欢迎光临深圳市亿金电子有限公司!

收藏本站网站地图 会员登录 会员注册

深圳市亿金电子有限公司

ShenZhen YiJin Electronics CO., LTD

全球咨询热线全球咨询热线 手机端手机端 手机端

请拨打：0755-27876565

热门关键词 : 32.768K晶振石英晶体谐振器陶瓷谐振器加高晶振石英晶振陶瓷雾化片石英晶体振荡器爱普生晶振NDK晶振

当前位置：首页 » 新闻中心 » 行业新闻 » Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用

Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用

返回列表 来源：亿金电子 查看手机网址
扫一扫!Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用扫一扫!
 浏览：- 发布日期：2022-06-07 09:53:07【大 中 小】
分享到：

Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用,7W-24.000MBE-T,晶体的电行为就好像它是一个电感器,振荡频率比晶体的串联谐振频率高30ppm到300ppm.与皮尔斯振荡器相比,它的启动速度更快(通常为100毫秒)并消耗更高的电流.

CoreElectronics是晶体、振荡器和谐振器的制造商，在频率控制产品方面拥有40多年的经验。

AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  27MHz ±50ppm
AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  27MHz ±50ppm
AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  27MHz ±50ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±25ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±25ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  12MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  12MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  12MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±25ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm

Core还扩大了我们的产品基础，因为我们现在是电子元件的特许经销商。我们专注于无源、光电、半导体和机电元件，例如：电容器、连接器、LED、电感器、铁氧体磁珠、电位器、继电器、开关等等！

7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±50ppm
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±50ppm
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  24MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  24MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  24MHz ±50ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±50ppm
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  106.25MHz ±50ppm
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  106.25MHz ±50ppm
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  106.25MHz ±50ppm
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb

无论是通过越来越多的分销商销售我们自己的产品，还是营销其他人的产品。以专业的关怀、知识、非凡的礼貌和对细节的无与伦比的关注来满足客户的需求将永远是COREELECTRONICS的使命。

7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO  19.2MHz ±25ppm
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO  19.2MHz ±25ppm
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO  19.2MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±25ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO  24.576MHz ±25ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO  24.576MHz ±25ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO  133.33MHz ±50ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO  133.33MHz ±50ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO  133.33MHz ±50ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  100MHz ±50ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  100MHz ±50ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  100MHz ±50ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO  133.33MHz ±50ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO  133.33MHz ±50ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO  133.33MHz ±50ppm

新的LVDS和LVPECL差分输出石英晶体振荡器

–Statek Corporation，设计和制造领域的领导者制造高可靠性频率控制产品，宣布发布

CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO  150MHz ±50ppm
CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO  150MHz ±50ppm
CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO  150MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO  156.25MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO  156.25MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO  156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  156.25MHz ±50ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  166MHz ±50ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  166MHz ±50ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  166MHz ±50ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm

    DFXO石英晶体振荡器。差分输出石英晶体振荡器可用在LVDS和LVPECL输出。这个5mmx7mm高频（20MHz至300MHz）振荡器具有低相位噪声和低相位抖动，采用基本晶体实现频率高达155.52MHz。适用于Xilinx FPGA参考时钟应用。提供扩展工业温度范围（-40°C至+105°C）。内部的去耦电容；不需要外部电容器。

BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb

Statek是设计、开发和制造高度可靠、超小型、用于医疗电子、航空航天的石英频率控制产品，国防和工业市场。

如需更多信息并讨论您的具体操作要求，请联系0755-27876565

BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.8432MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.8432MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.8432MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO  12.288MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO  12.288MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO  12.288MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm

晶体控制振荡器可分为两个基本组：正电抗或负电抗。正电抗模式通常称为“并联谐振”或“反谐振”振荡器。皮尔斯振荡器是一种众所周知的正电抗振荡器。负电抗模式通常被称为串联振荡器。Statek晶体针对特定的操作模式进行设计和调整。

TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO  14.7456MHz ±50ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO  14.7456MHz ±50ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO  14.7456MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO  8.192MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO  8.192MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO  8.192MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO  32.768MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO  32.768MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO  32.768MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  36MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  36MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  36MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  27MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  27MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  27MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  48MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  48MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  48MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.544MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.544MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.544MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm

皮尔斯振荡器采用单个反相器，带有两个相移电容器和晶体，在反馈回路中提供180ºC相移。晶体的电行为就好像它是一个电感器。振荡频率比晶体的串联谐振频率高30ppm到300ppm。如果晶体从电路中移除，振荡器通常会停止振荡。与串联振荡器相比，皮尔斯振荡器通常启动较慢且消耗的电流较少。小型便携式设备（电池供电），包括手持式数据输入终端，使用了皮尔斯振荡器。

7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  25MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  25MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  25MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  6MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  6MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  6MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO  33.333MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO  33.333MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO  33.333MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm

通常，串联振荡器由两个级联的反相器组成，晶体连接在第二个反相器输出和第一个反相器输入之间。晶体在电气上的行为就好像它是一个电容器。如果晶体被移除，振荡器通常会以更高的频率自由运行。与皮尔斯振荡器相比，它的启动速度更快（通常为100毫秒）并消耗更高的电流。

7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  20MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  20MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  20MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm

晶体或振荡器类型的选择主要取决于性能要求。总结了穿孔和串联振荡器的性能特点。CX-1V晶体具有比CX-1H更高的Q，因为它被密封在真空封装中。CX-1H晶体具有大约3到5倍的运动阻力（较低的Q），因为它在接近大气压的情况下被密封。

TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TC-13.513MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 13.513MHz ±25ppm
TC-13.513MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 13.513MHz ±25ppm

“推荐阅读”

    【本文标签】：Statek晶振155.52MHz皮尔斯振荡器适用于Xilinx FPGA参考时钟应用 7W-24.000MBE-T
    【责任编辑】：亿金电子版权所有：http://www.vc-tcxo.com转载请注明出处

    相关行业新闻

    最新资讯文章

    Fast Track
    快速通道

    国内晶振分类：
    Domestic Crystal
    陶瓷晶振
    泰艺晶振
    TXC晶振
    鸿星晶振
    希华晶振
    加高晶振
    百利通亚陶晶振
    嘉硕晶振
    津绽晶振
    石英晶体谐振器
    SMD晶振
    MERCURY晶振
    应达利晶振
    AKER晶振
    香港NKG晶振
    石英晶振
    有源晶振
    声表面滤波器
    雾化片
    32.768K
    温补晶振
    VC-TCXO晶振
    差分晶振
    压控晶振
    恒温晶振
    石英晶体振荡器
    陶瓷谐振器
    进口晶振分类：
    Import Crystal
    京瓷晶振
    精工晶振
    西铁城晶振
    村田晶振
    大河晶振
    CTS晶振
    微晶晶振
    瑞康晶振
    康纳温菲尔德晶振
    高利奇晶振
    Jauch晶振
    AbraconCrystal晶振
    维管晶振
    ECScrystal晶振
    日蚀晶振
    拉隆晶振
    格林雷晶振
    SiTimeCrystal晶振
    IDTcrystal晶振
    PletronicsCrystal晶振
    StatekCrystal晶振
    KDS Quartz crystal
    NDK Quartz crystal
    EPSON Quartz crystal
    AEK晶振
    AEL晶振
    Cardinal晶振
    Crystek晶振
    Euroquartz晶振
    福克斯晶振
    Frequency晶振
    GEYER晶振
    ILSI晶振
    KVG晶振
    MMDCOMP晶振
    MtronPTI晶振
    QANTEK晶振
    QuartzCom晶振
    QuartzChnik晶振
    SUNTSU晶振
    Transko晶振
    WI2WI晶振
    富士晶振
    韩国三呢晶振
    ITTI晶振
    ACT晶振
    Milliren晶振
    Lihom晶振
    rubyquartz晶振
    Oscilent晶振
    NAKA晶振
    SHINSUNG晶振
    SMI晶振
    PDI晶振
    C-TECH晶振
    IQD晶振
    Microchip晶振
    NJR晶振
    Silicon晶振
    Fortiming晶振
    CORE晶振
    NIPPON晶振
    NIC晶振
    QVS晶振
    Bomar晶振
    Bliley晶振
    GED晶振
    FILTRONETICS晶振
    STD晶振
    Q-Tech晶振
    Anderson晶振
    Wenzel晶振
    NEL晶振
    EM晶振
    PETERMANN晶振
    FCD-Tech晶振
    HEC晶振
    FMI晶振
    Macrobizes晶振
    AXTAL晶振
    瑞萨renesas晶振
    Skyworks晶振
    亿金首页32.768K贴片晶振有源晶振声表面滤波器KDS晶振NDK晶振爱普生晶振行业新闻联系亿金网站地图

    Copyright © 1996-2012

    深圳亿金电子有限公司版权所有

    备案号：粤ICP备17105583号-1