D2SX晶振,HXO-N晶振,台产2520振荡器

当前位置：首页 » 台产晶振 » 鸿星晶振 » HOSONIC晶振,D2SX晶振,HXO-N晶振,进口晶体振荡器

prevnext

HOSONIC晶振,D2SX晶振,HXO-N晶振,进口晶体振荡器

频率：1M~62.5MHZ

尺寸：2.5x2.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27876565

鸿星晶振已经成为全球从事石英频率控制组件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)与表面黏着式(SMD)石英晶体,有源晶振,SDM压控振荡器系列产品之研发、设计、生产与营销.

鸿星致力于提供客户最优异的质量、服务及价值,专注于专业创新并鼓励员工以团队合作及积极成长的态度与时俱进.

鸿星晶振科技股份有限公司藉由环境/安卫管理系统的推动执行,以整合内部资源,奠定经营管理的基础.藉执行环境考量面/安卫危害鉴别作业,环境/安卫管理方案和内部稽核为手段,合理化推动环境/安卫管理,落实环境/安卫系统有效实施.并不断透过教育训练灌输员工环境/安卫观念及意识,藉由改善公司制程以达到污染预防、工业减废、安全与卫生、符合法规要求使企业永续发展减少环境/安卫负担,并满足客户需求,获得客户的信赖而努力.

yijin-1

HOSONIC晶振,D2SX晶振,HXO-N晶振,进口晶体振荡器,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

yijin-2

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1M~62.5MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.vc-tcxo.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年