日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO221SR晶振
频率:0.7M~150MHZ
尺寸:2.5x2.0mm
日本株式会社大真空KDS晶振集团设立在日本国兵库县加古川市平冈町新在家,创业时间为1959年11月3日,正式注册成立是在1963年5月8日,当时注册资金高达321亿日元之多,主要从事电子元件以及电子设备生产销售一体化,包括晶体谐振器,音叉型晶体谐振器,晶体应用产品,晶体振荡器,晶体滤波器,晶体光学产品,硅晶体时钟设备,MEMS振荡器等.
日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO晶振)、恒温晶体振荡器(OCXO)、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.
日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶体,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国、英国、德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以“依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.
日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.
日本株式会社大真空KDS晶振发展史:
1959年在在神户市成立加工电子零件和石英晶体,进口晶振,爱普生晶体,KDS晶振,石英水晶振荡子.
1963公司变更为合股公司组织.
1965开始大规模生产石英晶体谐振器,32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器等部件.
1970年日本株式会社大真空KDS晶振在东京办事处开业.
1973年开设kurodasho厂(现在的西胁工厂)生产晶体管.
1974年开设川厂(现在的凉厂)是目前人造石英晶体,(SPXO)普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器,(OCXO)恒温晶体振荡器等生产规模最大的.
1976年开设宫崎厂(目前九州大真空公司)为音叉型石英晶体谐振器生产,在加古川市完成新总部.
1977年成立和谐电子公司建立大真空(美国)有限公司开始向美国市场供应晶体谐振器.
1980年开设鸟取工厂(目前鸟取生产部)对晶体谐振器生产增加.同年开始生产石英晶体滤波器和晶振时钟.
1981年建立大真空(香港)公司开始提供音叉型石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,有源晶振的香港和中国市场.
1983年大阪证券交易所二期上市.
1984年独立完成中心实验室,开设德岛工厂(目前德岛生产部)作为人造石英晶体的稳定的生产基地,部分设备和石英谐振器,开始大规模生产光学低通滤波器.
1985年打开德岛第二厂开始生产陶瓷产品,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振,陶瓷雾化片打开配送中心在加古川市.
1987名古屋办事处开业.开始的温度补偿晶体振荡器(TCXO)生产和电压控制晶体振荡器(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加强在东盟地区销售.
1989更改公司名称大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亚启动海外生产晶体谐振器.
1990-1991大阪证券交易所第一节上市.建立大真空(德国)公司加强在欧洲的销售.
1993建立了天津该公司开始音叉型石英晶体谐振器,石英水晶振荡子,陶瓷振动子,32.768K,时钟晶体,压电石英晶体的海外生产.
1996日本株式会社大真空KDS晶振获得ISO9001(国际标准化组织质量管理标准).
1998(获得QS9000质量标准/汽车质量保证管理体系.)
2000获得ISO14001(环境管理体系由国际标准化组织),获得ISO / TS 16949(技术规范由国际标准化组织).
2003扩大生产规模天津加工厂面积,成立上海锐致国际贸易有限公司加强在中国的销售.以和谐电子公司为我公司的综合子公司加强石英晶振,压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)、陶瓷谐振器等器件业务.
2010日本株式会社大真空KDS晶振建立大真空(泰国)有限公司.
2012日本株式会社大真空KDS晶振扩大在加古川市中央实验室的地板尺寸.
2013东京证券交易所第一节上市.
日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO221SR晶振,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
石英晶振频率稳定度:关键参数,我们的高端晶振可以达到10-9级别.指在规定的工作温度范围内,与标称频率允许的偏差,用PPm(百万分之一)表示.一般来说,晶振稳定度越高或温度范围越宽,价格越高.对于频率稳定度要求±20ppm或以上的应用,可使用普通无补偿的石英晶体振荡器.对于介于±1 至±20ppm 的稳定度,应该考虑温补晶振TCXO .对于低于±1ppm 的稳定度,应该考虑恒温晶振OCXO.如果客户有十分特别的频稳要求,我们可根据客户要求参数定做.
KDS晶振项目 |
符号 |
DSO221SR晶振规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
0.7MHz to 150MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8V to 3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.vc-tcxo.com/ |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用日本KDS晶振时应注意以下事项:
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种进口SPXO石英晶体振荡器,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO221SR晶振
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
联系人黄娜:18924600166
工作QQ:857950243
贸易通:yijindz2014
座机:0755-27876565
邮箱:yijindz@163.com
微信:yijindz,公众号:NDKcrystal
地址:广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路
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