深圳市亿金电子有限公司

Silabs晶振英文全称为Silicon Labs,是美国知名石英晶体,贴片晶振,有源晶体振荡器制造商.拥有先进的生产技术以及仪器设备,下面是Silabs高性能差分晶振参数特点介绍.

美国Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶体振荡器采用我们最新的第四代DSPLL技术,在任何高达3GHz的输出频率下提供超低抖动,低相位噪声时钟.该系列包括具有业界领先的相位抖动的差分晶振,差分晶体振荡器,低至80fs（飞秒）,适用于光网络,100G+光模块,宽带,数据中心,广播视频,测试和测量,mil/aero和FPGA应用.

Silabs高性能差分晶振高性能,低损耗,高精度是下一代定时应用的理想选择,可提供系统设计人员所需的频率灵活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振荡器提供工业标准3.2x5mm和5x7mm封装的单双,四和I2C选项,可实现与传统XO有源晶振和VCXO压控晶振的兼容性.

Silabs高性能差分晶振业界最低抖动,最宽频率范围,任何频率,拥有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的灵活性=更加安心

业界领先的抖动性能

晶振频率范围宽,频率分辨率<1ppb

提供单,双,四,I2C配置

I2C支持100kHz（标准）,400kHz（快速模式）和1MHz（快速模式加）更新速率

减少部件号：定义4个启动频率,使用I2C在启动后生成任何频率

出色的电源噪声抑制（-80dBc典型值）可确保电噪声系统中的低抖动操作

出色的温度和总稳定性（-40至85℃）

贴片晶振封装尺寸3.2x5mm和5x7mm

根据产品需求可提供3.3,2.5,1.8V多种电源电压

具有多种差分输出方式包括：LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和双CMOS

Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每台设备100％的电气测试

Silabs差分晶振样品可提供1-2周的交货时间

适用于任何频率的一致,超低抖动性能

收集的测量值超过700个常用频率

无论整数频率还是分数频率,都具有超低抖动

使用我们的振荡器相位噪声查找工具可获得特定频率的相位噪声图,请问联系我们0755-27876565.

    2018年12月20日-22日在深圳会展中心举行的深圳国际电子展（ELEXCON2018）已开幕.这是中国国内规模巨大的专业电子综合大展.2018年深圳国际电子展京瓷晶振集团有参加吗?是的,日本知名品牌KYOCERA京瓷将第四次以集团规模参展.

   今年的京瓷展台将分为车载,一般产业,压电晶体元件等展区进行展示.在车载展区,观众可以体验搭载了京瓷多种产品的模拟驾驶舱,进而了解京瓷正在通过先进的解决方案,为实现安全舒适的移动社会而努力.此外,京瓷晶振也将通过通信,珠宝首饰,医疗,电子元件等一般产业产品的展示,展现京瓷集团的综合技术实力.各位新老客户想要更全面近距离的了解京瓷产品可以去看看哦.

   在车载展区,运用京瓷晶振集团新技术的车载系统可以让观众体验车联网技术带来的更加安全舒适的出行.您可以体验京瓷的新技术如下：

   1.3D AR平视显示器（HUD）

   通过具有AI识别功能的摄像头和V2I路测机,驾驶员可以直观地获得投射在挡风玻璃上的各种信息.比如,前车距离太近或突然出现的人和车辆的预测信息等都可以自动投射到车的挡风玻璃上.VR显示器中同样也加入了京瓷自产车载晶振,包括京瓷CT2520DB晶振,CX3225GA晶振,CX5032SA晶振,CX8045GA晶振,KC2520M晶振等.

   2.车载用液晶显示屏

   借助京瓷独有的加工技术,在屏幕上高质量地显示汽车的导航和仪表.另外,还有被称之为"Haptivity"的新技术,驾驶者可以在屏幕上获得真正的按键感觉.GPS导航采用的是京瓷2520温补晶振系列,定位精准,性能稳定.

   车载产品区

   通过先进的高级驾驶员辅助系统和解决方案,京瓷正在为实现安全舒适的汽车出行而努力.例如将京瓷晶振集团的先进设备,AI和AR相结合的最新系统等.此外,模拟驾驶舱可以体验京瓷的特色设备和系统.在这里你可以看到京瓷的各种技术对于汽车社会的贡献.

   主要展品：车载用液晶显示屏（HUD,HAPTIVITY®）LED基板.LIDAR.车载暖风点火塞.车载摄像头.MLCC.车载用电线分线连接器

   一般产业产品

   主要展品：大型多层基板,血流传感器,石英贴片晶振,京都欧珀蛋白石等.

京瓷车载用分线连接器            京瓷CX3225SB车载晶振

    亿金电子国内知名晶振供货商,为用户提供大量质优价廉的晶振产品,包括陶瓷晶振,声表面滤波器,贴片晶振,压控晶体振荡器,差分晶振,石英晶体谐振器等产品.为了更好的服务世界各地用户,同时代理CTS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,KDS晶体,鸿星晶振,希华晶振,泰艺晶振,IDT晶振等知名品牌,产品规格齐全,价格优势,欢迎广大用户来电咨询0755-27876565.

晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

VCXO晶振（压控晶体振荡器）是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO（产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器）或烤箱控制类型（产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器）来实现.

VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下：

偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.

控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.

传递函数（有时称为斜率极性）-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正（或更负）控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.

线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5％且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5％以内.

在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14％.

产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性（±）控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管（在这种情况下为正）.良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑（无间断）和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.

调制速率（有时称为偏差率或频率响应）-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制（输出频率大于10MHz时大于1MHz）,但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.

斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.

因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1％至±5％的VCXO,增量灵敏度约为（非常近似）最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5％最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50％的斜率变化.因此,读取“斜率：2kHz/伏特±10％”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差：20kHz-10％.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10％增量灵敏度与±1％最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度：每伏2kHz±10％”.

其他设计考虑因素

稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏离）其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性（和相关的相位噪声）特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.

锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用（在随后的页面中有描述）.但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.

基本振荡器频率-基本模式晶体（通常为10-25MHz）允许最大的偏差,而第三泛音晶体（通常为20-70MHz）允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.

一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.

亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.

  KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.

  温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G（第五代移动通信系统）的IoT（互联网的单声道）.

   DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图

  通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.

  DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.

  KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器（NTC热敏电阻）,实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.

  DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图

   DSR1210ATH石英晶体谐振器特点

  超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸：最大1.2×1.0×0.55mm.

  内置NTC热敏电阻作为温度传感器

  采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性

  无铅/符合RoHS标准

  支持驱动电平：最大300μW.

  [主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备

  [生产状况]样品响应时间：2019年1月-.批量生产响应期：2019年5月-

  DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性

  如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.

  [晶振术语解释]

  温度系数：切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.

  温度系数

  ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.

  F（T）=C3（T-T0）3+C2（T-T0）2+C1（T-T0）+C0

  C0：常数/C1：1次温度系数/C2：2阶温度系数/C3：3下一个温度系数

  t：温度/t0：参考温度

   Cardinal差分晶振型号

   Cardinal差分晶振代码

  科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.

  那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.

  爱普生差分晶振参数

  差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.

  爱普生差分晶振编码

  差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.

   S525025T-125.000-R台湾安基晶振S73305T-27.000-X-15-R晶振S73305T-100.000-X-15-R有源晶振S5A2505-125.000-L-X-R台湾安基晶振S31805T-12.288-X-R石英晶振S52505T-66.666-X-R有源晶振S51805T-125.000-X-R贴片晶振S233025T-26.000-R石英晶振S22510T-27.000-X1-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-P-X-R石英晶振S7A2510-100.000-L-X-R贴片晶振S525025T-24.000-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-L-X-R晶振S53305T-8.000-X-R贴片晶振S73305T-24.000-X-15-R台湾进口晶振S53305T-24.000-X-R贴片晶振S33305T-1.8432-X-R晶振S21805T-24.000-X-R台湾进口晶振S22505T-32.000-X-R有源晶振S225025T-10.000-R晶振S31805T-38.400-X-R台湾进口晶振S32505T-16.000-X-R台湾安基晶振S22505T-26.000-X-R晶振S225025T-19.200-R台湾进口晶振S33305T-12.000-X-R台湾安基晶振S518025T-10.000-R有源晶振S7A33025-100.000-L-X-R石英晶振S518025T-20.000-R有源晶振S7A3310-125.000-L-X-R石英晶振S23305T-24.000-X-R台湾安基晶振S7A33025-156.250-L-X-R石英晶体振荡器S51805T-40.000-X-R台湾进口晶振S73305T-33.333-X-15-R贴片晶振

   S7A3305-250.000-P-X-R台湾安基晶振S533025T-1.8432-R台湾进口晶振S22505T-27.000-X-R晶振S7A2505-155.520-P-X-R晶振S31805T-40.000-X-R石英晶振S32505T-12.288-X-R台湾安基晶振S73305T-10.000-X-15-R有源晶振S518025T-25.000-R台湾安基晶振S53305T-10.000-X-R石英晶振S31805T-24.000-X-R有源晶振S32505T-48.000-X-R贴片晶振S518025T-33.333-R有源晶振S52505T-24.576-X-R石英晶振S21805T-40.000-X-R贴片晶振S52505T-33.333-X-R石英晶体振荡器S533025T-10.000-R石英晶体振荡器S23305T-27.000-X-R台湾进口晶振S218025T-12.000-R贴片晶振S225025T-40.000-R晶振S32505T-19.200-X-R台湾进口晶振S533025T-14.31818-R晶振S32505T-12.000-X-R有源晶振S32505T-6.000-X-R台湾安基晶振S53305T-60.000-X-R石英晶体振荡器S73305T-32.000-X-15-R贴片晶振S22505T-10.000-X-R石英晶体振荡器S33305T-38.400-X-R石英晶振S218025T-10.000-R石英晶体振荡器S225025T-48.000-R石英晶体振荡器S53305T-64.000-X-R台湾进口晶振

   Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒温晶振CCHD-575-50-80.000石英晶体振荡器CXOH20-BP-10.000温补晶振CCSO-914X-1000.000晶体滤波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88压控晶振CVHD-037X-80电压控制晶振CVHD-037X-100压控晶体振荡器PPRO30-10.000温补晶振CCSO-914X3-1000晶体滤波器C3290-16.000石英晶体振荡器CCLD-033-50-125.000石英晶体振荡器CVSS-945-50.000电压控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒温晶振CE3391-8.000美国进口晶振PPRO30-40.000温补晶振CVCSO-914-1000晶体滤波器C3290-16.384美国进口晶振CCPD-033-50-156.250美国进口晶振CVSS-945-80.000压控晶体振荡器CVHD-950-100.000压控晶振PPRO30-13.000温补晶振CCSO-014-1090.000晶体滤波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281压控晶振CVHD-950-80.000电压控制晶振CVS575-622.080美国Crystek晶振C3390-32.000美国进口晶振PPRO30-26.000温补晶振CVCSO-914-245.760晶体滤波器C3390-30.000石英晶体振荡器

   CCPD-033-50-161.1328石英晶体振荡器CVHD-950-125.000电压控制晶振CVHD-037X-125压控晶体振荡器CVT25-38.400温补晶振CCPD-034-50-200.000美国进口晶振CVHD-950-60.000压控晶体振荡器CVPD-037X-153.6压控晶振CVT25-33.600温补晶振CCSO-914X-245.760美国Crystek晶振CVT25-13.000温补晶振CVS575S-500.000美国Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964压控晶振CVPD-034-50-155.52电压控制晶振CVT25-19.200温补晶振RFPRO33-500.000美国602019电压控制晶振CVSS-945X-100.000压控石英晶体振荡器CVT25-26.000温补晶振RFPRO33-1000.000美国Crystek晶振CVHD-950-74.250压控晶体振荡器CVSS-945-100.000压控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒温晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800压控晶振CVHD-950-122.880电压控制晶振PPRO30-19.200温补晶振CVS575-500.000美国Crystek晶振CVHD-950-54.000压控晶体振荡器CVHD-950X-100压控晶振C3290-14.318180美国进口晶振602017压控晶体振荡器CCSO-914X-250.000晶体滤波器CCPD-033-50-77.760石英晶体振荡器CVHD-950-70.000电压控制晶振

   7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

   TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振