TXC晶振,压控晶振,6U晶振,BR晶振,6U40930001晶振
频率:1M~200MHZ
尺寸:5.0x7.0mm
压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅
台湾晶技TXC晶振多年来,我们始终以提升客户价值为目标,是以无论在价格、质量、交期、服务等方面,均尽力尽心于超越客户的期待,并以能成为客户最佳的策略合作伙伴自我敦促.经过三十年的努力,台湾晶技总公司而外,另设有如下之生产据点:台北市、桃园市、宁波市、以及重庆市.
台湾晶技TXC晶振公司是一家领先的专业频率控制,温补晶振,石英晶体振荡器,石英晶体谐振器,石英晶体,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等产品制造商致力于研究,设计,制造和销售双列直插封装(DIP)和表面贴装器件(SMD)石英晶体和振荡器产品.
台湾晶技TXC晶振公司目前专业从事这些类别的产品:晶体(32.768kHz,基本兆赫,高精度的兆赫,汽车级)
Oscillators(32.768kHz,CMOS硅MEMS,差分输出,看到汽车级),压控晶体振荡器(CMOS差分输出),TCXO(基础、GPS、精密),压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)等.
TXC晶振,压控晶振,6U晶振,BR晶振,6U40930001晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
型号
输出频率范围
1~200MHz
标准频率
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
电源电压范围
+1.68~+3.5V
电源电压(Vcc)
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz)
待机时电流
-更多详细参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com
输出电压
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)
输出负载
10kΩ//10pF
频率稳定度
常温偏差
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows)
温度特性
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃
电源电压特性
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%)
负载变化特性
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%)
长期变化
±1.0×10-6 max./year
频率控制
控制灵敏度
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V
频率控制极性
正极性
TXC高温晶体振荡器型号代码列表
6U晶振,BR晶振
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃(Option)
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
原厂代码 | 品牌 | 代理商 | 型号 | 类型 | 频率 | 包装/封装 | 尺寸 |
6U-16.384MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 16.384MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-32.768MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 32.768MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-27.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 27MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-27.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 27MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-38.880MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 38.88MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-38.880MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 38.88MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-10.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 10MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-10.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 10MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-25.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 25MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-25.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 25MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-27.000MCE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 27MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-38.880MCE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 38.88MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-40.960MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 40.96MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-40.960MCE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 40.96MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-52.000MBE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 52MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U-52.000MCE-T | TXC晶振 | 亿金电子 | 6U | VCXO | 52MHz | 6-SMD | (7.00mm x 5.00mm) |
6U晶振尺寸图
BR晶振尺寸图
在使用TXC晶振时应注意
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.TXC晶振,压控晶振,6U晶振,BR晶振,6U40930001晶振
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口石英晶体振荡器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点,差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽,客户实验证明工作温度可以到达低温-50度高温到100度,频率稳定度在±20PPM值,输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0秒,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.
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压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.VCXO,压控晶体应用:调制解调器,ADSL网络控制器,无线基站,程控交换设备智能手机,笔记本晶振等
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