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    FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振

32.768K晶振被用作驱动手表和IC的参考时钟信号,因为它很容易获得高精度的一秒信号将此频率用于数字电子电路.村田制作所开发出基于内部研究的世界上超小的32.768kHz,MEMS谐振器.MEMS指微机电系统,这些系统具有使用半导体制造工艺技术形成的3D微结构.谐振器等定时装置是无源元件,用于在IC工作时产生参考时钟信号.高质量谐振器可产生高精度和高稳定性信号,这对于稳定的IC操作至关重要.村田晶振开发出世界超小的32.768kHz MEMS谐振器将制造为减少物联网设备,可穿戴设备和医疗保健设备的尺寸和功耗做出了重大贡献.

物联网,可穿戴和医疗保健相关的应用,其中小尺寸,长操作时间和更长的电池寿命是必不可少的,这增加了对降低功耗的紧凑型电子组件的需求.32.768K谐振器广泛用于功耗敏感的应用中,以保持准确的时间,同时允许耗电的资源进入深度睡眠模式,从而节省系统级功率并延长整体电池寿命.

新的MEMS谐振器比竞争解决方案小50％以上,同时具有低ESR(ESR指等效串联电阻.较小的ESR表示更容易生成稳定的时钟信号),出色的频率精度和低功耗.这是由于使用了MEMS,这是一种由Murata Electronics Oy（前身为VTI Technologies）开发的技术,该技术具有独特创新的MEMS记录,可用于汽车行业的各种应用.新型谐振器的批量生产计划于2018年12月开始作为WMRAG系列.

在通过MEMS技术实现小型化的同时,新型MEMS谐振器的频率温度特性低于160ppm（工作温度-30至85℃）,初始频率精度（25℃）与a/a相当或更好.

日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC进口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶体谐振器CX3225SB12000D0GZJC1贴片晶振CX3225SB24576H0KESZZ贴片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷贴片晶振CX2520DB19200D0FLJC2无源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器CX2016DB48000D0GPSC1贴片晶振CX3225SB49152F0HELC1无源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1无源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1进口贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC进口晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振CX3225SB32000D0GPSCC进口晶振CX3225SB32000D0PSTC1进口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1进口晶振CX3225SB48000D0WPTC1贴片晶振CX3225GB16000P0HPQCC进口SMD晶体ST3215SB32768H5HSZA1进口贴片晶振CX3225GB54000P0HPQCC贴片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1进口SMD晶体CX2520DB30000D0GEJCC进口贴片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷贴片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷贴片晶振ST3215SB32768C0HSZA1无源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC进口SMD晶体CX2520DB12000D0FLJC1进口SMD晶体CX2520DB32000D0FLJCC京瓷贴片晶振

什么是温补晶振?通俗易懂的解释:具有温度补偿功能的有源晶振,英文名称TCXO晶振.温补晶振具有超小尺寸,高精度和高性能,可用于对频率稳定性要求极高的智能手机,无线通信设备,GPS模块,IoT设备,包括提供超高精度温补晶振以满足通信基站的需求.温补晶振常用尺寸有1.6x1.2mm,2.0x1.6mm,2.5x2.0mm,3.2x2.5mm,5.0x3.2mm,5.0x7.0mm可供选择.有关更多TCXO晶振资料可致电0755-27876565获取,或登入亿金电子官网查看晶振资料.下面给大家介绍到的是各品牌温补晶振型号编码.

小型贴片晶振成了当下市场的主流,从过去的大体积晶振到现在3225贴片晶振,2520贴片晶振,2016贴片晶振,1008贴片晶振,不仅代表了晶振的改革,同时见证了各个领域科技产品的更新换代.石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器在智能产品中都是不可缺少的重要电子元件,为电路提供信号频率,实现正常工作.

  1008晶振是目前世界上体积最小的贴片晶振,为了顺应时代发展,满足小型化产品需求,各大品牌相继推出自家的1008贴片晶振.亿金电子代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振等国际知名品牌,下面给大家介绍各大品牌1008晶振型号对比,获取更多相关信息也可联系亿金电子0755-27876565.

  随着智能产品小型化,对于电子元件的体积要求不断改小,因此石英芯片的小型化,特性面的不均匀成为了难题,存在着不得不降低生产效率的界限.EPSON石英晶振以晶片为单位进行光刻,提高了加工的精度,实现了具有均一特性的超小型石英芯片.从而使在超小型领域内大幅度提高生产效率的梦想变成了现实.

  爱普生晶振使用光刻技术对振动片进行三维立体加工:不改变以前的构造（左图）进行小型化时,电极（红色部分）的面积会变小.通过形成H型槽的构造,既确保了电极的面积,又提高了电解效率.从而达到贴片晶振的小型化,高性能特点.

 如果采用传统结构,产品越小,在将石英晶体元件安装在封装中时,越难以确保诸如涂层精度和导电粘合剂的安装位置之类的余量.而KDS晶振的DS1008JS晶振全球最小石英晶体振荡器采用精细密封技术是键合技术,KDS晶振集团独特的生产技术,由晶体和WLP（晶圆级封装）的三个层的键合晶片,常规的结构等效的气密性它被实现了.

  DS1008JS石英晶体振荡器由保持单元,而无需使用导电性粘接剂的结构允许所述振动部的整体结构,解决了由于体积改小导致的精度不稳定,以及导电粘合剂的安装空间问题,实现了在耐冲击性的改善.另一方面,DS1008JS晶振采用WLP使生产过程中的处理变得更加容易.此外,通过从清洗晶圆清洗到真空环境中的粘接,大大降低了质量风险.由于AT切割晶体器件的石英晶体器件变得频率高,厚度薄,因此存在关于工艺质量和生产率的问题.