领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

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领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

频率：26MHZ

尺寸：2520mm

领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振，台湾HOSONIC晶振公司，台产晶振，鸿星晶振，特点:非常紧凑和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)频率范围12M ~ 62.5M，具有优良的电气性能，是OA(办公自动化)，AV(视听)，蓝牙和无线局域网应用的理想选择。优异的耐热性和抗震性，无铅。满足使用无铅焊料的回流剖面要求.无源晶振，四脚晶振，贴片晶振，石英晶振，鸿星晶振，台湾晶振，2520晶振，6G室外基站晶振，航空航天晶振，空间站晶振，环保无铅晶振，高精度晶振，北斗卫星定位模块晶振，智能水表晶振

订购热线：0755-27876565

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领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

项目	标志	E2SB
频率范围	F0	12 to 15.999MHz
工作模式		Fundamental
负载电容	CL	8 to 16pF
频率容差	△F/ F0	±10ppm,±15ppm,±30ppm(At 25℃)
等效串联电阻	ESR	120Ω max.
温度稳定度	TC	±10ppm,±15ppm,±30ppm(Refer to 25℃)
工作温度范围	TOPR	-20~+70℃,-30~+85℃ Option
储存温度范围	TSTG	-55~+125℃
分流电容	C0	3pF max.
绝缘电阻	IR	500MΩ min. (At 100VDC)
驱动电平	DL	50?W(100?W max.)
老化	Fa	±2ppm max. (At 25℃,First year)
包装单位		3000pcs/reel

领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

鸿星原厂编码	生产商品牌	型号	频率	频率稳定度	频率容差	负载电荷	工作温度
E2SB40E000104ECBB8	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±7ppm	12pF	-30°C ~ 90°C
E2SB38E0X0300E	Hosonic晶振	E2SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000107E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	-12ppm, +20ppm	±5ppm	12pF	-40°C ~ 105°C
E2SB40E00010AE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±7ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
E2SB27E0X0000E	Hosonic晶振	E2SB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
E2SB24E001801E	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E2SB40E000108E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±15ppm	±7ppm	6pF	-40°C ~ 100°C
E2SB12E000005E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E2SB16E00000ME	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
E2SB26E001201E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±13ppm	±5ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
E2SB32E001201E	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB12E000014E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±10ppm	±10ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
E2SB12E009200E	Hosonic晶振	E2SB	12 MHz	±20ppm	±30ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E2SB16E000003E	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
E2SB16E000007E	Hosonic晶振	E2SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB24E00000LE	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB24E00000ZE	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E2SB24E000016E	Hosonic晶振	E2SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	20pF	-30°C ~ 85°C
E2SB26E000005E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
E2SB26E000103E	Hosonic晶振	E2SB	26 MHz	±10ppm	±10ppm	7.5pF	-20°C ~ 75°C
E2SB27E00000EE	Hosonic晶振	E2SB	27 MHz	±10ppm	±10ppm	20pF	-30°C ~ 85°C
E2SB27E0X000CE	Hosonic晶振	E2SB	27.12 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB32E00000LE	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E2SB32E000018E	Hosonic晶振	E2SB	32 MHz	±10ppm	±20ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E2SB37E0X0002E	Hosonic晶振	E2SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB37E0X0004E	Hosonic晶振	E2SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB38E0X000HE	Hosonic晶振	E2SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E00000JE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±7ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E00000RE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
E2SB40E00000WE	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000003E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000007E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000009E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB40E000103E	Hosonic晶振	E2SB	40 MHz	±7ppm	±10ppm	11pF	-40°C ~ 100°C
E2SB48E000009E	Hosonic晶振	E2SB	48 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E2SB54E000000E	Hosonic晶振	E2SB	54 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C

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深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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