F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃

当前位置：首页 » 台产晶振 » 百利通亚陶晶振 » F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃

prevnext

F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃

频率：12MHZ

尺寸：6.0x3.5mm

F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃，台湾Diodes晶振公司，紧密的公差和稳定性坚固的结构和优秀的机械抗冲击非常紧凑的SMD包可在胶带和卷；12mm胶带，1000单位FX：无pb和RoHS/绿色兼容F6： RoHS兼容。2垫F6系列玻璃密封和4垫FX系列接缝密封装置采用了封装在6.0 x 3.5mm的封装范围内。这些协议可用于在密集的PCB应用中的表面安装。非常适合磁盘驱动器，PCMCIA，个人电脑和手持电子产品

订购热线：0755-27876565

BLT-2

yijin-1

F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃，台湾Diodes晶振公司，紧密的公差和稳定性坚固的结构和优秀的机械抗冲击非常紧凑的SMD包可在胶带和卷；12mm胶带，1000单位FX：无pb和RoHS/绿色兼容F6： RoHS兼容。2垫F6系列玻璃密封和4垫FX系列接缝密封装置采用了封装在6.0 x 3.5mm的封装范围内。这些协议可用于在密集的PCB应用中的表面安装。非常适合磁盘驱动器，PCMCIA，个人电脑和手持电子产品

yijin-2

F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃

亚陶晶振规格	单位	F6晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.

yijin-3

F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES -40~85℃

F6，FX

DIODES原厂编码	生产厂家	型号	频率	频率偏差	负载电容	Operating Temperature 工作温度
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	8MHz	±50ppm	8pF	-40°C ~ 125°C
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	8MHz	±50ppm	8pF	-40°C ~ 125°C
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	8MHz	±50ppm	8pF	-40°C ~ 125°C
F92400054	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92400054	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92400054	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92500042	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92500042	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F92500042	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F61200046	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	12MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61200046	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	12MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61200046	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	12MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F80800016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F8	8MHz	±50ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
F80800016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F8	8MHz	±50ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
F80800016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F8	8MHz	±50ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
F90800021	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F90800021	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F90800021	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F91200084	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	12MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F91200084	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	12MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F91200084	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	12MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
F62500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	25MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	25MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	25MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F60800010	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F60800010	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F60800010	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	8MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62400017	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62400017	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62400017	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61600023	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	16MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61600023	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	16MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F61600023	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	16MHz	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62700016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	27MHz	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62700016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	27MHz	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
F62700016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F6	27MHz	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C

yijin-5

YJ-6

深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 联系人黄娜：18924600166

工作QQ:857950243

myt 贸易通：yijindz2014

tel 座机：0755-27876565

email 邮箱:yijindz@163.com

inter 网址：http://www.yijindz.com

mwx 微信：yijindz，公众号：NDKcrystal

home 地址：广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路

wxewm

F61200046 6035 12MHz 18PF 20PPM DIODES 40~85℃

跟此产品相关的产品 / Related Products

: X1A000061000800,FC-12M晶振,数码电子晶振; X1A000061000800,FC-12M晶振,数码电子晶振,采用高精度音叉石英工艺,标准32.768kHz计时频率,负载参数适配绝大多数数码主控单片机,ESR数值低,驱动功耗微小,有效降低设备待机耗电.工作温度区间-40℃~+85℃,日常室内,轻度户外使用均可保持稳定频率输出,金属陶瓷气密封装防潮,抗震,抗温漂,适配无铅回流焊工艺.标准卷带包装适配全自动SMT贴装,出厂经过高低温循环,湿热老化可靠性检测,批次参数一致性优秀,符合RoHS环保标准,广泛用于数码相机,录音笔,学习机,小家电控制板,提供精准实时计时基准.

: D3SP100E00001E,HOSONIC鸿星晶振,LV-PECL差分晶振; D3SP100E00001E,HOSONIC鸿星晶振,LV-PECL差分晶振,100MHz标准频点适配高速以太网,服务器PLL,光纤收发器时序需求,差分双相信号可自动抵消线路干扰,有效降低整机EMI整改成本,满足FCC,CE电磁兼容认证要求.采用高精度石英晶片与低噪声振荡电路,全温区间相位抖动表现优异,避免高速数据传输出现眼图收缩,丢包故障,工作电压兼容2.5V,3.3V主流算力硬件供电.3225紧凑型封装平衡散热与布线空间,气密金属外壳隔绝粉尘湿气,长期运行频率老化漂移极低;出厂逐颗完成频点,抖动,输出电平全电性检测,不良率严格管控,兼容标准回流焊工艺.

: SIT8103AI-23-33E-33.333000,SiTime陶瓷晶振,3.3V低功耗有源晶振; SIT8103AI-23-33E-33.333000,SiTime陶瓷晶振,3.3V低功耗有源晶振,精准33.333000MHz固定频点,时序精度高,相位噪声低,时钟抖动控制优异,可彻底规避高速数据传输,信号运算过程中的时序偏差,数据误码等问题.陶瓷密封封装隔热防潮,密封性极佳,全温域频率稳定性出色,无惧高低温交替,湿热环境干扰.器件起振速度快,运行全程平稳,长期连续工作无频偏,无老化失效问题,可靠性远超常规无源晶振与普通有源晶振.经过多重严苛可靠性测试,品质稳定耐用,适配工业设备晶振,精密仪器,通信设备等对时序精度要求严苛的高端应用场景.