NV7050S晶振,6脚带电压控制晶体振荡器,多种输出有源晶振

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NDK晶振,压控晶体振荡器,NV7050S晶振,6脚VCXO晶振

频率：15M~2100MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27876565

NDK-2 NDK晶振日本电波工业株式会社的发展历史：

1948 年在东京都中央区日本桥设立南部商工株式会社生产销售32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振等元器件.

1949 年开始晶体谐振器,晶体振荡器,有源晶振的制造、销售

1950 年 NDK晶振公司名变更为日本电波工业株式会社

总公司迁移登记至东京都涉谷区大山町

1954 年建设、迁移总公司及工厂至东京都涉谷区代代木新町（现为涉谷区西原）

1959 年日本电波工业株式NDK晶振会社开始晶体滤波器,晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器的制造

1960 年开始晶体振荡器,贴片晶振,声表面滤波器,陶瓷雾化片,石英晶体谐振器,石英晶体的制造

1962 年日本电波工业株式NDK晶振会社着手在崎玉县狭山市建立新工厂（现为狭山事业所）

1963 年在狭山事业所建成人工水晶工厂、开始人工水晶的制造

在狭山事业所建成水晶切断工厂,在日本证券业协会进行店面登记

1964 年在狭山事业所建成组装工厂

在大阪府大阪市设立大阪办事处

1970 年在新泻县新泻市建立Hawk Denshi株式会社（现为新泻NDK）

1975 年日本电波工业株式NDK晶振会社在美国加利福尼亚州设立美国办事处

1976 年在宫城县古川市（现为大崎市）建立古川NDK株式会社

1979 年在马来西亚建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生产销售32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等

日本电波工业株式NDK晶振会社为取得更大发展而解散美国办事处,设立NDK America, Inc.

1985 年日本电波工业株式会社NDK晶振在狭山事业所主楼竣工

1986 年在爱知县冈崎市设立中部营业所

在马来西亚建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（现为 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）

狭山事业所新馆竣工

1988 年在新加坡设立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（现为 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）

在英国设立NDK Europe Ltd.

1989 年北在北海道函馆市建立函馆NDK株式会社

1990 年在东京都新宿区西新宿设立总公司事务所在东京证券交易所市场第2部上市

1994 年在中国江苏省建立苏州日本电波工业有限公司,生产销售石英晶振,有源晶振,压控振荡器,恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等,在意大利设立NDK Italy Srl（现为 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001认证

1995 年在香港成立日本电波工业（香港）有限公司

1998 年 NDK取得QS9000认证在东京证券交易所市场第1部上市

1999 年狭山事业所取得ISO14001认证

2001 年在德国设立NDK Europe Ltd. German Office

2002 年 NDK America, Inc. 的总公司办公室搬至美国伊利诺斯州在美国伊利诺斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函馆市建立NRS Technologies Inc. 在中国上海设立日电波水晶（上海）贸易有限公司

2004 年在北海道千岁市成立千岁技术中心

2005 年函馆NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 总公司搬至东京都涉谷区笹冢

2008 年品质保证试验室取得ISO/IEC 17025：2005的认证获东京海关批准为特定出口商

2009 年狭山事务所内的新研发大楼"Laboratory ATOM"竣工在中国苏州设立苏州日电波贸易有限公司

2010 年 NDK石英晶振成为日本国内第一家遵循IFRS准则的企业

2014 年 NDK晶振集团取得ISO13485认证

2015 年日本电波工业株式会社NDK晶振总部迁到东京都涩谷区笹冢（和迁移前相同区域）

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NDK晶振,压控晶体振荡器,NV7050S晶振,6脚VCXO晶振,压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内,由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用,晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序,该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果.

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NDK晶振型号		NV7050SA晶振
输出频率范围		15~2100MHz
标准频率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
电源电压范围		+1.68~+3.5V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10-6 max.（VCC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V ±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V@VCC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

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NDK电压控制晶体振荡器型号

NDK压控晶振型号	尺寸大小 (mm)			频率范围 (MHz)		输出规格	频率偏差	电压 (V)
NDK压控晶振型号	L	W	H	Min.	Max.	输出规格	[×10^-6]	[V_CC]
NV7050SF压控晶振	7.0	5.0	1.6	1.25	62	CMOS	±50	+3.3
NV7050SF压控晶振	7.0	5.0	1.6	122.88		CMOS	±50	+3.3
NV7050SA晶振	7.0	5.0	1.6	62	170	CMOS	±50	+3.3
NV7050SA(低相位噪声)	7.0	5.0	1.6	100	200	LVPECL	±50	+3.3
NV7050SA晶振(高温范围）	7.0	5.0	1.6	122.88	122.88	LVPECL	±50	+3.3
NV7050SA压控振荡器	7.0	5.0	1.6	80	170	LVPECL	±50	+3.3

yijin-4 在使用NDK晶振时应注意

1：抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

2：辐射

将贴片晶振,通信应用压控晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.

3：化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.

4：粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

5：卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

6：静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.NDK晶振,压控晶体振荡器,NV7050S晶振,6脚VCXO晶振

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