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导致晶振频率差异的原因以及预防措施

如果石英贴片晶振实际振荡频率从标称频率偏移,则将考虑以下原因：

1.晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值.

2.实际负载电容与规范中的指定值不同

3.振荡不正常

3-1、晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值.

重要的是晶体单元的实际驱动电平在驱动电平规范内.过高的驱动电平可能导致更高的振荡频率或更大的R1.如果要将驱动器级别调低,可以采取以下措施.具体操作可参阅”是什么原因导致的石英晶体振荡频率随温度漂移不正常?”

MEMS谐振器的气密密封效果如何?

SiTime的EpiSeal?工艺是实现极其稳定的MEMS谐振器的关键因素之一,它在晶圆加工过程中密封了谐振器,无需密封陶瓷封装.SiTime的EpiSeal谐振器不受大气中最高浓度元素,氮和氧的影响,因此可作为完美密封.前几代EpiSeal谐振器可能受到大量小分子气体的影响.较新的EpiSeal谐振器不受所有小分子气体的影响.

关于SiTime

SiTime公司是MEMS计时的市场领导者,也是MegaChips公司（东京证券交易所：6875）的全资子公司,提供基于MEMS的硅计时系统解决方案.Sitime Crystal的可配置解决方案提供丰富的功能集,使客户能够以高性能,小尺寸,低功耗和高可靠性使其产品与众不同.通过使用标准半导体工艺和大批量封装,SiTime可缩短交付周期,并可满足不可预测的需求.更多Sitime晶振的资料信息欢迎咨询亿金电子Sitime代理商,咨询热线0755-27876565.

低频,低功耗32.768KHz计时器件广泛应用于移动设备中设备持续开启以保持或控制睡眠模式.这些低频振荡器还用于计时电子管理IC（PMIC）中的监视和控制功能等事件用于电池供电设备或执行短时间系统唤醒以进行定时参考同步.

传统上,系统通过连接音叉型或AT切割石英来产生32.768K时钟信号晶体到片上穿孔振荡器电路.这些石英计时振荡器始终处于ON状态连续画几个微安.SiTime的SiT15xx 32kHz MEMS振荡器消耗不到a微安培电流可以从一系列调节或未调节的电源电压,从1.2到3.63V.图3描绘了SiT153x振荡器在电源和温度下的电流小于1μA.

高端智能产品使用越来越多,逐渐增加了有源晶振,石英晶体振荡器的销量.但是为确保晶体振荡器电路的可靠运行,振荡安全系数(OSF)值得仔细看看.振荡安全系数(OSF)显示反馈增益根据其规格,最坏情况晶体的振荡器放大器的余量.

对于消费者应用,OSF应该>5,对于汽车应用,OSF应该>10.OSF因素<2是非常危险的,应该避免.图1显示了皮尔斯配置中的典型振荡电路,其中增加了电阻RPot

要验证石英晶体振荡器电路的振荡安全系数(OSF),应采取以下步骤进行分析调查：

使用参数计算原始电路条件下的谐振负载使用公式(1)的电路中的单个晶体*：

使用最大值计算最坏情况的共振负载.指定的串联共振选定的水晶*系列(2)：

插入一个串联电阻或微型电位器RPOT,并增加其电阻直到振荡停止.

石英晶振晶体,贴片晶振,晶体振荡器被设计为具有耐高温,耐恶劣环境的一种元件,但是在运输,储存以及生产过程中还是要小心,注意避免晶振晶体的恶化,甚至内置晶体破坏零件.下面亿金电子给大家介绍了解晶体振荡器的运行条件注意事项.

①电源电压和极性

晶体振荡器应在规定的电源电压和电压范围内工作目录或数据表中给出的公差.电源电压以外的操作规范可能导致晶体振荡器的间歇或完全失效.

极性反接可能会导致设备电气不可逆损坏（死机）和/或机械地（燃烧）.因此,请在确认正确的电压极性之前给有源晶体振荡器设备加电.

②电源电压限制

在任何情况下,请向有源晶体振荡器施加电源电压电平超过绝对最大值,通常最大为7VDC.对于大多数（H）CMOSIC.另请注意,电源电压低于额定电压的70~80％可能会导致电压下降振荡器运行不稳定.

为获得最佳性能和稳定性,振荡器可由单独稳定的电源供电电压轨,以避免数字中通常存在的电源电压噪声干扰电路.

石英晶体谐振器与石英晶体振荡器被广泛用于各种各样的产品应用中,在电路中占有重要地位.亿金电子专业生产销售石英晶体,SMD晶振,以及晶体滤波器,晶体振荡器等.各种封装尺寸齐全,品质稳定,获得广大用户一致认可.

通过增加额外的电容和电感可以调整或拉动石英晶体谐振器的频率,并且存在晶体的拉动因子.亿金电子晶振厂家下面给大家介绍石英晶体谐振器的频率修整.

在某些情况下,必须能够修整或拉动晶体的共振频率.当晶振晶体以并联谐振模式工作时,这可以通过外部电路实现.[系列模式受到非常小的影响].可以计算通常被称为晶体拉动因子r的因子,以确定使用外部组件可以拉动或改变频率的程度.

电子元器件都是属于比较脆弱的东西,包括石英贴片晶振,应该受到保护,在运输,储存,制造过程中的静电放电和组装模块处理.以下所介绍到的是Jacuh分析JSO LC MEMS振荡器的ESD控制方法.

回流焊接

无铅回流焊接型材,回流焊峰值温度最高可达260℃.根据JEDEC J-STD-020可以应用.最多可接受3个回流循环.请使用热电偶元件来控制最高温度和温度建议采用回流焊接型材,以确保最高的焊接温度没有超过.

振荡器的基本结构包括两个元件-放大器和频率选择器网络.为系统计时有两种方法：完全使用集成晶体振荡器,或直接配合晶体使用片内振荡器.使用XO倾向于增加功耗和系统成本.通过将石英晶体与嵌入式皮尔斯相匹配MCU内部的振荡电路,系统电源消费和成本降低.

大多数嵌入式振荡器电路都使用皮尔斯振荡器,一种由a组成的配置简单的逆变器放大器作为反相增益元件循环内.在大多数情况下,放大器单元是MCU的内部并且频率选择性网络在外部MCU.外部网络中的关键组件是石英晶体.相关的回路电容器和一系列（限流）电阻（Rs）也被使用.

老化作为长期稳定性是石英晶体谐振器,应力和废气的最重要特征之一作出重大贡献.TXC晶振研究了不同安装类型条件下的老化频率漂移机制和分析老化温度.结果表明,在两个℃点和两个点的温度下,85的老化频率漂移四点式石英芯片类似;然而,在150℃老化的两点安装下的稳定性能谐振器比四点安装谐振器要好得多.主要原因是两点安装的老化曲线谐振器是一个集成的老化曲线,因为排气和应力的影响很好地平衡,这是由IVA支持的测试.

一、介绍

随着石英晶体谐振器的广泛应用（XTAL谐振器）在移动电话和汽车和甚至伴随着尺寸小型化,长期石英晶体谐振器的频率稳定性是被确定为最重要的特征,具有已经研究了几十年.老化通常定义为频率漂移的时间函数,可以是受到许多因素的影响,如压力,排出气体从包装和导电胶,污染,石英缺陷.特别是应力消除和污染被认为是最重要的,被分析由Gehrke和Klawitter[1].对于石英晶体谐振器,2ppm在25℃的商业应用和每年25℃至5ppm通常使用汽车25℃每年3ppm对于规格.因此许多相关主题是例如,研究了几何变化的影响老化的安装点[2]和实验结果AT切割谐振器的老化.其中,三个典型的老化类型在J.R.Vig和T.R.的研究中提出.米克尔[3]：由压力主导的积极老龄化,负质量老化主要受质量负荷效应的影响由压力和质量决定的集成老化加载效果.如今,压力不可能是直接的使用有效的方法或设备检测,但通过内部蒸汽分析（IVA,可以测量）废气测试）可以帮助确保排气如何影响老化.