名称

CX1008

用途

智能手机、穿戴式终端

外形尺寸

1.0X0.8㎜

产品高度

0.30mm

频率容许误差

±10ppm

频率温度特性

±10ppm（-30℃～+85℃）

CI值（串联电阻）

60ΩMAX（37.4MHz）

生产基地

京瓷晶体元件株式会社滋贺八日市事业所

额定频率范围(MHz)

32to80

尺寸大小(L×W×H:mm)

1.0×0.8×0.30

泛波次数

Fundamental

频率偏差(25±3℃)

±10×10^-6

频率温度特性(以25℃为基准)

±10×10^-6(32to60MHz)
±15×10^-6(60to80MHz)

工作温度范围(*1)(℃)

-30to+85

储存温度范围(℃)

-40to+85

等效串联阻抗(额定频率：以上～未满)

Max.150Ω(32to37.4MHz)
Max.80Ω(37.4to48MHz)
Max.60Ω(48to80MHz)

驱动功率

10µW

负载电容

8pF

规格料号

STD-CIY-1

晶振规格

单位

8A晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

37.4MHZ~60MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-30°C～+85°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C～+85°C

标准温度

激励功率

DL

200μWMax.

推荐:1μW～100μW

频率公差

f_—l

±50×10^-6(标准),
(±15×10^-6～±50×10^-6可用)

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/

频率温度特征

f_tem

±30×10^-6/-20°C～+70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF,10PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R₁

如下表所示

-40°C—+85°C,DL=100μW

频率老化

f_age

±5×10^-6/yearMax.

+25°C,第一年

型号名称

DX1008JS晶振

频率范围

48MHz

52MHz

80MHz

96MHz

120MHz

泛音顺序

根本

负载能力

8pF,10pF,12pF

激励程度

10μW（最大100μW）

频率容差偏差

±20×10^-6（25°C时）

±100×10^-6（25°C时）

串联电阻

最大100Ω

最大60Ω

最大40Ω

频率温度特性

±30×10^-6/-30至+85°C（参考温度至25°C）

储存温度范围

-40至+85°C

包装单位（1）

3000个/卷（φ180）

DS1008JS晶振

一个符号

标准值

条件

分钟.

（典型值）.

最大.

单位

输出频率范围

FO

1

-

100

兆赫

电源电压

V_CC

+1.6

-

+3.6

V

频率允许偏差
（包括室温偏差）

f_tol

-100

-

+100

×10^-6

-40至+125°C

-20至+70°C
（标准工作温度范围）

-50

-

+50

-30

-

+30

-30至+85°C

-20

-

+20

-20

-

+20

-20至+70°C

当前消费

我_CC

-

-

1.8

毫安

fo=24MHz,V_CC=+1.8V,无负载

待机电流（＃1引脚“L”）

I_STD

-

-

0.01

毫安

输出负载

L__CMOS

-

-

15

pF的

波形对称

SYM

45

50

55

％

在50％V_CC下,fo<60MHz

上升时间,下降时间

tr,tf

-

-

五

NS

10至90％V_CC电平

输出启用时间

tPZL

-

-

2

MS

输出禁用时间

tPLZ

-

-

200

NS

OE引脚1电平输入电压

V_IH

V_CC×0.8

-

-

V

OE引脚0电平输入电压

V_IL

-

-

V_CC×0.2

V

包装单位（1）

3000pcs./reel(φ180）