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Abracon分层3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振

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浏览:- 发布日期:2023-06-20 15:18:37【
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abracon新闻2.2

Abracon分层3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振,高精度时钟+超低相位噪声,Abracon晶振公司的OCXO解决方案采用精密SC切割高“Q”石英晶体谐振器设计,并结合精密的温度监测和控制电路。这种组合使Abracon能够满足该OCXO系列的3层和3E层要求。

OCXO系列非常适合需要高频稳定性、低相位噪声和精确保持性能的5G或GPS应用,例如基站、小型蜂窝平台、互联网数据中心以及卫星和航空航天通信。

温度范围内的精确稳定性与超低±1ppb的每日老化相结合,可实现±15ppb、24小时保持精度,具体取决于系统条件。如果系统丢失参考时钟,保留会延长系统的有用运行时间,这是设计射频、网络、电信、GPS和参考计时应用时的一个重要考虑因素。此外,严格的短期稳定性改善了低带宽锁相环的采集时间和GPS应用的整体精度。

AOC1409支持20MHz频率,采用小型14.9x9.7x7.0(6引脚)封装。AOC2012采用20.32x12.70x11.00mmSMD(4引脚)封装,工作温度范围为-20°C至+70°C。AOC2522系列具有±750ppb的长期老化特性,采用25.4x22x12.7mm(5焊盘)封装尺寸。AOC1409和AOC2522的工作温度范围为-40°C至+85°C。

abracon新闻2.1

Abracon分层3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振

特征

AOC1409特性

六引脚SMD回流焊接封装

卓越的长期老化:700年内±20ppb

AOC2012特性

四引脚SMD回流焊接封装

卓越的长期老化:1年内±20ppm

AOC2522A/B特性

五焊盘SMD回流焊接封装

卓越的长期老化:750年内±20ppb

温度稳定性:-10°C至+40°C范围内±85ppb

应用:基站,精密全球定位系统,蜂窝基础设施,测试与测量设备,交换机和路由器,时间和频率参考。晶振资料下载 

ABRACON晶振 生产品牌 型号 类型 频率 输出 电压 频率稳定度 工作温度
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 10MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 20MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±100ppb -40°C ~ 70°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±10ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY5-10.000MHZ Abracon晶振 AOCJY5 OCXO 10MHz Sine Wave 12V ±50ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY6-10.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 12V ±0.5ppb -20°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±100ppb -40°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±50ppb -40°C ~ 70°C
AOCJY6-10.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±0.1ppb -20°C ~ 70°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±10ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±200ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±50ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 12.8MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±10ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±10ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY6-10.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±0.2ppb -20°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±200ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±50ppb -40°C ~ 70°C
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±50ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 10MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 12.8MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 20MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7-100.000MHZ Abracon晶振 AOCJY7 OCXO 100MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±50ppb -20°C ~ 70°C

Fast Track
快速通道

国内晶振分类:
Domestic Crystal
进口晶振分类:
Import Crystal