10兆赫/100兆赫精密超低相噪双通道频率OCXO参考模块
电子产品正在向小型,高精度,高度集成化方向发展,石英晶振产品作为电子产品必不可缺的元器件,它的性能也一直在跟随着市场需求而不断提高.几乎上所有的晶振厂家都在这条道路上坚定而快速的行进着.随着5G,自动驾驶,AI等高端技术的出现,许多晶振厂家纷纷推出具备低相噪性能的石英晶体振荡器,以满足5G应用设备对频率信号的需求.就在今年一月份,NEL晶振就推出了10兆赫/100兆赫精密超低相噪双通道频率OCXO参考模块(DFRM).
DFRM由2个10兆赫和100兆赫的超低相位噪声OCXO组成.该模块封装在一个非常小的密封金属罐中(“欧洲包”)36x27x25毫米.100兆赫的单元相位/频率锁定在10兆赫.(该模块还提供将100兆赫OCXO锁定到外部的能力参考文献5*).低频OCXO提供了出色的频率稳定性温度,时间(老化),供应和负载变化以及异常情况接近载波的低相位噪声和短期稳定性(艾伦方差).100MHzOCXO在噪底和高输出上提供超低相位噪声力量.
该恒温晶振的特性如下:
① 两个频率输出:10.000兆赫和100.000兆赫
② 超低相位噪声
③ 偏移1赫兹时,0-115分贝/赫兹;偏移10赫兹时,10兆赫时,0-145分贝/赫兹
④ 0-123分贝/赫兹(10赫兹偏移),至-178分贝/赫兹(100千赫兹,100兆赫)
⑤ ±2 ppb的出色温度稳定性
⑥ 0.25 ppb/天的低老化
⑦ 出色的短期稳定性1秒时ADEV < 1E-12
⑧ 非常小的密封包装
这款有源晶振的应用范围如下:
① 使用仪器
② 高性能合成器
③ 雷达
④ 电信设备
该有源晶振的部分参数如下:
Frequency
F10
10.000
MHz
F100
100.000
Frequency stability
6F/F
vs. Temp. 4*
±20
ppb
vs. Supply
0.2
0.3
ppb/10%Vcc
Aging
per day
per year, first year second year
5E-10
5E-8
2E-8
SSB Phase Noise
£(Δf)
1Hz
-115
dBc/Hz
(achieved after 10
10 Hz
-145
minutes warm-up)
100 Hz
-157
1 KHz
-162
10 KHz
-167
100 KHz
-168
1Hz
-90
dBc/Hz
10 Hz
-125
-123
100 Hz
-130
1 KHz
-160
10 KHz
-172
100 KHz
-178
1MHz
-180
Retrace
After 30 minutes
±10
ppb
G-sensitivity
worst direction
±1.0
ppb/G
Input Voltage
Vcc
4.75
5.0
5.25
V
Power consumption,
P
steady state, 25°C
2.2
2.5
W
Spectral Purity
Subharmonics
-70
-60
dBc
10 MHz
-60
-50
Spurious
-80
Harmonics
-35
-30
Load
Internally AC-coupled 50 Ohm both outputs
Warm-up time
y
to 0.1ppm accuracy
3
5
minutes
Output Waveform
Sinewave
Input impedance
Zin
At Vc pin
10
KOhm
Modulation bandwidth
Fm
DC
1
KHz
Reference Voltage
Vref
4.5
V
Output Impedance
At Vref pin
100
Ohm
这款石英晶振的相位噪声图如下:
以上是该OCXO晶振的部分参数及介绍,如您想要了解更加详细的参数的话,可以致电给我们,我们将全心全意为您服务.其实但从上述参数就能够看得出这款产品的性能优越性.如若不然,它也不能够被应用于雷达,高性能合成器,通信设备等对性能需求较高的设备上,这本身就从侧面诠释了其卓越的功能特性.