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[行业新闻]村田制造的水晶单元与传统石英晶振结构的不同2018年12月26日 09:50

说到村田生产的电子元件想必很多人会想到的都是村田贴片电容,村田陶瓷晶振.其实近几年村田也开始了石英晶振的研发制造,并且获得广大用户所认可,取得可观成绩.下面亿金电子给大家介绍下村田制作所水晶单元的起源,以及村田石英晶振的优点和各种应用.

村田制作所的水晶单元采用突破性且独特的包装技术,在现有产品中无与伦比,提供卓越的品质,生产规模和性价比.

村田制造所水晶单元的优点

村田制造的水晶单元与传统石英晶振结构的不同

村田制作所水晶单元的起源

村田制作所已提供陶瓷谐振器（CERALOCK ®）市场的四十多年里,作为微型计算机和其他设备的参考时钟使用.为了支持需要比陶瓷谐振器具有更高频率精度的时钟的设备,使用我们独特的技术,Murata和Tokyo Denpa共同开发了微型且高度可靠的石英晶振,贴片晶体单元.自2009年起,我们开始为消费者市场供应产品,自2013年起开始为汽车市场供应产品.

村田制造的水晶单元与传统石英晶振结构的不同

市场业绩-村田制作所的水晶单元在各种应用中都很活跃由于对速度和容量的需求增加,与东京Denpa联合开发的产品已被更多产品所采用,因为HDD/SSD/USB和其他存储设备开始使用小型晶体单元.后来,村田制作所的水晶单元开始被用于NFC,智能手机具有个人认证/电子货币支付功能.

由于AV/PC/汽车设备和Wi-Fi通信设备对小型设备的需求不断增长,以及配备BT/BLE通信功能的可穿戴设备和智能手机外围设备的市场增长,小型贴片晶振,石英晶体设备的采用仍在增加连接到智能手机.

客户选择村田制作所的水晶单元的原因-由陶瓷谐振器培育的高可靠性/低成本封装的采用（CERALOCK ®）

村田制作石英贴片晶振使用的封装结构与典型的水晶单元不同.虽然常规晶振晶体单元使用具有腔体结构的陶瓷基板,但村田制作所的石英晶振单元使用的结构将金属帽与平面陶瓷基板结合在一起,该陶瓷基板具有多年可追溯的陶瓷谐振器.与传统的石英晶体单元相比,使用高度通用的平面陶瓷基板和金属盖可以降低材料成本,实现稳定的供应,并提高产量.

村田制作所为客户提供价值-村田晶振拥有先进的生产技术,从水晶石生产,设计,制造到我们自己的原始设备到全球销售网络的集成系统.至今村田中国已拥有19个销售据点、4个工厂以及4个研发设计基地,近距离为客户提供及时有效的服务和技术支持.

全球销售系统

村田制造的水晶单元与传统石英晶振结构的不同

村田石英晶振产品型号列表

系列	类型	尺寸（mm）	频率	笔记
XRCTD XRCED	MCR1210晶振	1.2×1.0×0.30 1.2×1.0×0.33	32至52MHz	金属密封封装，适用于小型消费设备的小型无线通信设备	XRCFD XRCMD	MCR1612晶振	1.6×1.2×0.35 1.6×1.2×0.33	24至48MHz	XRCGB	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	24至50MHz	用于消费者设备的无线通信设备的树脂密封包装	XRCPB	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.5	24至48MHz	XRCHA	HCR2520晶振	2.5×2.0×0.8	16至20MHz	XRCHA_F_A	HCR2520晶振	2.5×2.0×0.8	16至24MHz	用于汽车以太网/ FlexRay	XRCGE_F_A	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	20至23.99MHz	用于汽车MCU等	XRCGB_F_A	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	24至48MHz	用于汽车以太网/ FlexRay	XRCGB_F_C	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	27.6MHz	用于汽车舒适/安全信息娱乐	XRCGB_F_G	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	24至48MHz	用于汽车仅用于信息娱乐

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[行业新闻]Silabs高性能差分晶振参数特点2018年12月25日 11:40

Silabs晶振英文全称为Silicon Labs,是美国知名石英晶体,贴片晶振,有源晶体振荡器制造商.拥有先进的生产技术以及仪器设备,下面是Silabs高性能差分晶振参数特点介绍.

美国Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶体振荡器采用我们最新的第四代DSPLL技术,在任何高达3GHz的输出频率下提供超低抖动,低相位噪声时钟.该系列包括具有业界领先的相位抖动的差分晶振,差分晶体振荡器,低至80fs（飞秒）,适用于光网络,100G+光模块,宽带,数据中心,广播视频,测试和测量,mil/aero和FPGA应用.

Silabs高性能差分晶振高性能,低损耗,高精度是下一代定时应用的理想选择,可提供系统设计人员所需的频率灵活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振荡器提供工业标准3.2x5mm和5x7mm封装的单双,四和I2C选项,可实现与传统XO有源晶振和VCXO压控晶振的兼容性.

Silabs高性能差分晶振业界最低抖动,最宽频率范围,任何频率,拥有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的灵活性=更加安心

业界领先的抖动性能

晶振频率范围宽,频率分辨率<1ppb

提供单,双,四,I2C配置

I2C支持100kHz（标准）,400kHz（快速模式）和1MHz（快速模式加）更新速率

减少部件号：定义4个启动频率,使用I2C在启动后生成任何频率

出色的电源噪声抑制（-80dBc典型值）可确保电噪声系统中的低抖动操作

出色的温度和总稳定性（-40至85℃）

贴片晶振封装尺寸3.2x5mm和5x7mm

根据产品需求可提供3.3,2.5,1.8V多种电源电压

具有多种差分输出方式包括：LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和双CMOS

Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每台设备100％的电气测试

Silabs差分晶振样品可提供1-2周的交货时间

适用于任何频率的一致,超低抖动性能

收集的测量值超过700个常用频率

无论整数频率还是分数频率,都具有超低抖动

使用我们的振荡器相位噪声查找工具可获得特定频率的相位噪声图,请问联系我们0755-27876565.

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[亿金快讯]美国CORE ELECTRONICS晶振2018年12月24日 09:40

Core Electronics是一家受人尊敬的石英晶体,贴片晶振,晶体振荡器和谐振器制造商,在频率控制产品方面拥有40多年的经验.不仅如此,美国CORE晶振还是电子元件的特许经销商,专注于无源,光电,半导体和机电元件,如电容器,连接器,LED,电感器,铁氧体磁珠,电位器,继电器,开关等产品的销售.

无论是通过越来越多的经销商销售我们自己的产品,还是营销他人的产品,CORE晶振集团都会以专业的关怀,丰富的知识,不凡的礼貌和对细节的无与伦比的关注满足客户的需求始终是CORE ELECTRONICS的使命.

Core Electronic的水晶产品系列提供各种表面贴装和通孔封装,从工业用途的HC49/U晶振到尖端的陶瓷表面贴装晶振,一直在不断增长性能扩大生产力以及提高现有的服务以及品质.

美国CORE ELECTRONICS晶振还提供激动人心的石英晶体振荡器选项,包括用于通信设备的CMOS振荡器,用于钟表的精密石英振荡器,以及用于医疗和其他用途的多波振荡器.我们提供插件晶振和SMD贴片晶振封装的快速转向（参见Core Express系列）和海上交付.CORE晶振集团所生产的所有石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,陶瓷谐振器均符合RoH标准,可提供多种不同的电压,工作温度,输出和频率稳定范围低至1.0ppm.

CORE晶振还生产和销售低频经济型陶瓷谐振器,陶瓷晶振.包括插件ZTA两脚陶瓷晶振,ZTA三脚陶瓷晶振以及贴片陶瓷晶振.优良的电气性,具有精度稳定,质量高等特点.

美国CORE ELECTRONICS以其在电子行业赢得的声誉而自豪,并努力保持对其运营的环境影响的警惕.我们对RoHs标准的遵守反映了CORE ELECTRONICS如何认真履行其在电子行业开展业务的责任.

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[技术支持]Abracon集团为无线充电解决方案提供的SMD晶振及线圈优势2018年12月22日 10:59

艾博康晶振集团是国际知名频率元件,磁性元件,压电水晶元件生产制造商,拥有领先业界的技术,采用全自动仪器设备,先进的经营理念,主要为用户提供优质石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,晶体谐振器等产品.发展至今在苏格兰,德国,德克萨斯州,中国说,台湾,等多个国家设有生产销售基地.

艾博康Abracon晶振不仅为用户提供高品质的产品,并且拥有专业的技术工程为用户提供产品解决方案和技术指导.亿金电子代理Abracon晶振,以下所推荐的是Abracon集团为无线充电解决方案提供的SMD晶振及线圈优势.

用于SEMTECH LINKCHARGE™20 TSDMRX-19V20W-EVM参考设计,20W双模RX无线充电线圈

Abracon的AWCCA-RX350300-101无线充电线圈经过优化,可满足要求Semtech的LinkCharge™20 TSDMRX-19V20W-EVM参考设计板.作为Semtech完整无线充电解决方案的一部分,这可以在20W时提供高达85％的效率线圈实现无线充电解决方案的接收侧.它专为紧凑型应用而设计具有35mm直径,实现高功率密度,最小高度为3.15mm.

高达85％的高效电力传输

Abracon集团为无线充电解决方案提供的SMD晶振及线圈优势

Abracon贴片晶振在无线充电系统中提供数据传输,实现快速充电的作用.它的原理便是无线充电是指利用电磁波感应原理进行充电的设备,原理类似于变压器.在发送和接收端各有一个线圈,发送端线圈连接有线电源产生电磁信号,接收端线圈感应发送端的电磁信号从而产生电流给电池充电.无线充电采用小型SMD晶振,2520晶振,3225贴片晶振,当然也包括32.768K晶振系列,Abracon的SMD晶振小体积,厚度薄,性能稳定用于无线充电系统具有高效率,减少散热,最大限度地缩短电池充电时间等优势.

无线充电是一款电子产品,基本就两个东西一个是插座上的发信器,另一个是整合在电子产品上,跟硬币大小差不多的接收器（技术核心）,只要在一定的范围内,电能可以瞬间自发信器传到对应的接受器,其中的关键部件就是无线充电晶振和无线充电线圈了.

无线的优势

绿色,安全,方便设计师和消费者,无线充电正在迅速扩大整个消费电子行业. 然而,技术标准仍处于起步阶段,高功率市场已经服务不足,正在研究中,标准几乎达不到15瓦.

亿金电子所代理的Abracon晶振种类齐全,多种封装尺寸,包括压电晶体振荡器,温补晶振,有源贴片晶振,声表面滤波器等,满足客户需求.产品均为无铅无害材料生产,具有高品质,高可靠使用特性.更多美国Abracon晶振资料介绍以及产品解决方案欢迎登入亿金官网查看.

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[行业新闻]2018年深圳国际电子展京瓷晶振集团有参加吗?京瓷晶振参展2018年12月21日 10:09

2018年12月20日-22日在深圳会展中心举行的深圳国际电子展（ELEXCON2018）已开幕.这是中国国内规模巨大的专业电子综合大展.2018年深圳国际电子展京瓷晶振集团有参加吗?是的,日本知名品牌KYOCERA京瓷将第四次以集团规模参展.

今年的京瓷展台将分为车载,一般产业,压电晶体元件等展区进行展示.在车载展区,观众可以体验搭载了京瓷多种产品的模拟驾驶舱,进而了解京瓷正在通过先进的解决方案,为实现安全舒适的移动社会而努力.此外,京瓷晶振也将通过通信,珠宝首饰,医疗,电子元件等一般产业产品的展示,展现京瓷集团的综合技术实力.各位新老客户想要更全面近距离的了解京瓷产品可以去看看哦.

展会名称

深圳国际电子展

时间

2018年12月20日～2018年12月22日

地点

深圳会展中心：一号展馆

京瓷晶振展位

1L12

在车载展区,运用京瓷晶振集团新技术的车载系统可以让观众体验车联网技术带来的更加安全舒适的出行.您可以体验京瓷的新技术如下：

1.3D AR平视显示器（HUD）

通过具有AI识别功能的摄像头和V2I路测机,驾驶员可以直观地获得投射在挡风玻璃上的各种信息.比如,前车距离太近或突然出现的人和车辆的预测信息等都可以自动投射到车的挡风玻璃上.VR显示器中同样也加入了京瓷自产车载晶振,包括京瓷CT2520DB晶振,CX3225GA晶振,CX5032SA晶振,CX8045GA晶振,KC2520M晶振等.

2.车载用液晶显示屏

借助京瓷独有的加工技术,在屏幕上高质量地显示汽车的导航和仪表.另外,还有被称之为"Haptivity"的新技术,驾驶者可以在屏幕上获得真正的按键感觉.GPS导航采用的是京瓷2520温补晶振系列,定位精准,性能稳定.

2018年深圳国际电子展京瓷晶振集团有参加吗?京瓷晶振参展

车载产品区

通过先进的高级驾驶员辅助系统和解决方案,京瓷正在为实现安全舒适的汽车出行而努力.例如将京瓷晶振集团的先进设备,AI和AR相结合的最新系统等.此外,模拟驾驶舱可以体验京瓷的特色设备和系统.在这里你可以看到京瓷的各种技术对于汽车社会的贡献.

主要展品：车载用液晶显示屏（HUD,HAPTIVITY®）LED基板.LIDAR.车载暖风点火塞.车载摄像头.MLCC.车载用电线分线连接器

一般产业产品

主要展品：大型多层基板,血流传感器,石英贴片晶振,京都欧珀蛋白石等.

2018年深圳国际电子展京瓷晶振集团有参加吗?京瓷晶振参展

京瓷车载用分线连接器京瓷CX3225SB车载晶振

亿金电子国内知名晶振供货商,为用户提供大量质优价廉的晶振产品,包括陶瓷晶振,声表面滤波器,贴片晶振,压控晶体振荡器,差分晶振,石英晶体谐振器等产品.为了更好的服务世界各地用户,同时代理CTS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,KDS晶体,鸿星晶振,希华晶振,泰艺晶振,IDT晶振等知名品牌,产品规格齐全,价格优势,欢迎广大用户来电咨询0755-27876565.

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[技术支持]最全最详细的晶振晶体术语词汇表2018年12月20日 11:02

亿金电子是国内有名的晶振晶体供货商,一直以来为用户提供了大量优秀的晶振产品,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,声表面滤波器等.为了更好的服务广大用户,亿金电子不断开拓创新,发展前进,凭借自身的努力与智慧获得台湾,日本,欧美进口晶振品牌代理权限,包括NDK晶振,KDS晶振,京瓷晶体,CTS有源晶振,IDT贴片晶振,TXC晶体,鸿星晶振,加高晶振等.亿金电子免费为用户提供晶振现样以及晶振技术资料下载服务.以下为最全最详细的晶振晶体术语词汇表

压电现象

Curious,J.和Curie,P.它是在1880年发现的,离子晶体响应外部应力产生介电极化的现象.

压电元件

一种元件,具有将诸如振动和压力的机械应变转换成电压并相反地施加电压以产生机械应变的特性.

厚度剪切振动

石英晶体振荡器的振动模式之一,其频率与厚度成反比.一种模式,其中晶体坯料的厚度方向上的前表面和后表面沿相反方向滑动.这种石英片称为AT切割.

非凡的光线

当入射在双折射板上的光被分成两束时,光束的速度根据传播方向而变化.

相位抖动

信号脉冲波形的相位是这样一种现象波动从原始位置来回,波动频率（时间滞后）的相位被称为抖动频率10Hz以上.

相位噪声

从晶体振荡器输出产生的标称频率附近的不必要能量辐射的通用名称.

相位板

消除在通过双折射板之后已经线性偏振的光线的偏振状态的元件.它有时被称为去极化板,波片.

老化

处理消除初始不稳定因素,实现稳定运行.

衰老量

指随着时间流逝而变化的特征变化量.

衰老量

指随着时间流逝而变化的特征变化量.

高压灭菌器

特殊钢制容器,可承受高温/高压,也可用于战舰大炮.高度高达15米.

泛音顺序

对泛音振动的规定的振动模式顺序地呈现所述基波振动为1,连续增加的整数.

超越晶体振荡器

石英晶体谐振器设计用于在更高阶振动模式（第3,第5,第7）振荡.

偏移错误

在LVDS输出振荡器中,示出了差分输出+侧和负侧的振幅电平平均值之间的差.

偏移电压

在LVDS输出振荡器中,显示了差分输出的+侧和-侧的平均幅度电平.

音叉振荡器
（kHz频带晶体振荡器）

可以低功耗驱动的振动器.它被称为音叉型石英振荡器,因为水晶片是音叉形状.

温度传感器输出

在TCXO晶振模块中,直流电压输出随温度变化.

卡行

受过程影响的图层

在抛光或切割晶体时,处理诸如石英晶体坯料中产生的小裂缝的变形.

截止特性

阻挡空间频率特性产生波纹.

加工

使用石英工具和机床,将石英加工成所需的形状和尺寸.抛光也是一种加工方式.

反馈电阻（Rf）

DC偏置的反馈电阻是决定低范围截止特性的常数之一.通常,10MΩ用于kHz频段的振荡,1MΩ用于MHz频段的振荡.然而,当瞄准泛音振荡时,可以使用kΩ量级的电阻器.

参考温度

温度测量晶振晶体器件的具体参数.

开始时间

从振荡器的电源电压上升到输出幅度达到标准的时间.

基本晶体石英振荡器

石英振荡器,设计成在预定振动模式下以最低程度（第一）振荡.

反压电现象

相反,压电现象,一种现象,即施加电场到晶体时,会发生失真.Lipman预测它的存在,Curie,J.和Curie,P.

帽

用于保护由陶瓷或金属制成的水晶坯料的盖子.

弯曲振动

振动模式,其频率由材料板的尺寸决定.

群延迟时间偏差

通带内组延迟时间的最大值和最小值之间的差异.

耦合能力

在4极型滤波器的情况下,元件之间的连接容量.

化学处理

一种化学抛光和加工晶体坯料加工的方法,该方法是用机器使用化学溶液完成的.

衰减带宽

具有保证相对衰减超过指定值的值的频率间隔.

波兰语

研磨和抛光水晶片.根据精加工精度进行抛光等精密加工.

光伪信号

最初不存在的信号,例如颜色不均匀或条纹图案,其在通过图像拾取元件绘制格子状条纹等时发生.有时它被称为虚假信号,莫尔条纹.

光轴

在双折射晶体中不发生双折射的方向上的轴.

光学石英基板

透明基板,利用晶体的导热特性进行散热.

光学低通滤波器

去除空间频率的高频分量的滤波器.那些使用彩色成像元件去除光学伪信号的设备,例如数码相机和便携式摄像机.

标称频率

中心频率的标称值.

谐波

在振荡器输出中,输出频率以外的高阶频率分量.

凸面处理

防止晶体片（限制振动能量到中央部分）,用于振动能量的泄漏,在比中央部,形成为圆弧状的弯曲表面的晶体片的处理薄石英片的端部的加工方法.还有另一个斜切过程留下了中心部分的平整度.

一字母S

最大激励水平

晶体单元工作期间消耗的最大功率值.

差分输出错误

在LVDS输出振荡器中,显示了差分输出的+侧和-侧的波高值之间的差异.

差分输出电压

在LVDS输出振荡器差分晶振中,显示差分输出+侧和-侧的峰值.

萨瓦特板块

将入射光分成两个线性偏振光,普通光线和非常光线的元件,它们具有彼此不同的振动方向.有时它被称为双折射板.

紫外线切割涂层

反射紫外线的光学薄膜.

终止阻抗

从滤波器侧看到的信号源阻抗或负载阻抗.

频率

表示在一秒钟内重复周期性变化的现象（例如无线电波和声波）的次数.单位是赫兹“赫兹”.

频率温度特性

在参考温度下与频率的偏差以百万分率（×10-6）表示,并且在工作温度范围内表示最大值.

（石英振荡器）

频率温度特性

在指定温度范围内运行引起的指定参考温度频率的频率偏差,不改变温度以外的条件.

（晶体振荡器）

频率可变范围

输出频率范围可通过外部控制电压改变为VCXO中的振荡器.

频率容差偏差

它以百万分率（×10-6）表示,偏离室温（25°C）时的标称频率.它也被称为冷温度偏差.

（晶体振荡器）

频率容差偏差

当晶体振荡器在规定条件下工作时,振荡频率与规定标称频率之间的最大允许偏差.

（晶体振荡器）

频率随时间变化

指定工作时间范围内频率变化量.

频率控制灵敏度

在VCXO中,显示了每1V控制电压的频率变化.（单位：×10-6/V）

频率控制极性

在VCXO,伴随着增加输出什么频率的增加正控制电压（+）,那些更低的负-由下式表示（）.

频率控制电压

在VCXO晶振中,从外部输入的电压宽度改变频率.

频率供电电压特性

通过在不改变电源电压以外的条件的情况下给出指定的电源电压变化而产生的指定参考电压的频率的频率偏差.

频率负载变化特性

通过在不改变负载以外的条件的情况下给出负载阻抗变化而引起的与指定参考负载条件的频率的频率偏差.

输出启用时间

在具有输出控制功能的型号中,从输入控制信号到振荡输出的出现的时间,振荡输出停止.

输出频率

晶体振荡器输出频率的标称值.

输出禁用时间

在具有输出控制功能的型号中,在振荡输出状态下,从控制信号输入到振荡输出停止的时间.

输出电压

输出波形的幅度.

输出特性

标准输出波形标准和测量负载条件.

输出负载

输出波形表示相应的器件（TTL,C-MOS等）,并且可以驱动这些器件.

输出负载条件

可连接到振荡器的负载类型和数量（功率）.

普通射线

当入射在双折射板上的光被分成两束时,光束的速度不会根据传播方向而改变.

蒸汽沉积

在晶体片的表面上形成金属膜.所谓真空蒸镀,在真空状态下在容器中加热金属,并且附接至所述晶体坯的方法蒸发称为溅射法,是利用通电金属靶时的原理弹出金属原子附着通常使用方法.

当前消费

消耗的工作电流.

气缸类型

具有圆柱形结构的晶体谐振器.一般是指kHz频段振荡器的形状.

单包

晶体空白和IC集成在一个封装中.

振动模式

晶体片的机械振动图由切割方向等决定.厚度剪切振动和弯曲振动.

人造水晶

通过水热合成法人工生长的晶体,由于杂质小,质量好,形状适合加工,因此被用作石英晶体器件的原料.

水晶

石英是一种大结晶,原始的晶面很发达.用于配饰等的紫色水晶（紫水晶）和黄色水晶（黄水晶）等也是一种水晶.

晶体谐振器
（MHz波段谐振器）

振动器利用具有良好温度特性的厚度剪切振动.

晶体振荡器

一种振荡电路,结合了通过施加电压产生自然振荡的石英振荡器和放大电路,振荡频率精度非常高.

水晶过滤器

具有频率选择功能的设备,仅从特定频率分量中传递出各种频率分量,并衰减不必要的分量.在诸如移动电话的无线通信设备中,它起到提取期望频率分量的作用.利用石英的高Q值,它具有低损耗,尖锐的衰减特性,高稳定性和优异的温度特性.

待机电流

在具有输出控制功能的型号中,振荡因外部控制电压而停止时的消耗电流.

伪

在衰减带内的限定范围内,它是次级振动,其由相对于主振动的相对衰减值表示.

三态功能

通过待机功能停止振荡时的输出状态变为高阻抗的状态.

限制阻力（Rd）

它限制了流经晶体单元的电流,并降低了IC输出阻抗和振荡环路负载的影响.

红外线切割涂层

反射红外线的光学薄膜.

红外线截止滤光片

过滤以阻挡红外线.普通的图像拾取元件对红外线敏感,但人眼不会感知红外线,因此它们用于颜色校正.

红外吸收玻璃

吸收红外线的玻璃.

插入损失

插入滤波器和未插入滤波器时的衰减差异,有以下两种.
最小损耗：插入损耗的最小值.
恒定损耗：标称频率下的插入损耗.

一排

二次温度系数

表示频率-温度特性的二次曲线的温度系数.

输入特性

带输出控制功能的型号控制端子输入条件.

输入电压电平

OE端子的“0”电平,“1”电平电压状态.

输入电流

OE终端的“0”电平和“1”电平的当前值.

这条线

波形对称

相对于总信号周期的百分比,作为输出电压高于指定电平的时间与低于指定电平的时间的比率.

旁路电容

降低电源系统阻抗所需的部件.

波浪板

消除在通过双折射板之后已经线性偏振的光线的偏振状态的元件.它有时被称为相位板,去极化板.

包

由陶瓷或金属制成的容器,用于粘附和保护石英晶体坯料.

振荡电路

一种产生持续AC信号的电子电路.

振荡幅度

振荡电路中存在多少振荡余量的程度.我同意电路的负阻.

反射波前像差

来自光学系统的反射之后的波前与来自参考参考平面的波前之间的未对准.

封口

为了防止诸如频率随时间的变化的劣化,在惰性气体气氛或真空状态下进行.可以使用通过电阻焊接和使用低熔点玻璃的玻璃密封进行的接缝密封.

负载能力

确定共振频率的基本外部容量.如果该值很小,则易受电路侧变化的影响,这成为降低频率稳定性的一个因素.

双折射板

将入射光分成两个线性偏振光,普通光线和非常光线的元件,它们具有彼此不同的振动方向.有时我们称之为萨瓦特板块.

负阻力

表示振荡电路中存在多少振荡余量的值.它是可以振荡的电路的电阻分量,并且由负值表示.

光谱特征

每个波长的光谱速率特性.

分离模式

通过双折射板分离光,2点分离和4点分离等形成的图案是常见的.

并行容量

容量与等效电路的串联臂并联.

偏光

光的振动矢量的振动方向与其状态对齐.

去极化板

消除在通过双折射板之后已经线性偏振的光线的偏振状态的元件.它有时被称为相位板,波片.

保修衰减

在衰减频带内的指定范围内保证相对衰减.

储存温度范围

可保持的晶振温度范围,不会导致性能下降或损坏.

或线

莫尔

最初不存在的信号,例如颜色不均匀或条纹图案,其在通过图像拾取元件绘制格子状条纹等时发生.它有时被称为伪信号,即伪伪信号.

模具类型

将石英晶体谐振器放入模具中并用树脂等外置.

非乘法输出

晶体振荡器电路的输出不通过乘法器电路.

Yah·ra line

阿拉斯加州

成为人造水晶的原料的天然石英的材料.

兰伯特处理

进行加工以产生石英岩的参考平面（晶轴）.

波纹

衰减的最小值与通带内的最小损耗之差的最大值.

回流

一种将预先施加的焊料熔化并附着到电子部件连接在电路板上的焊接方法.

回流温度曲线

当通过回流将电子元件连接到电路板时,它规定了晶振安装所需的时间和回流炉的温度.

激励程度

它由在晶体振荡器的负载条件下施加到石英晶体片的电流或电功率调节.

字母数字字符

0电平电压

表示逻辑电路“0”电平的电压条件.

1级电压

表示逻辑电路“1”电平的电压条件.

CMOS

连接的集成电路,以补充P沟道和N沟道MOSFET.

ECL

一种高速逻辑集成电路,使用负电源来操作不饱和区域中的晶体管.

LVDS

差分晶振低幅度,差动式高速传输电路.

LV-PECL

低压驱动型PECL电路.

MHz频带晶体振荡器

振动器利用具有良好温度特性的厚度剪切振动.

OCXO
（带恒温器的晶体振荡器）

超高精度晶体振荡器,内置恒温室,保持晶体振荡器等温度恒定,使频率变化极小.

PLL输出

在TCXO温补晶振模块中,PLL电路的倍增输出基于TCXO输出信号.

P偏振光

入射到样品表面的光的电矢量的振荡方向包括在入射表面中的线性偏振光.

Q值

它是表示共振峰的锐度的值,表示损失少且纯度高的值.

RTC（实时时钟模块）

具有数据提供和中断功能的多功能设备,例如日历时钟功能所需的年,月,日,小时,分钟,秒等.

SMD

SurfaceMountedDevice的缩写.它指的是要安装在电路板上的类型的封装的通用名称.

SPXO
（通用晶体振荡器）

时钟晶体振荡器采用优异的晶体频率稳定性.

S偏振光

线性偏振光,其入射在样品表面上的光的电矢量的振动方向垂直于入射表面.

TCXO
（温度补偿晶体振荡器）

高精度晶体振荡器,内置电路,用于校正因晶体单元温度引起的频率变化.

TCXO模块

TCXO晶振具有多个输出,带有内置温度传感器的复合设备等.

TCXO输出

在TCXO模块中,显示TCXO输出信号.

TTL

逻辑集成电路（逻辑IC）,仅由双极晶体管组成.

VC-TCXO

温度补偿晶体振荡器（TCXO晶振）,可通过外部电压调节振荡频率.

VCXO
（压控晶体振荡器）

一种晶体振荡器,能够通过将可变二极管插入SPXO的振荡环路来改变外部电压的振荡频率.频率温度特性相当于SPXO,可以得到晶体谐振器所具有的良好特性.

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[行业新闻]适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性2018年12月19日 10:03

晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性

VCXO晶振（压控晶体振荡器）是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO（产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器）或烤箱控制类型（产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器）来实现.

VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下：

偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.

控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.

传递函数（有时称为斜率极性）-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正（或更负）控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.

适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性

线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5％且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5％以内.

在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14％.

适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性

产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性（±）控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管（在这种情况下为正）.良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑（无间断）和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.

调制速率（有时称为偏差率或频率响应）-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制（输出频率大于10MHz时大于1MHz）,但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.

斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.

因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1％至±5％的VCXO,增量灵敏度约为（非常近似）最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5％最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50％的斜率变化.因此,读取“斜率：2kHz/伏特±10％”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差：20kHz-10％.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10％增量灵敏度与±1％最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度：每伏2kHz±10％”.

其他设计考虑因素

稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏离）其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性（和相关的相位噪声）特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.

锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用（在随后的页面中有描述）.但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.

基本振荡器频率-基本模式晶体（通常为10-25MHz）允许最大的偏差,而第三泛音晶体（通常为20-70MHz）允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.

一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.

亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.

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[亿金快讯]从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用2018年12月17日 10:08

晶振是高端智能产品都会用到的一种电子元件,为时钟电路提供频率信号源.石英晶振的频率广泛,低至1MHZ晶振,高频可达到1200MHZ不止,石英贴片晶振被广泛用于数码产品安,航空,安防装置,智能家居,汽车电子,网络通信,医疗设备,工业机械等产品中.以下是从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用.

晶振包括石英晶体谐振器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,贴片晶振,石英晶体振荡器,SPXO晶振,OCXO恒温晶振,VCXO压控晶体振荡器,TCXO温补晶振,差分晶振等.具有小体积,高精度,低功耗,高频率,低功耗,低抖动,高温度,宽频等特点.

晶振频率

晶振应用

晶振频率

晶振应用

32.768kHz

实时时钟，MCU

30.000MHz

MCU/CPU

3.580MHz

视频，NTSC

32.000MHz

WiFi，RF，MCU

3.686MHz

UART，CDMA

36.000MHz

VGA

4.000MHz

MCU,物联网，工业

38.400MHz

3G移动TCXO晶振

4.096MHz

ISDN

38.880MHz

SONET

4.194MHz

实时时钟，MCU

39.000MHz

GSM/UMTS，移动TCXO晶振

6.167910MHz

无线充电

78.000MHz

SONET

6.129849MHz

无线充电

48.000MHz

USB

8.000MHz

MCU，CAN

74.176MHz

视频（PAL），SDI

10.000MHz

同步，背板，MCU/CPU

74.250MHz

视频（PAL），SDI

11.059MHz

8051MCU，UART，工业

148.500MHz

SONET

12.000MHz

USB，CAN

100.000MHz

PCIExpress（PCIe），ADC，RF

12.288MHz

数字音频，DAT

106.250MHz

光纤通道

12.800MHz

TCXO，OCXO，Stratum3，Telecom

114.285MHz

抖动衰减器，OTN

13.000MHz

GSM/UMTS，移动

122.880MHz

CPRI，基站，无线

13.560MHz

RFID/NFC

125.000MHz

千兆以太网

14.318MHz

视频，计算机图形，VGA

133.333MHz

DDR内存

14.746MHz

UART，工业用

148.352MHz

HDSDI，3GHDSDI

16.000MHz

BLE，蓝牙，ISM，CAN

148.500MHz

HDSDI，3GHDSDI

16.384MHz

GPS，TCXO晶振

150.000MHz

SAS/光纤通道

18.432MHz

UART，工业用

155.520MHz

SONET

19.200MHz

SONET，电信应用OCXO晶振

311.040MHz

SONET

19.440MHz

SONET

156.250MHz

10/40/100千兆以太网

19.661MHz

CDMA

312.500MHz

OTN，FPGA，以太网

38.400MHz

SONET

212.500MHz

光纤通道

20.000MHz

MCU，以太网

425.000MHz

SONET，光纤通道

22.118MHz

UART

322.266MHz

IntelOmnipath，OTN，FPGA，HPC

24.000MHz

USB

644.531MHz

SONET/OTN/成帧器/映射器

24.576MHz

音频，火线

27.120MHz

RFID/NFC

25.000MHz

以太网，PCI

28.636MHz

视频，NTSC，CCD摄像机

26.000MHz

GSM/UMTS，移动，DVB接收器

29.491MHz

UART

27.000MHz

视频，音频，PAL/NTSC

亿金电子专业生产销售石英贴片晶振,拥有先进的生产设备,多位资深技术工程,为用户提供完善的服务.多年来亿金电子为用户提供了大量优秀的产品,并且获得多个进口晶振品牌代理资质,包括KDS石英晶振,精工爱普生晶体,CTS贴片晶振,NDK晶振,台湾晶技晶振,瑞士微晶晶振,美国Abracon晶振,FOX晶振,村田陶瓷谐振器等,更多有关晶振型号参数欢迎咨询亿金电子销售部0755-27876565.

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[亿金快讯]日本大真空32.768K晶振常用型号编码2018年12月14日 11:49

日本大真空KDS晶振成立发展至今拥有高人气,为国际一线品牌,却仍不忘研发创新,为更多用户提供更多有价值的晶振产品.每年所生产KDS晶振月产量超6000万颗,每一颗晶振均经过30多道工序,按照国际操作标准进行,并且获得ISO9001质量管理体系认证,具有高可靠使用特性,获得广大用户所认可.

大真空32.768K晶振型号

型号名称	尺寸（mm）			频率范围（kHz）		频率容差偏差（×10-6）@+25°C	串联电阻（最大kΩ）	工作温度范围（°C）		负载电容（pF）	激励等级（μW）		大号	w ^	H（最大）	分钟	最大	分钟	最大
型号名称	DST1210A	1.2	1.0	0.35	32.768	频率容差偏差（×10-6）@+25°C	串联电阻（最大kΩ）	32.768	±20	负载电容（pF）	激励等级（μW）		80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1		DST1610A	1.6	1.0	0.5	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1		DST1610AL	1.6	1.0	0.35	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1		DST210AC	2.0	1.2	0.55	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1		DST310S	3.2	1.5	0.85	32.768	32.768	±20	50/80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.2		DST311S	3.2	1.5	0.85	32.768	32.768	±20	50/80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.2		DMX-26S	8	3.8	2.5	三十	90	±20	50	-40	+ 85	7,9,12.5	1.0		DT-26	φ2.0	φ2.0	6	32.768	32.768	±20（等级A）±30（等级B）	40	-10	+60	12.5	1.0		DT-261	φ2.0	φ2.0	6	28	90	±20（等级A）±30（等级B）	40	-10	+60	12.5	1.0		DT-381	φ3.0	φ3.0	8	20	90	±20（等级A）±30（等级B）	30	-10	+60	12.5	1.0

DST310S晶振尺寸为3.2x1.5mm,厚度薄,重量轻,是32.768K贴片晶振应用比较多的一款,具有7PF,9PF,12.5PF等多种负载电容可供选择.不仅耐高温-40℃~85℃,并且满足车规级产品需求可达-40℃~125℃范围.符合AEC-Q200标准,满足高温回流焊接的温度曲线要求.

大真空32.768K晶振编码

晶振编码

品牌

晶振型号

晶振频率

晶振尺寸

1TJS060FJ4A308

KDS晶振

DMX-26S晶振

32.768KHZ

8.0x3.8mm

1TJS060FJ4A901Q

KDS晶振

DMX-26S晶振

32.768KHZ

8.0x3.8mm

1TJS060DJ4A934Q

KDS晶振

DMX-26S晶振

32.768KHZ

8.0x3.8mm

1TJW125BJ4A602P

KDS晶振

DMX-26S贴片晶振

32.768KHZ

8.0x3.8mm

1TJS125DJ4A810Q

KDS晶振

DMX-26S贴片晶振

32.768KHZ

8.0x3.8mm

1TJW125DJ4A810Q

KDS晶振

DMX-26S贴片晶振

32.768KHZ

8.0x3.8mm

1TJH090DR1A0003

KDS晶振

DST1610A晶振

32.768KHZ

1.6x1.0mm

1TJG090DR1A0013

KDS晶振

DST210A晶振

32.768KHZ

2.0x1.2mm

1TJG125DR1A0004

KDS晶振

DST210A晶振

32.768KHZ

2.0x1.2mm

1TJG080DP1A0001

KDS晶振

DST210A晶振

32.768KHZ

2.0x1.2mm

1TJF090DP1A000A

KDS晶振

DST310S贴片晶振

32.768KHZ

3.2x1.5mm

1TJF090DP1AI067

KDS晶振

DST310S贴片晶振

32.768KHZ

3.2x1.5mm

1TJF125DP1A000A

KDS晶振

DST310S晶振

32.768KHZ

3.2x1.5mm

1TJF125DP1AI115

KDS晶振

DST310S晶振

32.768KHZ

3.2x1.5mm

1TJF125FP1A000A

KDS晶振

DST310S晶振

32.768KHZ

3.2x1.5mm

1TJE125DP1A000A

KDS晶振

DST410S石英晶振

32.768KHZ

4.1x1.5mm

1TD060DHNS006

KDS晶振

DT-26音叉晶体

32.768KHZ

2.0x6.0mm

1TD060DHNS009

KDS晶振

DT-26音叉晶体

32.768KHZ

2.0x6.0mm

1TD125DHNS004

KDS晶振

DT-26晶振

32.768KHZ

2.0x6.0mm

1TD090DHNS001

KDS晶振

DT-26晶振

32.768KHZ

2.0x6.0mm

1TD080DJNS001

KDS晶振

DT-26插件晶振

32.768KHZ

2.0x6.0mm

32ETJS125DJ

KDS晶振

DT-26T插件晶振

32.768KHZ

2.0x6.0mm

1TC080DFNS001

KDS晶振

DT-38圆柱晶振

32.768KHZ

3.0x8.0mm

1TC125DFNS019

KDS晶振

DT-38圆柱晶振

32.768KHZ

3.0x8.0mm

1TC125BFNS008

KDS晶振

DT-38晶振

32.768KHZ

3.0x8.0mm

32.768K晶振如上晶振编码表格所示,具有插件以及贴片晶振封装,为了满足广大用户需求,KDS晶振提供2x6,3x8插件以及2012,3215,4115,8038封装为客户选择.32.768K晶振被广泛用于时钟产品,数码相机,液晶显示屏,笔记本,智能手机,GPS导航,智能锁,仪器仪表,蓝牙等智能产品,具有精度稳定,老化低,耐高温,抗振性强等特点.

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[技术支持]1C227120CC0E晶振编码隐藏的重大信息2018年12月13日 10:22

KDS晶振成立至今在国内享有重要地位,成为世界一流的晶体元件生产制造商.不仅拥有领先业界的生产技术,并且能够为广大用户提供多种产品应用解决方案,成为业内领头羊.以下为亿金电子提供日本进口晶振,包括精工爱普生晶体,NDK晶振,KDS晶振,西铁城晶振,京瓷晶振,大河晶振等品牌.以下为亿金电子所提供的DSX321G晶振型号编码,欢迎广大用户收藏选用.

DSX321G晶振参数

型号名称

DSX321G晶振

频率范围

12~20MHz

20-27MHz

27至64MHz

泛音顺序

Fundamental

负载能力

8pF,10pF,12pF

激励程度

10μW（最大200μW）

频率容差偏差

±20×10-6（25°C时）

串联电阻

最大80Ω

最大60Ω

最大50Ω

频率温度特性

±30×10-6/-30至+85°C（参考温度至25°C）

储存温度范围

-40至+85°C

包装单位

3000个/卷（φ180）

3225晶振具有陶瓷面封装以及金属面封装,而DSX321G晶振属于陶瓷面封装.提供7.9M~64MHZ频率,常规负载电容可供8PF,10PF,12PF等,精度可控制在正负20PPM以内.DSX321G晶振满足不同领域需求,可提供工业级和汽车级,具有使用可靠性高,性能稳定等优势之选.

DSX321G晶振编码

晶振编码

品牌

型号

频率

尺寸

1C208000CE0H

KDS

DSX321G晶振

8.000MHZ

3.2x2.5mm

1C209830CC0C

KDS

DSX321G晶振

9.8304MHZ

3.2x2.5mm

1C208000BB0B

KDS

DSX321G晶振

8.000MHZ

3.2x2.5mm

1C211059EE0K

KDS

DSX321G晶振

11.0592MHZ

3.2x2.5mm

1C211289EE0C

KDS

DSX321G晶振

11.2896MHZ

3.2x2.5mm

1C212000AA0H

KDS

DSX321G晶振

12.000MHZ

3.2x2.5mm

1N212000BC0AK

KDS

DSX321G晶振

12.000MHZ

3.2x2.5mm

1C212288EE0B

KDS

DSX321G晶振

12.288MHZ

3.2x2.5mm

1B214318CC0F

KDS

DSX321G晶振

14.31818MHZ

3.2x2.5mm

1C214745BC0D

KDS

DSX321G晶振

14.7456MHZ

3.2x2.5mm

1N214745CE0F

KDS

DSX321G晶振

14.7456MHZ

3.2x2.5mm

1N216000AB0AT

KDS

DSX321G晶振

16.000MHZ

3.2x2.5mm

1N216000CC0B

KDS

DSX321G晶振

16.000MHZ

3.2x2.5mm

1C319200AA0A

KDS

DSX321G晶振

19.200MHZ

3.2x2.5mm

1N220000AB0B

KDS

DSX321G晶振

20.000MHZ

3.2x2.5mm

1N224000BC0E

KDS

DSX321G晶振

24.000MHZ

3.2x2.5mm

1C225000BC0AV

KDS

DSX321G晶振

25.000MHZ

3.2x2.5mm

1N225000BC0J

KDS

DSX321G晶振

25.000MHZ

3.2x2.5mm

1N225000BC0M

KDS

DSX321G晶振

25.000MHZ

3.2x2.5mm

1C326000AB0AR

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1N326000AB0AR

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1N326000AA0AS

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1N226000AA0D

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1N226000AA0E

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1N226000AA0G

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1N226000AA0L

KDS

DSX321G晶振

26.000MHZ

3.2x2.5mm

1C227120CC0E

KDS

DSX321G晶振

27.120MHZ

3.2x2.5mm

1N230000AB0C

KDS

DSX321G晶振

30.000MHZ

3.2x2.5mm

1N230000EE0N

KDS

DSX321G晶振

30.000MHZ

3.2x2.5mm

1N232000AA0G

KDS

DSX321G晶振

32.000MHZ

3.2x2.5mm

1N232000AA0N

KDS

DSX321G晶振

32.000MHZ

3.2x2.5mm

1C338400AA0B

KDS

DSX321G晶振

38.400MHZ

3.2x2.5mm

1N240000AB0J

KDS

DSX321G晶振

40.000MHZ

3.2x2.5mm

1C244395BC0A

KDS

DSX321G晶振

44.395MHZ

3.2x2.5mm

1C254000CC0C

KDS

DSX321G晶振

54.000MHZ

3.2x2.5mm

1C255466CC0J

KDS

DSX321G晶振

55.46667MHZ

3.2x2.5mm

1C262400CC0A

KDS

DSX321G晶振

62.400MHZ

3.2x2.5mm

1C262400CC0N

KDS

DSX321G晶振

62.400MHZ

3.2x2.5mm

1N262400CC0N

KDS

DSX321G晶振

62.400MHZ

3.2x2.5mm

日本DSX321G晶振是采用黑色陶瓷面的石英晶体谐振器,体积为3.2x2.5mm,在产品中使用具有耐高温,低功耗,电气性强等特点.文中所列举的为KDS晶振市场常用频率晶振编码,我们都知道每个晶振都有专属自己的编码,代表不同的参数,更多KDS晶振编码参数请致电0755-27876565.

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[技术支持]石英晶振水晶元件的由来以及生产制程2018年12月11日 10:37

什么是石英晶振晶体器件？

晶振是种控制频率元件,在电路模块中提供频率脉冲信号源,在信号源传输的过程中晶振在电路配合下发出指令,通过与其他元件配合使用.简单点来说就是晶振的作用是给电路提供一定频率的稳定的震荡（脉冲）信号,比如石英钟,就是通过对脉冲记数来走时的.下面我们就来好好了解下石英晶体水晶元件的由来以及生产制程.

特性1：晶振的压电现象·反压电现象

晶振具有在施加压力时产生电荷的性质,并且它被称为压电现象.相反,当施加电压时,它具有以恒定节律振荡（变形）的特性,并且被称为反向压电现象.压电现象是由居里兄弟于1880年发现的,并且在1881年,反压电现象在数学上由李普曼领导并由居里兄弟证实.

性质2：晶振的双折射

它将入射在石英晶振上的光分成两个线性偏振光,即普通和非常光,它们具有不同的振动方向.利用这种特性的光学低通滤波器消除了称为莫尔条纹的光学伪信号,这导致数码相机和监视摄像机的图像质量下降,并实现高图像质量.

水晶小知识普及——石英是由硅（Si）和氧（O）组成的单晶（SiO2）.用于配件等的紫水晶,黄水晶,玫瑰石英等也是石英构件.

图通过在紫水晶石英中含有铁离子，吸收黄绿光似乎是紫色的。

图与黄水晶紫水晶一样，它取决于石英中铁离子的含量，但由于含铁的电子排列不同，它吸收蓝紫色光并呈现黄色。

图由于含有钛离子，锰离子，铁离子，玫瑰石英晶体呈淡粉红色。

图它是含有金红石石英二氧化钛针状晶体的晶体。

人造水晶对石英晶振晶体器件至关重要

过去,天然石英器件用于石英器件,但天然晶体具有许多杂质,例如尺寸和质量的变化.人造石英是解决这些问题的原因.以下让亿金电子告诉你晶振的生产制程.

称为高压釜的大型压力容器填充碱性溶液,在上半部分放置晶种（晶体排列中具有较少缺陷的石英板）,将称为Laska的天然石英原料放入下半部分,并且结晶的是人造晶体. 这取决于品种,但它会在2到3个月的时间内增长,而对于长的则会增长约6个月.（高压灭菌器是一种特殊的铁制容器,可以承受高温/高压,通过应用技术,使战舰,特种钢容器,可以承受高温和高压的炮筒制成. 它很大,内径为650毫米,高度为15米.）

石英晶振水晶元件的由来以及生产制程

直到形成晶体器件

晶体如何转变为电子元件？让我们来看看石英设备中最典型的贴片晶振,石英晶体振荡器示例,直到产品完成.

①加工晶体坯料

晶体（合成石英）是无色透明的晶体,但石英晶体具有方向性,为了起到电子部件的作用,需要澄清晶轴.此过程称为Lambert处理.

然后根据目的在相对于晶轴的必要角度切割,并用研磨剂抛光到目标频率.在这个过程中,被称为AT切割是通常使用的,因为有反比于晶体的厚度的频率,抛光晶体片是薄的频率越高,这将是如果低厚.

石英晶振水晶元件的由来以及生产制程

②频率调整和清洁

在用磨料处理的石英晶振片的表面上,存在加工变形和诸如小裂缝的污垢.使用化学品对晶体表面进行化学抛光和清洁,以消除这些加工变形和污染.在这项工作中,同时调整石英贴片晶振晶体单元的频率.

③电极形成

在加工的晶体片上形成带有金或银等金属膜的电极.当电流通过该电极时,晶体坯料可以通过逆压电现象振荡.

石英晶振水晶元件的由来以及生产制程

形成电极的晶体坯料

④水晶坯料的粘合/密封

使用导电粘合剂将带有电极的晶体坯料固定在诸如陶瓷的封装上.在牢固地粘合以承受诸如下落和振动之类的各种冲击之后,在以百万分之一百万为单位检查频率的同时进行频率的最终调整.之后,将其密封在真空或氮气氛中以防止电极氧化.

⑤检查,包装,运输

严格的检查把关程序是决定晶振是否合格的最后一步,检查石英晶振,贴片晶振是否满足规格要求.石英晶振晶体促进了电子行业发展,并在这些器件中发挥重要作用.随着高度可靠的ICT（信息和通信技术）基础设施的发展,ICT在医疗,护理和农业等领域也在不断发展.而石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振具有小型,重量轻,精度稳定,性能强等特点,一直在支持电子科技产品的发展进步.

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[行业新闻]KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器2018年12月10日 10:07

KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.

温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G（第五代移动通信系统）的IoT（互联网的单声道）.

DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图

通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.

DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.

KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器（NTC热敏电阻）,实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.

DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图

KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器

DSR1210ATH石英晶体谐振器特点

超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸：最大1.2×1.0×0.55mm.

内置NTC热敏电阻作为温度传感器

采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性

无铅/符合RoHS标准

支持驱动电平：最大300μW.

[主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备

[生产状况]样品响应时间：2019年1月-.批量生产响应期：2019年5月-

DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性

物品\型号

DSR1210ATH石英晶体谐振器

标称频率

76.8MHz

泛音顺序

Fundamental

负载能力

6pF，7pF，8pF

激励程度

最大300μW

频率容差偏差

±10×10-6（25℃时）

串联电阻

最大20Ω/最大30Ω。

频率温度特性

±15×10-6（-30至+85℃）

储存温度范围

-30至+125℃

热敏电阻的电阻值

22kΩ/100kΩ（+25℃时）

热敏电阻B常数

3380K/4250K（+25至+50℃）

如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.

[晶振术语解释]

温度系数：切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.

温度系数

ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.

F（T）=C3（T-T0）3+C2（T-T0）2+C1（T-T0）+C0

C0：常数/C1：1次温度系数/C2：2阶温度系数/C3：3下一个温度系数

t：温度/t0：参考温度

拐点温度：AT切割晶体单元的频率温度特性变为点对称的温度.NTC热敏电阻（负温度系数热敏电阻）热敏电阻,其电阻随温度升高而降低.

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[根栏目]ASE-24.576MHZ-LC-T贴片晶振代码的正确参数对照2018年12月08日 09:49

美国Abracon晶振集团是国际上有名的石英晶体振荡器,石英贴片晶振制造商.成立于1992年,Abracon石英晶振生产销售基地遍布克萨斯州,加利福尼亚州,中国,台湾,新加坡,苏格兰和德国等多个国家.Abracon晶振早已获得ISO9002, ISO9001-2008等质量管理体系认证.
Abracon贴片晶振型号
<tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr>

ASE贴片晶振

XO

625kHz~200MHz

3.3V

LVCMOS

0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C

±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm

3.2 x 2.5mm

4 Pad SMD

1.20mm

Datasheet
Inventory
Support Docs

ASE2贴片晶振

XO

625kHz~166MHz

2.5V

LVCMOS

0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C

±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm

3.2 x 2.5mm

4 Pad SMD

1.20mm

Datasheet
Inventory
Support Docs

ASE3贴片晶振

XO

625kHz~133MHz

1.8V

LVCMOS

0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C

±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm

3.2 x 2.5mm

4 Pad SMD

1.20mm

Datasheet
Inventory
Support Docs

ASE4贴片晶振

XO

1~50MHz

1.5V

LVCMOS

0 to 50°C
-10 to 60°C
-10 to 70°C
-20 to 70°C
-30 to 70°C
-30 to 85°C
-40 to 85°C

±20ppm
±20ppm
±20ppm
±20ppm
±25ppm
±25ppm
±25ppm

3.2 x 2.5mm

4 Pad SMD

1.00mm

Datasheet
Inventory
Support Docs

Abracon贴片晶振参数

通过参数表我们可以得知Abracon晶振频率范围宽,频率偏差小,具有高可靠使用性.Abracon石英晶体振荡器具有良好的频率容差和温度稳定性,同时保持低噪声,低抖动,低功耗.美国Abracon晶振标准频率和任何频率可编程XO具有超短引线,可提供高达1.5GHz的输出频率,适用于2016mm到8045mm等尺寸,等级（包括汽车）.
Abracon贴片晶振编码
<tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr> <tr> tr>

晶振代码

品牌

型号

类型

频率

电压

工作温度

尺寸

高度

ASFL1-27.000MHZ-EK-T

Abracon LLC

ASFL1

XO

27MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(5.00mm x 3.20mm)

(1.30mm)

ASFL1-50.000MHZ-EC-T

Abracon LLC

ASFL1

XO

50MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(5.00mm x 3.20mm)

(1.30mm)

ASV-48.000MHZ-E-T

Abracon LLC

ASV

XO

48MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(7.00mm x 5.08mm)

(1.80mm)

ASV-50.000MHZ-EJ-T

Abracon LLC

ASV

XO

50MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(7.00mm x 5.08mm)

(1.80mm)

ASV-11.0592MHZ-E-T

Abracon LLC

ASV

XO

11.0592MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(7.00mm x 5.08mm)

(1.80mm)

ASV-3.6864MHZ-E-T

Abracon LLC

ASV

XO

3.6864MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(7.00mm x 5.08mm)

(1.80mm)

ASE3-25.000MHZ-LC-T

Abracon LLC

ASE3

XO

25MHz

1.8V

-40°C ~ 85°C

(3.20mm x 2.50mm)

(1.25mm)

ASFL1-12.288MHZ-EC-T

Abracon LLC

ASFL1

XO

12.288MHz

3.3V

-20°C ~ 70°C

(5.00mm x 3.20mm)

(1.30mm)

ASE-24.576MHZ-LC-T

Abracon LLC

ASE

XO

24.576MHz

3.3V

-40°C ~ 85°C

(3.20mm x 2.50mm)

(1.20mm)

ASE-11.0592MHZ-LC-T

Abracon LLC

ASE

XO

11.0592MHz

3.3V

-40°C ~ 85°C

(3.20mm x 2.50mm)

(1.20mm)

ASE3-25.000MHZ-KT

Abracon LLC

ASE3

XO

25MHz

1.8V

-10°C ~ 70°C

(3.20mm x 2.50mm)

(1.25mm)

ASA-26.000MHZ-L-T

Abracon LLC

ASA

XO

26MHz

3.3V

-40°C ~ 85°C

(2.00mm x 1.60mm)

(0.80mm)

ASA-12.000MHZ-L-T

Abracon LLC

ASA

XO

12MHz

3.3V

-40°C ~ 85°C

(2.00mm x 1.60mm)

(0.80mm)

ASA-40.000MHZ-L-T

Abracon LLC

ASA

XO

40MHz

3.3V

-40°C ~ 85°C

(2.00mm x 1.60mm)

(0.80mm)

Abracon晶振种类繁多,不仅提供石英晶体谐振器,SMD晶振,并且提供石英晶体振荡器,包括差分输出的差分晶振,电压控制晶振,温度补偿的温补晶振,以及恒温控制晶振等.Abracon晶振封装尺寸齐全,符合市场需求,获得广大用户好评.美国艾博康晶振的汽车级和工业级XO是在经过TS16949认证的生产线上生产的,经AEC-Q200认证,PPAP标准达到3级.频率从32.768kHz到60MHz.封装选项可小至2.0x1.6mm晶振.

阅读（91）标签：

[行业新闻]Cardinal差分晶振CPPV7-A5BP-135.0晶振代码2018年12月07日 09:42

Cardinal晶振集团成立于1986年,在石英晶体,晶体振荡器,贴片晶振,TCXO振荡器,VCXO晶体振荡器方面拥有先进的仪器设备以及一流的生产技术.一直以来向北美,欧洲和亚州的电子行业供应最优质的石英晶体谐振器和石英晶体振荡器产品.为了更好的满足高端智能应用推出差分晶振.

Cardinal差分晶振型号

差分晶振是相比普通贴片晶振具有更高技术要求的石英晶体振荡器,通常具备LVDS输出,HCSL输出,LVPECL输出,供应不同产品选择.并且具有2520,3225,5032,7050等多种封装尺寸.差分晶振具有低电源电压2.5V/3.3V,低功耗,低抖动等特点.

Cardinal差分晶振代码

Cardinal晶振代码

厂家

型号

频率

类型

输出

精度偏差

尺寸

CPPV7-A5BP-135.0

Cardinal晶振

CPPV7

135MHz

OSC XO

LVDS

±50ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-A5BR-14.75

Cardinal晶振

CPPV7

14.75MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-A7BP-159.375

Cardinal晶振

CPPV7

159.375MHz

OSC XO

LVDS

±50ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-A7BP-200.0

Cardinal晶振

CPPV7

200MHz

OSC XO

LVDS

±50ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-A7BR-122.88

Cardinal晶振

CPPV7

122.88MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-A7BR-50.0TS

Cardinal晶振

CPPV7

50MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-100.0

Cardinal晶振

CPPV7

100MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-105.0

Cardinal晶振

CPPV7

105MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-125.0

Cardinal晶振

CPPV7

125MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-133.333

Cardinal晶振

CPPV7

133.333MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-20.0

Cardinal晶振

CPPV7

20MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-40.000

Cardinal晶振

CPPV7

40MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-BR-80.0

Cardinal晶振

CPPV7

80MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7Z-A7BR-200.0

Cardinal晶振

CPPV7

200MHz

OSC XO

LVDS

±25ppm

(7.00mm x 5.00mm)

CPPV7-A5BP-80.0

Cardinal晶振

CPPV7

80MHz

OSC XO

LVDS

±50ppm

(7.00mm x 5.00mm)

Cardinal晶振早已通过ISO9001：2008认证.Cardinal晶振能够解决用户一切提问,并为新产品和现有产品提供设计帮助,拥有灵活的交期.亿金电子多年来专注用户需求,提供各大进口晶振品牌,代理Cardinal晶振,瑞康晶振,CTS晶振,KDS晶振,爱普生晶振等,不同品牌对应型号列表,以及晶振编码,欢迎咨询亿金电子获取.

阅读（115）标签：

[技术支持]安基LVPECL输出差分晶振原厂代码2018年12月06日 09:58

台湾安基晶振成立于1990年,拥有专业设计和制造各种频率控制解决方案的超前技术,主要研发生产石英晶振,贴片晶振,有源晶振以及晶体谐振器等产品.从创建至今AKER晶振仍然坚持为客户提供专业的服务以及高质量的产品为发展理念.下面所介绍到的是安基LVPECL输出差分晶振.
差分晶振具有输出相互之间极性相反的频率信号的方式,差分输出大家都了解最常见的三种HCSL、LVDS、LVPECL.差分有源晶振工作电压一般为2.5V/3.3V,低电压可达到低值1V,具有低功耗,低电平等优势.

安基LVPECL输出差分晶振型号

Photo	Series	Dimension	Frequency Range	RoHS	REACH	Data Sheet		SMEN-751晶振	7.05.01.4 mm	13.500 ~ 160.000MHz	V	V			SMEN-531晶振	5.03.21.3 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V			SMEN-321晶振	3.22.51.1 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V

安基LVPECL输出差分晶振参数

安基LVPECL输出差分晶振原厂代码

安基晶振型号

供应商

参数规格说明

频率MHZ

输出

温度℃

S7A3305-250.000-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 250MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R

250

LVPECL

-40~85

S7A2505-156.250-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 156.25MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V 6-Pin SMD T/R

156.25

LVPECL

-40~85

S5A2505-125.000-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 125MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R

125

LVPECL

-40~85

S7A3305-150.000-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 150MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R

150

LVPECL

-40~85

S7A2505-100.000-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 100MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R

100

LVPECL

-40~85

S7A3305-200.000-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 200MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R

200

LVPECL

-40~85

S7A3305-212.500-P-X-R

Aker晶振

Oscillator XO 212.5MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R

212.5

LVPECL

-40~85

S7A2505-106.250-P-X-R

AKER晶振

Oscillator XO 106.25MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R

106.25

LVPECL

-40~85

亿金电子代理台湾进口晶振,日本进口晶振,美国进口晶振,包括AKER晶振,TXC晶振,KDS晶振,NDK晶振,CTS晶振,IDT晶振,Abracon晶振等知名品牌.进口晶振种类繁多,石英晶体,陶瓷谐振器,晶体滤波器,压控晶振,温补晶振,差分晶体振荡器等,能满足低,中,高各大市场需求.更多安基差分晶振信息欢迎咨询亿金电子0755-27876565.

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[亿金快讯]艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用2018年12月05日 10:09

美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.

美国艾迪悌XU-XL晶振型号

PDFIMG

XL差分晶振

Low Phase Noise Quartz-based...

XL

XO

HCMOS, LVDS, LVPECL

0.75-1350

2.5,3.3

1

20,25,50,100

-20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C

PDFIMG

XU差分晶振

Low Phase Noise Quartz-based...

XU

XO

HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL

0.75-1350

1.8,2.5,3.3

0.4

20,25,50,100

-20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C

IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.

美国艾迪悌XU差分晶振参数

IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序（OTP）可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.

美国艾迪悌差分晶振代码

Digi-Key Part Number

IDT晶振原厂代码

品牌

参数

输出

电压

尺寸

高度

800-2857-2-ND

XUL535150.000JS6I8

IDT

OSC 150MHZ

LVDS

3.3V

(5.00mm x 3.20mm)

(1.20mm)

800-2859-6-ND

XUN535100.000JS6I8

IDT

OSC XO 100.000MHZ

HCSL

3.3V

(5.00mm x 3.20mm)

(1.20mm)

800-2863-2-ND

XUP535156.250JS6I8

IDT

OSC 156.25MHZ

LVPECL

3.3V

(5.00mm x 3.20mm)

(1.20mm)

800-3701-ND

XUL736150.000JU6I

IDT

OSC XO 150.0000MHZ

LVDS

3.3V

(7.00mm x 5.00mm)

(1.45mm)

800-3704-ND

XUP736125.000JU6I

IDT

OSC XO 125.0000MHZ

LVPECL

3.3V

(7.00mm x 5.00mm)

(1.45mm)

800-3720-ND

XUP536212.500JS6I

IDT

OSC XO 212.5000MHZ

LVPECL

3.3V

(5.00mm x 3.20mm)

(1.20mm)

631-1360-ND

XLL726250.000000I

IDT

OSC XO 250.000MHZ

LVDS

2.5V

(7.50mm x 5.20mm)

(1.40mm)

631-1304-ND

XLL73V148.500000I

IDT

OSC VCXO 148.5MHZ

LVDS

3.3V

(7.50mm x 5.20mm)

(1.40mm)

631-1305-ND

XLP73V153.600000I

IDT

OSC VCXO 153.60MHZ

LVPECL

3.3V

(7.50mm x 5.20mm)

(1.40mm)

800-2860-6-ND

XUP535100.000JS6I8

IDT

OSC XO 100.000MHZ

LVPECL

3.3V

(5.00mm x 3.20mm)

(1.20mm)

800-2861-2-ND

XUP535125.000JS6I8

IDT

OSC 125MHZ

LVPECL

3.3V

(5.00mm x 3.20mm)

(1.20mm)

XLL520085.000000X-ND

XLL520085.000000X

IDT

OSCILLATOR XO 85.000MHZ

LVDS

2.5V

(5.15mm x 3.35mm)

(1.40mm)

XLP738148.351648X-ND

XLP738148.351648X

IDT

OSC XO 148.351648MHZ

LVPECL

3.3V

(7.50mm x 5.20mm)

(1.40mm)

美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列

IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs（典型值）RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装（3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm）当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括：网络、通信、数据I/O、存储和服务器.

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[亿金快讯]5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解2018年12月04日 11:29

台湾TXC晶振拥有丰富的知识,领先业界的生产技术,不但为用户提供性能稳定的晶振产品,并且推出多种产品技术解决方案为用户排忧解难.TXC晶振产品丰富,为不同领域用户提供贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶体,以及业界高技术要求的差分晶振.以下就是5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解.

TXC差分晶振型号

TXC晶振

Model

Frequency

Stability
(-40~85ºC)

Voltage

Output

Oscillation

Dimensions

CA晶振

25 ~ 200MHz

±50ppm

2.5V, 3.3V

LVPECL

Fundamental

5 x 3.2 x 1.2mm

CB晶振

50 ~ 200MHz

±50ppm

2.5V, 3.3V

LVPECL

3rd OT

5 x 3.2 x 1.2mm

CE晶振

25 ~ 200MHz

±50ppm

2.5V, 3.3V

LVDS

Fundamental

5 x 3.2 x 1.2mm

CF晶振

80 ~ 200MHz

±50ppm

2.5V, 3.3V

LVDS

3rd OT

5 x 3.2 x 1.2mm

CX晶振

25 ~ 200MHz

±50ppm

2.5V, 3.3V

HCSL

3rd OT

5 x 3.2 x 1.2mm

差分晶振是具有差分输出的石英晶体振荡器,是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分输出有LVDS,HCSL和LVPECL三种,文中所介绍到的5032封装差分晶振是HCSL和LVPECL输出方式.

TXC差分晶振参数

TXC差分晶振编码代码

TXC晶振编码代码

品牌

型号

类型

频率

频率稳定度

工作温度

输出

尺寸

CX-100.000MBE-T

TXC晶振

CX

XO

100MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

HCSL

(5.00mm x 3.20mm)

CB-150.000MBE-T

TXC晶振

CB

XO

150MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CJ-153.600MBE-T

TXC晶振

CJ

VCXO

153.6MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CB-100.000MBE-T

TXC晶振

CB

XO

100MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CB-125.000MBE-T

TXC晶振

CB

XO

125MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CB-133.330MBE-T

TXC晶振

CB

XO

133.33MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CBA2570001

TXC晶振

CB

XO

125MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CBA3300002

TXC晶振

CB

XO

133.33MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CXA0070001

TXC晶振

CX

XO

100MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

HCSL

(5.00mm x 3.20mm)

CB-156.250MBE-T

TXC晶振

CB

XO

156MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CJ-61.440MBE-T

TXC晶振

CJ

VCXO

61.44MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

CJ-122.880MBE-T

TXC晶振

CJ

VCXO

122.88MHz

±50ppm

-40°C ~ 85°C

LVPECL

(5.00mm x 3.20mm)

TXC差分晶体振荡器电压可供2.5V~3.3V,精度偏差在±50ppm值,具有使用可靠,电源电压低,相位噪声低等优势.表格中所介绍的差分晶振编码代码均为6脚封装,耐高的温度-40℃~85℃范围.为了满足不同产品选择可供25M~200MHZ高频率范围.更多详细参数可咨询亿金电子业务部.

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[行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15

科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.

那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.

爱普生差分晶振参数

项目	符号	规格说明		条件		LV-PECL	LVDS	SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN	输出频率范围	f0	73.5MHz to 700MHz		请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。		电源电压	VCC	K : 2. V to 3.3V		VCC=±10 %		储存温度范围	T_stg	-40 °C to +125 °C		存储为单一产品		工作温度范围	T_use	B:-20 °C to +70 °C G:-40 °C to +85 °C				频率稳定度	f_tol	C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6				功耗	ICC	65mA Max.	30mA Max.	OE =VCC L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω f0 = 700MHz		输出禁用电流	I_dis	20 mA Max.		OE = GND		占空比	SYM	45 % to 55 %		在输出交叉点		输出电压 (LV-PECL)	VOH	VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V	-	DC 特征		VOL	VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V	-	输出电压 (LVDS)	VOD	-	250 mV to 450 mV	VOD1 , VOD2	DC 特征	dVOD	-	50 mV Max.	dVOD = \| VOD1 - VOD2 \|	VOS	-	1.15 V to 1.35 V	VOS1 , VOS2	dVOS	-	150 mV Max.	dVOS = \| VOS1 - VOS2 \|	输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50 Ω	-	终止于 VCC - 2.0 V		L_LVDS	-	100 Ω	连接到 OUT 与 OUT之间		输入电压	VIH	70 % VCC Min.		OE 终端		VIL	30 % VCC Max.		上升/下降时间	tr/tf	350 ps Max.	-	20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ).		-	300 ps Max.	20 % ~ 80 %微分输出峰-峰值		振荡启动时间	t_str	3 ms Max.		在电源电压最低时，所需时间为 0 秒		相位抖动	tPJ	0.6 ps Max. *1		抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz		频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25 °C , 第一年 VCC = 2.5 V or 3.3V

差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.

爱普生差分晶振编码

爱普生晶振编码

差分晶振型号

频率

封装尺寸

输出

温度范围

偏差

X1G0042810001

SG7050VAN晶振

125.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-50ppm

X1G0042810004

SG7050VAN差分晶振

100.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-50ppm

X1G0042810005

SG7050VAN晶振

200.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-50ppm

X1G0042810011

SG7050VAN差分晶振

75.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-50ppm

X1G0042810014

SG7050VAN晶振

156.250000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-50ppm

X1G0042810020

SG7050VAN差分晶振

125.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-30ppm

X1G0042810024

SG7050VAN晶振

200.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-30ppm

X1G0042810031

SG7050VAN差分晶振

150.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-30ppm

X1G0042810033

SG7050VAN晶振

156.250000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-30ppm

X1G0042810038

SG7050VAN差分晶振

700.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-40to85°C

+/-30ppm

X1G0042810039

SG7050VAN晶振

125.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-50ppm

X1G0042810044

SG7050VAN差分晶振

400.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-50ppm

X1G0042810049

SG7050VAN晶振

75.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-50ppm

X1G0042810050

SG7050VAN差分晶振

150.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-50ppm

X1G0042810052

SG7050VAN晶振

156.250000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-50ppm

X1G0042810061

SG7050VAN差分晶振

100.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-20ppm

X1G0042810062

SG7050VAN晶振

200.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-20ppm

X1G0042810063

SG7050VAN差分晶振

400.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-20ppm

X1G0042810068

SG7050VAN晶振

75.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-20ppm

X1G0042810069

SG7050VAN差分晶振

150.000000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-20ppm

X1G0042810071

SG7050VAN晶振

156.250000MHz

7.00x5.00x1.60mm

LVDS

-20to70°C

+/-20ppm

差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.

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[技术支持]NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数2018年12月01日 10:06

NDK晶振成立于1948年,专为研发生产石英晶体频率元件,选用优异的材料,运用国际质量管理体系进行生产,每一颗晶振都是独一无二的制作,具有抗振性强,起振快,精度稳定等优势特点.NDK晶振在汽车产业占有重要地位,为车载系统晶振提供了多种封装尺寸,具有较高的温度范围可达-40℃~125℃,小体积,耐恶劣环境等优势.以下所介绍到的是NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数,NDK车规级晶振,贴片晶振型号(无源晶振系列),体积为3.2x2.5mm封装,除了表格中所列举的晶振参数之外更多相关参数可咨询亿金电子.

NDK3225车规级晶振型号(无源晶振系列)

型名

主用途

尺寸大小
(mm)

额定频率
范围
(MHz)

频率偏差
(+25°C±3°C)

频率温度特性
(以25°C
为基准)

工作温度
范围
(°C)

L

W

H

Min.

Max.

[×10-6]

Min.

Max.

NX3225SA

移动通信
短距离无线通信
消费类电子

3.2

2.5

0.55

12

64

±15

±25

-40

+85

16

54

±10

-20

+75

40

150

±20

±25

-40

+85

NX3225GA

消费类电子

3.2

2.5

0.75

9.840

50

±20

±30

-40

+85

NX3225GA

汽车电子

3.2

2.5

0.75

9.8

50

±50

±150

-40

+150

NX3225GB

3.2

2.5

0.75

12

50

NX3225GD

3.2

2.5

0.80

7.98

12

NX3225SA

3.2

2.5

0.55

12

50

±15

±50

-40

+125

NX3225SC

3.2

2.5

0.60

9.8433

50

3225晶振在市场上较为吃香,大大小小智能产品都会选择这个体积,不仅节省电路空间,并且具有性能稳定,精度偏差小等特点.NDK晶振汽车级在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,从7.98M~50MHZ为汽车系统提供多种选择.满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振参数

额定频率范围(MHz)

12to50

尺寸大小(L×W×H:mm)

3.2×2.5×0.55

泛波次数

基波

频率偏差(25±3℃)

±15×10-6

频率温度特性(以25℃为基准)

±50×10-6

工作温度范围(*1)/储存温度范围(℃)

-40to+125/-40to+125

等效串联电阻(额定频率:以上～未满)

Max.120Ω(12to20MHz)
Max.100Ω(20to50MHz)

驱动功率

10µW(Max.200µW)

负载电容

8pF

规格料号

STD-CRS-2

如咨询,采购本网站登载的标准规格品时,请告知贴片晶振“型名”,“频率”和“规格料号”.

NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振编码(无源晶振系列)

Manufacturer Part Number 原厂编码

Manufacturer厂家

Description 参数

Series 型号

Frequency频率

Frequency Stability频率稳定度

Ratings

Size/Dimension 尺寸

Height-Seated (Max)高度

NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2

NDK晶振

25.0000MHZ 8PF

NX3225SA

25MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX3225SA-27M-STD-CRS-2

NDK晶振

27.0000MHZ 8PF

NX3225SA

27MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX3225SA-20.000M-STD-CRS-2

NDK晶振

20.0000MHZ 8PF

NX3225SA

20MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX3225SA-16.000M-STD-CRS-2

NDK晶振

16.0000MHZ 8PF

NX3225SA

16MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3

NDK晶振

8.0000MHZ 8PF

NX3225GD

8MHz

±150ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(1.00mm)

NX3225GA-20MHZ-STD-CRA-1

NDK晶振

20.0000MHZ 8PF

NX3225GA

20MHz

±150ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.90mm)

NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2

NDK晶振

20.0000MHZ 8PF

NX3225GB

20MHz

±150ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.90mm)

NX3225GA-12.000M-STD-CRA-1

NDK晶振

12.0000MHZ 8PF

NX3225GA

12MHz

±150ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.90mm)

NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3

NDK晶振

10.0000MHZ 8PF

NX3225GD

10MHz

±150ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(1.00mm)

NX5032SD-13.56MHZ-STD-CSY-1

NDK晶振

13.5600MHZ 12PF

NX3225SC

13.56MHz

±50ppm

AEC-Q200

(4.90mm x 3.10mm)

(1.00mm)

NX3225SA-12.000M-STD-CRS-2

NDK晶振

12.0000MHZ 8PF

NX3225SA

12MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX3225GB-16M-STD-CRA-2

NDK晶振

16.0000MHZ 8PF

NX3225GB

16MHz

±150ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.90mm)

NX3225SA-12.288M-STD-CRS-2

NDK晶振

12.2880MHZ 8PF

NX3225SA

12.288MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX3225SC-18.08M-STD-CRS-1

NDK晶振

18.0800MHZ 8PF

NX3225SC

18.08MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.70mm)

NX3225SA-40.000M-STD-CRS-2

NDK晶振

40.0000MHZ 8PF

NX3225SA

40MHz

±50ppm

AEC-Q200

(3.20mm x 2.50mm)

(0.60mm)

NX5032SD-9.84375M-STD-CSY-1

NDK晶振

9.84375MHZ 12PF

NX3225SC

9.84375MHz

±50ppm

AEC-Q200

(4.90mm x 3.10mm)

(1.00mm)

NX5032SD-20MHZ-STD-CSY-1

NDK晶振

20.0000MHZ 12PF

NX3225SC

20MHz

±50ppm

AEC-Q200

(4.90mm x 3.10mm)

(1.00mm)

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[技术支持]7B08020001晶振适用于工业产品选择2018年11月30日 09:42

TXC晶振以质量好价格优势成为市场的宠儿,工厂企业在选择晶振品牌时总会以TXC晶振为主,优先选择.TXC晶振尺寸小,精度稳定,性能好,不仅用于消费级产品并且在工业级产品领域也颇受欢迎.

用于工业级产品的TXC晶振型号

TXC晶振型号

模型

频率

公差
（@25ºC）

负载帽
（典型值）

工作温度

外形尺寸

9C晶振

3.2~90MHz

±30ppm的

18PF

-40?+85ºC

12.7 x 4.8 x 3.80mm

7A贴片晶振

8~80MHz

±30ppm的

18PF

-40?+85ºC

5.0 x 3.2 x 1.20mm

7V晶振

9.9~65MHz

±30ppm的

为12pF

-40?+85ºC

3.2 x 2.5 x 0.80mm

7S晶振

12~64MHz

±30ppm的

为12pF

-40?+85ºC

2.5 x 2.0 x 0.75mm

7B石英晶振

8~100MHz

±30ppm的

18PF

-40?+85ºC

5.0 x 3.2 x 0.90mm

7M晶振

10~54MHz

±30ppm的

18PF

-40?+85ºC

3.2 x 2.5 x 0.70mm

8Z贴片晶振

12~54MHz

±30ppm的

18PF

-40?+85ºC

2.5 x 2.0 x 0.55mm

从以上TXC晶振型号中我们可以知道温度范围都在-40℃~+85℃,均为表贴式,尺寸小更利于电路空间的设计.精度范围都控制在30PPM以内,为工业级产品所需,并且提供黑色陶瓷面封装和金属面两种选择.每个晶振品牌都有的标志,而每款石英晶振,贴片晶振都有一个型号,每个晶振根据不同的参数要求都有一个专属的编码,以下为亿金电子代理所提供的TXC晶振原厂编码.

适用于工业产品的TXC晶振编码

Manufacturer Part Number原厂编码

Manufacturer厂家

Series型号

Frequency

Frequency Stability频率稳定度

Operating Temperature 工作温度

Package/Case包装/封装

Size/Dimension 尺寸

Height-Seated (Max)高度

7B25070003

TXC晶振

7B晶振

25MHz

±30ppm

-20°C ~ 70°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B26000005

TXC晶振

7B晶振

26MHz

±30ppm

-40°C ~ 85°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B26070001

TXC

7B晶振

27MHz

±30ppm

-20°C ~ 70°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B27170002

TXC

7B晶振

27.12MHz

±10ppm

-20°C ~ 70°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B48000030

TXC晶振

7B晶振

48MHz

±30ppm

-20°C ~ 70°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B50000003

TXC

7B晶振

50MHz

±30ppm

-40°C ~ 85°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7BA1200001

TXC晶振

7B晶振

112MHz

±10ppm

0°C ~ 80°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B16000202

TXC

7B晶振

16MHz

±10ppm

-20°C ~ 70°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B20000001

TXC

7B晶振

20MHz

±10ppm

-20°C ~ 75°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B08020001

TXC晶振

7B晶振

8MHz

±30ppm

-40°C ~ 85°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B12000199

TXC

7B晶振

12MHz

±30ppm

-40°C ~ 85°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B24500006

TXC晶振

7B晶振

24.576MHz

±30ppm

-40°C ~ 85°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

7B18400003

TXC

7B晶振

18.432MHz

±20ppm

-40°C ~ 85°C

4-SMD

(5.00mm x 3.20mm)

(1.05mm)

TXC晶振选用符合欧盟环保指令的材料生产,运用ISO质量管理体系操作,发展至今在国内外,台湾,香港,苏州,泰国,马来西亚,深圳,重庆等地设有研发生产基地,销售办事处遍布世界各地.有关TXC晶振编码更多信息欢迎咨询亿金电子.

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