极化率(或极化系数)。e称为介电常数(F/m); ε/ε0称为相对介电常数。εo为真空介电常数
ε0=8.85×10-12F/m。
由式(2.1.4)和(2.1.5)可以看出,各向异性电介质的极化率有9个分量,介电常数也有9个分量.
在物理上,按照式(2.1.4)和(2.1.5)的形式,用9个分量来反映二个矢量之间关系的物理量,称为二级张量。在数学上,常用矩阵形式来表示张量。
极化率的矩阵表示式为:
完全各向异性电介质的极化率和介电常数都是6个独立分量,它们的数值由材料的介电性质所确定。
三、介电常数
我们已经知道,描写各向同性介质只要一个介电常数,而描写完全各向异性的电介质则需要六个独立的介电常数分量。石英晶振,有源晶振,石英晶体属于三斜晶系32点群,它是介于各向同性和完全各向异性之间的晶体。根据它的对称性,可得到石英晶体的介电常数矩阵为:
由式(2.1.9)可以看出,石英晶振晶体不等于零的介电常数分量共3个,其中独立分量2个,即ε11=ε22和ε33,ε12=ε13=ε23=0。石英晶体相对介电常数的数值为
因为各向异性电介质的介电常数与方向有关,所以坐标变换时,相应的介电常数分量也发生变化。例如:绕x轴旋转某一角度q1的新坐标系Oxyz中
(见图2.1.2)。
图2.1.2绕x轴旋转q1角度后,新、旧座标之间的关系
石英晶体的介电矩阵为:
知道φ1角后,即可通过式(2.1.11)求得所需的介电常数分量εkl
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162018-01
西铁城CS20晶振对应不同频率CS20-22.1184MABJ-UT晶振编码西铁城晶振作为国际上有名的石英晶振,有源晶振,贴片晶振制造商,至始至终为用户提供优质价廉的产品,并且不断推出具有高精密,低功耗的石英晶体振荡器产品.西铁城晶振早在2001年7月就授权于【香港领冠电子有限公司】,西铁城香港子公司对中国广西悟州投资成立独资企业,在当时注册资本为3千万港币品牌为(CITIZEN).详情 >>
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152018-01
FOX石英晶体谐振器5032四脚FX532B-24.576晶振对应的原厂代码详情 >>FOX晶振中文名为福布斯晶振,是美国知名的石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振,有源晶振,温补晶振,差分晶振制造商.自成立以来不断为用户提供高品质,高精密,低功耗晶体元件.FOX晶振在香港,印度,美国,德国,马来西亚等多个国家设有研发生产基地,为了更好的服务广大用户,销售代表处分布世界各地.
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112018-01
IDT有源晶振20M频率5x7体积XLH736020.000000I晶振对应不同型号参数编码详情 >>IDT晶振集团成立于1980年,是国际数一数二的石英晶体频率元件制造商.自发展以来不断创造高品质,高精密石英晶振,石英晶体振荡器,并且开发了能够与处理器,存储器等数字系统,其他半导体以及物理世界连接的石英晶振解决方案.
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美国IDT石英晶体振荡器采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.IDT晶振集团自成立以来坚持为用户提供优质,高精密石英晶体振荡器为发展理念.如今IDT在世界各地均设有分公司,研发生产基地遍布欧洲,亚洲,北美等多个国家.
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102018-01
泰艺5032无源晶振民用级2脚封装部分常用型号XSCEECNANF-8.000000晶振编码列表详情 >>台湾晶振品牌在大陆使用的越来越多,TXC晶振,鸿星晶振,百利通亚陶晶振,泰艺晶振,希华晶振,加高晶振等.下面亿金电子要介绍的是台湾TAITIEN晶振.
泰艺晶振成立于民国89年,致力于研发生产高品质,高稳定精度,低损耗石英贴片晶振. 泰艺晶振集团自成立以来发展至今在台北,江苏,上海,德国,深圳,新加坡等地设有研发生产基地,完善的生产线,充足的供应链,为世界各地用户提供完美的服务.
亿金电子代理台湾晶振品牌,为泰艺晶振代理商可免费提供晶振原厂代码.泰艺5032无源晶振民用级2脚封装部分常用型号XSCEECNANF-8.000000晶振编码列表由亿金电子提供.对应不同的晶振频率,温度范围均在-20℃~70℃民用级,当然也有提供工业级晶振,汽车级晶振.
泰艺XS晶振体积5.0x3.2mm,编带盘装,采用2脚焊接模式,具有耐高温,耐恶劣环境等特性.产品满足市场需求可供10M,12M,8M,24M,16M,25M等多种频率范围选用. 泰艺石英晶振均还采用优质无铅环保材料生产,产品满足用户需求,负载电容范围广,从8PF~20PF之间可选择,并且提供10PPM,20PPM,30PPM等多种精度偏差,具有耐撞击性强,性能稳定等特点.
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052018-01
爱普生FC-135晶振FC-135-32.7680KA-AC晶振编码对照列表详情 >>EPSON晶振是日本晶体行业的领导者,拥有自身独特的生产技术,先进的高端仪器设备,超前的管理体系,发展至今在国际占有重要地位.爱普生晶振最初为精工晶体的第三家石英手表制造商,后来才开始的石英晶振,贴片晶振研发生产.
爱普生晶振最初打入国内市场是因为接受了中国苏州政府的招商引资,1996年2月在苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.
亿金电子生产销售石英贴片晶振,声表面滤波器,陶瓷晶振等频率元件,自成立以来诚信经营,精益求精为用户创造质优价廉的晶振产品.同时代理EPSON晶振,NDK晶振等品牌.以下为亿金免费提供的爱普生FC-135贴片晶振FC-135-32.7680KA-AC晶振编码对照列表.3.2x1.5mm的体积,温度可达-40°C ~ 85°范围,欢迎收藏.
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042018-01
ConnorWinfield温补振荡器40M频点D75J-040.0M晶振原厂代码对照国际知名晶振品牌康纳温菲尔德晶振集团成立于1963年,致力于研发生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,温补晶振等频率控制元件.发展至今在北美,德国,亚洲等多个国家设有研发生产基地,销售据点遍布全球.详情 >>
亿金电子代理康纳温菲尔德晶振,通过自身的经验积累以及先进的生产设备,不断创新,开发高性能,多元化石英晶振.康纳温菲尔德晶振在所有层面上都致力于满足石英晶振,贴片晶振, 温补晶振,石英晶体振荡器等客户的所有要求,通过维护我们的ISO 9001质量体系认证,持续改进我们的流程是我们不断超越客户期望的承诺.
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美国ConnorWinfield晶振材料均采用优质,符合欧盟ROHS要求标准,并且获得多个ISO国际质量管理体系认证.是多家知名企业工厂指定石英晶振,SPXO晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,高精密晶振指定供应商. 被广泛用于高端数码电子,无线网络,局域网络,汽车电子,无线基站,GPS卫星导航,智能家居等产品中. -
032018-01
NDK陶瓷面NX1255GB晶振型号NX1255GB-25.000000MHZ晶振常用频点编码详情 >>日本NDK晶振是业内人士都知道的,声誉好,品质高,与KDS晶振,精工晶体,爱普生晶振,京瓷晶振等国际品牌齐名.NDK晶振集团的中文全名为日本电波株式会社,所生产晶振选用材料无铅环保,早已获得国际质量管理体系认证,具有使用可靠性高,低损耗等特点.
NDK晶振是日本数一数二的晶振频率元件制造商,发展至今仍坚持努力,不畏挫折,向困难挑战,以提升技术为用户创造更多,更优质,更精密石英贴片晶振.NDK晶振生产的NX8045GB晶振具有耐高温,优良的电气性,耐撞击性最适用于汽车电子使用.下面亿金电子给大家提供NDK陶瓷面NX1255GB晶振型号NX1255GB-25.000000MHZ晶振常用频点编码.
贴片晶振中目前来说广泛应用的最小体积就是1.6x1.2mm晶振,而世界最小尺寸也就仅有1.0x0.8mm,是京瓷CX1008晶振,最通用的大体积贴片晶振7050晶振和8045晶振. 11.80mm x 5.50mm晶振是MHZ贴片晶振中体积较大的一款,随着产品小型化发展逐渐被小体积贴片晶振所替代.NX1255GB晶振是NDK晶振的型号,列表中为常用频点,精度范围控制在±50ppm值,具有精度偏差小,使用稳定性高等特点.NX1255GB晶振采用陶瓷面封装,具有电气性好,抗振性强,被广泛用于汽车电子,办公自动化,家用电器,儿童玩具等产品中.
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022018-01
FOX石英晶体2016,2520,7050封装FX252BS-20.000晶振部分型号编码FOX晶振是美国有名的石英晶振,贴片晶振,有源晶振,温补晶体振荡器制造商.自成立以来坚持为用户提供优质价廉的晶振产品.发展至今在国际享有盛名,销售代表处遍布世界各地.详情 >>
福克斯石英晶振采用无铅无害材料生产,并且符合欧盟ROHS环保指令.FOX石英晶振所做产品均符合国际质量管理体系认证,并获得美国UL,C-TPAT认证, 国际QS-9000,ISO-9001:2008,TS16949:02,ISO14001诸多品质认证.
亿金电子提供FOX石英晶体2016,2520,7050封装FX252BS-20.000晶振部分型号编码.型号包括C7BQ晶振,FX252B晶振,FX216B晶振等,体积从2016mm贴片晶振~7050mm贴片晶振.均为4脚焊接模式,精度从30PPM~50PPM范围.
FOX贴片晶振无源系列负载电容从8PF~20PF可供用户选择,满足不同领域产品需求.FOX石英晶体谐振器具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,被广泛用于无线通信设备,智能家居,数码电子,GPS导航,笔记本,蓝牙,无人机,航空设备等.
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
【更多详情】无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.
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