LV55D晶振,5032差分有源晶振,Pletronics晶振

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Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

频率：13M~220MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围

订购热线：0755-27876565

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Pletronics晶振公司创建于1979年,主要研发生产晶振,石英晶振,有源晶体,石英晶体振荡器等元件.至今已有超过30年之久的工程和制造经验.所生产的产品使用范围广包括亚洲、欧洲和北美的制造业.Pletronics晶振公司拥有国际工程,物流和销售支持.产品设计创新,价格竞争有优势,订货交期时间短在业界具有较好的声誉.

Pletronics晶振公司关注用户需求,不断研发新品,改善现有产品.能够满足不同客户对于石英晶振, 贴片晶振,温补晶体振荡器等频率控制元件的需求提供一个完整的解决方案.

Pletronics晶振公司运用ISO14001环境管理系统进行环境管理,尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.

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Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振，差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.

有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.

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Pletronics晶振型号	符号	LV55D晶振
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	13M～220MHz
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40～+85℃
运行温度范围	T_use	-10～+70℃ ,-40～+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-更多晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125～1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

Pletronics晶振型号	符号	LV55F晶振
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	13～220MHz
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40～+85℃
运行温度范围	T_use	-10～+70℃ ,-40～+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-更多晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125～1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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lv55d 2.5v 5.0-3.2 LVDS

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在使用Pletronics晶振时应注意以下事项：

产品设计人员在设计振荡回路的注意事项

1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.

2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.

zdbc

3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示电路的杂散电容.Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

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深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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LV55D晶振 5032差分有源晶振 Pletronics晶振

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: EPSON晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振; 差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值（PPM）可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.