F91100015,11.0592MHz,12PF,20PPM,5032,-40~85℃

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频率：11.0592MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

F91100015,11.0592MHz,12PF,20PPM,5032,-40~85℃，台湾Diodes晶振公司,坚固的AT-cut晶体结构微型5.0 x 3.2mm陶瓷包装，可卷带12mm胶带，1000个单位FY：无铅和RoHS/绿色兼容F9： RoHS兼容*（*根据#5，指令2002/05/EC附件），2垫F9系列玻璃密封和4垫FY系列接缝密封装置采用标准的5.0 x 3.2mm封装封装。这些协议用于PCB应用中的表面安装。PCMCIA Cards ， Portable / hand-held PCs ， Notebook PC ，Wireless LAN ，Portable Multimedia Devices ，GPS ， HDD ，Bluetooth ， USB Dongle.

订购热线：0755-27876565

BLT-2

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F91100015,11.0592MHz,12PF,20PPM,5032,-40~85℃，台湾Diodes晶振公司,坚固的AT-cut晶体结构微型5.0 x 3.2mm陶瓷包装，可卷带12mm胶带，1000个单位FY：无铅和RoHS/绿色兼容F9： RoHS兼容*（*根据#5，指令2002/05/EC附件），2垫F9系列玻璃密封和4垫FY系列接缝密封装置采用标准的5.0 x 3.2mm封装封装。这些协议用于PCB应用中的表面安装。PCMCIA Cards ， Portable / hand-held PCs ， Notebook PC ，Wireless LAN ，Portable Multimedia Devices ，GPS ， HDD ，Bluetooth ， USB Dongle.

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亚陶晶振规格	单位	F9晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	11.0592MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12PF	超出标准说明,请联系我们.

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FY，F9

DIODES原厂编码	生产厂家	型号	频率	频率偏差	负载电容	Operating Temperature 工作温度
F90800018Q	Diodes晶振	F9	8MHz	±50ppm	8pF	-40°C ~ 125°C
F90800018Q	Diodes晶振	F9	8MHz	±50ppm	8pF	-40°C ~ 125°C
F90800018Q	Diodes晶振	F9	8MHz	±50ppm	8pF	-40°C ~ 125°C
F92400054	Diodes晶振	F9	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92400054	Diodes晶振	F9	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92400054	Diodes晶振	F9	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92500042	Diodes晶振	F9	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92500042	Diodes晶振	F9	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92500042	Diodes晶振	F9	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F61200046	Diodes晶振	F6	12MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61200046	Diodes晶振	F6	12MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61200046	Diodes晶振	F6	12MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F80800016	Diodes晶振	F8	8MHz	±50ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
F80800016	Diodes晶振	F8	8MHz	±50ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
F80800016	Diodes晶振	F8	8MHz	±50ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
F90800021	Diodes晶振	F9	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F90800021	Diodes晶振	F9	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F90800021	Diodes晶振	F9	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F91200084	Diodes晶振	F9	12MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F91200084	Diodes晶振	F9	12MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F91200084	Diodes晶振	F9	12MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F62500047	Diodes晶振	F6	25MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62500047	Diodes晶振	F6	25MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62500047	Diodes晶振	F6	25MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F60800010	Diodes晶振	F6	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F60800010	Diodes晶振	F6	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F60800010	Diodes晶振	F6	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62400017	Diodes晶振	F6	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62400017	Diodes晶振	F6	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62400017	Diodes晶振	F6	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61600023	Diodes晶振	F6	16MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61600023	Diodes晶振	F6	16MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61600023	Diodes晶振	F6	16MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62700016	Diodes晶振	F6	27MHz	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62700016	Diodes晶振	F6	27MHz	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62700016	Diodes晶振	F6	27MHz	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C

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: 32.768K音叉晶体,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振; 32.768K音叉晶体,1TJL070DR1A0009,日本KDS大真空,DST1610AL晶振 日本大真空株式会社中编码为 1TJL070DR1A0009 的KDS晶振频率是32.768KHz，负载电容为7pF，尺寸是1.6*1.0mm，为超小型、薄型、SMD音叉型晶体，厚度仅为0.3mm，带有金属盖的陶瓷封装，精度高和可靠性高，支持多种应用，包括移动通信设备和消费设备，智能卡和可穿戴设备等。盖子和背面端子连接以防止噪音，并可连接到GND。1610贴片晶振，石英晶体谐振器，32.768K晶振，进口音叉晶体。

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