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KDS晶振,压控温补晶振,DSA321SCM晶振

KDS晶振,压控温补晶振,DSA321SCM晶振

频率：9.6M~52MHZ尺寸：3.2x2.5mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本KDS晶振,压控温补晶振,DSA211SCM晶振

日本KDS晶振,压控温补晶振,DSA211SCM晶振

频率：12.288M~52MHZ尺寸：2.0x1.6mmm
VC-TCXO晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC+1.8V±0.1Vto+3.2V±0.1V )高度：最高1.0mm,体积：0.007cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO751SV晶振

日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO751SV晶振

频率：0.5M~35MHZ尺寸：7.3x4.9mm

有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

日本大真空晶体,有源晶振DSO321SR晶振,DSO321LR晶振

日本大真空晶体,有源晶振DSO321SR晶振,DSO321LR晶振

频率：0.7M~150MHZ尺寸：3.2x2.5mm
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,满足市场需求具有7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积可选,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.
日本大真空晶体,石英晶体振荡器,DSO531SR晶振

日本大真空晶体,石英晶体振荡器,DSO531SR晶振

频率：0.7M~150MHZ尺寸：5.0x3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

日本大真空晶体,贴片晶振,DSO751SR晶振

日本大真空晶体,贴片晶振,DSO751SR晶振

频率：0.7M~150MHZ尺寸：5.0x7.0mm
有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.为满足市场需求具有7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积可选,并且符合RoHS/无铅.
日本大真空晶体,有源晶振,DSO531SVL晶振

日本大真空晶体,有源晶振,DSO531SVL晶振

频率：0.7M~40MHZ尺寸：5.0x3.2mm
5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
日本大真空晶体,有源晶振,DSO751SB晶振,DSO751SA晶振

日本大真空晶体,有源晶振,DSO751SB晶振,DSO751SA晶振

频率：1.8M~90MHZ尺寸：7.3x4.9mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO221SR晶振

日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO221SR晶振

频率：0.7M~150MHZ尺寸：2.5x2.0mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本KDS晶振,有源晶振,DSO321SH晶振,DSO321LH晶振

日本KDS晶振,有源晶振,DSO321SH晶振,DSO321LH晶振

频率：13M~52MHZ尺寸：3.2x2.5mm
石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
日本KDS晶振,有源晶振,DSO221SH晶振

日本KDS晶振,有源晶振,DSO221SH晶振

频率：13M~52MHZ尺寸：2.5x2.0mm
有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO321SW晶振

日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO321SW晶振

频率：3M~50MHZ尺寸：3.2x2.5mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本大真空晶振,石英晶体振荡器,DSO213AW晶振

日本大真空晶振,石英晶体振荡器,DSO213AW晶振

频率：3M~60MHZ尺寸：2.0x1.6mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本大真空晶振,有源晶振,DSO221SW晶振

日本大真空晶振,有源晶振,DSO221SW晶振

频率：3M~50MHZ尺寸：2.5x2.0mm
2520有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
日本EPSON晶振,VC-TCXO晶振,TG-5006CE晶振,3225贴片晶振

日本EPSON晶振,VC-TCXO晶振,TG-5006CE晶振,3225贴片晶振

频率：13M~40MHz尺寸：3.2x2.5mm
压控温补晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,体积：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.（可对应回流焊） 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.被广泛用于智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等.
日本EPSON晶振,压控温补晶振,TG-5006CG晶振,2520贴片晶振

日本EPSON晶振,压控温补晶振,TG-5006CG晶振,2520贴片晶振

频率：13M~52MHZ尺寸：2.5x2.0mm
小体积贴片2520mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.2520贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
EPSON晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振

EPSON晶振,温补晶振,TG2016SAN晶振

频率：13M~38.4MHZ尺寸：2.0x1.6mm

温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度~85度,电源电压:1.8V~3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

EPSON晶振,压控温补晶振,TG2016SBN晶振,TG2016SBN-16.0000M-PCGNDM3晶振

EPSON晶振,压控温补晶振,TG2016SBN晶振,TG2016SBN-16.0000M-PCGNDM3晶振

频率：13M~55MHZ尺寸：2.0x1.6mm
2016贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.小体积贴片2016mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.0 × 1.6 × 0.73 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

               无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
            有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可）,不需要复杂的配置电路.

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