希华晶振,GX-70502晶振,两脚陶瓷面贴片晶体

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希华晶振,贴片晶振,GX-70502晶振

频率：6M~70MHZ

尺寸：7.0x5.0mm

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

订购热线：0755-27876565

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希华晶振晶体科技有限公司成立于1988年,希华正式成立, 资本额为1,500万元整,开始以普通石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售.从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务.

在十年的时间里希华晶体科技刻苦专研,开发大量新产品,正式从原始普通石英晶体谐振器,慢慢的步入SMD晶体,有源贴片晶振领域,并且成功在1998年回到祖国的怀抱,到了没了的中国广东省东莞市投资建厂, 主要生产SMD晶振系列,刚开始以有源5070mm石英晶体振荡器为主.后在慢慢的开始量产常规石英晶体谐振器,后以小尺寸3225mm,2520mm贴片晶振为主.

希华晶振晶体科技有限公司敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,与日本同业并驾齐驱.且深耕微机电(MEMS)技术领域,加速导入TF SMD Crystal的量产,藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间.
希华晶振晶体科技有限公司藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合,不断开发创新及制程改造,以全系列完整产品线,来满足客户对石英元件多样化的需求.积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品,多角化经营、扩大市场领域,此亦为公司得以永续经营的方针.

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希华晶振,贴片晶振,GX-70502晶振,贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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希华晶振规格	单位	GX-70502晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	6MHZ~70MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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在使用希华晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.希华晶振,贴片晶振,GX-70502晶振

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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