CTS晶振,375NB5I1000T,LVDS,VCXO,100MHz,2.5V,25PPM,-40~85℃

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CTS晶振,375NB5I1000T,LVDS,VCXO,100MHz,2.5V,25PPM,-40~85℃

频率：100MHz

尺寸：5.0x3.2mm

CTS晶振,375NB5I1000T,LVDS,VCXO,100MHz,2.5V,25PPM,-40~85℃,美国进口CTS有源晶振,CTS375型车是一款低成本、小尺寸、高性能的VCXO车型。M375采用最新的IC技术，再加上高频基晶体，具有优异的稳定性和低抖动/相位噪声性能。陶瓷表面安装封装，超低相位抖动性能，高频基本晶体设计，频率范围100-250MHz*，+2.5V或+3.3V操作，输出使标准，磁带和卷轴包装，EIA-418。小区无线网，无线通信，宽带接入，SONET/SDH/DWDM，基站，以太网/GbE/SyncE，数字视频，测试和测量.

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CTS晶振,375NB5I1000T,LVDS,VCXO,100MHz,2.5V,25PPM,-40~85℃

参数	标志	环境	最小值	典型的	最大值	单位
最大电源电压	VCC	-	-0 .3	-	5.0	V
最大控制电压	VC	-	-0 .5	-	VCC	V
电源电压	VCC	±5%	3.14 2.38	3.3 2.5	3.47 2.63	V
补充电流	ICC	LVDS Load	-	20	55	mA
输出负载	RL	Between Outputs	-	100	-	Ohms
工作温度	TA	-	-20 -40	+25	+70 +85	°C
储存温度	TSTG	-	--40	-	+100	°C
频率范围	fO	-		100 - 250		MHz
频率容差	Δf/fO	±25ppm stability, -20°C to +70°C only		25, 30 or 50		±ppm
绝对拉力范围	APR APR	Frequencies <200MHz Frequencies ≥200MHz	50 30	- -	- -	±ppm ±ppm
老化	Δf/f25	First Year @ +25°C, nominal VCC and VC	--3	-	3	ppm
输出类型	-	-		LVDS		-
输出电压水平	VOH VOL	LVDS Load LVDS Load	- 0.90	1.43 1.10	1.60 -	V
差分输出电压	VOD	RL = 100 Ohms	247	350	454	mV
偏移电压	VOS	RL = 100 Ohms	1.125	1.25	1.375	V
输出占空比	SYM	@ 1 .25V	45	-	55	%
上升和下降时间	TR, TF	@ 20%/80% Levels	-	0.4	1.0	ns
启动时间	TS	Application of VCC	-	5	10	ms
相位抖动,RMS	tjrms	Bandwidth 12kHz - 20MHz	-	70	200	fs
相位噪音	-	See Typical Plots	-	-	-	-

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375(1)

CTS原厂代码	生产商品牌	型号	类型	频率	输出	电压	频率稳定度	工作温度
375LB3C1228T	CTS晶振	375	VCXO	122.88MHz	LVDS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
375NB3C1228T	CTS晶振	375	VCXO	122.88MHz	LVDS	2.5V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
375LB3I1228T	CTS晶振	375	VCXO	122.88MHz	LVDS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
375NB3I1228T	CTS晶振	375	VCXO	122.88MHz	LVDS	2.5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
375LB5C1000T	CTS晶振	375	VCXO	100MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-20°C ~ 70°C
375NB5C1000T	CTS晶振	375	VCXO	100MHz	LVDS	2.5V	±25ppm	-20°C ~ 70°C
375LB5I1000T	CTS晶振	375	VCXO	100MHz	LVDS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
375LB6C1000T	CTS晶振	375	VCXO	100MHz	LVDS	3.3V	±20ppm	-20°C ~ 70°C
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375LB3C1536T	CTS晶振	375	VCXO	153.6MHz	LVDS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
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