SIWARD晶振,贴片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.5S晶振
频率:3.5M~80MHZ
尺寸:12.3×4.7mm
希华晶振晶体科技有限公司成立于1988年,希华正式成立, 资本额为1,500万元整,开始以普通石英晶振频率控制元件之研发、设计、生产与销售.从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务.
在十年的时间里希华晶体科技刻苦专研,开发大量新产品,正式从原始普通石英晶体谐振器,慢慢的步入SMD晶体,有源贴片晶振领域,并且成功在1998年回到祖国的怀抱,到了没了的中国广东省东莞市投资建厂, 主要生产SMD晶振系列,刚开始以有源5070mm石英晶体振荡器为主.后在慢慢的开始量产常规石英晶体谐振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸为主.
希华晶体产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等,扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能.持续致力于技术研究开发及品质落实扎根,营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地,使希华得以提供服务予世界电子大厂.SIWARD晶振,贴片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.5S晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
希华晶振规格 |
单位 |
LP-3.5晶振,LP-4.5S晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
3.50MHZ~80MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用希华晶振时应注意以下事项
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.SIWARD晶振,贴片晶振,LP-3.5S晶振,LP-4.5S晶振
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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