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122019-06

了解晶体振荡器的运行条件注意事项
石英晶振晶体,贴片晶振,晶体振荡器被设计为具有耐高温,耐恶劣环境的一种元件,但是在运输,储存以及生产过程中还是要小心,注意避免晶振晶体的恶化,甚至内置晶体破坏零件.下面亿金电子给大家介绍了解晶体振荡器的运行条件注意事项.

①电源电压和极性

晶体振荡器应在规定的电源电压和电压范围内工作目录或数据表中给出的公差.电源电压以外的操作规范可能导致晶体振荡器的间歇或完全失效.

极性反接可能会导致设备电气不可逆损坏（死机）和/或机械地（燃烧）.因此,请在确认正确的电压极性之前给有源晶体振荡器设备加电.

②电源电压限制

在任何情况下,请向有源晶体振荡器施加电源电压电平超过绝对最大值,通常最大为7VDC.对于大多数（H）CMOSIC.另请注意,电源电压低于额定电压的70~80％可能会导致电压下降振荡器运行不稳定.

为获得最佳性能和稳定性,振荡器可由单独稳定的电源供电电压轨,以避免数字中通常存在的电源电压噪声干扰电路.
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282019-05

石英晶体谐振器的频率修整
石英晶体谐振器与石英晶体振荡器被广泛用于各种各样的产品应用中,在电路中占有重要地位.亿金电子专业生产销售石英晶体,SMD晶振,以及晶体滤波器,晶体振荡器等.各种封装尺寸齐全,品质稳定,获得广大用户一致认可.

通过增加额外的电容和电感可以调整或拉动石英晶体谐振器的频率,并且存在晶体的拉动因子.亿金电子晶振厂家下面给大家介绍石英晶体谐振器的频率修整.

在某些情况下,必须能够修整或拉动晶体的共振频率.当晶振晶体以并联谐振模式工作时,这可以通过外部电路实现.[系列模式受到非常小的影响].可以计算通常被称为晶体拉动因子r的因子,以确定使用外部组件可以拉动或改变频率的程度.
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252019-05

Jacuh分析JSO LC MEMS振荡器的ESD控制方法
电子元器件都是属于比较脆弱的东西,包括石英贴片晶振,应该受到保护,在运输,储存,制造过程中的静电放电和组装模块处理.以下所介绍到的是Jacuh分析JSO LC MEMS振荡器的ESD控制方法.

回流焊接

无铅回流焊接型材,回流焊峰值温度最高可达260℃.根据JEDEC J-STD-020可以应用.最多可接受3个回流循环.请使用热电偶元件来控制最高温度和温度建议采用回流焊接型材,以确保最高的焊接温度没有超过.
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182019-05

Abracon Crystal的基本振荡器结构
振荡器的基本结构包括两个元件-放大器和频率选择器网络.为系统计时有两种方法：完全使用集成晶体振荡器,或直接配合晶体使用片内振荡器.使用XO倾向于增加功耗和系统成本.通过将石英晶体与嵌入式皮尔斯相匹配MCU内部的振荡电路,系统电源消费和成本降低.

大多数嵌入式振荡器电路都使用皮尔斯振荡器,一种由a组成的配置简单的逆变器放大器作为反相增益元件循环内.在大多数情况下,放大器单元是MCU的内部并且频率选择性网络在外部MCU.外部网络中的关键组件是石英晶体.相关的回路电容器和一系列（限流）电阻（Rs）也被使用.
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052019-05

TXC石英晶体的老化频率漂移机理研究
老化作为长期稳定性是石英晶体谐振器,应力和废气的最重要特征之一作出重大贡献.TXC晶振研究了不同安装类型条件下的老化频率漂移机制和分析老化温度.结果表明,在两个℃点和两个点的温度下,85的老化频率漂移四点式石英芯片类似;然而,在150℃老化的两点安装下的稳定性能谐振器比四点安装谐振器要好得多.主要原因是两点安装的老化曲线谐振器是一个集成的老化曲线,因为排气和应力的影响很好地平衡,这是由IVA支持的测试.

一、介绍

随着石英晶体谐振器的广泛应用（XTAL谐振器）在移动电话和汽车和甚至伴随着尺寸小型化,长期石英晶体谐振器的频率稳定性是被确定为最重要的特征,具有已经研究了几十年.老化通常定义为频率漂移的时间函数,可以是受到许多因素的影响,如压力,排出气体从包装和导电胶,污染,石英缺陷.特别是应力消除和污染被认为是最重要的,被分析由Gehrke和Klawitter[1].对于石英晶体谐振器,2ppm在25℃的商业应用和每年25℃至5ppm通常使用汽车25℃每年3ppm对于规格.因此许多相关主题是例如,研究了几何变化的影响老化的安装点[2]和实验结果AT切割谐振器的老化.其中,三个典型的老化类型在J.R.Vig和T.R.的研究中提出.米克尔[3]：由压力主导的积极老龄化,负质量老化主要受质量负荷效应的影响由压力和质量决定的集成老化加载效果.如今,压力不可能是直接的使用有效的方法或设备检测,但通过内部蒸汽分析（IVA,可以测量）废气测试）可以帮助确保排气如何影响老化.
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252019-04

村田陶瓷谐振器压电振动模式控制应用研究
亿金电子专业生产销售晶振晶体,陶瓷谐振器,为了更好的服务广大用户,每天更新新闻动态,免费提供技术资料,让大家第一时间掌握最新资讯.以下是有关村田陶瓷谐振器压电振动模式控制应用研究.

压电振动模式控制及其在无铅压电陶瓷中的应用研究

压电陶瓷广泛用于谐振装置应用,例如信号处理滤波器和谐振器,致动器和发声器应用,其中电信号被转换成机械位移,振动或声音,以及传感器应用,其中机械冲击或应力被转换成电信号.控制在压电体内部传播的弹性振动波的行为对于电信号和机械信号的这种转换是重要的.

压电陶瓷的极化结构和晶粒结构的某些设计使得能够获得以前不可能的独特特征.本文基于陶瓷双层技术的压电陶瓷极化结构设计,提出了一种能量俘获现象(弹性振动集中在电极区域的现象).

Poling结构设计对厚度延伸模式的能量俘获

厚度延伸振动的基本振动模式和奇数次谐波模式与厚度剪切振动的偶数次谐波模式耦合.厚度延伸振动的基波模式(TE1模式)与厚度剪切振动(TS2模式)的二阶谐波模式耦合.因为TE1模式和TS2模式的共振频率彼此接近,所以波数和晶振频率具有这样的关系(色散关系),其中由于材料的弹性特性的不同,它们彼此施加强烈的影响.如果各向同性介质中的泊松比小于1/3,则TE1模式的共振频率将小于TS2模式的共振频率.

具有热稳定特性的压电陶瓷晶振如钛酸铅显示出这种分散关系.图1中的虚线表示形成电极的区域的频率变化.另外,在图1中,纵轴右侧的波数是实数,左侧的波数是虚数.波数的虚数值意味着不传播振动波.看一下TE1模式的电极区域(虚线)和非电极区域(实线)的色散关系,没有电极区域是实数的频率,非电极区域变成虚数的频率数.
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202019-04

muRata的材料技术以及前端工艺技术介绍
村田制作所建立了从原材料到成品的综合生产体系,不断开发和积累基础技术基础,如材料技术,前端工艺技术,产品设计技术,后端工艺技术和分析技术.村田晶振集团还致力于通过与外部合作伙伴积极合作以及开发预测未来的核心技术和产品来创造新的市场和创新.以下所介绍到的是muRata的材料技术以及前端工艺技术介绍.

材料技术

“新的电子设备从新的电子元件开始; 新的电子元件从新材料开始......“基于这个概念,村田制作所创造了具有突出特性的功能陶瓷材料.我们通过开发新材料不断进一步推进我们的技术,使我们的陶瓷谐振器,陶瓷元件具有更好的特性.
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192019-03

晶振制造最为关键的四个步骤须知
晶振晶体几乎应用于现代通信设备中,如收发器,电话,传真,数据传输数字设备,无线电和电视发射机,雷达和声纳设备,以及数据处理设备和时间片,尤其是微处理器的精确时序.对于所有这些应用,利用晶振在某些条件下以极其恒定的频率振荡的固有特性.例如,手表中的石英晶体可以精确地以32.768K（每秒周期）振荡.借助于电子电路,这些振荡在手表的情况下非常精确地控制显示机构.

那么晶振制造最为关键的四个步骤须知是哪些呢？亿金电子下面给大家介绍下晶振晶体制造步骤概要.晶振制造最为关键的四个步骤可分为：切割, 研磨, 整理和质量控制.

A.切割

切割操作是在石英晶棒上进行的第一个过程.用特殊的切片机将棒切成尺寸为1.27mmx1.27mmx0.04mm的小方形晶棒.切割晶棒的角度对于成品晶体的整体性能非常重要.特殊的X射线单元用于确保相对于原子平面的适当切割角度.

B.研磨

从“母石”切下的石英晶片,称为“空白”,现在经过研磨精密研磨机.当石英晶体被研磨时,首先在一台机器上,然后在另一台机器上,实现在坯料主表面上逐渐更精细的光洁度.由于研磨操作减小了坯料的厚度,晶体的频率增加.对研磨机的适当控制将导致产生具有极其精确频率的晶体.

C.整理

在将石英坯料研磨至将产生所需频率的厚度之后,将它们彻底清洁并将金属电极真空沉积在它们的两个主面上.电极拾取存在于石英晶振晶体表面上的电脉冲并将它们引导至弹簧.反过来,弹簧拾取电脉冲,此外,还有助于将晶体支撑在其安装基座上.

安装晶体后进行最终频率调整.在每个晶体上真空沉积附加金属.最后一步是通过将金属罐焊接到其底部来密封晶体,以保护易碎的坯料免受湿气,空气,处理等的损害.

D.质量控制

在过程质量控制中,在各种制造步骤中,确定有利的晶振产量.在完成的装置之前,它们在质量控制站进行彻底测试,在最低-55摄氏度到125摄氏度的温度范围内,最重要的是注意稳定的晶体频率.检查晶体的“活性”,因为它表明晶体振动的强度,并且进行“泄漏测试”以确保晶体与其环境密封,以防止单元的劣化.
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142019-03

CITIZEN CRYSTAL工程师的技术笔记收藏
西铁城晶振主要生产石英晶体,贴片晶振,有源晶振等水晶振荡子,拥有一流的生产技术以及超前的仪器设备.亿金电子作为国内有名的晶振供货商,早已获得CITIZEN晶振代理权限,为广大用户提供各种封装尺寸的晶振产品.以下是CITIZEN晶振的技术笔记收藏,欢迎大家参阅.
水晶切割和它的种类

切削方向,振动模式和频率范围之间的关系

石英晶体振荡器的等效电路
晶体单元可以由电感,电容和电阻的串联电路表示,以及电气等效电路,其中电容与其并联连接,如下图所示,靠近其主谐振频率.
这里,C0是在端子之间添加杂散电容的电极之间的电容,并且通常被称为并联电容.
L1和C1是作为机电振动系统的石英晶体振荡器的等效常数,并且由切割类型,切割角度,石英片的外部尺寸,电极结构等确定,它可以制造.
R1表示振动损失,这取决于诸如换能器处理方法,存储方法和几何形状的条件.
L1称为等效串联电感,C1称为等效串联电容,R1称为等效串联电阻.

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052019-03

西迪斯2520有源晶振编码

ECS晶振是美国知名晶体元件制造商,一直以来为广大用户创造了大量优异的晶振产品,从陶瓷谐振器到有源晶体振荡器,各种规格的晶振晶体满足市场需求.ECS有源晶振从小体积2016mm~7050mm晶振,频率范围宽广,精度稳定,性能强.

原厂编码	品牌	型号	频率	电压	输出	封装尺寸
ECS-2025-200-A-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-AM-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-AN-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-AU-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-B-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-BM-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-BN-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-BU-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-C-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-CM-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-CN-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2025-200-CU-TR	ECS晶振	ECS-2025	20MHZ	2.5V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-A-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-AM-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-AN-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-AU-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-B-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-BM-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-BN-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-BU-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-C-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-CM-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-CN-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2033-200-CU-TR	ECS晶振	ECS-2033	20MHZ	3.3V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-A-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-AM-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-AN-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-B-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-BM-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-BN-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-C-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-CM-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9
ECS-2018-200-CN-TR	ECS晶振	ECS-2018	20MHZ	1.8V	HCMOS	2.52.00.9