精工晶振,圆柱晶振,VT-120-F晶振
频率:32.768KHz
尺寸:4.7*1.2mm
工作温度:-20℃~+60℃
保存温度:-30℃~+70℃
负载电容:12.5pF
小型插件石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体谐振器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性.
SEIKO生产的石英晶振型号并不是很多,但是质量绝对可以和日产任何一个大品牌“媲美”。SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的缩写,也成为SII。SII拥有世界上顶端的机械技术。除了是世界上著名的石英手表厂商,同时也生产电脑打印机。做电子元器件,在石英振子这一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能够与日本精工晶振全球同等级竞争的,只有日本大真空KDS。
诞生于石英表研发的32.768K晶振,石英晶体,贴片晶振等电子零件被广泛应用于智能手机、数码家电、汽车和产业用设备等各种领域。半导体与石英晶振具有小型、低电压驱动、耗电低、高精度的特点,能够为设备的小型化、高性能、驱动时间的延长等做出贡献。4.7*1.2插件晶振,DIP型圆柱石英晶体,VT-120-F晶振
石英晶振事业部的所有石英晶振, 32.768K钟表晶振, 石英晶体谐振器,石英晶振均通过了SII绿化商品的认证.制定环境目标,有计划地确认实行结果,进而得到持续的改善。遵守日本国内和世界各国的环境相关法规、条例以及业界的工作事项,致力于预防环境污染。
精工晶振,圆柱晶振,VT-120-F晶振.晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.
|
精工晶振 |
单位 |
VT-120-F晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-30°C ~ +70°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-20°C ~ +60°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
1μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
6pF~12.5pF |
不同负载要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。4.7*1.2插件晶振,DIP型圆柱石英晶体,VT-120-F晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用VT-120-F晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致32.768K插件晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。精工晶振,圆柱晶振,VT-120-F晶振
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用VT-120-F石英晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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