8N4DV85晶振,VCXO压控振荡器,5X7差分贴片晶振,IDT晶振

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IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,压控晶振

频率：15.476M~1300MHZ

尺寸：7.0x5.0mm

SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点

订购热线：0755-27876565

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Integrated Device Technology, Inc.（以下简称IDT晶振集团）,成立于1980年公司发展在各地均设有分公司,全球人员大概在2000左右,总部位于加州圣何塞市主要开发优化客户应用的系统级解决方案.

IDT晶振集团在RF、高性能定时、存储接口、实时互联、光互联、无线电源及智能传感器方面的市场导向型产品,是该公司一系列广泛的通信、计算、消费、汽车和工业领域混合信号完整解决方案的一部分.IDT的设计、生产、销售场所和经销合作伙伴遍及全世界,主要生产晶振,石英晶振,有源晶振,VCXO晶振,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体等元器件.

IDT 晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理,尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.

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IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,压控晶振,差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值（PPM）可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

高电平(1)：此时OSC有源晶振有波形输出.

低电平(0)：此时OSC有源晶振无波形输出.

悬空：此时OSC有源晶振有波形输出.

输出端三态：输出端有三种状态：

有波形输出：1# 为高电平或悬空.

无输出波形：1# 为低电平.

高阻态（高阻抗）：当输出为低电平时,输出为高阻态.

Load：负载（产品输出驱动形式和能力）

TTL 负载：1—10 TTL.

CMOS负载：15pF、30pF、50Pf.

PECL 负载：50 Ω.

5.7、主要测试设备：

石英晶体振荡器主要测试设备有PRA2470、PRA1020、稳压电源、示波器、频率计、电流表、

PRA2400（温度特性测试）、S&A2800（温度特性测试）.

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IDT晶振型号	符号	8N4DV85晶振
输出规格	-	LVDS
输出频率范围	fo	15.476M~1300MHZ
电源电压	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存温度范围	T_stg	-40~+85℃
运行温度范围	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃
消耗电流	I_CC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0电平电压	V_OL	-超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息http://www.vc-tcxo.com
1电平电压	V_OH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分输出电压	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分输出误差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
补偿电压	V_OS	1.125～1.375V
补偿电压误差	⊿V_OS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	V_IH	V_CC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

8N4DV85 7050 VCXO LVDS

yijin-4 在使用IDT晶振时应该注意以下事项：

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,压控晶振
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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