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使用集成电路的晶体振荡器
大多数内置晶体振荡器电路的 IC 都使用 Gated Pierce 设计，其中振荡器围绕单个 CMOS 反相门构建。对于振荡器应用，这通常是一个单反相级，包括一个 P 通道和一个 N 通道增强模式 MOSFET，在数字世界中通常称为无缓冲逆变器（见图 1）。可以使用缓冲逆变器（通常由三个串联的 P-N MOSFET 对组成），但相关的数千个增益将导致成品振荡器可能不太稳定。
图 3 显示了无缓冲 HCMOS 逆变器 74HCU04 的直流传输特性（Vin 与 Vout）和直流偏置点线。在 3.3V 和 1MΩ 的 Rf 下，逆变器的输入和输出电压将为 ~1.65V。现在说这个逆变器在其线性区域是偏置的。输入电压的微小变化将被增益放大，并表现为输出电压的较大变化。
图 3 显示了无缓冲 HCMOS 逆变器 74HCU04 的直流传输特性（Vin 与 Vout）和直流偏置点线。在 3.3V 和 1MΩ 的 Rf 下，逆变器的输入和输出电压将为 ~1.65V。现在说这个逆变器在其线性区域是偏置的。输入电压的微小变化将被增益放大，并表现为输出电压的较大变化。
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