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领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

频率:26MHZ

尺寸:2520mm

领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振,台湾HOSONIC晶振公司,台产晶振,鸿星晶振,特点:非常紧凑和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)频率范围12M ~ 62.5M,具有优良的电气性能,是OA(办公自动化),AV(视听),蓝牙和无线局域网应用的理想选择。优异的耐热性和抗震性,无铅。满足使用无铅焊料的回流剖面要求.无源晶振,四脚晶振,贴片晶振,石英晶振,鸿星晶振,台湾晶振,2520晶振,6G室外基站晶振,航空航天晶振,空间站晶振,环保无铅晶振,高精度晶振,北斗卫星定位模块晶振,智能水表晶振
订购热线:0755-27876565
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领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

项目   标志 E2SB
频率范围 F0 12 to 15.999MHz
工作模式 Fundamental
负载电容 CL 8  to 16pF
频率容差 F/ F0 ±10ppm,±15ppm,±30ppm(At 25)
等效串联电阻 ESR 120Ω max.
温度稳定度 TC ±10ppm,±15ppm,±30ppm(Refer to 25)
工作温度范围 TOPR -20~+70,-30~+85 Option
储存温度范围 TSTG -55~+125℃
分流电容 C0 3pF max.
绝缘电阻 IR 500MΩ min. (At 100VDC)
驱动电平 DL 50?W(100?W max.)
老化 Fa ±2ppm max. (At 25,First year)
包装单位 3000pcs/reel
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领先同行的手机摄像模块晶振,Hosonic高品质晶体,E2SB26E000103E晶振

E2SB(Former HCX-2SB) 2520

E2SB

鸿星原厂编码 生产商品牌 型号 频率 频率稳定度 频率容差 负载电荷 工作温度
E2SB40E000104ECBB8 Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 12pF -30°C ~ 90°C
E2SB38E0X0300E Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C
E2SB40E000107E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz -12ppm, +20ppm ±5ppm 12pF -40°C ~ 105°C
E2SB40E00010AE Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 7pF -30°C ~ 85°C
E2SB27E0X0000E Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -20°C ~ 70°C
E2SB24E001801E Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -40°C ~ 85°C
E2SB40E000108E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±15ppm ±7ppm 6pF -40°C ~ 100°C
E2SB12E000005E Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -20°C ~ 70°C
E2SB16E00000ME Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -40°C ~ 85°C
E2SB26E001201E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±13ppm ±5ppm 9pF -40°C ~ 85°C
E2SB32E001201E Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C
E2SB12E000014E  Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF -20°C ~ 70°C
E2SB12E009200E  Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±30ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E2SB16E000003E  Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E2SB16E000007E  Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E00000LE Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E00000ZE  Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E000016E  Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF  -30°C ~ 85°C
E2SB26E000005E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E2SB26E000103E  Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 7.5pF  -20°C ~ 75°C
E2SB27E00000EE  Hosonic晶振 E2SB 27 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF  -30°C ~ 85°C
E2SB27E0X000CE  Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB32E00000LE  Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB32E000018E  Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±20ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E2SB37E0X0002E  Hosonic晶振 E2SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB37E0X0004E  Hosonic晶振 E2SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB38E0X000HE  Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E00000JE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±7ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E00000RE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF -40°C ~ 85°C
E2SB40E00000WE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000003E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000007E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000009E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000103E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±7ppm ±10ppm 11pF  -40°C ~ 100°C
E2SB48E000009E  Hosonic晶振 E2SB 48 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB54E000000E  Hosonic晶振 E2SB 54 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

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深圳市亿金电子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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