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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子

频率:120MHz

尺寸:5032mm

XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子,瑞萨晶振公司,瑞萨XL器件(XO和VCXO选项)是超精密晶体振荡器,典型相位抖动为750至890fs,带宽为12kHz至20MHz。XL系列晶体振荡器的频率范围从0.750MHz到1350MHz,瑞萨晶振采用一系列专有的asic,重点关注降噪技术。三阶δ σ调制器将噪声降低到与传统的大块石英和SAW振荡器相当的水平。XL设备交货时间短,成本低,噪音低,频率范围宽,环境性能优异,是传统技术的绝佳选择。XL (XO选项)设备的稳定性为±20ppm, XL (VCXO选项)设备的apr为±50ppm。进口晶振,有源晶振,贴片晶振,石英晶振,SMD晶振  ,OSC晶振,高品质晶振,高性能晶振,无人机晶振,航空航天晶振.
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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子,瑞萨晶振公司,瑞萨XL器件(XO和VCXO选项)是超精密晶体振荡器,典型相位抖动为750至890fs,带宽为12kHz至20MHz。XL系列晶体振荡器的频率范围从0.750MHz到1350MHz,瑞萨晶振采用一系列专有的asic,重点关注降噪技术。三阶δ σ调制器将噪声降低到与传统的大块石英和SAW振荡器相当的水平。XL设备交货时间短,成本低,噪音低,频率范围宽,环境性能优异,是传统技术的绝佳选择。XL (XO选项)设备的稳定性为±20ppm, XL (VCXO选项)设备的apr为±50ppm。进口晶振,有源晶振,贴片晶振,石英晶振,SMD晶振  ,OSC晶振,高品质晶振,高性能晶振,无人机晶振,航空航天晶振.

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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子

标志 参数 Test Condition Minimum Typical Maximum Units
F 输出频率范围 LVDS. 0.75 - 1350 MHz
LVPECL. 0.75 - 1350
LVCMOS. 0.75 - 250
频率容差 Temperature = -20°C to +70°C. -20
-25
-50
-100
- +20
+25
+50
+100
ppm
Temperature = -40°C to +85°C. -25
-50
-100
- +25
+50
+100
ppm
Temperature = -40°C to +105°C. -50
-100
- +50
+100
ppm
输出负载 LVDS. - 100 - Ω
LVPECL. - 50 -
LVCMOS. - 15 - pF
TST 启动时间 Output valid time after VDD meets minimum specified level. - - 10 ms
tR 输出上升时间 LVDS. - - 400 ps
LVPECL. - - 400
LVCMOS. - - 3 ns
tF 输出下降时间 LVDS. - - 400 ps
LVPECL. - - 400
LVCMOS. - - 3 ns
ODC 输出时钟占空比 LVDS. 47 - 53 %
LVPECL. 47 - 53
LVCMOS. 47 - 53
TOE 输出启动/禁用时间 - - - 100 ns
JPER 周期抖动,RMS LVDS. - 3 - ps
LVPECL. - 5.8 -
LVCMOS. - 5 -
RJ 随机抖动 LVDS. - 1.3 - ps
LVPECL. - 1.29 -
LVCMOS. - 0.6 -
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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子

XL


XL

XL2

原厂编码 生产商品牌 型号 频率 输出 电源电压 频率容差
XLL525212.500000I Renesas晶振 XL 212.5 MHz LVDS 2.5V ±50ppm
XLH335050.000000K Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLL330120.000000X Renesas晶振 XL 120 MHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLH335001.024000I Renesas晶振 XL 1.024 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLL325040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz LVDS 2.5V ±50ppm
XLL530108.000000I Renesas晶振 XL 108 MHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLL338C50.000000X Renesas晶振 XL 1.25 GHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLH335016.625000I Renesas晶振 XL 16.625 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH736040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH330012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLL335125.000000I Renesas晶振 XL 125 MHz LVDS 3.3V ±50ppm
XLH335001.000000X Renesas晶振 XL 1 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH330016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH325020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH725027.000000I Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH336050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH335050.000JX4I Renesas晶振 XL 50 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH335025.000JX4I Renesas晶振 XL 25 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735024.576JU4X Renesas晶振 XL 24.576 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735012.000JU4X Renesas晶振 XL 12 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH336024.000000I Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH336020.000000I Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH336050.000000I Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336016.000000I Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536016.000JS4I Renesas晶振 XL 16 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736025.000JU4I Renesas晶振 XL 25 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736012.000JU4I Renesas晶振 XL 12 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH526027.000000X Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH526026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH520012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320027.000000X Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520025.000000X Renesas晶振 XL 25 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320033.333000X Renesas晶振 XL 33.333 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH725020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH520016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH330048.000000X Renesas晶振 XL 48 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH320012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH520048.000000X Renesas晶振 XL 48 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520040.000000X Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720040.000000X Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH725012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH725024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH720050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH325024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH525010.000000X Renesas晶振 XL 10 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm

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FMVC3S系列晶振,为FMI有源晶振,是美国进口晶振。该晶振的频率范围是1.54~200MHz,标准频率容差是±50 ppm,具有良好的稳定性,标准工作温度范围是0~70度,电源电压为3.3V,是VCXO晶振,HCMOS / TTL兼容,储存温度是-55~125度,尺寸为7.0 x 5.0mm,是7050振荡器,SMD压控振荡器。压控晶振的频率温度稳定性由石英谐振器和振荡电路两方面的温度特性引起,通常以石英谐振器的温度特性为主。对于高频宽压控晶振,经常会出现晶振的温频特性相对于石英谐振器的温频特性出现明显偏移和恶化的情况。如果将该晶振用于应答机中,将会减小应答机在宽温下的信号搜索范围,降低使用性能。

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AXTAL晶振中的AXPS10晶振,为SAW振荡器,也叫声表面波振荡器,适用于汽车门遥控开关,内部捕捉系统,数据链接,胎压监控系统,无线安全系统,无线条码的读取,无线键盘,无线鼠标,无线操纵杆,遥控灯开关等。该晶振的尺寸是20.3x13.0x5.7mm,频率范围为500~1600MHz,工作温度范围是-40~85度,为石英晶振,进口SMD晶振。声表面波振荡器具有低损耗,低耗能,低功耗,低差损,低电压,低抖动,低电平,低电源电压,低衰减,低相控,低相噪的特点。

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压控晶体振荡器是石英晶体振荡器的一种, 主要用于调频及锁相技术 。具有传输性能好、抗干扰性强 、节省功率等优点。德国进口晶振的AXIS45S晶振就是一款VCXO压控晶振,该AXTAL晶振的频率范围是10~100MHz,电源电压为5V,尺寸是20.7x13.1x7.5 mm,为进口石英晶振。压控晶体振荡器由于具有频率可调的特点,成为各种接收机和应答机中不可或缺的关键部件。在这些设备中,为了补偿晶振长期老化、收发信号间多普勒频移等因素的影响,通常要求压控晶振具有较宽的压控范围; 并且,为了适应野外、 空间等工作环境,还要求在宽温范围内具有良好的频率温度稳定性。

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