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专业人士对于晶振振荡频率差异的概述
基于安装在用于电路研究的电路板上的晶振晶体单元的振荡频率(具有指定的负载电容CL),找到安装在目标板上时与振荡频率的偏差.偏差量称为“振荡频率差”.
1、室温下的晶振频率差异
首先,我们将在此解释常温条件下石英晶体振荡频率的差异.振荡频率的差异由等式dF/F表示.振荡频率差异的细节在等式(1)中给出.(有关每个符号的内容,请参见下文.)
dF：电路上的晶体振荡器振荡频率与参考频率
F之间的差值：参考频率
a：指定负载电容下的晶体振荡器振荡频率CL
b：电路上的晶体振荡器振荡频率
应注意,标准F(等式(1)中的a的数字)不是标称频率.
以下是振荡频率的差异如何根据参考F是a还是标称频率而不同的示例.
晶体振荡器标称频率：25.000000MHz
a：25.000100MHz
b：25.000075MHz
在上述情况下,振荡频率的差异如下.
(A)：当参考F为a时：(B)：当参考F为标称频率时：NDK晶振在电路研究中使用的振荡频率的差值为(A).
2、考虑晶振频率容差时
考虑到石英晶体单元的乘积之间的频率变化,即室温下的频率容差,为了知道振荡频率的准确性,使用通过方法①获得的值.添加单项的频率容差.在考虑产品之间的频率变化的条件下振荡频率的精度由等式(2)表示.
(例1)
·振荡频率差：+10ppm
·单晶单元的频率容差：±30ppm以内·②代入+10ppm±30ppm=-20ppm~+40ppm.
3、在考虑晶振频率容差和晶振频率温度特性时
为了在考虑产品之间的频率变化的同时知道SMD晶振温度变化时振荡频率的准确性,仅将晶体单元的频率温度特性加到通过方法②获得的值.你考虑到产品之间的频率变化,在温度改变的条件下振荡频率的精度由等式(3)表示.
(例2)
·振荡频率差：-10ppm
·单晶单元的频率容差：±40ppm以内·单晶单元的频率温度特性：±50ppm以内(保证工作温度范围内)
·代入③然后,-10ppm±40ppm±50ppm=-100ppm至+80ppm
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