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EPSON晶振,压控晶振,VG7050ECN晶振

EPSON晶振,压控晶振,VG7050ECN晶振

频率:50M~800MHZ尺寸:7.0x5.0mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
EPSON晶振,石英晶体振荡器,VG7050EAN晶振

EPSON晶振,石英晶体振荡器,VG7050EAN晶振

频率:50M~800MHZ尺寸:5.0x7.0mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
EPSON晶振,压控晶振,VG7050CDN晶振

EPSON晶振,压控晶振,VG7050CDN晶振

频率:85M~170MHZ尺寸:5.0x7.0mm
压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅
EPSON晶振,压控晶振,差分晶振,EV7050EAN晶振

EPSON晶振,压控晶振,差分晶振,EV7050EAN晶振

频率:600M~2200MHZ尺寸:5.0x7.0mm
VCXO晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225EFN晶振

EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225EFN晶振

频率:100M~250MHZ尺寸:3.2x2.5mm
小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
EPSON晶振,压控晶振,差分晶振,VG5032EFN晶振

EPSON晶振,压控晶振,差分晶振,VG5032EFN晶振

频率:100M~250MHZ尺寸:5.0x3.2mm
压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60MHz到200MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能.
EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振

EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振

频率:100M~250MHZ尺寸:3.2x2.5mm
3225压控晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用.
EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振

EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振

频率:100M~250MHZ尺寸:5.0x3.2mm
5032压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60MHz到200MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能.
Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振

Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振

频率:10.9Mx670MZH尺寸:9.7X14.0mm

差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.

Pletronics晶振,有源晶振,LV96晶振,LV98晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV96晶振,LV98晶振

频率:10.9M~670MHZ尺寸:9.1X8.9mm

差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.

Pletronics晶振,差分晶振,HC55D晶振

Pletronics晶振,差分晶振,HC55D晶振

频率:13M~220MHZ尺寸:5.0x3.2mm
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz
Pletronics晶振,差分晶振,HC77D晶振

Pletronics晶振,差分晶振,HC77D晶振

频率:13M~220MZH尺寸:5x7mm
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz
Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振

频率:3.5M~170MHZ尺寸:3.2X2.5mm
差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒
Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振

频率:13M~220MHZ尺寸:5.0x3.2mm
差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围

Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振

Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振

频率:80M~325MHZ尺寸:5.0X7.0mm
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.
Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶体振荡器

Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶体振荡器

频率:80M~325MHZ尺寸:5.0X7.0mm
差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围
IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振

IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振

频率:16KHZ~1500MHZ尺寸:5.0x3.2mm
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.
IDT晶振,差分晶振,XUM晶振

IDT晶振,差分晶振,XUM晶振

频率:0.016~1500MHz尺寸:5.0x3.2mm
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

               无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
            有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.

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