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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子

频率:120MHz

尺寸:5032mm

XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子,瑞萨晶振公司,瑞萨XL器件(XO和VCXO选项)是超精密晶体振荡器,典型相位抖动为750至890fs,带宽为12kHz至20MHz。XL系列晶体振荡器的频率范围从0.750MHz到1350MHz,瑞萨晶振采用一系列专有的asic,重点关注降噪技术。三阶δ σ调制器将噪声降低到与传统的大块石英和SAW振荡器相当的水平。XL设备交货时间短,成本低,噪音低,频率范围宽,环境性能优异,是传统技术的绝佳选择。XL (XO选项)设备的稳定性为±20ppm, XL (VCXO选项)设备的apr为±50ppm。进口晶振,有源晶振,贴片晶振,石英晶振,SMD晶振  ,OSC晶振,高品质晶振,高性能晶振,无人机晶振,航空航天晶振.
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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子,瑞萨晶振公司,瑞萨XL器件(XO和VCXO选项)是超精密晶体振荡器,典型相位抖动为750至890fs,带宽为12kHz至20MHz。XL系列晶体振荡器的频率范围从0.750MHz到1350MHz,瑞萨晶振采用一系列专有的asic,重点关注降噪技术。三阶δ σ调制器将噪声降低到与传统的大块石英和SAW振荡器相当的水平。XL设备交货时间短,成本低,噪音低,频率范围宽,环境性能优异,是传统技术的绝佳选择。XL (XO选项)设备的稳定性为±20ppm, XL (VCXO选项)设备的apr为±50ppm。进口晶振,有源晶振,贴片晶振,石英晶振,SMD晶振  ,OSC晶振,高品质晶振,高性能晶振,无人机晶振,航空航天晶振.

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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子

标志 参数 Test Condition Minimum Typical Maximum Units
F 输出频率范围 LVDS. 0.75 - 1350 MHz
LVPECL. 0.75 - 1350
LVCMOS. 0.75 - 250
频率容差 Temperature = -20°C to +70°C. -20
-25
-50
-100
- +20
+25
+50
+100
ppm
Temperature = -40°C to +85°C. -25
-50
-100
- +25
+50
+100
ppm
Temperature = -40°C to +105°C. -50
-100
- +50
+100
ppm
输出负载 LVDS. - 100 - Ω
LVPECL. - 50 -
LVCMOS. - 15 - pF
TST 启动时间 Output valid time after VDD meets minimum specified level. - - 10 ms
tR 输出上升时间 LVDS. - - 400 ps
LVPECL. - - 400
LVCMOS. - - 3 ns
tF 输出下降时间 LVDS. - - 400 ps
LVPECL. - - 400
LVCMOS. - - 3 ns
ODC 输出时钟占空比 LVDS. 47 - 53 %
LVPECL. 47 - 53
LVCMOS. 47 - 53
TOE 输出启动/禁用时间 - - - 100 ns
JPER 周期抖动,RMS LVDS. - 3 - ps
LVPECL. - 5.8 -
LVCMOS. - 5 -
RJ 随机抖动 LVDS. - 1.3 - ps
LVPECL. - 1.29 -
LVCMOS. - 0.6 -
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XLL330120.000000X晶振,遥遥领先的北斗卫星定位晶振,Renesas电子

XL


XL

XL2

原厂编码 生产商品牌 型号 频率 输出 电源电压 频率容差
XLL525212.500000I Renesas晶振 XL 212.5 MHz LVDS 2.5V ±50ppm
XLH335050.000000K Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLL330120.000000X Renesas晶振 XL 120 MHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLH335001.024000I Renesas晶振 XL 1.024 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLL325040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz LVDS 2.5V ±50ppm
XLL530108.000000I Renesas晶振 XL 108 MHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLL338C50.000000X Renesas晶振 XL 1.25 GHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLH335016.625000I Renesas晶振 XL 16.625 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH736040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH330012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLL335125.000000I Renesas晶振 XL 125 MHz LVDS 3.3V ±50ppm
XLH335001.000000X Renesas晶振 XL 1 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH330016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH325020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH725027.000000I Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH336050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH335050.000JX4I Renesas晶振 XL 50 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH335025.000JX4I Renesas晶振 XL 25 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735024.576JU4X Renesas晶振 XL 24.576 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735012.000JU4X Renesas晶振 XL 12 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH336024.000000I Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH336020.000000I Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH336050.000000I Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336016.000000I Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536016.000JS4I Renesas晶振 XL 16 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736025.000JU4I Renesas晶振 XL 25 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736012.000JU4I Renesas晶振 XL 12 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH526027.000000X Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH526026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH520012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320027.000000X Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520025.000000X Renesas晶振 XL 25 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320033.333000X Renesas晶振 XL 33.333 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH725020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH520016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH330048.000000X Renesas晶振 XL 48 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH320012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH520048.000000X Renesas晶振 XL 48 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520040.000000X Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720040.000000X Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH725012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH725024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH720050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH325024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH525010.000000X Renesas晶振 XL 10 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm

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X1E000021016316,TSX-3225型号晶振,爱普生高品质晶振,作为日本爱普生晶振旗下高端晶振产品,TSX-3225系列依托品牌近百年石英晶体技术积淀,采用高纯度石英晶体材料与先进光刻工艺,从源头把控晶体谐振稳定性.生产过程中历经多轮精密检测,包括频率精度校准,温度特性测试,可靠性验证等,确保每一颗晶振的频率偏差控制在±10ppm以内,老化率低至±1ppm/年,远优于行业平均水平,为设备长期稳定运行提供核心保障.
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ABS06-32.768KHZ-9-1-T,2012小型晶振,艾博康无源晶振,该晶振采用2012贴片晶振封装(2.0mm×1.2mm),属于超小型化封装规格,能最大限度节省PCB板空间,完美适配智能手机,智能穿戴设备,小型IoT模块等"轻薄化,高密度布局"的电子产品.同时,2012封装支持SMT(表面贴装技术)自动化批量焊接,焊接精度高,焊点稳定性强,可减少人工组装误差,提升生产效率,且紧凑的封装结构能增强晶振的抗振动性能,在便携式设备日常携带,移动使用场景中,有效避免因振动导致的接触不良,保障设备稳定运行.
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