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热门关键词 : 32.768K晶振石英晶体谐振器陶瓷谐振器加高晶振石英晶振陶瓷雾化片石英晶体振荡器爱普生晶振NDK晶振

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Vishay晶振冲击水平和破碎的晶体导致的故障,需要5.0V时钟

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 浏览：- 发布日期：2022-05-26 14:25:03【大 中 小】
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晶体的厚度决定了频率。对于0.001"(0.0254mm)厚的AT切割晶体，大约是63MHz基模谐振器。如果厚度加倍，则谐振频率将为0.5*63MHz或31.5MHz。

XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面贴装 振荡器
XO37CRECNA50M
Vishay
XOSM-573 Series 50 MHz 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DREHNA18M432
Vishay
XOSM-573 Series 18.432 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA30M
Vishay
XOSM-573 Series 30 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA33M33
Vishay
XOSM-573 Series 33.33 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面贴装 振荡器
XO57CTEHNA2M4576
Vishay
XOSM-57 Series 2.4576 MHZ 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator

8MHz晶体的厚度为0.0078"(0.200mm)。4MHz晶体的厚度为0.0157"(0.400mm)。

遇到两个限制特定尺寸封装的最低频率的条件：

1) 简单的条件，较新的薄型陶瓷LCC封装将不接受较厚的晶体。根据封装的不同，频率下限范围从8MHz到12MHz甚至更低。

XO57DRECNA14M7456
Vishay
XOSM-57 Series 14.756 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57DTECNA19M6608
Vishay
XOSM-57 Series 19.6608 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO63DTEHNA30M
Vishay
XO63 30 MHz 50 PPM 表面贴装 振荡器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面贴装 振荡器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面贴装 振荡器
XOSM-573AARE25M
Vishay
XOSM 25.000 MHz 7 x 5 mm 3.3 V 振荡器
XOSM-57AARE6.0000M
Vishay
XOSM-57 Series 6 MHz 7 x 5 mm 5 V ±25 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XOVC1CDNA1M
Vishay
XOVC-23 系列 1 MHz 5 V 100 ppm 全尺寸 压控晶体振荡器

2) 请记住，石英晶体是一种振动机械装置。对于最佳设计，那些具有较低ESR(CI)和无扰动（导致频率跳跃的不希望的振动模式）的设计，振动区域旨在位于晶体的中心区域。

当晶体频率较低且晶体较厚时，振动区域与边缘的机械耦合程度更高。在这种情况下，扰动（不需要的共振）变得难以控制，几乎不可能控制。解决方法是对水晶进行斜切或轮廓处理（使水晶看起来更像放大镜凹形）。边缘的这种变薄将振动区域限制在晶体中心并允许控制扰动。

7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm

不幸的是，限制振动区域会显着增加ESR。例如在12MHz：

SM13T5x7mm晶体ESR最大值为50欧姆

SM11T3.2x5mm晶体ESR最大值为80欧姆

对于这个例子，低于12MHz的SM11T是不实用的，因为ESR变得非常大。

5VCMOS时钟振荡器的可用性正在下降。这是使用现成的3.3V时钟振荡器的解决方案。

7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO  100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm

Pletronics晶振SM33xxT、SM44xxT、SM55xxT、SM77xxH和SM77xxD系列3.3V振荡器可与该电路配合使用，以满足对5.0V时钟石英晶体振荡器的需求。产生的信号特性将等于或优于旧的5V时钟振荡器。

7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO  32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO  11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm

Pletronics Inc.致力于按时提供最高质量的设备以满足客户的要求。在过去的一年中，市场状况导致陶瓷封装供应商的交货时间增加。为了继续响应我们客户的需求，Pletronics Inc.希望在Pletronics产品系列中增加一种陶瓷封装类型。

8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO  26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO  66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±25ppm

当前的陶瓷封装和提议的添加都由同一家公司制造。制造地点、组装材料、镀层厚度和成分保持不变。更改主要涉及封装中走线的位置和布线。

BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO  161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO  20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm

加载

此参数适用于负载或并联谐振振荡器电路中使用的晶体。Cload是在频率校准期间使用的电容值，以pf为单位。例如18PF

BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO  62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm

ESR（等效串联电阻）：

该电阻代表晶体在其谐振频率下的等效阻抗，以欧姆为单位。例如最大50欧姆

泛音：

晶体在其基频和高于基频的奇次谐波处具有尖锐的谐振峰。设计用于这些谐波之一的晶体称为泛音晶体。在更高的振荡器频率下，泛音设计通过使用更厚且更容易制造的晶体元件来降低成本。

TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO  19.2MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO  38.4MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±50ppm

今天使用的大多数晶体是基本的或第三泛音。例如基金

校准公差：

这是25°C时与标称频率的最大偏差。校准容差以百万分率(ppm)为单位指定。例如±30ppm

7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  20MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  13MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  50MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO  24MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±50ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm

 稳定：稳定性是在以25°C为参考的指定工作温度范围内晶体频率的最大偏差。与校准容差一样，稳定性以ppm为单位指定。校准容差和稳定性的综合影响在工作温度范围内是相加的。例如±50ppm

TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
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TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
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